Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dùng để thao tác với c

Luận án TS: mô phỏng & tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù, nâng cao độ chính xác, ứng dụng robot và tự động hóa.

Trường ĐH

Trường Đại học Công nghệ – Đại học Quốc gia Hà Nội

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

136

Thời gian đọc

21 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

40 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
1. Nghiên cứu vi gắp có cảm biến: Nền tảng và lựa chọn
Số trang:
136 trang
Trường:
Trường Đại học Công nghệ – Đại học Quốc gia Hà Nội
Chuyên ngành:
Kỹ thuật điện tử
Tác giả:
Năm:

Tóm tắt nội dung luận án

I. Nghiên cứu vi gắp có cảm biến Nền tảng và lựa chọn

Luận án tập trung vào lĩnh vực vi thao tác, nghiên cứu sâu về vi gắp có cảm biến. Phần này giới thiệu tổng quan về vi gắp, vai trò quan trọng của chúng trong các ứng dụng công nghệ MEMS. Phân tích các loại vi gắp khác nhau, bao gồm vi gắp tĩnh điện, nhiệt điện, khí nén, điện từ, và hợp kim định hình. Mỗi loại có nguyên lý hoạt động và đặc tính riêng. Luận án cũng khảo sát các loại cảm biến tích hợp phổ biến như cảm biến quang học, cảm biến lực áp trở và điện dung. Việc hiểu rõ các công nghệ này là nền tảng để lựa chọn đối tượng nghiên cứu phù hợp. Vi gắp nhiệt điện silic-polyme tích hợp cảm biến được chọn làm trọng tâm. Sự lựa chọn này dựa trên khả năng cung cấp lực chấp hành hiệu quả và tiềm năng tích hợp cảm biến cao, đảm bảo độ chính xác trong thao tác với các vi vật thể.

1.1. Tổng quan vi gắp Các loại và công nghệ

Vi gắp là thiết bị thiết yếu cho vi thao tác. Luận án định nghĩa vi gắp, làm rõ chức năng của chúng. Trình bày chi tiết các loại vi gắp chính. Các loại này bao gồm vi gắp tĩnh điện, nhiệt điện, khí nén, điện từ, và hợp kim định hình. So sánh ưu nhược điểm của từng cơ cấu chấp hành. Đánh giá các yếu tố như lực gắp, hành trình, tốc độ và độ phức tạp chế tạo. Thông tin này giúp người đọc nắm bắt bức tranh tổng thể về công nghệ vi gắp hiện có.

1.2. Cảm biến tích hợp Phân loại và nguyên lý

Cảm biến tích hợp rất quan trọng để điều khiển vi gắp chính xác. Luận án phân loại và giải thích nguyên lý hoạt động của các loại cảm biến dùng cho vi gắp. Bao gồm cảm biến quang học, cảm biến lực áp trở và cảm biến lực điện dung. Đánh giá khả năng của từng loại cảm biến trong việc cung cấp thông tin phản hồi về lực gắp hoặc vị trí. Việc tích hợp cảm biến giúp nâng cao đáng kể độ chính xác và khả năng điều khiển của vi gắp khi thao tác với các vi vật thể.

1.3. Lựa chọn đối tượng nghiên cứu Vi gắp nhiệt điện

Việc lựa chọn vi gắp nhiệt điện silic-polyme tích hợp cảm biến là quyết định quan trọng. Luận án so sánh kỹ lưỡng các loại vi gắp và cảm biến khác nhau. Giải thích lý do chọn vi gắp nhiệt điện. Ưu điểm nổi bật của loại này là lực chấp hành mạnh, thiết kế cơ cấu đàn hồi đơn giản, dễ tích hợp. Khả năng tích hợp cảm biến giúp thu thập dữ liệu chính xác. Đây là nền tảng cho việc mô phỏng MEMS và tối ưu hóa thiết kế vi gắp tiếp theo.

II. Mô phỏng MEMS vi gắp Phân tích và tối ưu hóa thiết kế

Phần này đi sâu vào quá trình mô phỏng và tối ưu hóa thiết kế vi gắp có cảm biến. Luận án phát triển mô hình mô phỏng MEMS cho vi gắp nhiệt điện silic-polyme. Phương pháp mô hình hóa đa trường được áp dụng để phân tích tương tác giữa trường nhiệt và trường cơ học. Các phân tích nhiệt học và cơ học chi tiết được thực hiện để đánh giá hiệu suất của vi gắp. Mục tiêu là xác định chuyển vị, lực chấp hành và các đặc tính quan trọng khác. Sau đó, luận án tập trung vào tối ưu hóa thiết kế vi gắp bằng các thuật toán chuyên biệt. Việc tối ưu hóa bao gồm cả cấu trúc và nhiệt độ hoạt động. Điều này nhằm đạt được thiết kế tối ưu, nâng cao hiệu suất tổng thể của vi gắp trong các ứng dụng vi thao tác. Kết quả mô phỏng và tối ưu hóa đóng vai trò cốt lõi trong việc cải thiện hiệu quả của vi gắp có cảm biến.

2.1. Mô hình hóa đa trường Phương pháp mô phỏng

Luận án sử dụng phương pháp mô hình hóa đa trường. Điều này giúp mô phỏng MEMS vi gắp một cách toàn diện. Mô hình bao gồm các khía cạnh nhiệt và cơ học của vi gắp. Sự tương tác giữa các trường này ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất. Phát triển mô hình mô phỏng cho vi gắp nhiệt điện silic-polyme. Đây là bước cơ bản để hiểu rõ hành vi phức tạp của thiết bị, hỗ trợ phân tích và tối ưu hóa thiết kế vi gắp.

2.2. Phân tích nhiệt và cơ học Đánh giá hiệu suất

Các phân tích nhiệt học và cơ học được thực hiện chi tiết. Phân tích nhiệt đánh giá sự phân bố nhiệt độ và tác động của nó lên vật liệu. Phân tích cơ học xác định chuyển vị của các ngón gắp và lực chấp hành sinh ra. Các yếu tố như vật liệu, kích thước, hình dạng được xem xét kỹ lưỡng. Mục tiêu là đảm bảo vi gắp đạt được các thông số kỹ thuật mong muốn, phục vụ hiệu quả cho vi thao tác.

2.3. Tối ưu hóa thiết kế vi gắp Nâng cao hiệu quả

Áp dụng thuật toán tối ưu hóa thiết kế vi gắp. Luận án thực hiện tối ưu hóa cấu trúc và tối ưu hóa nhiệt độ. Tối ưu cấu trúc tập trung vào hình dạng và kích thước để đạt chuyển vị lớn nhất hoặc lực mạnh nhất. Tối ưu nhiệt độ nhằm giảm thiểu tiêu thụ năng lượng, tăng tuổi thọ. Kết hợp các phương pháp này mang lại thiết kế tối ưu. Thiết kế này giúp nâng cao đáng kể hiệu suất của vi gắp có cảm biến, đáp ứng yêu cầu khắc nghiệt của vi thao tác.

III. Cơ cấu đàn hồi vi gắp Đánh giá hiệu suất cảm biến

Phần này tập trung vào đánh giá hiệu suất của cơ cấu đàn hồi vi gắp, đặc biệt là hiệu suất của cảm biến tích hợp. Phân tích phần tử hữu hạn (FEA) được sử dụng rộng rãi để kiểm tra chuyển vị và lực chấp hành. FEA cung cấp cái nhìn chi tiết về ứng suất và biến dạng trong vật liệu, đảm bảo độ bền và độ tin cậy của cấu trúc. Kết quả từ mô phỏng, tính toán lý thuyết và đo đạc thực nghiệm được so sánh kỹ lưỡng. Sự so sánh này nhằm xác nhận tính chính xác của mô hình và các phân tích đã thực hiện. Đặc tính đáp ứng tần số của vi gắp cũng được nghiên cứu. Việc hiểu rõ đáp ứng tần số là cần thiết cho các ứng dụng vi thao tác động. Các đánh giá này là cơ sở quan trọng để cải thiện thiết kế và chức năng của vi gắp có cảm biến.

3.1. Phân tích phần tử hữu hạn FEA Kiểm tra chuyển vị lực

Phân tích phần tử hữu hạn (FEA) là công cụ chủ chốt. FEA được dùng để kiểm tra chuyển vị chính xác của các ngón gắp và lực chấp hành. Phương pháp này cung cấp dữ liệu về phân bố ứng suất, biến dạng trong cơ cấu đàn hồi. Kết quả FEA đảm bảo tính toàn vẹn cấu trúc của vi gắp. Đồng thời, nó giúp tối ưu hóa thiết kế vi gắp để chịu được các điều kiện hoạt động khắc nghiệt, nâng cao độ tin cậy.

3.2. So sánh kết quả Mô phỏng tính toán đo lường

Luận án thực hiện so sánh đối chiếu ba loại kết quả. Đó là kết quả từ mô phỏng, tính toán lý thuyết và dữ liệu đo đạc thực nghiệm. Sự trùng khớp giữa các kết quả này xác nhận tính chính xác của mô hình mô phỏng MEMS. Nó cũng khẳng định độ tin cậy của các phương pháp phân tích. Bước này rất quan trọng để chuẩn hóa quy trình phát triển vi gắp có cảm biến và đảm bảo tính ứng dụng thực tiễn.

3.3. Đặc tính đáp ứng tần số Ứng dụng vi thao tác

Nghiên cứu đặc tính đáp ứng tần số của vi gắp. Mục tiêu là xác định khả năng hoạt động ổn định trong các ứng dụng vi thao tác động. Đáp ứng tần số ảnh hưởng đến tốc độ phản hồi và độ chính xác của vi gắp. Thông tin này cần thiết để thiết kế hệ thống điều khiển phù hợp. Nó cũng mở ra tiềm năng cho vi gắp trong các ứng dụng yêu cầu tốc độ cao và độ chính xác tuyệt đối.

IV. Thiết kế điều khiển vi gắp Mạch tích hợp cảm biến

Phần này trình bày chi tiết về thiết kế mạch điều khiển tích hợp cho vi gắp có cảm biến. Luận án tập trung vào việc thiết lập hàm điều khiển PID, một phương pháp phổ biến để đảm bảo sự ổn định và chính xác của hệ thống. Hàm truyền của vi gắp được xác định để tối ưu hóa quá trình điều khiển. Các lựa chọn công nghệ chế tạo và chương trình mô phỏng mạch điện được thảo luận. Điều này giúp tích hợp vi gắp vào hệ thống điều khiển điện tử một cách hiệu quả. Luận án cũng mô hình hóa vi gắp theo các thông số điện. Một sơ đồ khối toàn hệ thống được phát triển, theo sau là thiết kế chi tiết các mạch thành phần. Các mạch này bao gồm mạch tạo điện áp chuẩn, mạch nguồn dòng nội bộ, mạch chuyển đổi số tương tự (DAC), mạch khuếch đại tín hiệu cảm biến và mạch điều khiển trung tâm. Tất cả nhằm tạo ra một hệ thống điều khiển hoàn chỉnh và đáng tin cậy.

4.1. Phát triển mạch điều khiển Hàm PID cho vi gắp

Hệ thống điều khiển PID là trọng tâm của phần này. Luận án thiết lập hàm điều khiển PID để đảm bảo vi gắp có cảm biến hoạt động ổn định. Hàm truyền của vi gắp được xác định chính xác. Điều này giúp tối ưu hóa các thông số điều khiển. Các phương pháp điều khiển khác như P, PD, PI cũng được nghiên cứu, so sánh hiệu quả. Mục tiêu là đạt được khả năng điều khiển chính xác, nhanh chóng cho các ứng dụng vi thao tác.

4.2. Lựa chọn công nghệ Mô hình hóa điện vi gắp

Việc lựa chọn công nghệ chế tạo mạch điện phù hợp rất quan trọng. Luận án mô hình hóa vi gắp theo các thông số điện. Điều này tạo điều kiện thuận lợi cho việc tích hợp vi gắp vào mạch điều khiển. Chương trình mô phỏng mạch điện được sử dụng để kiểm tra thiết kế mạch ban đầu. Đảm bảo tính tương thích và hiệu quả giữa vi gắp và hệ thống điện tử hỗ trợ.

4.3. Sơ đồ khối và mạch chi tiết Triển khai hệ thống

Luận án trình bày sơ đồ khối toàn hệ thống điều khiển. Sau đó, đi vào thiết kế chi tiết các mạch thành phần. Bao gồm mạch tạo điện áp chuẩn tham chiếu, mạch tạo điện áp và nguồn dòng nội bộ, mạch chuyển đổi tín hiệu số tương tự (DAC), mạch khuếch đại tín hiệu cảm biến và mạch điều khiển trung tâm. Mỗi thành phần được thiết kế để hoạt động hài hòa, tạo thành một hệ thống điều khiển tích hợp hiệu quả cho vi gắp có cảm biến.

V. Kết quả mô phỏng tối ưu Vi gắp hiệu quả cao

Phần cuối cùng của luận án tổng kết các kết quả đạt được từ quá trình mô phỏng và tối ưu hóa. Thiết kế chi tiết toàn bộ hệ thống vi gắp có cảm biến, bao gồm cả mạch điều khiển tích hợp, được trình bày. Mục tiêu là tạo ra một thiết kế tối ưu, có khả năng hoạt động hiệu quả và đáng tin cậy trong các ứng dụng vi thao tác. Các kết quả mô phỏng hoạt động của toàn hệ thống được công bố. Đánh giá hiệu suất tổng thể của vi gắp dưới sự điều khiển của mạch đã thiết kế. Các thông số quan trọng như độ chính xác, tốc độ phản hồi, và lực gắp được phân tích kỹ lưỡng. Luận án khẳng định tính khả thi và hiệu quả của giải pháp đã đề xuất. Đồng thời, đề xuất các tiềm năng ứng dụng và hướng phát triển tiếp theo cho vi gắp có cảm biến, mở ra triển vọng mới trong lĩnh vực MEMS và vi thao tác.

5.1. Thiết kế toàn hệ thống Tối ưu hoạt động

Luận án trình bày thiết kế chi tiết toàn bộ hệ thống vi gắp có cảm biến. Hệ thống này bao gồm cả cơ cấu vi gắp và mạch điều khiển tích hợp. Mục tiêu là đạt được một thiết kế tối ưu, đảm bảo hoạt động hiệu quả. Sự tích hợp chặt chẽ giữa các thành phần giúp tối ưu hóa hiệu suất tổng thể. Đây là kết quả của quá trình mô phỏng MEMS và tối ưu hóa thiết kế vi gắp.

5.2. Kết quả mô phỏng Đánh giá hiệu suất tích hợp

Các kết quả mô phỏng hoạt động của toàn hệ thống được công bố. Các chỉ số hiệu suất như độ chính xác vị trí, lực gắp, và thời gian phản hồi được đánh giá. Kết quả này xác nhận khả năng làm việc của vi gắp dưới sự điều khiển của mạch đã thiết kế. Nó chứng minh tính khả thi của giải pháp đã phát triển. Hiệu suất tích hợp đạt được đáp ứng các yêu cầu khắt khe của vi thao tác.

5.3. Tiềm năng ứng dụng Hướng phát triển trong vi thao tác

Luận án nhấn mạnh tiềm năng ứng dụng của vi gắp có cảm biến trong nhiều lĩnh vực. Đặc biệt là trong vi thao tác, y sinh và công nghệ MEMS. Đề xuất các hướng nghiên cứu tiếp theo để nâng cao hơn nữa hiệu suất. Các hướng này có thể bao gồm vật liệu mới, thuật toán tối ưu hóa tiên tiến hơn, hoặc tích hợp thêm các loại cảm biến khác. Mục tiêu là mở rộng khả năng ứng dụng của vi gắp hiệu quả cao trong tương lai.

Mục lục chi tiết luận án

LỜI CẢM ƠN
LỜI CAM ĐOAN
CÁC KÝ HIỆU, VIẾT TẮT
DANH MỤC HÌNH ẢNH
DANH MỤC CÁC BẢNG
MỞ ĐẦU
1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VI GẮP VÀ CẢM BIẾN DÙNG CHO VI GẮP
1.1. Vi gắp và cảm biến dùng cho vi gắp
1.1.1. Định nghĩa vi gắp
1.1.2. Cảm biến dùng cho vi gắp
1.2. Giới thiệu các loại vi gắp
1.2.1. Phân loại vi gắp
1.2.2. Vi gắp tĩnh điện
1.2.3. Vi gắp nhiệt điện
1.2.4. Vi gắp khí nén
1.2.5. Vi gắp điện từ
1.2.6. Hợp kim định hình
1.2.7. Các loại vi gắp khác
1.3. Giới thiệu các loại cảm biến dùng cho vi gắp
1.3.1. Cảm biến quang học
1.3.2. Cảm biến lực áp trở
1.3.3. Cảm biến lực điện dung
1.4. So sánh các loại vi gắp và cảm biến dùng cho vi gắp
1.4.1. So sánh giữa các loại vi gắp
1.4.2. So sánh giữa các loại cảm biến dùng cho vi gắp
1.4.3. Lựa chọn đối tượng nghiên cứu của đề tài
1.5. Vi gắp nhiệt điện silic-polyme tích hợp cảm biến
1.5.1. Mô phỏng và đo đạc
1.5.2. Tính chất của vi gắp
1.5.3. Tính chất của cảm biến
1.5.4. Đáp ứng tần số của vi gắp
1.6. Kết luận chương 1
2. CHƯƠNG 2: MÔ PHỎNG, PHÂN TÍCH VÀ TỐI ƯU CẤU TRÚC VI GẮP NHIỆT ĐIỆN SILIC-POLYME TÍCH HỢP CẢM BIẾN
2.1. Mô hình mô phỏng
2.2. Phân tích về mặt nhiệt học
2.3. Phân tích cơ học
2.3.1. Phân tích chuyển vị
2.3.2. Phân tích lực chấp hành
2.4. So sánh kết quả tính toán, đo lường và mô phỏng
2.5. Tối ưu vi gắp
2.5.1. Tối ưu về mặt cấu trúc
2.5.2. Tối ưu về mặt nhiệt độ
2.5.3. Kết hợp các tối ưu
2.6. Kết luận chương 2
3. CHƯƠNG 3: THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN TÍCH HỢP
3.1. Thiết lập hàm điều khiển PID cho hệ thống
3.1.1. Cơ chế điều khiển
3.1.2. Hàm truyền của vi gắp
3.1.3. Mạch điều khiển công suất
3.1.4. Điều khiển mở
3.1.5. Điều khiển Tỉ lệ (P)
3.1.6. Điều khiển Tỉ lệ đạo hàm (PD)
3.1.7. Điều khiển Tỉ lệ tích phân (PI)
3.1.8. Điều khiển Tỉ lệ tích phân đạo hàm (PID)
3.2. Lựa chọn công nghệ chế tạo và chương trình mô phỏng mạch điện
3.2.1. Lựa chọn công nghệ
3.2.2. Chương trình mô phỏng
3.3. Mô hình hóa vi gắp theo các thông số điện
3.4. Sơ đồ khối toàn hệ thống
3.5. Thiết kế mạch chi tiết
3.5.1. Mạch tạo điện áp chuẩn tham chiếu
3.5.2. Mạch tạo điện áp và nguồn dòng nội bộ
3.5.3. Mạch chuyển đổi tín hiệu số tương tự (DAC)
3.5.4. Mạch khuếch đại tín hiệu cảm biến
3.5.5. Mạch điều khiển trung tâm
3.6. Thiết kế chi tiết và kết quả mô phỏng toàn hệ thống
3.6.1. Thiết kế chi tiết toàn hệ thống
3.6.2. Kết quả mô phỏng hoạt động của toàn hệ thống
3.7. Kết luận chương 3
DỰ KIẾN TIẾP THEO
DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN
TÀI LIỆU THAM KHẢO
Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dùng để thao tác với các vi vật thể luận án tiến sĩ kỹ thuật điện tử 62 52 02 03

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (136 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ Phan Hữu Phú MÔ PHỎNG VÀ TỐI ƯU HÓA VI GẮP CÓ CẢM BIẾN DÙNG ĐỂ THAO TÁC VỚI CÁC VI VẬT THỂ LUẬN ÁN TIẾN SĨ CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ, TRUYỀN THÔNG Hà Nội – 2016 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ Phan Hữu Phú MÔ PHỎNG VÀ TỐI ƯU HÓA VI GẮP CÓ CẢM BIẾN DÙNG ĐỂ THAO TÁC VỚI CÁC VI VẬT THỂ Chuyên ngành: Kỹ thuật điện tử Mã số: 62 52 02 03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ NGÀNH CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ, TRUYỀN THÔNG NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. CHỬ ĐỨC TRÌNH 2. VŨ NGỌC HÙNG Hà Nội – 2016 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com LỜI CẢM ƠN Trước tiên, tác giả tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới PGS. Chử Đức Trình, PGS.

TS Vũ Ngọc Hùng đã luôn tâm huyết, nhiệt tình hướng dẫn, quan tâm và hỗ trợ về tài liệu, thiết bị và phương pháp luận trong suốt thời gian thực hiện nghiên cứu để tác giả hoàn thành Luận án này. Tác giả xin cảm ơn chân thành tới các thầy cô trong Khoa Điện tử Viễn thông, Trường Đại học Công nghệ, Đại học Quốc gia Hà Nội đã luôn quan tâm, giúp đỡ, hướng dẫn cũng như tạo điều kiện thuận lợi nhất cho nghiên cứu sinh trong quá trình học tập và nghiên cứu tại trường. Tác giả xin chân thành cám ơn tới nhóm nghiên cứu ở Bộ môn Vi cơ điện tử, Khoa Điện tử Viễn thông đã hỗ trợ tôi trong quá trình mô phỏng, đo đạc và thu thập số liệu cho các nghiên cứu thuộc phạm vi của Luận án này. Tác giả cũng xin trân trọng cảm ơn đơn vị công tác – Cục Sở hữu trí tuệ, Bộ Khoa học và Công nghệ đã tạo mọi điều kiện thuận lợi, chia sẻ khó khăn, động viên tác giả trong suốt thời gian học tập, nghiên cứu để hoàn thành Luận án này.

Cuối cùng, tác giả muốn cảm ơn tới tất cả bạn bè, và đặc biệt là vợ, bố mẹ và các thành viên khác trong gia đình luôn quan tâm động viên và chia sẻ những lúc khó khăn về tinh thần và vật chất. Hà Nội, ngày 22 tháng 12 năm 2016 Phan Hữu Phú LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan luận án “Mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dùng để thao tác với các vi vật thể” là công trình nghiên cứu của bản thân và không nằm trong một luận án, luận văn hay khóa luận của khóa học bất kỳ tại các cơ sở đào tạo nào khác. Những trích dẫn tài liệu tham khảo trong luận án đã được nêu rõ trong phần tài liệu tham khảo. Các số liệu, kết quả trình bày trong luận án là hoàn toàn trung thực.

Nếu sai tôi xin hoàn toàn chịu trách nhiệm và thi hành kỷ luật của khoa, trường đề ra. Hà nội, ngày 22 tháng 12 năm 2016 Nghiên cứu sinh Phan Hữu Phú LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com MỤC LỤC CÁC KÝ HIỆU, VIẾT TẮT. vi DANH MỤC HÌNH ẢNH. x DANH MỤC CÁC BẢNG.

xiii MỞ ĐẦU .1 Vi gắp và cảm biến dùng cho vi gắp .1 Định nghĩa vi gắp .2 Cảm biến dùng cho vi gắp .2 Giới thiệu các loại vi gắp .1 Phân loại vi gắp .2 Vi gắp tĩnh điện .3 Vi gắp nhiệt điện .4 Vi gắp khí nén .5 Vi gắp điện từ .6 Hợp kim định hình .7 Các loại vi gắp khác .3 Giới thiệu các loại cảm biến dùng cho vi gắp .1 Cảm biến quang học .2 Cảm biến lực áp trở .3 Cảm biến lực điện dung .4 So sánh các loại vi gắp và cảm biến dùng cho vi gắp .1 So sánh giữa các loại vi gắp .2 So sánh giữa các loại cảm biến dùng cho vi gắp .3 Lựa chọn đối tượng nghiên cứu của đề tài .5 Vi gắp nhiệt điện silic-polyme tích hợp cảm biến .2 Mô phỏng và đo đạc .3 Tính chất của vi gắp .4 Tính chất của cảm biến .5 Đáp ứng tần số của vi gắp .6 Kết luận chương 1. 36 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Chương 2. MÔ PHỎNG, PHÂN TÍCH VÀ TỐI ƯU CẤU TRÚC VI GẮP NHIỆT ĐIỆN SILIC-POLYME TÍCH HỢP CẢM BIẾN .2 Mô hình mô phỏng .3 Phân tích về mặt nhiệt học .4 Phân tích cơ học .1 Phân tích chuyển vị .2 Phân tích lực chấp hành .5 So sánh kết quả tính toán, đo lường và mô phỏng .6 Tối ưu vi gắp .1 Tối ưu về mặt cấu trúc .2 Tối ưu về mặt nhiệt độ.3 Kết hợp các tối ưu .7 Kết luận chương 2. THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN TÍCH HỢP .2 Thiết lập hàm điều khiển PID cho hệ thống.1 Cơ chế điều khiển .2 Hàm truyền của vi gắp .3 Mạch điều khiển công suất .4 Điều khiển mở .5 Điều khiển Tỉ lệ (P) .6 Điều khiển Tỉ lệ đạo hàm (PD) .7 Điều khiển Tỉ lệ tích phân (PI) .8 Điều khiển Tỉ lệ tích phân đạo hàm (PID).3 Lựa chọn công nghệ chế tạo và chương trình mô phỏng mạch điện .1 Lựa chọn công nghệ .2 Chương trình mô phỏng.4 Mô hình hóa vi gắp theo các thông số điện.5 Sơ đồ khối toàn hệ thống .6 Thiết kế mạch chi tiết .1 Mạch tạo điện áp chuẩn tham chiếu .2 Mạch tạo điện áp và nguồn dòng nội bộ.

86 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.3 Mạch chuyển đổi tín hiệu số tương tự (DAC) .4 Mạch khuếch đại tín hiệu cảm biến .5 Mạch điều khiển trung tâm .7 Thiết kế chi tiết và kết quả mô phỏng toàn hệ thống.1 Thiết kế chi tiết toàn hệ thống.2 Kết quả mô phỏng hoạt động của toàn hệ thống .8 Kết luận chương 3. 108 DỰ KIẾN TIẾP THEO. 110 DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN. 111 TÀI LIỆU THAM KHẢO.

112 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com CÁC KÝ HIỆU, VIẾT TẮT A. Danh mục các kí hiệu A, A0, A(z), Aij, AAB, ACD, AEF: Diện tích (m2) d, d1, d 2, y : Chuyển vị (m) E, E p , Ec , E┴, Eapp, Estack, Eij, EAB, ECD, EEF: Mô đun đàn hồi Young (Pa) F, F1, F2, Fex: Lực (N) f: Tần số (Hz) fc: Hệ số số học I, Iij, ICD, IAB, IEF, I0, I(z): Mômen quán tính (kg.m2) K, r11, r22, r21, r12: Ma trận độ cứng và các chỉ số (N/m) k, k1, k2, m, n, t  : Các tỉ số sử dụng ki , k1, k2 : Độ dẫn nhiệt (W/m.K) L, Lact , L jaw , Lcomb ,W , Wact , Wbone , Wcan , Wdis , W jaw , Wgap ,Wmean , WSi , WSU 8 , Wtip , H , H Al , H act , H Si , H SU 8 , : Các thông số kích thước (m) T , TAl , l , w, h, hsi , h2 , h3 , h( z ), a, b, dint , z M, M m , M k : Mômen lực (N.m) AB CD N 1 , N 1 : Lực dọc (N) Q, Qm , Qk : Lực cắt (N) q: Cường độ lực phân bố (N/m) R, R1, R2: Vectơ ứng lực và chỉ số (N) R0, R1, R2: Điện trở (Ω) T, ΔT, Tres, T0, ΔTave, Tg, Tm: Nhiệt độ (K) LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com t p , t c : Độ dày lớp lần lượt của polyme và silic (m) Vin, Vout, V, Va, Vb: Điện áp (V) Z, Z1, Z2: Vectơ chuyển vị và các chỉ số (m) V, ΔV: Thể tích (m3) α, T ,   ,  p ,  ,  c , αapp, αstack: Hệ số dãn nở nhiệt (K−1) p c ρAl: Điện trở suất của nhôm (Ω.m) e, eij , eijp , eijc : Biến dạng ij ,  ijp ,  ijc ,  kkp ,  kkc : Ứng suất ij : Hệ thống Kronecker δ, δ1, δ2, kx : Độ dãn nở (m)  : Tỉ lệ thể tích của thành phần polyme ρ, Δρ: Điện trở suất và độ biến thiên điện trở suất (Ωm)  ,  ,  : Hệ số Poát- xông p c  : Hệ số phụ thuộc hình dạng mặt cắt ngang LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. Bảng các chữ viết tắt 3D Three-dimensional AlN Aluminum nitride Bi-CMOS Bipolar junction transistors and CMOS technology CAD Computer Aid Design CCD Charge Coupled Device CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor CTE Coefficient Thermal Expansion DAC Digital-to-Analog Converter DC Direct Current DIMES Delft Institute of Microsystems and Nanoelectronics DLC Diamond like Carbon DRIE Deep Reactive Ion Etching ESD ElectroStatic Discharge FEM Finite Element Method KOH Potassium hydroxide LSB Least Significant Bit MEMS Micro-Electro-Mechanical Systems MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor NMOS N-channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor PID Proportional Integral Derivative PMOS P-channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com PSRR Power supply rejection ratio PTAT Proportional to Absolute Temperature PZT Lead Zirconate Titanate SEM Scanning Electron Microscope SMA Shape Memory Alloys SiO2 Silicon dioxide SOI Silicon On Insulator SPICE Simulation Program Integrated Circuit Emphasis TC Temperature Coefficients UVLO Under Voltage Lock-Out VCM Voice Coil Motor ZnO2 Zinc dioxide LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com DANH MỤC HÌNH ẢNH Hình 1.1 Sơ đồ đề xuất của cơ cấu chấp hành tĩnh điện [30] .2 Mô hình của một vi gắp tĩnh điện bản cực song song hay răng lược ngang [16] .3 Các cấu trúc của cơ cấu chấp hành tĩnh điện với các hình dạng răng lược [27] 9 Hình 1.4 Sơ đồ đề xuất cơ cấu chấp hành tĩnh điện gồm kết nối nhiều tầng [31].5 Sơ đồ cơ cấu vi gắp tĩnh điện gồm nhiều bản cực song song [32] .6 Sơ đồ thiết kế của vi gắp nhiệt điện [37] .7 Một thanh chấp hành vi gắp nhiệt điện 3 lớp [46] .8 Cấu trúc vi gắp với hai chế độ hoạt động [51, 52] .9 Cấu trúc vi gắp khí nén [57] .10 Đáp ứng của vi gắp khí nén ở các giá trị áp suất khác nhau [58].11 Sơ đồ thiết kế của vi gắp điện từ [60] .12 Sơ đồ nguyên lý của vi gắp sử dụng SMA [65] .13 Sơ đồ của một cơ cấu kim loại - cách li khi bị uốn cong [68] .14 Hình ảnh dưới kính hiển vi điện tử của vi gắp nhiều cánh tay [69] .15 Hình chụp hoạt động của cấu trúc vi gắp không dây ở (a) nhiệt độ phòng, (b) ở nhiệt độ 43 oC, (c) và (d) trên một con sâu róm đang sống [71] .16 Hình vẽ khối chức năng của vi gắp nhiệt điện silic-polyme tích hợp cảm biến [86] .17 Sơ đồ thiết kế vi gắp tích hợp cảm biến lực điện dung [97] .18 Ảnh chụp SEM của (a) các áp trở, (b) một phần cấu trúc răng lược của bộ chấp hành và (c) tổng thể cấu trúc vi gắp [86] .

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Phan Hữu Phú (2016). Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Công nghệ – Đại học Quốc gia Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/ky-thuat-co-khi/62-52-02-03

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù" nghiên cứu về vấn đề gì?

Luận án TS: mô phỏng & tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù, nâng cao độ chính xác, ứng dụng robot và tự động hóa.

Luận án "Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Công nghệ – Đại học Quốc gia Hà Nội. Năm bảo vệ: 2016.

Luận án "Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù" thuộc chuyên ngành Kỹ thuật điện tử. Danh mục: Kỹ Thuật Cơ Khí.

Luận án "Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù" có bao nhiêu trang?

Luận án "Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù" có 136 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Luận án tiến sĩ mô phỏng và tối ưu hóa vi gắp có cảm biến dù" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter