Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu cdsecds cấu trúc nano dạng tetrapod và nghiên c

Luận án: Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu cdsecds cấu trúc nano dạng tetrapod và nghiên cứu tính chất quang của chúng. Xem tóm tắt và tải về tại LuanAn.net

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Số trang

134

Thời gian đọc

21 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

40 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
Vật liệu nano bán dẫn: Ứng dụng và tiềm năng đột phá
Số trang:
134 trang
Tác giả:

Tóm tắt nội dung luận án

I.Vật liệu nano bán dẫn Ứng dụng và tiềm năng đột phá

Nano tinh thể bán dẫn (NC) và cấu trúc nano bán dẫn dị chất mang lại tiềm năng lớn. Các vật liệu này được ứng dụng rộng rãi trong linh kiện quang và điện. Chúng bao gồm điốt phát quang, laser, nguồn phát đơn photon, đầu thu quang, bộ nhớ dữ liệu quang và transistor. Ngoài ra, NC bán dẫn còn dùng trong cảm biến nhiệt độ và pin mặt trời. Lĩnh vực y sinh cũng ứng dụng NC để đánh dấu sinh học và hiện ảnh tế bào. Sự đa dạng này khẳng định tầm quan trọng của việc chế tạo vật liệu nano với các đặc tính tối ưu. Nghiên cứu vật liệu bán dẫn II-VI như chấm lượng tử CdSe/CdS là trọng tâm để mở rộng các ứng dụng chấm lượng tử.

Tính chất quang của NC bán dẫn phụ thuộc nhiều yếu tố. Kích thước hạt, hình dạng, thành phần hóa học và cấu trúc tinh thể đều ảnh hưởng. Việc kiểm soát đồng thời các yếu tố này trong cùng một cấu trúc nano là hướng nghiên cứu cấp thiết. Mục tiêu là phát triển công nghệ chế tạo và nâng cao hiểu biết khoa học cơ bản. Từ đó, khả năng ứng dụng chấm lượng tử của lớp vật liệu quan trọng này sẽ được mở rộng. Các đặc tính quang điện tử độc đáo của chúng làm cho chúng trở thành ứng cử viên sáng giá cho nhiều công nghệ mới.

1.1. Ứng dụng đa dạng của nano tinh thể bán dẫn

Nano tinh thể bán dẫn (NC) được ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực. Chúng là thành phần cốt lõi của điốt phát quang và laser hiệu suất cao. NC bán dẫn cũng dùng trong nguồn phát đơn photon và đầu thu quang nhạy bén. Công nghệ thông tin tận dụng NC cho bộ nhớ dữ liệu quang. Trong điện tử, chúng tạo ra transistor tiên tiến và cảm biến nhiệt độ chính xác. Pin mặt trời cũng cải thiện hiệu suất nhờ NC. Y học sử dụng NC để đánh dấu sinh học và hình ảnh tế bào, mở ra hướng chẩn đoán và điều trị mới. Khả năng chế tạo vật liệu nano với các đặc tính tùy chỉnh là chìa khóa cho những tiến bộ này.

1.2. Yếu tố chi phối tính chất quang điện tử vật liệu nano

Tính chất quang điện tử của vật liệu nano bị ảnh hưởng bởi nhiều yếu tố. Kích thước và hình dạng của hạt nano đóng vai trò quan trọng, đặc biệt là trong chấm lượng tử CdSe/CdS. Thành phần hóa học và cấu trúc tinh thể của vật liệu cũng quyết định các đặc tính quang. Việc kết hợp và kiểm soát các yếu tố này trong cùng một cấu trúc nano là một thách thức. Nghiên cứu tập trung vào việc hiểu rõ sự tương tác giữa các yếu tố. Mục tiêu là phát triển vật liệu bán dẫn II-VI với các tính năng quang điện tử vượt trội. Điều này giúp tối ưu hóa vật liệu cho các ứng dụng chấm lượng tử cụ thể.

II.Chế tạo cấu trúc nano CdSe CdS tetrapod Thách thức công nghệ

Cấu trúc nano dạng tetrapod (TP) từ hợp chất bán dẫn A2B6 là vật liệu đầy hứa hẹn. TP thường gồm lõi cầu cấu trúc lập phương giả kẽm (ZB) và bốn nhánh lục giác (WZ). Các nhánh này sắp xếp đối xứng trong không gian. Trong TP dị chất, cấu trúc vùng năng lượng phức tạp hơn. Nó phụ thuộc vào kích thước và hình thái học nano của lõi và nhánh. Đồng thời, vật liệu bán dẫn sử dụng và phân bố nguyên tố hóa học cũng đóng vai trò quan trọng. Hạt tải điện có thể bị giam giữ 3D trong lõi hoặc 2D trong các nhánh. Nghiên cứu CdSe/CdS cấu trúc nano dạng TP là một trọng tâm, đặc biệt là cấu trúc lõi-vỏ CdSe/CdS. Các phương pháp điều chế nano CdSe/CdS cần được cải tiến để kiểm soát tốt các đặc tính này.

Chế tạo vật liệu nano tetrapod vẫn đối mặt nhiều thách thức. Ảnh hưởng của điều kiện chế tạo đến cấu trúc tinh thể của lõi chưa được làm rõ. Nguyên nhân chuyển pha từ ZB sang WZ để hình thành nhánh cũng cần được nghiên cứu sâu hơn. Sự thay đổi kích thước và hình thái học nano của lõi và nhánh trong quá trình phát triển TP là một vấn đề quan trọng. Việc hiểu rõ các cơ chế này giúp chủ động tổng hợp vật liệu nano bán dẫn với cấu trúc và tính chất mong muốn. Giải quyết những vướng mắc này là chìa khóa để khai thác tối đa tiềm năng của CdSe/CdS cấu trúc nano dạng TP.

2.1. Đặc điểm cấu trúc và tính chất của Tetrapod dị chất

Cấu trúc nano tetrapod (TP) dị chất bao gồm lõi cầu và bốn nhánh. Lõi thường có cấu trúc lập phương giả kẽm (ZB). Các nhánh có cấu trúc lục giác (WZ) và sắp xếp đối xứng. Cấu trúc vùng năng lượng của TP dị chất phức tạp hơn TP đồng chất. Nó phụ thuộc vào kích thước và hình thái học nano của lõi và nhánh. Loại vật liệu bán dẫn sử dụng và sự phân bố nguyên tố hóa học cũng quyết định các đặc tính. Hạt tải điện có thể bị giam giữ trong lõi (3D) hoặc trong các nhánh (2D). Đây là đặc điểm then chốt để điều khiển tính chất quang điện tử CdSe/CdS.

2.2. Những vướng mắc trong tổng hợp vật liệu nano tetrapod

Tổng hợp vật liệu nano bán dẫn dạng tetrapod còn nhiều vấn đề chưa rõ ràng. Ảnh hưởng của điều kiện chế tạo vật liệu nano đến cấu trúc tinh thể lõi là một thách thức. Cơ chế chuyển pha từ ZB sang WZ để hình thành nhánh cũng cần được làm rõ. Sự thay đổi kích thước và hình thái học nano của lõi và nhánh trong quá trình phát triển TP là một yếu tố quan trọng. Việc giải quyết các vấn đề này giúp hoàn thiện phương pháp điều chế nano CdSe/CdS. Mục tiêu là chủ động tạo ra CdSe/CdS cấu trúc nano theo thiết kế với hiệu suất cao.

III.Mục tiêu nghiên cứu CdSe CdS cấu trúc nano dạng tetrapod

Luận án tập trung vào việc tạo ra các CdSe/CdS cấu trúc nano dị chất dạng tetrapod (TP). Mục tiêu là đạt được khả năng phát xạ tăng cường hoặc phát xạ các exciton với năng lượng khác nhau. Nghiên cứu nhằm làm rõ bản chất các chuyển dời quang trong TP. Đồng thời, luận án làm sáng tỏ ảnh hưởng của công suất kích thích quang và nhiệt độ lên các đặc trưng phát xạ. Việc chế tạo vật liệu nano với khả năng kiểm soát phát xạ là rất quan trọng cho các ứng dụng quang điện tử.

Nội dung nghiên cứu bao gồm việc tìm hiểu ảnh hưởng của điều kiện chế tạo vật liệu nano đến cấu trúc tinh thể của lõi CdSe. Luận án xem xét sự thay đổi kích thước và hình thái học nano của lõi và các nhánh trong quá trình phát triển TP. Mục tiêu là tìm giải pháp công nghệ đơn giản, tiết kiệm để chủ động tổng hợp vật liệu nano bán dẫn dị chất dạng TP theo thiết kế, đạt hiệu suất cao. Nghiên cứu này cũng khám phá bản chất các chuyển dời quang trong TP và sự phụ thuộc đặc trưng quang phổ vào kích thước. Các tính chất quang điện tử CdSe/CdS được phân tích qua ảnh hưởng của công suất kích thích quang. Hiện tượng chống dập tắt huỳnh quang do nhiệt độ và dập tắt huỳnh quang tại nhiệt độ thấp cũng là trọng tâm. Kết quả sẽ góp phần hoàn thiện các phương pháp điều chế nano CdSe/CdS và hiểu sâu hơn về chấm lượng tử CdSe/CdS.

3.1. Phát triển cấu trúc nano dị chất và tăng cường phát xạ

Mục tiêu chính là tạo ra các CdSe/CdS cấu trúc nano dị chất dạng tetrapod. Các cấu trúc này cần có khả năng phát xạ tăng cường. Ngoài ra, chúng phải có khả năng phát xạ các exciton với năng lượng khác nhau. Việc này đòi hỏi kiểm soát chặt chẽ quá trình chế tạo vật liệu nano. Kết quả sẽ thúc đẩy ứng dụng trong quang điện tử và thiết bị hiển thị. Luận án cũng tìm giải pháp công nghệ đơn giản, tiết kiệm để tổng hợp vật liệu nano bán dẫn theo thiết kế với hiệu suất cao.

3.2. Nghiên cứu tính chất quang điện tử của chấm lượng tử CdSe CdS

Nghiên cứu làm rõ bản chất các chuyển dời quang trong tetrapod. Sự phụ thuộc của đặc trưng quang phổ vào kích thước và hình thái học nano được phân tích. Ảnh hưởng của công suất kích thích quang đến các đặc trưng phát xạ cũng là trọng tâm. Luận án cũng xem xét hiện tượng chống dập tắt huỳnh quang do nhiệt độ và dập tắt huỳnh quang tại nhiệt độ thấp. Các phân tích này nhằm làm sâu sắc hiểu biết về tính chất quang điện tử CdSe/CdS của cấu trúc lõi-vỏ CdSe/CdS. Đây là bước quan trọng để tối ưu hóa chấm lượng tử CdSe/CdS cho các ứng dụng thực tế.

IV.Phương pháp tổng hợp và khảo sát vật liệu nano CdSe CdS

Nghiên cứu được thực hiện theo phương pháp thực nghiệm. Các mẫu CdSe/CdS cấu trúc nano được chế tạo vật liệu nano bằng phương pháp hóa ướt. Dung môi không liên kết octadecene (ODE) được sử dụng trong quá trình này. Ảnh hưởng của điều kiện chế tạo đến cấu trúc tinh thể của NC CdSe được khảo sát. Hệ phản ứng ODE-axit oleic (OA) với các nhiệt độ và nồng độ OA khác nhau được thử nghiệm. Ba giải pháp công nghệ và hai quy trình chế tạo vật liệu nano nhánh CdS từ lõi CdSe đã được kiểm chứng. Điều này cho phép tinh chỉnh phương pháp điều chế nano CdSe/CdS hiệu quả. Quá trình tổng hợp vật liệu nano bán dẫn này nhằm tối ưu hóa các đặc tính mong muốn.

Để đặc trưng cho vật liệu, nhiều phương pháp tiên tiến đã được áp dụng. Hình dạng, kích thước và hình thái học nano, cấu trúc tinh thể được xác định bằng hiển vi điện tử truyền qua (TEM) và nhiễu xạ tia X (XRD). Đặc trưng quang phổ được khảo sát thông qua hấp thụ quang, quang huỳnh quang (PL) và kích thích quang huỳnh quang (PLE). Tính chất quang điện tử CdSe/CdS được nghiên cứu sâu. Phổ PL được đo theo công suất kích thích quang và nhiệt độ. Các kết quả thực nghiệm được phân tích liên quan đến điều kiện chế tạo. So sánh với các công bố trước đó giúp rút ra thông tin khoa học cần thiết.

4.1. Quy trình hóa ướt để tổng hợp vật liệu nano CdSe CdS

Quy trình tổng hợp vật liệu nano bán dẫn được thực hiện bằng phương pháp hóa ướt. Dung môi không liên kết octadecene (ODE) đóng vai trò quan trọng. Ảnh hưởng của điều kiện chế tạo vật liệu nano đến cấu trúc tinh thể của lõi CdSe được khảo sát kỹ lưỡng. Hệ phản ứng ODE-axit oleic (OA) được sử dụng với các nhiệt độ và nồng độ OA khác nhau. Luận án đã thử nghiệm ba giải pháp công nghệ và hai quy trình khác nhau để chế tạo nhánh CdS từ lõi CdSe. Điều này giúp tối ưu hóa phương pháp điều chế nano CdSe/CdS để tạo ra các CdSe/CdS cấu trúc nano chất lượng cao.

4.2. Kỹ thuật đặc trưng cấu trúc và tính chất quang điện tử

Các mẫu được đặc trưng bằng nhiều kỹ thuật hiện đại. Hình dạng, kích thước và hình thái học nano được phân tích bằng hiển vi điện tử truyền qua (TEM). Cấu trúc tinh thể được xác định bằng nhiễu xạ tia X (XRD). Các đặc trưng quang phổ được khảo sát thông qua phép đo hấp thụ quang, quang huỳnh quang (PL) và kích thích quang huỳnh quang (PLE). Tính chất quang điện tử CdSe/CdS được nghiên cứu chi tiết thông qua phổ PL. Phổ PL được đo theo sự thay đổi của công suất kích thích quang và nhiệt độ. Các kết quả thực nghiệm được phân tích sâu sắc và so sánh với các nghiên cứu khác.

V.Ý nghĩa khoa học của nghiên cứu CdSe CdS cấu trúc nano

Luận án mang lại ý nghĩa khoa học đáng kể. Các kết quả nghiên cứu đã tạo ra một cấu trúc nano mới: TPQW (tetrapod quantum well). Cấu trúc này mở ra hướng đi mới trong việc chế tạo vật liệu nano. Nghiên cứu góp phần giải quyết nhiều vấn đề về công nghệ chế tạo vật liệu nano tetrapod. Một trong số đó là vai trò của axit oleic (OA) trong quá trình tổng hợp. Việc hiểu rõ hơn các yếu tố ảnh hưởng giúp tối ưu hóa phương pháp điều chế nano CdSe/CdS. Đây là bước tiến quan trọng trong việc tổng hợp vật liệu nano bán dẫn phức tạp.

Các phát hiện cũng làm sâu sắc thêm hiểu biết về tính chất quang điện tử CdSe/CdS. Đặc biệt, nghiên cứu làm sáng tỏ cơ chế hoạt động quang của cấu trúc lõi-vỏ CdSe/CdS và các chấm lượng tử CdSe/CdS dạng TP. Hiểu biết này là nền tảng để thiết kế các vật liệu có hiệu suất cao. Nó thúc đẩy các ứng dụng chấm lượng tử trong nhiều lĩnh vực công nghệ. Nghiên cứu cũng góp phần vào việc hoàn thiện lý thuyết về kích thước và hình thái học nano ảnh hưởng đến quang phổ. Việc này rất quan trọng đối với sự phát triển của vật liệu bán dẫn II-VI.

5.1. Đóng góp vào công nghệ chế tạo vật liệu nano tiên tiến

Luận án đã tạo ra cấu trúc nano mới là TPQW, mở rộng khả năng chế tạo vật liệu nano. Nghiên cứu giải quyết một số vấn đề quan trọng trong công nghệ chế tạo vật liệu nano tetrapod. Việc làm rõ vai trò của axit oleic (OA) trong quá trình tổng hợp là một đóng góp đáng kể. Các kết quả giúp tối ưu hóa phương pháp điều chế nano CdSe/CdS. Đây là nền tảng cho việc tổng hợp vật liệu nano bán dẫn phức tạp hơn. Công nghệ này có tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong các lĩnh vực mới.

5.2. Nâng cao hiểu biết về tính chất quang điện tử lõi vỏ

Nghiên cứu cung cấp cái nhìn sâu sắc về tính chất quang điện tử CdSe/CdS. Đặc biệt, nó làm rõ bản chất các chuyển dời quang trong cấu trúc lõi-vỏ CdSe/CdSchấm lượng tử CdSe/CdS dạng TP. Sự hiểu biết này là cơ sở để thiết kế vật liệu với hiệu suất quang tối ưu. Nó thúc đẩy sự phát triển của ứng dụng chấm lượng tử trong các thiết bị quang điện tử. Các kết quả cũng đóng góp vào lý thuyết về ảnh hưởng của kích thước và hình thái học nano đến tính chất quang của vật liệu bán dẫn II-VI.

Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu cdsecds cấu trúc nano dạng tetrapod và nghiên cứu tính chất quang của chúng

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (134 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

MỞ ĐẦU Trong những năm gần đây các nano tinh thể (NC) bán dẫn và cấu trúc nano bán dẫn dị chất đã đƣợc ứng dụng để nghiên cứu chế tạo các linh kiện quang, điện nhƣ diot phát quang [8, 103], laser [25, 52], nguồn phát đơn photon [12], đầu thu quang [4, 30], bộ nhớ dữ liệu quang [24], transistor [117], cảm biến nhiệt độ [76], pin mặt trời [89], cũng nhƣ đƣợc sử dụng để đánh dấu sinh học và hiện ảnh tế bào [27], v. Tính chất quang của NC bán dẫn bị chi phối bởi kích thƣớc, hình dạng, thành phần hóa học và cấu trúc tinh thể. Việc kết hợp đồng thời các yếu tố này trong cùng một cấu trúc nano đang là hƣớng nghiên cứu đƣợc quan tâm hiện nay cả về công nghệ chế tạo và khoa học cơ bản nhằm mở rộng hơn nữa khả năng ứng dụng của lớp vật liệu quan trọng này. NC dạng tetrapod (TP) trên cơ sở các hợp chất bán dẫn A2B6 là một trong các đối tƣợng vật liệu đƣợc kỳ vọng cho các mục đích ứng dụng khác nhau.

TP bao gồm lõi dạng cầu có cấu trúc lập phƣơng giả kẽm (ZB) và bốn nhánh có cấu trúc lục giác (WZ) sắp xếp đối xứng trong không gian. Tùy thuộc vào cấu trúc vùng năng lƣợng mà các hạt tải điện trong TP có thể bị giam giữ ba chiều (3D) trong lõi hoặc 2 chiều (2D) trong các nhánh. Khác với TP đồng chất cấu trúc vùng năng lƣợng của TP dị chất không chỉ phụ thuộc vào kích thƣớc của lõi và các nhánh mà còn phụ thuộc vào các vật liệu bán dẫn đƣợc sử dụng và phân bố của các nguyên tố hóa học. Hiện nay một số vấn đề về công nghệ chế tạo TP còn chƣa rõ ràng nhƣ ảnh hƣởng của điều kiện chế tạo đến cấu trúc tinh thể của NC lõi, nguyên nhân gây ra sự chuyển pha từ cấu trúc ZB sang cấu trúc WZ để tạo thành các nhánh, sự thay đổi kích thƣớc của lõi và các nhánh trong quá trình phát triển TP, … Tƣơng tự, bản chất các chuyển dời quang và sự thay đổi các đặc trƣng phát xạ trong mối liên quan với kích thƣớc, cấu trúc vùng năng lƣợng, công 1 suất kích thích quang và nhiệt độ, … cũng là các vấn đề cần đƣợc làm rõ.

Thực tế trên là những trở ngại lớn cho việc chủ động chế tạo các TP theo thiết kế và điều khiển tính chất quang của chúng. Chình vì lý do này nên chúng tôi đề xuất đề tài luận án “Chế tạo vật liệu CdSe/CdS cấu trúc nano dạng tetrapod và nghiên cứu tính chất quang của chúng”. Năm 2010 tiến sĩ Lê Bá Hải đã bảo vệ luận án về đề tài “Chế tạo và nghiên cứu tính chất quang của một số cấu trúc lượng tử trên cơ sở CdSe”. Cho đến nay đây vẫn là luận án tiến sĩ duy nhất tại Việt Nam nghiên cứu về NC bán dẫn dạng TP.

TP CdSe là một trong các đối tƣợng nghiên cứu trong luận án của tiến sĩ Lê Bá Hải và tính chất quang của nó đã đƣợc thảo luận dựa trên công bố của nhóm Tari [116]. Tuy nhiên các bằng chứng thực nghiệm đƣợc công bố năm 2011 về cấu trúc tinh thể của miền tiếp giáp lõi/nhánh [62] dẫn đến hệ quả là qui tắc chọn lọc đối xứng đối với chuyển dời quang trong TP bị vi phạm, và do đó bản chất các chuyển dời quang trong TP cần đƣợc xem xét lại. Vấn đề này đã đƣợc đƣa vào trong luận án nhƣ phần tiếp nối các kết quả nghiên cứu trƣớc đây của tiến sĩ Lê Bá Hải. Mục đích của luận án 1.

Tạo ra các cấu trúc nano dị chất dạng TP với phát xạ đƣợc tăng cƣờng hoặc có khả năng phát xạ các exciton với năng lƣợng khác nhau. Làm rõ bản chất các chuyển dời quang trong TP. Làm sáng tỏ ảnh hƣởng của công suất kích thích quang và nhiệt độ lên các đặc trƣng phát xạ của TP. Nội dung nghiên cứu 1.

Ảnh hƣởng của điều kiện chế tạo đến cấu trúc tinh thể của lõi CdSe. Sự thay đổi kích thƣớc của lõi và các nhánh trong quá trình phát triển TP. Tìm giải pháp công nghệ đơn giản, tiết kiệm để chủ động chế tạo TP dị chất theo thiết kế với hiệu suất cao. Bản chất các chuyển dời quang trong TP.

Sự phụ thuộc các đặc trƣng quang phổ của TP vào kích thƣớc. Ảnh hƣởng của công suất kích thích quang đến các đặc trƣng phát xạ. Hiện tƣợng chống dập tắt huỳnh quang do nhiệt độ và hiện tƣợng dập tắt huỳnh quang tại nhiệt độ thấp. Phương pháp nghiên cứu Nghiên cứu đƣợc thực hiện bằng phƣơng pháp thực nghiệm.

Các mẫu nghiên cứu đƣợc chế tạo bằng phƣơng pháp hóa ƣớt trong dung môi không liên kết octadecene (ODE). Ảnh hƣởng của điều kiện chế tạo đến cấu trúc tinh thể của NC CdSe đƣợc khảo sát trong hệ phản ứng ODE-axit oleic (OA) tại các nhiệt độ và nồng độ OA khác nhau. Ba giải pháp công nghệ và hai qui trình chế tạo nhánh CdS từ lõi CdSe đã đƣợc thử nghiệm. Hình dạng, kích thƣớc, cấu trúc tinh thể và đặc trƣng quang phổ của các mẫu đƣợc khảo sát bằng các phƣơng pháp nhƣ hiển vi điện tử truyền qua (TEM), nhiễu xạ tia X (XRD), hấp thụ quang, quang huỳnh quang (PL) và kích thích quang huỳnh quang (PLE).

Tính chất huỳnh quang của các mẫu đƣợc nghiên cứu dựa trên số liệu đo phổ PL theo công suất kích thích quang và nhiệt độ. Các kết quả thực nghiệm đƣợc thảo luận trong mối liên quan với điều kiện chế tạo và đƣợc so sánh với kết quả công bố của các tác giả khác để rút ra các thông tin khoa học cần thiết. Ý nghĩa khoa học của luận án Các kết quả nghiên cứu đã tạo ra cấu trúc nano mới là TPQW và góp phần giải quyết một vài vấn đề về công nghệ chế tạo và tính chất quang của TP nhƣ vai trò của OA và tri-n-octylphosphine (TOP) đối với cấu trúc tinh thể của NC CdSe, cơ chế thay đổi kích thƣớc lõi và các nhánh trong quá trình phát triển của TP, bản chất các chuyển dời quang trong TP, sự phụ thuộc các đặc trƣng quang phổ của TP vào kích thƣớc, công suất kích thích quang và nhiệt độ trong mối liên quan với cấu trúc vùng năng lƣợng. 3 Bố cục của luận án Luận án gồm 134 trang, 81 đồ thị, hình vẽ, 07 bảng, 1 phụ lục và 135 tài liệu tham khảo.

Ngoài phần mở đầu và kết luận nội dung luận án đƣợc chia thành bốn chƣơng: Chương 1 (29 trang) đề cập một số vấn đề về công nghệ hóa ƣớt sử dụng kỹ thuật bơm nóng để chế tạo TP trên cơ sở các hợp chất bán dẫn A2B6, cụ thể là cơ chế tạo thành NC dạng TP, ảnh hƣởng của điều kiện chế tạo đến cấu trúc tinh thể và các kỹ thuật chế tạo TP đồng chất và TP dị chất. Tính chất quang của TP đƣợc trình bày trong mối liên quan với cấu trúc điện tử, công suất kích thích quang và nhiệt độ mẫu. Chương 2 (14 trang) trình bày các giải pháp công nghệ và thực nghiệm đã tiến hành để nghiên cứu chế tạo TP đồng chất, TP dị chất và tetrapod-giếng lƣợng tử (TPQW) trên cơ sở các hợp chất bán dẫn CdSe và CdS. Phần thứ hai của chƣơng đề cập các phƣơng pháp khảo sát đặc trƣng của vật liệu, điều kiện đo và các thông tin cần thiết.

Chương 3 (26 trang) trình bày và thảo luận kết quả nghiên cứu các vấn đề còn chƣa rõ ràng về công nghệ chế tạo TP đồng chất, TP dị chất và TPQW trên cơ sở các hợp chất bán dẫn CdSe và CdS. Chương 4 (36 trang) trình bày tính chất quang phổ của TP CdSe, TP CdSe/CdSe1-xSx, TPQW lõi(ZB-CdSe)/nhánh(WZ-CdSe/CdSe1-xSx/CdSe1-ySy/ /CdSe1-zSz) có kích thƣớc khác nhau và sự phụ thuộc các đặc trƣng phát xạ của chúng vào công suất kích thích quang và nhiệt độ. Bản chất các chuyển dời quang trong TP, sự phụ thuộc cƣờng độ của hai đỉnh huỳnh quang vào kích thƣớc và công suất kích thích quang, sự tái chuẩn hóa vùng cấm, sự truyền hạt tải trong TPQW, ứng suất trong cấu trúc nano dị chất, hiện tƣợng chống dập tắt huỳnh quang do nhiệt độ và hiện tƣợng dập tắt huỳnh quang tại các nhiệt độ thấp đã đƣợc phân tích và thảo luận trong chƣơng này. 4 CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN VỀ CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA TETRAPOD Chƣơng 1 đề cập một số vấn đề của công nghệ hóa ƣớt sử dụng kỹ thuật bơm nóng để chế tạo TP trên cơ sở các hợp chất bán dẫn A 2B6, cụ thể là cơ chế tạo thành NC dạng TP, ảnh hƣởng của điều kiện chế tạo đến cấu trúc tinh thể và các kỹ thuật chế tạo TP đồng chất và TP dị chất.

Tính chất quang của TP đƣợc trình bày trong mối liên quan với cấu trúc điện tử, công suất kích thích quang và nhiệt độ mẫu. Các cơ chế tạo thành tetrapod Hình 1.1 là minh họa 3D của NC dạng TP. Về mặt hình học TP bao gồm lõi có dạng cầu và bốn nhánh sắp xếp đối xứng trong không gian. NC dạng bốn nhánh đƣợc gọi là TP đồng chất nếu đƣợc tạo thành từ cùng một vật liệu và đƣợc gọi là TP dị chất nếu đƣợc tạo thành từ các vật liệu khác nhau.

Hình không gian của NC dạng TP. Cho đến nay có hai cơ chế đƣợc đề xuất để giải thích sự tạo thành NC dạng TP. Cơ chế thứ nhất: Trong trƣờng hợp các vi tinh thể có cấu trúc WZ thì việc gắn kết tám vi tinh thể theo cách đƣợc chỉ ra trên Hình 1.2 và tốc độ phát triển 5 tinh thể nhanh theo hƣớng [000 1 ] sẽ tạo ra các NC dạng TP. Cơ chế này cho phép giải thích sự tạo thành TP CdTe khi sử dụng axit methylphosphonic (MPA) và octadecylphosphonic (ODPA) với tỉ lệ mol MPA:ODPA cao [16].

Mô hình giải thích sự tạo thành TP từ các vi tinh thể có cấu trúc WZ [16]. Cơ chế thứ hai: Trong trƣờng hợp vi tinh thể có cấu trúc ZB thì sự chuyển pha cấu trúc từ ZB sang WZ có thể xảy ra trên bốn mặt tinh thể (111) của cấu trúc ZB do sai khác hằng số mạng tinh thể nhỏ giữa mặt (111) của cấu trúc ZB và mặt (000 1 ) của cấu trúc WZ. Trong giai đoạn tiếp theo sự phát triển nhanh của vi tinh thể có cấu trúc WZ theo hƣớng [000 1 ] so với các hƣớng tinh thể khác sẽ tạo ra bốn nhánh của TP. Sự phát triển tinh thể dị hƣớng từ vi tinh thể ban đầu có cấu trúc ZB theo cơ chế thứ hai đƣợc minh họa trên Hình 1.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu cdsecds cấu trúc nano dạng (n.d.) [Luận án tiến sĩ]. LuanAn.net. https://luanan.net/khoa-hoc-trai-dat-moi-truong/luan-an-tien-si-che-tao-vat-lieu-cdsecds-cau-truc-nano-dang-tetrapod-va-nghien-cuu-tinh-chat-quang-cua-chung

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu cdsecds cấu trúc nano dạng" nghiên cứu về vấn đề gì?

Luận án: Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu cdsecds cấu trúc nano dạng tetrapod và nghiên cứu tính chất quang của chúng. Xem tóm tắt và tải về tại LuanAn.net

Luận án "Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu cdsecds cấu trúc nano dạng" có bao nhiêu trang?

Luận án "Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu cdsecds cấu trúc nano dạng" có 134 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Luận án tiến sĩ chế tạo vật liệu cdsecds cấu trúc nano dạng" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter