Luận án nghiên cứu hiệu ứng cao tần trong bán dẫn siêu mạng - Một số kết quả

Mục lục Lời cam đoan. ii Lời cảm ơn. iii Mục lục. 1 Danh mục hình vẽ, đồ thị.

Một số vấn đề tổng quan 23 1. Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong bán dẫn siêu mạng. Bán dẫn siêu mạng. Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (DSSL).

Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong bán dẫn siêu mạng thành phần (CSSL). Độ dẫn và phép chiếu toán tử trong hệ nhiều hạt. Biểu thức tổng quát của tenxơ độ dẫn. Biểu thức tổng quát của tenxơ độ dẫn qua phép chiếu phụ thuộc trạng thái.

33 1 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. Phương pháp phương trình động lượng tử. Phương pháp phương trình động lượng tử đối với electron. Phương pháp phương trình động lượng tử đối với phonon.

Độ rộng vạch phổ của độ dẫn 39 2. Biểu thức giải tích của độ rộng vạch phổ trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (DSSL). Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính trong DSSL 39 2. Độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến trong DSSL 42 2.

Biểu thức giải tích của độ rộng vạch phổ trong bán dẫn siêu mạng thành phần (CSSL). Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính trong CSSL 43 2. Độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến trong CSSL 44 2. Kết quả tính số và thảo luận.

Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính. Độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến bậc một. Kết luận của chương 2. Hiệu ứng tạo phonon trong bán dẫn siêu mạng 59 3.

Biểu thức giải tích của tốc độ thay đổi và hiệu ứng tạo phonon trong bán dẫn siêu mạng. Hệ số gia tăng phonon trong bán dẫn siêu mạng. 59 2 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. Trường hợp khí electron không suy biến.

Trường hợp khí electron suy biến. Kết quả tính số và thảo luận. Trường hợp khí electron không suy biến. Trường hợp khí electron suy biến.

Kết luận của chương 3. Cộng hưởng tham số giữa phonon âm và phonon quang trong bán dẫn siêu mạng 91 4. Biểu thức giải tích của trường ngưỡng và hệ số gia tăng phonon 92 4. Hệ phương trình động lượng tử cho phonon.

Phương trình tán sắc chung của phonon. Trường ngưỡng và hệ số gia tăng phonon âm. Biểu thức giải tích của trường ngưỡng và hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp. Biểu thức giải tích của trường ngưỡng và hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng thành phần101 4.

Kết quả tính số và thảo luận. Trường ngưỡng trong bán dẫn siêu mạng. 102 3 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng 105 4.

Kết luận của chương 4. 112 Các công trình đã được công bố liên quan đến luận án. 115 Tài liệu tham khảo. 129 4 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Danh sách hình vẽ 2.1 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào nhiệt độ ứng với năng lượng photon W = 30 meV (đường chấm), W = 60 meV (đường gạch) và W = 80 meV (đường liền) trong miền nhiệt độ từ 40 K đến 200 K.2 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào nhiệt độ ứng với năng lượng photon W = 30 meV (đường chấm), W = 60 meV (đường gạch) và W = 80 meV (đường liền) trong miền nhiệt độ từ 100 K đến 600 K.3 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc năng lượng photon ứng với nhiệt độ T = 80 K (đường chấm), T = 90 K (đường gạch) và T = 120 K (đường liền).

49 5 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.4 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc chu kỳ siêu mạng ứng với năng lượng photon W = 40 meV (đường chấm), W = 50 meV (đường gạch) và W = 60 meV (đường liền).5 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào số chu kỳ siêu mạng s0 ứng với năng lượng photon W = 40 meV (đường chấm), W = 50 meV (đường gạch) và W = 60 meV (đường liền).6 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào nhiệt độ ứng với năng lượng photon W = 30 meV (đường chấm), W = 60 meV (đường gạch) và W = 80 meV (đường liền) trong miền nhiệt độ từ 40 K đến 200 K.7 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào nhiệt độ ứng với năng lượng photon W = 30 meV (đường chấm), W = 60 meV (đường gạch) và W = 80 meV (đường liền) trong miền nhiệt độ từ 100 K đến 600 K. 53 6 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.8 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc năng lượng photon ứng với nhiệt độ T = 80 K (đường chấm), T = 90 K (đường gạch) và T = 120 K (đường liền) .9 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc chu kỳ siêu mạng ứng với năng lượng photon W = 40 meV (đường chấm), W = 50 meV (đường gạch) và W = 60 meV (đường liền).10 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn phi tuyến trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào số chu kỳ siêu mạng s0 ứng với năng lượng photon W = 40 meV (đường chấm), W = 50 meV (đường gạch) và W = 60 meV (đường liền).11 Độ rộng vạch phổ của độ dẫn tuyến tính (hình trên) và phi tuyến (hình dưới) trong bán dẫn siêu mạng pha tạp phụ thuộc vào nồng độ tạp chất nD , ứng với nhiệt độ T = 90 K (đường chấm), T = 100 K (đường gạch) và T = 120 K (đường liền).1 Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc tần số trường laser Ω ứng với nhiệt độ 250 K (đường chấm), 300 K (đường gạch) và 350 K (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến. 70 7 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.2 Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc biên độ trường laser E0 ứng với nhiệt độ 250 K (đường chấm), 300 K (đường gạch) và 350 K (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến.3 Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào nhiệt độ T ứng với số sóng q = 0.1×107 m−1 (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến.4 Hệ số gia tăng phonon âm (hình trên) và phonon quang (hình dưới) trong bán dẫn siêu mạng pha tạp phụ thuộc vào nồng độ pha tạp nD ứng với nhiệt độ 270 K (đường chấm), 300 K (đường gạch) và 310 K (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến.5 Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào chu kỳ siêu mạng d ứng với số sóng của phonon q = 107 m−1 (đường chấm), q = 1.5 × 107 m−1 (đường gạch) và q = 2 × 107 m−1 (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến. 74 8 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.6 Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào số sóng q ứng với nhiệt độ T = 250 K (đường chấm), T = 300 K (đường gạch) và T = 350 K (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến.7 Hệ số gia tăng phonon quang trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc tần số trường laser Ω ứng với nhiệt độ 250 K (đường chấm), 300 K (đường gạch) và 350 K (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến.8 Hệ số gia tăng phonon quang trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc biên độ trường laser E0 ứng với nhiệt độ 250 K (đường chấm), 300 K (đường gạch) và 350 K (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến.9 Hệ số gia tăng phonon quang trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào nhiệt độ T ứng với số sóng q = 0.1×107 m−1 (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến.10 Hệ số gia tăng phonon quang trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc vào chu kỳ siêu mạng d ứng với số chu kỳ s0 = 100 (đường chấm), s0 = 104 (đường gạch) và s0 = 108 (đường liền) trường hợp khí electron không suy biến.

79 9 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.11 A (đường chấm) và B (đường liền) trong bán dẫn siêu mạng pha tạp là hàm của số sóng q với E0 = 107 V.12 Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc tần số trường laser Ω ứng với số sóng phonon 107 m−1 (đường chấm), 1.5 × 107 m−1 (đường gạch) và 2 × 107 m−1 (đường liền) trường hợp khí electron suy biến.13 Hệ số gia tăng phonon âm trong bán dẫn siêu mạng pha tạp (hình trên) và trong bán dẫn siêu mạng thành phần (hình dưới) phụ thuộc biên độ trường laser E0 ứng với số sóng phonon 107 m−1 (đường chấm), 1.