Nghiên cứu & Phát triển nguồn giả vật đen cho hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt vùng 8-12µm
Luận án nghiên cứu và phát triển nguồn giả vật đen cho hiệu chỉnh bất đồng nhất ảnh nhiệt vùng 8-12µm, cải thiện chất lượng ảnh.
Số trang
182
Thời gian đọc
28 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
50 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- Cơ sở lý thuyết bức xạ vật đen và nguồn giả
- Số trang:
- 182 trang
- Trường:
- Học viện Khoa học và Công nghệ
- Chuyên ngành:
- Vật lý
- Tác giả:
- Luan An
Tóm tắt nội dung luận án
I.Cơ sở lý thuyết bức xạ vật đen và nguồn giả
Tài liệu này cung cấp cái nhìn sâu sắc về các nguyên lý cơ bản của bức xạ vật đen. Khái niệm bức xạ nhiệt được giải thích chi tiết. Các đại lượng đặc trưng như công suất, độ trưng, cường độ bức xạ được định nghĩa rõ ràng. Quá trình hấp thụ, phản xạ và truyền qua bức xạ được phân tích. Bức xạ của vật đen tuyệt đối đóng vai trò là tiêu chuẩn lý tưởng. Năng suất phát xạ đơn sắc và đặc trưng phổ bức xạ của vật đen tuyệt đối tuân theo Định luật Stefan-Boltzmann và Định luật Wien. Những định luật này là nền tảng để hiểu về hành vi bức xạ. Nguồn giả vật đen được giới thiệu như một thiết bị thực tế để mô phỏng bức xạ vật đen. Nghiên cứu sâu về hốc phát xạ, kiểu dạng và dòng bức xạ từ bề mặt. Hệ số phát xạ hiệu dụng, nhiệt độ bức xạ và tính bất đẳng nhiệt của hốc thực được xem xét. Toàn bộ chương này đặt nền móng lý thuyết vững chắc cho việc thiết kế và đánh giá nguồn giả vật đen.
1.1. Khái niệm bức xạ nhiệt cơ bản
Tài liệu giới thiệu các đại lượng đặc trưng bức xạ nhiệt. Công suất bức xạ, độ trưng bức xạ, cường độ bức xạ được định nghĩa. Khả năng hấp thụ, phản xạ và truyền qua bức xạ được phân tích. Bức xạ của vật đen tuyệt đối là đối tượng nghiên cứu trọng tâm. Đặc trưng phổ bức xạ của vật đen tuyệt đối tuân theo các định luật vật lý. Định luật Stefan-Boltzmann mô tả tổng năng lượng bức xạ. Định luật Wien xác định bước sóng phát xạ cực đại. Những kiến thức này thiết lập cơ sở vững chắc.
1.2. Lý thuyết nguồn bức xạ giả vật đen
Nghiên cứu tập trung vào phát xạ của vật thực. Hốc phát xạ đóng vai trò trung tâm trong nguồn bức xạ giả vật đen. Kiểu dạng hốc phát xạ ảnh hưởng đến hiệu quả bức xạ. Dòng bức xạ từ một bề mặt hốc phát xạ được phân tích kỹ lưỡng. Hệ số phát xạ hiệu dụng là một tham số quan trọng. Nhiệt độ bức xạ được xác định chính xác. Tính bất đẳng nhiệt của hốc phát xạ thực được khảo sát. Các yếu tố này là chìa khóa để thiết kế nguồn giả vật đen.
II.Xác định đặc trưng bức xạ hốc vật đen chính xác
Việc xác định các đặc trưng bức xạ của hốc phát xạ vật đen là rất quan trọng. Tài liệu trình bày nhiều phương pháp khác nhau để đạt được điều này. Phương pháp tính toán tất định sử dụng các biểu thức gần đúng. Phương pháp giải tích dựa trên phương trình tích phân cơ bản. Các phương trình cụ thể cho hốc hình trụ-đáy nón lõm được đề xuất. Phương pháp mô phỏng Monte Carlo là một công cụ mạnh mẽ. Nó được sử dụng để mô hình hóa ngẫu nhiên các tính chất quang học bề mặt. Xác suất các quá trình lan truyền và tương tác bức xạ được tính toán. Kỹ thuật gán trọng số thống kê được áp dụng hiệu quả. Hai cách tiếp cận chính trong Monte Carlo là dựa trên phát xạ và dựa trên hấp thụ bức xạ. Bên cạnh đó, các phương pháp đo lường thực nghiệm cũng được thảo luận. Đo phản xạ bằng laser và nguồn bức xạ dải rộng được giới thiệu. Đo lường trắc xạ sử dụng radiometers và spectroradiometers cung cấp dữ liệu chính xác. Những phương pháp này đảm bảo đánh giá toàn diện các đặc trưng bức xạ.
2.1. Phương pháp tính toán và mô phỏng bức xạ
Tài liệu giới thiệu phương pháp tính toán tất định với các biểu thức gần đúng. Phương pháp giải tích dựa trên phương trình tích phân cơ bản được áp dụng. Phương trình tính hệ số phát xạ hiệu dụng cho hốc hình trụ-đáy nón lõm được đề cập. Phương pháp mô phỏng Monte Carlo là công cụ chính. Mô hình hóa ngẫu nhiên tính chất quang học bề mặt là bước đầu. Xác suất lan truyền và tương tác bức xạ được tính toán. Kỹ thuật gán trọng số thống kê tăng cường độ chính xác. Mô phỏng Monte Carlo tính toán đặc trưng bức xạ hốc phát xạ. Các phương pháp mô phỏng dựa trên phát xạ và hấp thụ bức xạ được phân tích.
2.2. Phương pháp đo lường thực nghiệm tiên tiến
Các phương pháp đo phản xạ được trình bày chi tiết. Đo phản xạ bằng laser cung cấp kết quả chính xác cao. Đo phản xạ bằng nguồn bức xạ dải rộng mở rộng phạm vi ứng dụng. Đo lường trắc xạ các nguồn bức xạ vật đen là cần thiết. Các thiết bị đo trắc xạ (radiometers) được sử dụng phổ biến. Các máy đo phổ kế bức xạ (spectroradiometers) phân tích phổ bức xạ. Những phương pháp thực nghiệm này đảm bảo kiểm tra và xác nhận các đặc trưng của nguồn giả vật đen.
III.Tính hệ số phát xạ hốc trụ nón hiệu quả
Nghiên cứu tập trung vào việc tính toán hệ số phát xạ theo hướng hiệu dụng của hốc hình trụ-đáy nón lõm. Đây là một cấu hình hốc phổ biến trong các nguồn giả vật đen. Kỹ thuật đa thức nội suy được áp dụng để giải quyết vấn đề này. Các hệ số góc trong phương trình hệ số phát xạ địa phương hiệu dụng của đáy nón được tính toán chi tiết. Các biểu thức hệ số góc được biến đổi và xử lý các điểm kỳ dị để đảm bảo tính chính xác. Việc lựa chọn dạng đa thức nội suy phù hợp là rất quan trọng. Song song đó, phương pháp mô phỏng Monte Carlo được sử dụng để tính toán hệ số phát xạ theo hướng pháp tuyến hiệu dụng. Mô hình hóa hốc phát xạ hình trụ-đáy nón lõm được xây dựng. Các đặc trưng quang học và mô hình phân bố phản xạ của bề mặt hốc được giả định. Quá trình mô phỏng lan truyền bức xạ trong hốc được thực hiện bằng giải thuật cụ thể. Những phương pháp này cung cấp hiểu biết sâu sắc về hành vi bức xạ của hốc. Chúng hỗ trợ việc tối ưu hóa thiết kế.
3.1. Tính toán hệ số phát xạ bằng đa thức nội suy
Nghiên cứu tính toán hệ số phát xạ theo hướng hiệu dụng. Hốc phát xạ hình trụ-đáy nón lõm là trọng tâm. Kỹ thuật đa thức nội suy được áp dụng để giải bài toán. Các hệ số góc trong phương trình hệ số phát xạ địa phương hiệu dụng được tính toán. Biến đổi các biểu thức hệ số góc là cần thiết. Xử lý các điểm kỳ dị đảm bảo độ chính xác. Tính toán hệ số phát xạ địa phương hiệu dụng của đáy nón được thực hiện. Lựa chọn dạng đa thức nội suy phù hợp là yếu tố quan trọng.
3.2. Mô phỏng hệ số phát xạ bằng Monte Carlo
Tính toán hệ số phát xạ theo hướng pháp tuyến hiệu dụng. Phương pháp mô phỏng Monte Carlo được triển khai. Mô hình hóa hốc phát xạ hình trụ-đáy nón lõm được thiết lập chi tiết. Các đặc trưng quang học của hốc phát xạ được giả định. Mô hình phân bố phản xạ của bề mặt hốc được xác định. Đặc trưng bức xạ theo hướng pháp tuyến hiệu dụng của hốc phát xạ được tính toán. Mô phỏng lan truyền bức xạ trong hốc phát xạ được thực hiện. Xây dựng giải thuật mô phỏng là bước cốt lõi.
IV.Thiết kế nguồn giả vật đen hiệu chỉnh camera
Chương này đi sâu vào việc nghiên cứu thiết kế, chế tạo và đánh giá đặc trưng của nguồn giả vật đen. Mục tiêu chính là sử dụng nguồn này để hiệu chỉnh bất đồng nhất ảnh của camera ảnh nhiệt 8-12µm. Các yêu cầu đối với nguồn giả vật đen được xác định rõ ràng, bao gồm cả yêu cầu sử dụng và yêu cầu kỹ thuật. Các yêu cầu kỹ thuật chủ yếu liên quan đến kiểu dạng hốc phát xạ, dải phổ bức xạ mong muốn, kích thước khẩu độ ra, hệ số phát xạ theo hướng hiệu dụng, nhiệt độ làm việc và nguồn điện cung cấp. Nghiên cứu thiết kế hốc phát xạ tập trung vào việc xác định các tham số tối ưu. Khảo sát phân bố của hệ số phát xạ hiệu dụng pháp tuyến (e,n) theo các tỷ số hình học như R/r, L/R và góc được thực hiện. Từ đó, các tham số thiết kế cuối cùng của hốc phát xạ được xác định. Quá trình đánh giá các tham số thiết kế hệ thống và lựa chọn vật liệu phát xạ phù hợp cũng được trình bày. Những bước này đảm bảo tạo ra một nguồn giả vật đen chất lượng cao cho ứng dụng hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt.
4.1. Yêu cầu thiết yếu cho nguồn giả vật đen
Nguồn giả vật đen phải đáp ứng các yêu cầu sử dụng cụ thể. Các yêu cầu kỹ thuật chủ yếu được xác định rõ ràng. Kiểu dạng hốc phát xạ là một yếu tố quan trọng. Dải phổ bức xạ mục tiêu là 8-12µm. Kích thước khẩu độ ra phải phù hợp với camera. Hệ số phát xạ theo hướng hiệu dụng cần đạt mức cao. Nhiệt độ làm việc ổn định và chính xác. Nguồn điện cung cấp đáng tin cậy là cần thiết. Những yêu cầu này định hình quá trình thiết kế.
4.2. Nghiên cứu thiết kế và đánh giá tham số
Nghiên cứu thiết kế hốc phát xạ được thực hiện chi tiết. Xác định các tham số thiết kế của hốc phát xạ là trọng tâm. Khảo sát phân bố của e,n như hàm của tỷ số R/r. Khảo sát phân bố của e,n như hàm của tỷ số L/R. Khảo sát phân bố của e,n như hàm của góc . Các tham số thiết kế tối ưu của hốc phát xạ được xác định. Đánh giá các tham số thiết kế hệ thống được thực hiện. Lựa chọn vật liệu phát xạ phù hợp đóng vai trò quyết định chất lượng.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (182 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộLỜI CẢM ƠN Luận án đƣợc hoàn thành tại Viện Vật lý (IoP), Học viện Khoa học và Công nghệ (GUST), Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt nam (VAST). Nghiên cứu sinh bày tỏ lời cảm ơn chân thành tới tập thể các giảng viên, các nhà khoa học, các cán bộ quản lý của Viện Vật lý, Học viện Khoa học và Công nghệ, Viện Hàn lâm Khoa học Việt nam đã tận tình giảng dạy, giúp đỡ, hƣớng dẫn nghiên cứu sinh trong quá trình thực hiện luận án. Nghiên cứu sinh biết ơn sự quan tâm bàn luận, những nhận xét phản biện sâu sắc về chuyên môn và sự hƣớng dẫn tận tình của GS. Nguyễn Đại Hƣng, Viện Vật lý, trong suốt quá trình học tập và nghiên cứu, thực hiện luận án.
Nghiên cứu sinh trân trọng những chỉ dẫn về ý tƣởng và phƣơng pháp nghiên cứu, những hiệu đính chất lƣợng của TS. Tạ Văn Tuân, Hội Vật lý Việt nam, trong từng nội dung của luận án. Xin đƣợc gửi lời cảm ơn đến lãnh đạo Viện Ứng dụng Công nghệ (NACENTECH) - Bộ Khoa học và Công nghệ đã tạo điều kiện cho nghiên cứu sinh về thủ tục, giúp đỡ tôi thực hiện đầy đủ các khối lƣợng học tập, nghiên cứu để hoàn thành luận án này. Kết quả của luận án không thể tách rời sự hỗ trợ về chuyên môn, sự hợp tác rất hiệu quả của các đồng nghiệp đang công tác tại Trung tâm Tích hợp Công nghệ (CSEi), Viện Ứng dụng Công nghệ trong các nghiên cứu và thực nghiệm.
Luận án này cũng là thành quả mà tôi muốn gửi tặng gia đình, ngƣời thân và bạn bè, luôn là chỗ dựa vững chắc, là nguồn động viên, hỗ trợ vô bờ bến đối với tôi, giúp tôi vƣợt đƣợc mọi khó khăn, trở ngại, đạt đƣợc mục tiêu đề ra. MỤC LỤC Lời cam đoan Lời cảm ơn DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT. 6 DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU, HÌNH VẼ. 14 CHƢƠNG 1: CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ BỨC XẠ VẬT ĐEN.
Các đại lƣợng đặc trƣng bức xạ nhiệt. Công suất bức xạ. Độ trƣng bức xạ. Cƣờng độ bức xạ.
Hấp thụ, phản xạ, truyền qua bức xạ. Bức xạ của vật đen tuyệt đối. Năng suất phát xạ đơn sắc. Đặc trƣng phổ bức xạ của vật đen tuyệt đối.
Định luật Stefan - Boltzmann. Định luật Wien. Cơ sở lý thuyết bức xạ nguồn giả vật đen. Phát xạ của vật thực.
Hốc phát xạ của nguồn bức xạ giả vật đen. Kiểu dạng hốc phát xạ. Dòng bức xạ từ một bề mặt hốc phát xạ. Hệ số phát xạ hiệu dụng.
Nhiệt độ bức xạ. Tính bất đẳng nhiệt của hốc phát xạ thực. Kết luận Chƣơng 1. 34 CHƢƠNG 2: CÁC PHƢƠNG PHÁP XÁC ĐỊNH ĐẶC TRƢNG BỨC XẠ CỦA HỐC PHÁT XẠ VẬT ĐEN.
Phƣơng pháp tính toán tất định. Các biểu thức tính toán gần đúng. Phƣơng pháp giải tích. Phƣơng trình tích phân cơ bản.
Các phƣơng trình tính hệ số phát xạ hiệu dụng của hốc hình trụ - đáy nón lõm. Phƣơng pháp mô phỏng Monte Carlo. Phƣơng pháp Monte Carlo trong đo lƣờng bức xạ. Mô hình hóa ngẫu nhiên các tính chất quang học của bề mặt 47 2.
Xác suất các quá trình lan truyền và tƣơng tác bức xạ. Kỹ thuật gán trọng số thống kê. Mô phỏng Monte Carlo trong tính toán đặc trƣng bức xạ của hốc phát xạ. Phƣơng pháp mô phỏng dựa trên phát xạ.
Phƣơng pháp mô phỏng dựa trên hấp thụ bức xạ. Phƣơng pháp đo lƣờng thực nghiệm. Các phƣơng pháp đo phản xạ. Đo phản xạ bằng laser.
Đo phản xạ bằng nguồn bức xạ dải rộng. Đo lƣờng trắc xạ các nguồn bức xạ vật đen. Các thiết bị đo trắc xạ (radiometers). Các máy đo phổ kế bức xạ (spectroradiometers).
Kết luận chƣơng 2. 68 CHƢƠNG 3: NGHIÊN CỨU TÍNH TOÁN HỆ SỐ PHÁT XẠ THEO HƢỚNG HIỆU DỤNG CỦA HỐC HÌNH TRỤ - ĐÁY NÓN LÕM. Nghiên cứu tính toán hệ số phát xạ theo hƣớng hiệu dụng của hốc phát xạ hình trụ - đáy nón lõm bằng kỹ thuật đa thức nội suy. Tính các hệ số góc trong phƣơng trình hệ số phát xạ địa phƣơng hiệu dụng của đáy nón.
Biến đổi các biểu thức hệ số góc. Xử lý các điểm kỳ dị. Tính toán hệ số phát xạ địa phƣơng hiệu dụng của đáy nón bằng kỹ thuật đa thức nội suy. Lựa chọn dạng đa thức nội suy.
Nghiên cứu tính hệ số phát xạ địa phƣơng hiệu dụng của đáy nón. Nghiên cứu tính toán hệ số phát xạ theo hƣớng pháp tuyến hiệu dụng của hốc hình trụ - đáy nón lõm bằng phƣơng pháp mô phỏng Monte Carlo. Mô hình hóa hốc phát xạ hình trụ - đáy nón lõm. Giả định các đặc trƣng quang học của hốc phát xạ.
Mô hình phân bố phản xạ của bề mặt hốc. Xác định đặc trƣng bức xạ theo hƣớng pháp tuyến hiệu dụng của hốc phát xạ. Mô phỏng lan truyền bức xạ trong hốc phát xạ. Xây dựng giải thuật mô phỏng.
Kết luận chƣơng 3. 96 CHƢƠNG 4: NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ, CHẾ TẠO VÀ ĐÁNH GIÁ ĐẶC TRƢNG NGUỒN GIẢ VẬT ĐEN DỰA TRÊN HỐC DẠNG HÌNH TRỤ - ĐÁY NÓN LÕM CHO HIỆU CHỈNH BẤT ĐỒNG NHẤT ẢNH CỦA CAMERA ẢNH NHIỆT. Các yêu cầu đối với nguồn giả vật đen. Yêu cầu sử dụng.
Các yêu cầu kỹ thuật chủ yếu. Kiểu dạng hốc phát xạ. Dải phổ bức xạ. Kích thƣớc khẩu độ ra.
Hệ số phát xạ theo hƣớng hiệu dụng. Nhiệt độ làm việc. Nguồn điện cung cấp. Yêu cầu thiết kế.
Nghiên cứu thiết kế hốc phát xạ. Nghiên cứu xác định các tham số thiết kế của hốc phát xạ. Khảo sát phân bố củae,n nhƣ là hàm của tỷ số R/r. Khảo sát phân bố củae,n nhƣ là hàm của tỷ số L/R.
Khảo sát phân bố củae,n nhƣ là hàm của góc . Xác định các tham số thiết kế của hốc phát xạ. Đánh giá các tham số thiết kế hệ thống. Lựa chọn vật liệu phát xạ.
Giải pháp cấp nhiệt và điều khiển nhiệt độ. Yêu cầu về nguồn nhiệt. Điều khiển nhiệt độ của đáy nón. Đánh giá đặc trƣng nguồn bức xạ giả vật đen.
Nguồn bức xạ giả vật đen đƣợc chế tạo. Khảo sát nhiệt độ bề mặt đáy nón. Đánh giá đặc trƣng bức xạ bằng phổ kế bức xạ. Xử lý bất đồng nhất ảnh nhiệt.
Mô hình đáp ứng tuyến tính của camera. Hiệu chỉnh tuyến tính bằng chuẩn hóa. Nghiên cứu ứng dụng hiệu chỉnh NUC ảnh nhiệt vùng LWIR. Kết luận Chƣơng 4.
145 KẾT LUẬN CHUNG. 146 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ. 148 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC LIÊN QUAN. 149 TÀI LIỆU THAM KHẢO.
Biến đổi các biểu thức hệ số góc .1 Biến đổi biểu thức hệ số góc dFx,ap .2Biến đổi biểu thức hệ số góc dFy0,ap .3 Biến đổi biểu thức hệ số góc d2Fy0,x .4 Giá trị của các hệ số góc tại các điểm kỳ dị. Đặc trƣng phát xạ của một số vật liệu. Nguồn giả vật đen. Thiết kế cơ khí khối nguồn bức xạ.
Mô tả nguồn giả vật đen. 177 5 DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT CÁC KÝ HIỆU A Diện tích bề mặt bức xạ b Hằng số Wien c Tốc độ ánh sáng trong chân không c1,c2 Các hằng số bức xạ d Đƣờng kính/Khoảng cách D Độ khuếch tán d2F Hệ số góc vi phân E Độ rọi bức xạ f Tiêu cự f Hàm phân bố phản xạ F,dF Hệ số góc G,g Hệ số khuếch đại/Hệ số nhân h Hằng số Plank I Cƣờng độ bức xạ k Hằng số Boltzmann L Độ trƣng/độ chói bức xạ L,l Độ dài M Năng suất phát xạ/ Độ thoát xạ O,o Hệ số bù Q Năng lƣợng bức xạ điện từ R,r Bán kính r,T Năng suất phát xạ đơn sắc S,s Diện tích T Nhiệt độ tuyệt đối 6 Góc giữa đáy nón và vách trụ Bƣớc sóng (,) Các góc tọa độ trong hệ tọa độ cầu ,,b,,s Các số giả ngẫu nhiên Công suất/ Thông lƣợng quang học/bức xạ Góc khối chùm bức xạ Góc mở bức xạ ra của hốc phát xạ r Góc phản xạ s Góc phản xạ kiểu gƣơng i Góc tới Hằng số Stefan-Boltzmann ,e Hệ số hấp thụ, Hệ số hấp thụ hiệu dụng , e Hệ số phản xạ, Hệ số phản xạ hiệu dụng , e Hệ số phát xạ, Hệ số phát xạ hiệu dụng Hàm phổ biến Hệ số truyền qua Tần số bức xạ điện từ Trọng số thống kê Vector chỉ phƣơng Vector vị trí 7 CÁC CHỮ VIẾT TẮT BFL Back Focal Length Tiêu cự sau BRDF Bi-directional Reflectance Hàm phân bố độ phản xạ Distribution Function lƣỡng hƣớng CCD Charge Couple Devices Linh kiện liên kết điện tích CDF Cumulative Distribution Hàm phân bố tích lũy Function CMOS Complementary Metal-Oxide- Bán dẫn ô xít kim loại bù Semiconductor CTIA Capacitive Trans Impedance Bộ khuếch đại trở kháng Amplifier CVF Circular Variable Filter Bộ lọc vòng biến đổi DHR Directional - Hemispherical Độ phản xạ bán cầu theo Reflectance hƣớng FPA Focal Plane Array Mảng tiêu diện phẳng FPGA Field-Programmable Gate Mảng tích hợp cỡ lớn khả Array trình FPN Fixed Pattern Noise Tạp kiểu hoa văn cố định FWHM Full Width at Half Maximum Độ rộng toàn phần nửa cực đại HSR Heat Sink Resistance Trở nhiệt của tấm thu nhiệt ICM Integrative Cavity Method Phƣơng pháp hốc tích hợp IR Infrared Hồng ngoại LWIR Long Wavelength Infrared Hồng ngoại bƣớc sóng dài MC Monte Carlo Monte Carlo MCM Monte Carlo Method Phƣơng pháp Monte Carlo MCU Micro-Controller Unit Bộ vi điều khiển NU Non-Uniformity Độ bất đồng nhất NUC Non-Uniformity Correction Hiệu chỉnh bất đồng nhất P.D Proportional-Integral- Tính vi tích phân tỷ lệ Derivative 8 PC Personal Computer Máy tính cá nhân PDF Probability Distribution Hàm phân bố xác suất Function PRNG Pseudo-Random Number Bộ tạo số giả ngẫu nhiên Generator PWM Pusle Width Modulation Điều biến độ rộng xung RNG Random Number Generator Bộ tạo số ngẫu nhiên ROIC Read-out Integrated Circuit Mạch đọc RTD Resistance Temperature Cảm biến nhiệt điện trở Detector SNR Signal - to - Noise Ratio Tỷ số tín/tạp TE Thermo-Electric Thuộc điện - nhiệt USD Uniform Specular Diffuse Tính khuếch tán gƣơng đồng nhất 9 DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU, HÌNH VẼ DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 3.1: Đa thức nội suy của hàm tích phân d2Fyo,x dFx,ap với hệ số phát xạ bề mặt = 0,7.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Nguồn giả vật đen hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt 8-12µm (n.d.) [Luận án tiến sĩ, Học viện Khoa học và Công nghệ]. LuanAn.net. https://luanan.net/ky-thuat-dien-dien-tu/nguon-gia-vat-den-hieu-chinh-camera-anh-nhiet
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Nguồn giả vật đen hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt 8-12µm" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án nghiên cứu và phát triển nguồn giả vật đen cho hiệu chỉnh bất đồng nhất ảnh nhiệt vùng 8-12µm, cải thiện chất lượng ảnh.
Luận án "Nguồn giả vật đen hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt 8-12µm" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Học viện Khoa học và Công nghệ.
Luận án "Nguồn giả vật đen hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt 8-12µm" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Nguồn giả vật đen hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt 8-12µm" thuộc chuyên ngành Vật lý. Danh mục: Kỹ Thuật Điện - Điện Tử.
Luận án "Nguồn giả vật đen hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt 8-12µm" có bao nhiêu trang?
Luận án "Nguồn giả vật đen hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt 8-12µm" có 182 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Nguồn giả vật đen hiệu chỉnh camera ảnh nhiệt 8-12µm" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.