Luận án tiến sĩ phát triển ăng-ten mảng phẳng sử dụng siêu vật liệu và lưỡng cực điện từ ở dải sóng milimét - Đặng Thị Từ Mỹ, Đại học Đà Nẵng

Luận án tiến sĩ phát triển ăng ten mảng phẳng dùng siêu vật liệu và lưỡng cực điện từ tại dải sóng milimét.

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

133

Thời gian đọc

20 phút

Lượt xem

1

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

40 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
1. Tổng quan nghiên cứu ăng-ten mảng siêu vật liệu milimét
Số trang:
133 trang
Trường:
Trường Đại học Bách khoa, Đại học Đà Nẵng
Chuyên ngành:
Điện tử viễn thông
Năm:

Tóm tắt nội dung luận án

I. Tổng quan nghiên cứu ăng ten mảng siêu vật liệu milimét

Hệ thống thông tin di động thế hệ mới đòi hỏi tốc độ truyền dữ liệu cao. Băng tần sóng milimét giải quyết bài toán dung lượng nhờ băng thông khả dụng rộng lớn. Tuy nhiên, sóng milimét bị suy hao truyền sóng cao trong không gian tự do. Giải pháp then chốt là sử dụng cấu trúc ăng-ten sóng milimét có độ lợi cao. Ăng-ten mảng tích hợp siêu vật liệu điện từ mở ra hướng đi đột phá. Cấu trúc nhân tạo này giúp kiểm soát pha và phân bố trường điện từ linh hoạt. Hiệu năng bức xạ được cải thiện rõ rệt mà không làm tăng kích thước vật lý. Nghiên cứu tập trung giải quyết các thách thức kỹ thuật ở tần số 28 GHz và 38 GHz. Thiết kế tối ưu hóa độ lợi, mở rộng băng thông và thu gọn kích thước. Công trình đặt nền tảng cho việc triển khai mmWave antenna array trong thực tế mạng 5G.

1.1. Lý thuyết cơ bản về ăng ten sóng milimét và truyền sóng

Băng tần sóng milimét sở hữu bước sóng rất ngắn. Tần số hoạt động từ 30 GHz đến 300 GHz mang lại băng thông dồi dào. Đặc tính này đáp ứng hoàn hảo nhu cầu truyền tải đa phương tiện tốc độ gigabit. Dù vậy, suy hao do hấp thụ khí quyển và vật cản là rào cản lớn. Thiết kế hệ thống đòi hỏi độ hướng tính cao để bù đắp năng lượng tiêu hao. Mảng ăng-ten nhiều phần tử là lựa chọn bắt buộc để tập trung năng lượng. Kỹ thuật ghép mảng tạo búp sóng hẹp, tăng khoảng cách truyền xa. Các tham số như hệ số phản xạ, đồ thị bức xạ và hiệu suất bức xạ đóng vai trò quyết định. Quá trình phân tích cần tính toán chính xác trở kháng phối hợp ở dải tần số cực cao.

1.2. Ứng dụng cấu trúc siêu vật liệu điện từ và Metasurface

Siêu vật liệu điện từ là môi trường nhân tạo với các tính chất điện từ đặc biệt. Cấu trúc có thể đạt hằng số điện môi âm hoặc độ từ thẩm âm. Bề mặt siêu vật liệu hay Metasurface là phiên bản hai chiều mỏng nhẹ của siêu vật liệu. Khi tích hợp vào bộ bức xạ, Metasurface giúp định hình phân bố pha trường gần. Cơ chế này triệt tiêu sóng mặt không mong muốn và giảm thiểu bức xạ phụ. Bề mặt siêu vật liệu cũng cải thiện phối hợp trở kháng và tăng cường độ lợi. Sự kết hợp giữa vật liệu nhân tạo và bộ bức xạ vi dải mang lại nhiều ưu điểm vượt trội. Ăng-ten đạt kích thước nhỏ gọn nhưng vẫn duy trì hiệu suất bức xạ cao tại dải sóng mm.

1.3. Khái niệm về Metamaterial unit cell trong viễn thông 5G

Phần tử cơ sở Metamaterial unit cell quyết định tính chất tổng thể của siêu vật liệu. Mỗi unit cell được thiết kế dạng mạch vòng cộng hưởng hoặc đường truyền vi dải đặc biệt. Kích thước của ô cơ sở nhỏ hơn nhiều so với bước sóng công tác. Phân tích mô hình mạch tương đương LC giúp xác định chính xác tần số cộng hưởng. Các cấu trúc điện từ biên EBG và khuyết tật mặt đất DGS được ứng dụng rộng rãi. Khi sắp xếp theo chu kỳ, các unit cell tạo ra dải cấm ngăn chặn truyền lan sóng mặt. Nhờ đó, hiện tượng ghép tương hỗ giữa các phần tử ăng-ten lân cận giảm đáng kể. Đây là tiền đề để chế tạo mmWave antenna array có khoảng cách phần tử siêu hẹp.

II. Phương pháp phân tích và mô phỏng ăng ten sóng milimét

Quy trình thiết kế ăng-ten dải sóng milimét đòi hỏi độ chính xác tuyệt đối. Kích thước phần tử bức xạ ở tần số cao chỉ vài milimét. Mọi sai số cơ khí nhỏ đều làm biến dạng đặc tính bức xạ và lệch tần số làm việc. Quy trình nghiên cứu kết hợp mô hình giải tích lý thuyết và mô phỏng số 3D. Phần mềm điện từ trường chuyên dụng HFSS được sử dụng để tối ưu hóa kích thước hình học. Các thông số điện môi của chất nền như hằng số điện môi và tiếp tuyến tổn hao được chọn lọc kỹ lưỡng. Vật liệu Rogers với độ suy hao thấp được ưu tiên hàng đầu. Mô hình tiếp điện và phân phối công suất được kiểm tra nghiêm ngặt trước khi chế tạo mẫu thực tế.

2.1. Phân tích tham số mạng tiếp điện và bộ chia công suất

Mạng tiếp điện đóng vai trò huyết mạch trong ăng-ten sóng milimét dạng mảng. Bộ chia công suất chữ T vi dải được thiết kế để cấp nguồn đồng pha cho các phần tử bức xạ. Cấu trúc bộ chia phải đảm bảo tổn hao chèn thấp và phối hợp trở kháng tối ưu tại cổng vào. Phân tích ma trận tán xạ S cung cấp thông tin chi tiết về độ phản xạ và phân chia công suất. Các đoạn biến đổi trở kháng phần tư bước sóng được tính toán chuẩn xác. Thiết kế mạng tiếp điện phẳng đối xứng giúp duy trì phân bố dòng điện đồng đều. Nhờ đó, búp sóng bức xạ chính đạt độ đối xứng cao và mức búp sóng phụ được kiểm soát chặt chẽ.

2.2. Kỹ thuật mô phỏng phần tử hữu hạn trên dải tần cao

Phương pháp phần tử hữu hạn FEM trong công cụ HFSS cho phép giải chính xác phương trình Maxwell. Miền không gian 3D được chia nhỏ thành hàng triệu phần tử tứ diện. Quá trình chia lưới thích ứng đảm bảo hội tụ nghiệm điện từ tại các vùng tập trung trường cao. Mô phỏng trường gần và trường xa giúp đánh giá toàn diện giản đồ bức xạ 3D. Độ lợi cực đại, hiệu suất tổng và băng thông phối hợp trở kháng được trích xuất trực tiếp. Các kỹ thuật tối ưu hóa tham số tự động giúp tinh chỉnh kích thước chi tiết của bộ bức xạ. Kết quả mô phỏng cung cấp cơ sở dữ liệu tin cậy để chế tạo phần cứng.

III. Thiết kế ăng ten mảng vi dải bề mặt siêu vật liệu cho 5G

Dải tần 28 GHz là băng tần chiến lược cho hệ thống thông tin di động 5G đô thị. Ăng-ten vi dải truyền thống có nhược điểm cố hữu là độ lợi thấp và băng thông hẹp. Việc ứng dụng bề mặt siêu vật liệu giải quyết triệt để hạn chế này. Mô hình đề xuất kết hợp miếng bức xạ vi dải với lớp phủ siêu vật liệu nhân tạo. Cấu trúc mới tạo ra cộng hưởng bổ sung, giúp mở rộng đáng kể dải tần làm việc. Độ lợi của phần tử đơn tăng vọt so với ăng-ten vi dải thông thường. Thiết kế duy trì phân cực thẳng ổn định trên toàn dải hoạt động. Kết quả nghiên cứu tạo tiền đề xây dựng mmWave antenna array hiệu năng vượt trội cho trạm gốc 5G.

3.1. Cấu trúc ăng ten vi dải đơn tích hợp Metamaterial unit cell

Phần tử ăng-ten đơn hoạt động tại 28 GHz được chế tạo trên đế điện môi Rogers mỏng. Mặt trên chứa miếng bức xạ vi dải kết hợp mảng Metamaterial unit cell tuần hoàn. Các ô cơ sở siêu vật liệu đóng vai trò thấu kính hội tụ trường điện từ. Cấu trúc này làm chậm sóng mặt và nén năng lượng bức xạ vào hướng vuông góc với mặt phẳng. Hệ số phản xạ S11 duy trì dưới -10 dB trên toàn dải tần mong muốn. Kích thước tổng thể của phần tử vẫn rất nhỏ gọn, thuận lợi cho việc tích hợp mô-đun. Sự ghép nối điện từ giữa miếng bức xạ và ô siêu vật liệu được tối ưu hóa thông qua mô phỏng quét tham số.

3.2. Hiệu năng mảng 4 phần tử trong Beamforming và quét chùm tia

Mảng ăng-ten 1 chiều gồm 4 phần tử được bố trí theo cấu hình thẳng hàng. Mạng tiếp điện chia công suất vi dải cấp nguồn song song với pha đồng nhất. Khoảng cách giữa các phần tử được chọn bằng nửa bước sóng để loại bỏ búp sóng cách tử. Mảng 4 phần tử đạt độ lợi cao vượt bậc và giản đồ bức xạ định hướng hẹp. Khả năng tạo búp sóng Beamforming giúp tập trung mật độ công suất tới thiết bị người dùng. Khi thay đổi phân bố pha cấp nguồn, hệ thống thực hiện quét chùm tia Beam steering linh hoạt trong không gian. Mức búp sóng phụ luôn được khống chế ở mức thấp, giảm thiểu can nhiễu đồng kênh.

3.3. Kiểm chứng thực nghiệm mẫu ăng ten mmWave antenna array 28GHz

Mẫu ăng-ten mmWave antenna array 28 GHz được chế tạo thực tế bằng công nghệ mạch in chính xác cao. Quy trình đo đạc thực nghiệm được thực hiện trong buồng đo câm không phản xạ sóng điện từ. Máy phân tích mạng vector VNA ghi nhận hệ số phản xạ S11 với độ tương đồng cao so với mô phỏng. Băng thông làm việc thực tế bao phủ trọn vẹn dải tần 28 GHz dành cho 5G. Giản đồ bức xạ trường xa 2D và 3D đo đạc khẳng định búp sóng chính chuẩn xác và độ lợi đạt yêu cầu thiết kế. Sự trùng khớp giữa mô phỏng và thực nghiệm chứng minh tính khả thi của giải pháp.

IV. Phát triển ăng ten mảng lưỡng cực điện từ sóng milimét

Ăng-ten lưỡng cực điện từ ME dipole là giải pháp xuất sắc cho các ứng dụng băng thông siêu rộng. Cấu trúc kết hợp một lưỡng cực điện phẳng và một lưỡng cực từ ngắn mạch. Sự kết hợp này tạo ra bức xạ đơn hướng đối xứng trên cả mặt phẳng E và mặt phẳng H. Mức bức xạ phân cực chéo cực kỳ thấp trên toàn bộ dải thông hoạt động. Ở dải tần sóng milimét 38 GHz, ăng-ten ME dipole thể hiện ưu thế vượt trội về độ ổn định tâm pha. Nghiên cứu phát triển cấu trúc mảng nhiều phần tử nhằm tăng cường năng lượng bức xạ. Hệ thống đáp ứng các tiêu chuẩn khắt khe của mạng truyền dẫn không dây tốc độ cao.

4.1. Thiết kế ăng ten lưỡng cực điện từ đơn băng thông rộng

Phần tử ăng-ten ME dipole đơn được thiết kế với hai miếng kim loại phẳng đóng vai trò lưỡng cực điện. Hai bản kim loại thẳng đứng nối đất hoạt động như một lưỡng cực từ dạng vòng hở. Khe hở giữa các bản dẫn được tiếp điện thông qua đường truyền vi dải gắn tụ phối hợp. Cấu trúc tạo ra hai tần số cộng hưởng gần nhau, ghép lại thành một dải thông liên tục rất rộng. Độ lợi của phần tử đơn đạt mức cao và duy trì ổn định trong dải tần số 38 GHz. Giản đồ bức xạ đối xứng giúp giảm hiện tượng méo tín hiệu trong truyền thông băng rộng. Kích thước vật lý được tinh chỉnh tối giản để dễ ghép mảng.

4.2. Mạng tiếp điện phẳng cho ăng ten mảng tần số 38 GHz

Mạng tiếp điện phẳng cho mảng ăng-ten 38 GHz sử dụng cấu trúc đường vi dải vi sai tổn hao cực thấp. Mạng chia công suất nhiều tầng cung cấp biên độ đồng đều tới từng phần tử lưỡng cực điện từ. Thiết kế sử dụng các đường cong mượt mà để hạn chế bức xạ rò rỉ tại các góc uốn. Phối hợp trở kháng băng rộng được tích hợp trực tiếp trên từng nhánh tiếp điện. Bố cục mạng tiếp điện nằm gọn ở mặt dưới của tấm mạch in, cách ly hoàn toàn với vùng bức xạ chính. Giải pháp này ngăn chặn hiện tượng méo búp sóng do sóng tạp từ đường dẫn gây ra.

4.3. Đánh giá đặc tính bức xạ và khả năng Beam steering

Mảng ăng-ten lưỡng cực điện từ thể hiện đặc tính bức xạ định hướng vượt trội. Độ lợi mảng tăng tỷ lệ thuận với số lượng phần tử bức xạ được tích hợp. Kỹ thuật quét chùm tia Beam steering cho phép dịch chuyển búp sóng chính trong góc quét rộng. Quá trình quét chùm tia không làm suy giảm đáng kể mức độ lợi cực đại. Tỷ số sóng đứng điện áp VSWR luôn nằm trong ngưỡng lý tưởng dưới 1.5 trên toàn dải quét. Khả năng phân cực chéo thấp duy trì tính toàn vẹn của tín hiệu thu phát. Cấu trúc mảng ME dipole là ứng viên hoàn hảo cho các thiết bị truyền dẫn không dây công suất cao.

V. Ứng dụng kỹ thuật Beamforming trong ăng ten sóng milimét

Kỹ thuật tạo búp sóng Beamforming là công nghệ cốt lõi trong các hệ thống truyền thông sóng milimét hiện đại. Khả năng tập trung năng lượng vào các chùm tia hẹp giúp vượt qua rào cản suy hao khoảng cách lớn. Khi kết hợp với cấu trúc siêu vật liệu điện từ, mảng ăng-ten đạt được hiệu năng định hướng tối ưu mà vẫn giữ kích thước siêu mỏng. Hệ thống có thể tự động điều chỉnh hướng búp sóng theo thời gian thực để theo dõi người dùng di động. Sự cải tiến này nâng cao tỷ số tín hiệu trên tạp âm SNR và mở rộng vùng phủ sóng. Đây là giải pháp đột phá đáp ứng nhu cầu kết nối dung lượng khổng lồ cho mạng truyền thông tương lai.

5.1. Nâng cao độ lợi và hiệu suất vùng phủ sóng milimét

Ăng-ten sóng milimét độ lợi cao đóng vai trò then chốt trong việc duy trì kết nối ổn định. Việc sử dụng mảng phần tử vi dải kết hợp Metasurface giúp tăng cường mật độ công suất bức xạ hướng trục. Năng lượng tập trung giúp tín hiệu vượt qua các vật cản đô thị và suy hao tán xạ. Hiệu suất tổng của hệ thống được nâng cao nhờ giảm thiểu tổn hao nhiệt trên chất nền điện môi. Vùng phủ sóng vô tuyến được mở rộng đáng kể mà không cần tăng công suất phát của máy trạm. Giải pháp góp phần tiết kiệm năng lượng và giảm chi phí vận hành cho các nhà mạng.

5.2. Tiềm năng tích hợp trong mạng viễn thông thế hệ mới

Nghiên cứu mở ra triển vọng ứng dụng to lớn trong mạng di động 5G, 6G và các hệ thống radar ô tô thông minh. Thiết kế ăng-ten mảng phẳng tích hợp Metamaterial unit cell cho phép chế tạo hàng loạt với chi phí hợp lý. Các mô-đun ăng-ten dễ dàng nhúng vào bề mặt điện thoại thông minh, thiết bị IoT và trạm phát sóng cỡ nhỏ. Khả năng kết hợp giữa Beamforming và Beam steering tăng cường hiệu quả tái sử dụng tần số trong không gian. Công trình đóng góp nền tảng quan trọng vào quá trình làm chủ công nghệ thiết bị viễn thông tần số siêu cao.

Mục lục chi tiết luận án

LỜI CAM ĐOAN
LỜI CẢM ƠN
DANH MỤC CÁC BẢNG
DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ
DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
MỞ ĐẦU
1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ ĂNG-TEN MẢNG VÀ SIÊU VẬT LIỆU ĐIỆN TỪ
1.1. Giới thiệu chương
1.2. Lý thuyết chung về ăng-ten
1.3. Các tham số cơ bản của ăng-ten
1.4. Siêu vật liệu điện từ
1.4.1. Lý thuyết về vật liệu LHMs
1.4.2. Vật liệu có hằng số điện môi âm ENG
1.5. Ứng dụng siêu vật liệu điện từ trong thiết kế ăng-ten
1.6. Ăng-ten lưỡng cực điện từ
1.6.1. Cấu trúc ăng-ten lưỡng cực điện từ
1.7. Tổng kết chương
2. CHƯƠNG 2: QUY TRÌNH PHÂN TÍCH, THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG ĂNG- TEN
2.1. Giới thiệu chương
2.2. Quy trình phân tích và thiết kế ăng-ten mảng
2.2.1. Quy trình phân tích
2.2.2. Quy trình tổng quát thiết kế ăng-ten
2.3. Lựa chọn vật liệu điện môi và tiếp điện cho ăng-ten
2.3.1. Vật liệu sử dụng cho ăng-ten ở dải sóng Milimét
2.3.2. Phương pháp tiếp điện
2.3.2.1. Bộ chia công suất chữ T sử dụng cho mạng tiếp điện của ăng-ten mảng
2.4. Phương pháp tính toán, mô phỏng ăng-ten
2.5. Tổng kết chương
3. CHƯƠNG 3: NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ ĂNG-TEN MẢNG PHẲNG ĐỘ LỢI LỚN CHO HỆ THỐNG THÔNG TIN DI ĐỘNG 5G
3.1. Giới thiệu chương
3.2. Thiết kế ăng-ten vi dải đơn sử dụng cấu trúc siêu vật liệu
3.2.1. Yêu cầu thiết kế
3.2.2. Mô hình đề xuất
3.2.3. Mô phỏng tối ưu
3.3. Thiết kế ăng-ten mảng một chiều 4 phần tử
3.3.1. Thiết kế mạng tiếp điện
3.3.2. Ăng-ten mảng một chiều 2 phần tử
3.3.3. Ăng-ten mảng một chiều 4 phần tử
3.4. So sánh mảng ăng-ten đề xuất với các công trình đã công bố
3.5. Kiểm chứng thực nghiệm
3.6. Tổng kết chương
4. CHƯƠNG 4: NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ ĂNG-TEN MẢNG LƯỠNG CỰC ĐIỆN TỪ ỨNG DỤNG CHO HỆ THỐNG THÔNG TIN MILIMÉT
4.1. Giới thiệu chương
4.2. Thiết kế ăng-ten lưỡng cực điện từ
4.2.1. Yêu cầu thiết kế
4.2.2. Mô hình đề xuất
4.2.3. Mô phỏng tối ưu
4.3. Thiết kế ăng-ten mảng lưỡng cực điện từ
4.3.1. Thiết kế mạng tiếp điện phẳng
4.3.2. Thiết kế ăng-ten mảng
4.4. So sánh mảng ăng-ten đề xuất với các công trình đã công bố
4.5. Tổng kết chương
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ
TÀI LIỆU THAM KHẢO
Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Luận án tiến sĩ phát triển ăng ten mảng phẳng sử dụng phần tử bức xạ dạng cấu trúc siêu vật liệu và lưỡng cực điện từ ở dải sóng milimét

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (133 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Những s ố liệu, kết quả nêu trong luận án là trung thực và chưa được công bố trong bấtkỳ công trình nào khác. Tác giả luận án Đặng Thị Từ Mỹ i LỜI CẢM ƠN Trong quá trình học tập, nghiên cứu và hoàn thành Luận án, tôi đã nhận được sự động viên để vượt qua khó khăn, sự hướng dẫn tận tụy, sự góp ý về khoa học sâu sắc của tập thể thầy cô giáo hướng dẫn. Tôi xin chân thành gửi lời cảm ơn đến các thầy cô hướng dẫn: TS.

Trần Thị Hương, GS. Hirokawa và PGS. Bùi Thị Minh Tú. Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Khoa Điện tử - Viễn thông, Trường Đại học Bách Khoa, Đại học Đà Nẵng; Khoa Kỹ thuật và Công nghệ, Trường Đại học Quy Nhơn đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi trong suốt thời gian học tập và nghiên cứu để hoàn thành Luận án.

Tôi chân thành cảm ơn Thầy, Cô giáo nơi tôi công tác và học tập, các đồng nghiệp đã hỗ trợ, trao đổi, thảo luận và gửi nhiều góp ý chuyên môn giúp tôi hoàn thành Luận án. Sau cùng, tôi xin gửi lời cảm ơn từ đáy lòng đến Chồng tôi, đã động viên và định hướng cho tôi trong suốt quá trình học tập và nghiên cứu. Đồng thời, tôi cũng cảm ơn hai con đã tạo động lực cho tôi hoàn thành Luận án này. Đà Nẵng, ngày tháng năm 2022 Tác giả Đặng Thị Từ Mỹ ii MỤC LỤC DANH MỤC CÁC BẢNG.vi DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ.

vii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT.xi MỞ ĐẦU.xiv CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ ĂNG-TEN MẢNG VÀ SIÊU VẬT LIỆU ĐIỆN TỪ. Giới thiệu chương. Lý thuyết chung về ăng-ten.

Các tham số cơ bản của ăng-ten. Siêu vật liệu điện từ. Lý thuyết về vật liệu LHMs. Vật liệu có hằng số điện môi âm ENG.

Ứng dụng siêu vật liệu điện từ trong thiết kế ăng-ten. Ăng-ten lưỡng cực điện từ. Cấu trúc ăng-ten lưỡng cực điện từ. Tổng kết chương.

QUY TRÌNH PHÂN TÍCH, THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG ĂNG- TEN. Giới thiệu chương. Quy trình phân tích và thiết kế ăng-ten mảng. Quy trình phân tích.

Quy trình tổng quát thiết kế ăng-ten. Lựa chọn vật liệu điện môi và tiếp điện cho ăng-ten.1 Vật liệu sử dụng cho ăng-ten ở dải sóng Milimét.2 Phương pháp tiếp điện. Bộ chia công suất chữ T sử dụng cho mạng tiếp điện của ăng-ten mảng 36 2. Phương pháp tính toán, mô phỏng ăng-ten.

Tổng kết chương. NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ ĂNG-TEN MẢNG PHẲNG ĐỘ LỢI LỚN CHO HỆ THỐNG THÔNG TIN DI ĐỘNG 5G. Giới thiệu chương. Thiết kế ăng-ten vi dải đơn sử dụng cấu trúc siêu vật liệu.

Yêu cầu thiết kế. Mô hình đề xuất. Mô phỏng tối ưu. Thiết kế ăng-ten mảng một chiều 4 phần tử.

Thiết kế mạng tiếp điện. Ăng-ten mảng một chiều 2 phần tử. Ăng-ten mảng một chiều 4 phần tử. So sánh mảng ăng-ten đề xuất với các công trình đã công bố.

Kiểm chứng thực nghiệm. Tổng kết chương. 58 CHƯƠNG 4: NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ ĂNG-TEN MẢNG LƯỠNG CỰC ĐIỆN TỪ ỨNG DỤNG CHO HỆ THỐNG THÔNG TIN MILIMÉT. Giới thiệu chương.

Thiết kế ăng-ten lưỡng cực điện từ. Yêu cầu thiết kế. Mô hình đề xuất. Mô phỏng tối ưu.

Thiết kế ăng-ten mảng lưỡng cực điện từ. Thiết kế mạng tiếp điện phẳng. Thiết kế ăng-ten mảng. So sánh mảng ăng-ten đề xuất với các công trình đã công bố.

Tổng kết chương.76 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ.79 TÀI LIỆU THAM KHẢO.80 v DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 3. Thông số thiết kế ăng-ten. Kích thước tối ưu của ăng-ten vi dải hoạt động ở tần số 28 GHz (đơn vị mm). So sánh giữa ăng-ten mảng đề xuất và một số ăng-ten đã công bố.

Thông số thiết kế ăng-ten. Kích thước tối ưu của ăng-ten lưỡng cực điện từ hoạt động ở tần số 38 GHz (đơn vị mm). So sánh đặc tính bức xạ giữa ăng-ten ME đề xuất và một số ăng-ten ME đã công bố.74 vi DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1. Ăng-ten như một thiết bị truyền sóng [93].

Mô hình tương đương cho hệ thống ăng-ten trong hình 1. Hiện tượng sóng đứng. Điện trường và từ trường tại trường khu xa. Hệ thống tọa độ để phân tích ăng-ten [93].

Giản đồ bức xạ của một ăng-ten [93]. Các búp sóng của ăng-ten bức xạ hướng tính [93]. Sơ đồ mạch tương đương LC của các mô hình: (a) PRH, (b) PLH, (c) CRLH [95]. Đồ thị tán sắc của đường truyền: (a) PRH, (b) PLH và (c) CRLH [95].

Sơ đồ mạch tương đương và đồ thị phân tán của đường truyền CRLH cân bằng [95]. Mô hình vật liệu hấp thụ và kết quả mô phỏng đo đạc [96]. a) Ăng-ten lưỡng cực điện phẳng, b) Ăng-ten ¼ bước sóng, c) Ăng-ten lưỡng cực điện từ [97]. Ảnh hưởng của chiều dài lưỡng cực điện phẳng L đến tần số cộng hưởng [97].

Một số dạng cuộn cảm trong mạch dải. Một số cấu trúc tụ điện trong mạch dải. Một dạng cấu trúc siêu vật liện điện từ.4 Lưu đồ thiết kế ăng-ten đơn đề xuất. Cấu trúc EBG dạng hình nấm.

Một số dạng cấu trúc DGS: (a) Xoắn hai đầu, (b) Mũi tên, (c) Khe chữ H, (d) Vòng hở hình vuông với 1 khe nối ở giữa, (e) Quả tạ vòng hở và (f) Zíc-zắc. Cấu trúc đường vi dải. Mô hình tiếp điện bằng khe. Các loại bộ chia công suất chữ T: (a) Ống dẫn sóng chữ T theo mặt phẳng E, (b) Ống dẫn sóng chữ T theo mặt phẳng H, (c) Bộ chia chữ T vi dải [98].

Mô hình đường truyền bộ chia công suất chữ T không tổn hao [98]. Các phương pháp phân tích trường điện từ. Những phần tử hữu hạn điển hình: (a) Một chiều, (b) Hai chiều, (c) Ba chiều. Cách chia phần tử hữu hạn trong HFSS: (a) thành các tam giác trên bề mặt, (b) thành các tứ diện trong không gian ba chiều.

Mô hình ăng-ten vi dải: (a) nhìn từ trên xuống, (b) nhìn từ mặt bên. Mô hình ăng-ten vi dải nhìn từ mặt bên có cổng kích thích. Hình ảnh mô phỏng 3D hoàn thiện. Mô hình mạch kích thước vi phân: (a) Đường truyền siêu vật liệu ENG, (b) Đường truyền siêu vật liệu DNG (𝑍𝐸𝑁𝐺′, 𝑍𝐷𝑁𝐺′, và 𝑌′ là trở kháng và dẫn nạp trên một đơn vị chiều dài) [100].5 Đường cong tán xạ [101].

Mô phỏng hệ số S11 của ăng-ten đơn với các giá trị chiều dài a khác nhau của đoạn DPS. Mô phỏng hệ số S11 của ăng-ten đơn với các giá trị chiều rộng wp khác nhau của đoạn DPS. Mô phỏng hệ số S11 của ăng-ten đơn với các giá trị bán kính cột nối kim loại r khác nhau. Mô phỏng hệ số S11 của ăng-ten đơn với các giá trị khe hở g khác nhau của đoạn DPS.

Kết quả mô phỏng phân bố dòng điện trên ăng-ten đơn tại tần số 28 GHz. Kết quả mô phỏng ăng-ten đơn: (a) Hệ số phản xạ S11; (b) Đồ thị bức xạ. Tính toán lý thuyết kích thước mạng tiếp điện T-Junction 1:2 tại tần số 28 GHz (các kích thước ở đơn vị mm). Ăng-ten mảng một chiều 2 phần tử với mạng tiếp điện T-Junction (các kích thước ở đơn vị mm).

Kết quả mô phỏng ăng-ten mảng 2 phần tử: (a) Hệ số phản xạ S11; (b) Đồ thị bức xạ của ăng-ten mảng 2 phần tử. Ăng-ten mảng một chiều 4 phần tử: (a) Bộ chia công suất T-Junction 1:4; (b) Ăng-ten mảng một chiều 4 phần tử. Kết quả mô phỏng ăng-ten mảng 4 phần tử: (a) Hệ số phản xạ S11; (b) Đồ thị bức xạ của mảng ăng-ten 4 phần tử. Mẫu chế tạo ăng-ten mảng: (a) 2 phần tử, (b) 4 phần tử.

Kết quả đo thực nghiệm hệ số phản xạ S11 của Ăng-ten mảng: (a) 2 phần tử, (b) 4 phần tử. Mô hình ăng-ten lưỡng cực điện từ đề xuất: (a) toàn cảnh, (b) mặt cắt ngang, (c) mặt trên. Phân bố dòng điện trên ăng-ten lưỡng cực điện từ ở tần số 38 GHz ở các góc pha khác nhau. Kết quả mô phỏng S11 của ăng-ten ME với các giá trị khác nhau: (a) chiều dài ăng-ten Ld, (b) chiều dài khe mở La.

Mô phỏng hệ số phản xạ S11 của ăng-ten ME đề xuất tối ưu tại 38 GHz 65 Hình 4. Mô phỏng đồ thị bức xạ của ăng-ten ME đề xuất tối ưu tại 38 GHz. Kết quả mô phỏng độ lợi thực của ăng-ten ME đơn. Mô hình mạng tiếp điện sử dụng bộ chia công suất chữ T: (a) 1:4, và (b) 1:8.

Kết quả mô phỏng tham số tán xạ S của bộ chia công suất chữ T băng thông rộng: (a) 1:4, (b) 1:8. Mô hình ăng-ten mảng ME 1 chiều: (a) 4 phần tử, (b) 8 phần tử. Hệ số phản xạ S11 của ăng-ten mảng ME: (a) 4 phần tử, (b) 8 phần tử. Đồ thị bức xạ của ăng-ten mảng ME: (a) 4 phần tử, (b) 8 phần tử.

Độ lợi chuẩn hoá của ăng-ten mảng ME: (a) 4 phần tử, (b) 8 phần tử. Độ lợi thực của ăng-ten mảng: (a) 4 phần tử, (b) 8 phần tử.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Đặng Thị Từ Mỹ (2022). Luận án tiến sĩ phát triển ăng-ten mảng siêu vật liệu milimét [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách Khoa, Đại học Đà Nẵng]. LuanAn.net. https://luanan.net/ky-thuat-dien-dien-tu/ky-thuat-dien-tu/luan-an-tien-si-phat-trien-ang-ten-mang-sieu-vat-lieu-milimet

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Luận án tiến sĩ phát triển ăng-ten mảng siêu vật liệu milimét" nghiên cứu về vấn đề gì?

Luận án tiến sĩ phát triển ăng ten mảng phẳng dùng siêu vật liệu và lưỡng cực điện từ tại dải sóng milimét.

Luận án "Luận án tiến sĩ phát triển ăng-ten mảng siêu vật liệu milimét" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Bách Khoa, Đại học Đà Nẵng. Năm bảo vệ: 2022.

Luận án "Luận án tiến sĩ phát triển ăng-ten mảng siêu vật liệu milimét" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Luận án tiến sĩ phát triển ăng-ten mảng siêu vật liệu milimét" thuộc chuyên ngành Điện tử - Viễn thông. Danh mục: Kỹ Thuật Điện Tử.

Luận án "Luận án tiến sĩ phát triển ăng-ten mảng siêu vật liệu milimét" có bao nhiêu trang?

Luận án "Luận án tiến sĩ phát triển ăng-ten mảng siêu vật liệu milimét" có 133 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Luận án tiến sĩ phát triển ăng-ten mảng siêu vật liệu milimét" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter