Luận án tiến sĩ ảnh hưởng của điện tử giam cầm và phonon giam cầm lên một số tín

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Ễ Ị THANH NHÀN ẢNH HƯỞ ỦA ĐIỆ Ử ẦM VÀ PHONON ẦM LÊN MỘ Ố TÍNH CHẤ CÁC HỆ BÁN DẪ Ấ Ề LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ HÀ NỘ ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Ễ Ị THANH NHÀN ẢNH HƯỞ ỦA ĐIỆ Ử ẦM VÀ PHONON ẦM LÊN MỘ Ố TÍNH CHẤ CÁC HỆ BÁN DẪ Ấ Ề Chuyên ngành ật lý Lý thuyết và Vật lý Toán Mã số LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC ỄN QUANG BÁU HÀ NỘ LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Các kết quả, số liệu, đồ thị,. được nêu trong luận án là trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kỳ các công trình nào khác. Tác giả luận án Nguyễn Thị Thanh Nhàn i LỜI CẢM ƠN Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc nhất đến GS.

Nguyễn Quang Báu, người thầy đã hết lòng tận tụy giúp đỡ, hướng dẫn tôi trong quá trình học tập, nghiên cứu và hoàn thành luận án. Tôi xin chân thành cảm ơn sự giúp đỡ, hướng dẫn tận tình của các thầy, cô trong bộ môn Vật lý Lý thuyết, khoa Vật lý Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội. Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Ban giám hiệu, Khoa Vật lý và Phòng Sau đại học, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội đã tạo mọi điều kiện cho tác giả hoàn thành luận án. Tác giả luận án Nguyễn Thị Thanh Nhàn ii MỤC LỤC Danh mục hình vẽ Mở đầu.

Tổng quan về một số hệ bán dẫn hai chiều và một chiều. Hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn khối khi có mặt trƣờng bức xạ laser. Hệ bán dẫn hai chiều. Hố lượng tử.

Siêu mạng pha tạp. Siêu mạng hợp phần. Hệ bán dẫn một chiều .Dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn. Dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn.

Dây lượng tử hình trụ với hố thế parabol. Hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn khối khi có mặt trường bức xạ laser. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong bán dẫn khối khi có mặt hai sóng điện từ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếukhi có mặt trường bức xạ laser trong bán dẫn khối.

Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hệ bán dẫn hai chiều khi có mặt trƣờng bức xạ laser. Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có mặt trường bức xạ laser. Trường hợp trường bức xạ laser không biến điệu biên độ. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong hố lượng tử khi có mặt hai sóng điện từ.

Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser không biến điệu biên độ trong hố lượng tử. Kết quả tính số và thảo luận .Trường hợp trường bức xạ laser biến điệu biên độ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser biến điệu biên độ trong hố lượng tử. Kết quả tính số và thảo luận.

Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp khi có mặt trường bức xạ laser. Trường hợp trường bức xạ laser không biến điệu biên độ. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong siêu mạng pha tạp khi có mặt hai sóng điện từ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser không biến điệu biên độ trong siêu mạng pha tạp.

Kết quả tính số và thảo luận .Trường hợp trường bức xạ laser biến điệu biên độ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser biến điệu biên độ trong siêu mạng pha tạp. Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chương 2.

Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầmtrong hệ bán dẫn một chiều khi có mặt trƣờng bức xạ laser. Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khi có mặt trường bức xạ laser. Trường hợp trường bức xạ laser không biến điệu biên độ. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khi có mặt hai sóng điện từ.

Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser không biến điệu biên độ trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn 64 3. Kết quả tính số và thảo luận .Trường hợp trường bức xạ laser biến điệu biên độ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser biến điệu biên độ trong dâylượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn. Kết quả tính số và thảo luận.

Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn khi có mặt trường bức xạ laser. Trường hợp trường bức xạ laser không biến điệu biên độ. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn khi có mặt hai sóng điện từ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser không biến điệu biên độ trong dâylượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn.

Kết quả tính số và thảo luận .Trường hợp trường bức xạ laser biến điệu biên độ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser biến điệu biên độ trong dâylượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn. Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chương 3.

Ảnh hƣởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hệ bán dẫn hai chiều và một chiều khi có mặt trƣờng bức xạ laser. Ảnh hưởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có mặt trường bức xạ laser. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong hố lượng tử khi có mặt hai sóng điện từ, có kể đến sự giam cầm phonon.Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser trong hố lượng tử, có kể đến sự giam cầm phonon. Kết quả tính số và thảo luận.

Ảnh hưởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp khi có mặt trường bức xạ laser. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong siêu mạng pha tạp khi có mặt hai sóng điện từ, có kể đến sự giam cầm phonon .Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ v laser trong siêu mạng pha tạp, có kể đến sự giam cầm phonon. Kết quả tính số và thảo luận. Ảnh hưởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khi có mặt trường bức xạ laser.

Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khi có mặt hai sóng điện từ, có kể đến sự giam cầm phonon.Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn, có kể đến sự giam cầm phonon. Kết quả tính số và thảo luận. Ảnh hưởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn khi có mặt trường bức xạ laser. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn khi có mặt hai sóng điện từ, có kể đến sự giam cầm phonon .Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn, có kể đến sự giam cầm phonon.

Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chương 4. 128 Danh mục các công trình khoa học của tác giả đã công bố liên quan đến luận án. 129 Tài liệu tham khảo.

131 Phụ lục vi DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 2.1: Sự phụ thuộc của  vào T Hình 2.2: Sự phụ thuộc của  vào 1 Hình 2.3: Sự phụ thuộc của  vào  2 Hình 2.4: Sự phụ thuộc của  vào E01 Hình 2.5: Sự phụ thuộc của  vào L Hình 2.6: Sự phụ thuộc của  vào T Hình 2.7: Sự phụ thuộc của  vào 1 Hình 2.8: Sự phụ thuộc của  vào L Hình 2.9: Sự phụ thuộc của  vào T Hình 2.10: Sự phụ thuộc của  vào  Hình 2.11: Sự phụ thuộc của  vào Ω1 Hình 2.12: Sự phụ thuộc của  vào  Hình 2.13: Sự phụ thuộc của  vào T Hình 2.14: Sự phụ thuộc của  vào  Hình 2.15: Sự phụ thuộc của  vào Ω1 Hình 2.16: Sự phụ thuộc của  vào F1 Hình 2.17: Sự phụ thuộc của  vào T Hình 2.18: Sự phụ thuộc của  vào Ω2 Hình 2.19: Sự phụ thuộc của  vào nD Hình 2.20: Sự phụ thuộc của  vào Nd Hình 2.21: Sự phụ thuộc của  vào T Hình 2.22: Sự phụ thuộc của  vào E01 Hình 2.23: Sự phụ thuộc của  vào nD Hình 2.24: Sự phụ thuộc của  vào Nd Hình 2.25: Sự phụ thuộc của  vào Ω1 Hình 2.26: Sự phụ thuộc của  vào nD vii Hình 2.27: Sự phụ thuộc của  vào Nd Hình 2.28: Sự phụ thuộc của  vào F1 Hình 2.29: Sự phụ thuộc của  vào nD Hình 2.30: Sự phụ thuộc của  vào Nd Hình 3.1: Sự phụ thuộc của  vào T Hình 3.2: Sự phụ thuộc của  vào Ω2 Hình 3.3: Sự phụ thuộc của  vào Lx Hình 3.4: Sự phụ thuộc của  vào T Hình 3.5: Sự phụ thuộc của  vào Lx Hình 3.