Luận án tiến sĩ: Nghiên cứu chế tạo và tính chất nhạy khí của cấu trúc dị thể SnO2/CNTs - Quản Thị Minh Nguyệt
Luận án: chế tạo cấu trúc dị thể SnO2/CNT và tính chất nhạy khí. Nghiên cứu ứng dụng trong cảm biến.
Năm xuất bản
Số trang
142
Thời gian đọc
22 phút
Lượt xem
1
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- Giới thiệu chung: Cảm biến khí SnO2/CNTs và tầm quan trọng
- Số trang:
- 142 trang
- Trường:
- Đại học Bách khoa Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Kĩ thuật
- Tác giả:
- Quản Thị Minh Nguyệt
- Năm:
- 2019
Tóm tắt nội dung luận án
I.Giới thiệu chung Cảm biến khí SnO2 CNTs và tầm quan trọng
Nhu cầu phát triển cảm biến khí hiệu suất cao ngày càng cấp thiết. Ô nhiễm môi trường và khí độc hại ảnh hưởng lớn đến sức khỏe. Vật liệu nano SnO2 là ứng cử viên sáng giá cho cảm biến khí bán dẫn oxit kim loại. SnO2 sở hữu tính chất nhạy khí tốt nhưng còn hạn chế về nhiệt độ hoạt động, độ chọn lọc. Ống nano carbon (CNTs) là vật liệu tiềm năng với độ dẫn điện cao, diện tích bề mặt lớn. Việc kết hợp SnO2 và CNTs tạo nên cấu trúc dị thể. Cấu trúc SnO2/CNTs hứa hẹn cải thiện đáng kể hiệu suất cảm biến. Nghiên cứu này tập trung vào chế tạo và đánh giá tính chất nhạy khí của các cấu trúc dị thể SnO2/CNTs. Mục tiêu là tạo ra các cảm biến khí nhạy hơn, ổn định hơn, hoạt động ở nhiệt độ tối ưu, góp phần vào sự phát triển công nghệ cảm biến khí. Các kết quả nghiên cứu sẽ cung cấp cái nhìn sâu sắc về vật liệu này.
1.1. Lý do nghiên cứu cảm biến khí SnO2 CNTs.
Thế giới đối mặt với ô nhiễm môi trường nghiêm trọng. Khí độc hại gây ảnh hưởng lớn đến sức khỏe con người. Nhu cầu phát triển cảm biến khí hiệu suất cao tăng mạnh. Cảm biến khí bán dẫn oxit kim loại đang được quan tâm. Vật liệu nano SnO2 là lựa chọn phổ biến. SnO2 thể hiện tính chất nhạy khí tốt. Tuy nhiên, SnO2 gặp hạn chế về nhiệt độ hoạt động và độ chọn lọc. Ống nano carbon (CNTs) là vật liệu đầy hứa hẹn. CNTs có tính dẫn điện cao và diện tích bề mặt lớn. Kết hợp SnO2 với CNTs tạo ra cấu trúc dị thể. Cấu trúc SnO2/CNTs cải thiện đáng kể hiệu suất cảm biến. Nghiên cứu này tập trung vào tiềm năng của SnO2/CNTs. Mục tiêu là tạo ra cảm biến khí nhạy hơn, ổn định hơn.
1.2. Mục tiêu chính của công trình nghiên cứu.
Công trình xác định rõ các mục tiêu cụ thể. Mục tiêu đầu tiên là nghiên cứu chế tạo vật liệu nano SnO2. Chế tạo các dây nano SnO2 với kích thước kiểm soát. Mục tiêu tiếp theo là tích hợp CNTs vào cấu trúc SnO2. Xây dựng cấu trúc dị thể SnO2/CNTs đa dạng. Các cấu trúc này bao gồm SnO2/CNTs và SnO2/CNTs/SnO2. Sau đó, tiến hành khảo sát các tính chất cơ bản. Phân tích hình thái học, cấu trúc và tính chất điện. Mục tiêu quan trọng là đánh giá tính chất nhạy khí. Xác định độ nhạy cảm biến với các loại khí mục tiêu. Khảo sát thời gian đáp ứng và thời gian phục hồi. Tìm hiểu nhiệt độ hoạt động tối ưu. Cuối cùng, nghiên cứu cơ chế cảm biến khí của SnO2/CNTs. Đưa ra giải thích khoa học về hoạt động của cấu trúc dị thể.
1.3. Đóng góp khoa học thực tiễn từ cảm biến khí.
Nghiên cứu mang lại nhiều đóng góp khoa học quan trọng. Cung cấp cái nhìn sâu sắc về cấu trúc dị thể SnO2/CNTs. Làm rõ ảnh hưởng của các yếu tố chế tạo đến tính chất. Giải thích cơ chế cảm biến khí ở cấp độ vật lý. Các kết quả có ý nghĩa thực tiễn cao. Góp phần vào việc phát triển cảm biến khí thế hệ mới. Các cảm biến này có độ nhạy cảm biến cao hơn. Thời gian đáp ứng nhanh hơn, tiêu thụ năng lượng thấp hơn. Ứng dụng tiềm năng trong giám sát môi trường. Phát hiện khí độc hại trong công nghiệp. Kiểm soát chất lượng không khí trong nhà. Nghiên cứu mở ra hướng đi mới cho vật liệu nano. Đặc biệt là vật liệu SnO2 và CNTs trong cảm biến.
II.Chế tạo vật liệu nano SnO2 CNTs Phương pháp và quy trình
Quá trình chế tạo đóng vai trò cực kỳ quan trọng, quyết định hình thái và tính chất của vật liệu. Nghiên cứu sử dụng các phương pháp tiên tiến để tạo ra dây nano SnO2 và tích hợp CNTs. Dây nano SnO2 được chế tạo trực tiếp trên điện cực thông qua phương pháp lắng đọng hóa học pha hơi (CVD). Phương pháp này giúp kiểm soát tốt kích thước và hình dạng của dây nano. Sau đó, các cấu trúc dị thể SnO2/CNTs được hình thành bằng nhiều kỹ thuật khác nhau, bao gồm phun phủ, hồ quang điện và nhúng phủ. Mỗi phương pháp mang lại đặc điểm cấu trúc riêng biệt cho lớp CNTs (SWCNTs hoặc MWCNTs), ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất của cảm biến khí SnO2/CNTs. Việc đa dạng hóa phương pháp chế tạo giúp khám phá tối đa tiềm năng của cấu trúc dị thể.
2.1. Phương pháp chế tạo dây nano SnO2.
Việc chế tạo vật liệu nano SnO2 là bước đầu tiên. Các phương pháp chế tạo ảnh hưởng trực tiếp đến hình thái. Nghiên cứu sử dụng phương pháp lắng đọng hóa học pha hơi (CVD). Phương pháp CVD cho phép kiểm soát tốt quá trình tăng trưởng. Dây nano SnO2 được tạo ra với kích thước đồng đều. Điều này quan trọng cho tính lặp lại của cảm biến. Quá trình chế tạo dây nano SnO2 được thực hiện trực tiếp trên điện cực. Điều này giảm thiểu các bước xử lý sau. Tối ưu hóa các thông số CVD. Các thông số này bao gồm nhiệt độ, áp suất và tốc độ dòng khí. Việc tối ưu hóa đảm bảo chất lượng dây nano SnO2. Chất lượng dây nano ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất cảm biến.
2.2. Quy trình chế tạo cấu trúc dị thể SnO2 CNTs.
Quy trình chế tạo cấu trúc dị thể là trọng tâm. Cấu trúc dị thể SnO2/CNTs được hình thành. Nghiên cứu áp dụng nhiều phương pháp khác nhau. Phương pháp phun phủ được sử dụng cho lớp CNTs. CNTs phun phủ tạo ra lớp màng mỏng trên SnO2. Phương pháp hồ quang điện cũng được khám phá. Hồ quang điện tạo ra các ống nano carbon đơn tường (SWCNTs). SWCNTs được chế tạo trực tiếp trên dây nano SnO2. Phương pháp nhúng phủ cũng được thử nghiệm. Nhúng phủ tạo ra lớp ống nano carbon đa tường (MWCNTs). MWCNTs có đường kính khác nhau. Mỗi phương pháp mang lại đặc tính cấu trúc riêng. Các đặc tính này ảnh hưởng đến tính chất nhạy khí.
2.3. Các loại cấu trúc dị thể SnO2 CNTs chế tạo.
Nghiên cứu tập trung vào đa dạng cấu trúc. Các cấu trúc dị thể kép SnO2/CNTs/SnO2 được chế tạo. Cấu trúc này có lớp CNTs kẹp giữa hai lớp SnO2. Một loại là SnO2/SWCNTs/SnO2. SWCNTs được tạo ra bằng hồ quang điện. Một loại khác là SnO2/MWCNTs (d: 20-40 nm)/SnO2. MWCNTs được tạo ra bằng nhúng phủ. Ngoài ra, cấu trúc dị thể SnO2/MWCNTs cũng được nghiên cứu. Cấu trúc này đơn giản hơn nhưng vẫn hiệu quả. Khảo sát ảnh hưởng của đường kính MWCNTs. Các MWCNTs có đường kính khác nhau được sử dụng. Sự đa dạng này giúp đánh giá toàn diện. Nó cung cấp dữ liệu về mối quan hệ cấu trúc-tính chất. Việc này là chìa khóa để tối ưu hóa cảm biến khí SnO2/CNTs.
III.Đánh giá cấu trúc dị thể SnO2 CNTs Hình thái và điện tính
Việc đánh giá hình thái và tính chất điện là cần thiết để hiểu rõ về cấu trúc dị thể SnO2/CNTs. Phân tích hình thái bằng kính hiển vi điện tử quét (SEM và FE-SEM) cung cấp thông tin chi tiết về kích thước, hình dạng và sự phân bố của dây nano SnO2 và lớp CNTs. Điều này giúp xác định mối liên hệ giữa phương pháp chế tạo và cấu trúc vật liệu. Đồng thời, khảo sát đặc trưng dòng điện – điện áp (I-V) cho phép đánh giá các tính chất điện cơ bản và sự hình thành các chuyển tiếp dị thể tại giao diện SnO2/CNTs. Đặc trưng I-V phi tuyến tính thường chỉ ra sự hiện diện của rào thế năng, đóng vai trò quan trọng trong cơ chế cảm biến khí. Việc hiểu rõ các yếu tố này là nền tảng để tối ưu hóa hiệu suất của cảm biến khí SnO2/CNTs.
3.1. Phân tích hình thái cấu trúc dị thể SnO2 CNTs.
Phân tích hình thái là bước quan trọng. Việc này sử dụng kính hiển vi điện tử quét (SEM). FE-SEM cũng được dùng để thu được hình ảnh chi tiết. Các hình ảnh này cho thấy cấu trúc và kích thước vật liệu. Dây nano SnO2 được quan sát rõ ràng. Hình dạng, đường kính và mật độ dây nano được đánh giá. Sự hiện diện của CNTs trên bề mặt SnO2 được xác nhận. Mức độ phủ của CNTs cũng được khảo sát. Ảnh hưởng của phương pháp chế tạo lên hình thái được làm rõ. Ví dụ, sự phân bố của SWCNTs và MWCNTs khác nhau. Hình thái của cấu trúc dị thể ảnh hưởng lớn. Nó quyết định diện tích bề mặt tiếp xúc khí. Điều này liên quan trực tiếp đến tính chất nhạy khí của cảm biến khí SnO2/CNTs.
3.2. Khảo sát đặc trưng điện I V của SnO2 CNTs.
Tính chất điện là yếu tố then chốt của cảm biến. Đặc trưng dòng điện – điện áp (I-V) được đo đạc. Các phép đo I-V thực hiện trong không khí. Phép đo này cung cấp thông tin về tiếp xúc điện. Nó cũng cho biết về sự hình thành chuyển tiếp dị thể. Đặc trưng phi tuyến tính trong I-V thường xuất hiện. Điều này gợi ý sự hình thành rào thế năng tại giao diện. Rào thế năng này là đặc trưng của chuyển tiếp Schottky. Hoặc là chuyển tiếp dị thể p-n. Nghiên cứu phân tích các đặc trưng I-V này. So sánh đặc trưng I-V của các cấu trúc SnO2/MWCNTs khác nhau. Dựa vào đó, xác định tính chất bán dẫn của vật liệu. Việc này hỗ trợ cho việc hiểu cơ chế cảm biến khí.
3.3. Ảnh hưởng của yếu tố hình thái đến tính chất.
Hình thái cấu trúc có tác động sâu sắc. Nó ảnh hưởng đến tính chất điện và nhạy khí. Mật độ của CNTs trên bề mặt SnO2 là một yếu tố. Mật độ tối ưu giúp tăng diện tích bề mặt hoạt động. Đường kính của MWCNTs cũng đóng vai trò quan trọng. MWCNTs có đường kính nhỏ hơn tạo ra nhiều điểm tiếp xúc. Điều này có thể dẫn đến hiệu quả cảm biến tốt hơn. Cách thức phân bố của CNTs cũng ảnh hưởng. Sự phân bố đều giúp tối ưu hóa tương tác với khí. Các kết quả phân tích hình thái kết hợp với điện tính. Chúng cung cấp cái nhìn toàn diện. Việc này giúp cải thiện thiết kế cấu trúc dị thể. Từ đó nâng cao hiệu suất của cảm biến khí SnO2/CNTs.
IV.Tính chất nhạy khí cảm biến SnO2 CNTs Hiệu suất hoạt động
Hiệu suất hoạt động của cảm biến khí SnO2/CNTs là trọng tâm của nghiên cứu. Các cấu trúc dị thể được kiểm tra khả năng phát hiện nhiều loại khí độc hại. Độ nhạy cảm biến được đánh giá thông qua sự thay đổi điện trở khi tiếp xúc với khí mục tiêu. Kết quả cho thấy sự cải thiện đáng kể về độ nhạy so với cảm biến SnO2 nguyên chất. Ảnh hưởng của mật độ CNTs được khảo sát để tìm ra cấu hình tối ưu. Ngoài ra, các thông số quan trọng khác như thời gian đáp ứng, thời gian phục hồi và nhiệt độ hoạt động cũng được xác định. Cấu trúc dị thể SnO2/CNTs thể hiện thời gian đáp ứng nhanh và khả năng hoạt động ở nhiệt độ thấp hơn, mang lại tiềm năng ứng dụng lớn trong thực tiễn cho các hệ thống giám sát khí.
4.1. Đặc trưng nhạy khí của cấu trúc SnO2 CNTs.
Tính chất nhạy khí là thước đo hiệu quả cảm biến. Nghiên cứu khảo sát phản ứng của cấu trúc SnO2/CNTs. Các cấu trúc này phản ứng với nhiều loại khí. Các khí mục tiêu thường là khí độc hại. Ví dụ như CO, NOx, H2S, v.v. Độ nhạy cảm biến được tính toán. Độ nhạy là tỷ số thay đổi điện trở khi có khí. Cấu trúc SnO2/MWCNTs cho thấy độ nhạy cao. Đặc biệt với MWCNTs có đường kính cụ thể. So sánh tính chất nhạy khí của các cấu trúc khác nhau. Cấu trúc dị thể kép SnO2/CNTs/SnO2 cũng được đánh giá. Kết quả cho thấy sự cải thiện đáng kể. Sự cải thiện này so với cảm biến SnO2 nguyên chất. Đây là minh chứng cho hiệu quả của cấu trúc dị thể.
4.2. Ảnh hưởng mật độ CNTs lên độ nhạy cảm biến.
Mật độ CNTs là yếu tố quan trọng ảnh hưởng. Mật độ ống nano carbon tối ưu hóa hiệu suất. Mật độ quá thấp không đủ tạo hiệu ứng dị thể. Mật độ quá cao có thể gây cản trở khuếch tán khí. Các thí nghiệm được tiến hành với các mật độ CNTs khác nhau. Điều này giúp xác định mật độ lý tưởng. Mật độ tối ưu giúp tăng cường sự hình thành rào thế năng. Rào thế năng này tại giao diện SnO2/CNTs. Nó cải thiện đáng kể độ nhạy cảm biến. Sự thay đổi mật độ CNTs có thể điều chỉnh tính chọn lọc. Nó cũng điều chỉnh nhiệt độ hoạt động của cảm biến. Việc điều chỉnh này rất quan trọng. Nó giúp phù hợp với từng ứng dụng cụ thể.
4.3. Đánh giá thời gian đáp ứng và nhiệt độ hoạt động.
Thời gian đáp ứng và phục hồi là các thông số quan trọng. Thời gian đáp ứng là tốc độ cảm biến phản ứng với khí. Thời gian phục hồi là tốc độ trở lại trạng thái ban đầu. Cấu trúc dị thể SnO2/CNTs cho thấy thời gian đáp ứng nhanh. Điều này là nhờ diện tích bề mặt lớn của CNTs. Nó cũng nhờ vào các giao diện năng lượng thấp. Nhiệt độ hoạt động của cảm biến cũng được khảo sát. Nhiệt độ hoạt động thấp là mong muốn. Cảm biến hoạt động hiệu quả ở nhiệt độ thấp hơn. Điều này giúp giảm tiêu thụ năng lượng. Nghiên cứu tìm ra nhiệt độ hoạt động tối ưu. Nhiệt độ này đảm bảo hiệu suất nhạy khí tốt nhất. Đồng thời, nó duy trì sự ổn định của vật liệu. Các yếu tố này góp phần vào việc phát triển cảm biến khí SnO2/CNTs thực tiễn.
V.Cơ chế cảm biến khí SnO2 CNTs Giải thích và phân tích sâu
Việc hiểu rõ cơ chế cảm biến khí là chìa khóa để tối ưu hóa thiết kế và hiệu suất của cảm biến SnO2/CNTs. Cơ chế này dựa trên cơ sở lý thuyết chuyển tiếp dị thể, bao gồm chuyển tiếp Schottky và p-n. Tại các giao diện SnO2/CNTs, rào thế năng được hình thành. Khi có khí hấp phụ, rào thế năng này thay đổi do sự trao đổi điện tử giữa khí và vật liệu, dẫn đến biến đổi điện trở. Phân tích đặc trưng điện I-V trong môi trường khí và phổ tổng trở cung cấp bằng chứng thực nghiệm cho các quá trình này. Cơ chế này cũng được tăng cường bởi hiệu ứng xúc tác của CNTs, góp phần cải thiện độ nhạy cảm biến và thời gian đáp ứng. Giải thích sâu sắc này hỗ trợ việc thiết kế các cảm biến khí SnO2/CNTs hiệu quả hơn.
5.1. Cơ sở lý thuyết chuyển tiếp dị thể.
Hoạt động của cảm biến SnO2/CNTs dựa trên chuyển tiếp dị thể. Hai loại chuyển tiếp chính được xem xét. Đó là chuyển tiếp Schottky và chuyển tiếp dị thể p-n. Chuyển tiếp Schottky hình thành giữa kim loại và bán dẫn. Hoặc giữa bán dẫn n-type và p-type có sự chênh lệch độ dẫn. Chuyển tiếp dị thể p-n hình thành giữa hai bán dẫn. Chúng có kiểu dẫn điện ngược nhau. Tại các giao diện này, rào thế năng được hình thành. Rào thế năng thay đổi khi tương tác với khí. Điều này dẫn đến sự thay đổi điện trở của vật liệu. Cơ sở lý thuyết này là nền tảng. Nó giúp giải thích các hiện tượng quan sát được. Nó cũng giải thích hiệu suất của cảm biến khí SnO2/CNTs.
5.2. Phân tích đặc trưng điện trong môi trường khí.
Đặc trưng I-V của SnO2/MWCNTs được phân tích. Các phép đo thực hiện trong không khí và trong môi trường khí mục tiêu. Sự thay đổi trong đường cong I-V được quan sát. Điều này cho thấy sự tương tác của khí với vật liệu. Khí hấp phụ lên bề mặt vật liệu. Nó gây ra sự thay đổi mật độ hạt tải điện. Điều này ảnh hưởng đến chiều cao rào thế năng. Kết quả là dòng điện qua chuyển tiếp thay đổi. Nghiên cứu cũng thực hiện phân tích phổ tổng trở. Phổ tổng trở cung cấp thông tin chi tiết. Nó về các quá trình điện hóa và vật lý. Các quá trình này diễn ra tại giao diện SnO2/CNTs. Điều này giúp xác định các yếu tố kiểm soát phản ứng.
5.3. Giải thích cơ chế nhạy khí của cấu trúc SnO2 CNTs.
Cơ chế nhạy khí của cấu trúc dị thể phức tạp. Nó liên quan đến tương tác bề mặt và chuyển tiếp điện tử. Khi khí hấp phụ lên bề mặt SnO2 và CNTs, tương tác xảy ra. Các phân tử khí như CO, NOx là chất cho/nhận điện tử. Chúng trao đổi điện tử với vật liệu bán dẫn. Điều này làm thay đổi nồng độ hạt tải điện trong SnO2 và CNTs. Sự thay đổi này làm biến đổi chiều cao rào thế năng. Rào thế năng tại các giao diện SnO2/CNTs bị điều chỉnh. Kết quả là điện trở của cấu trúc dị thể thay đổi đáng kể. Cơ chế nhạy khí cũng được hỗ trợ bởi hiệu ứng xúc tác. CNTs có thể tăng cường phản ứng bề mặt. Điều này giúp cải thiện độ nhạy cảm biến và thời gian đáp ứng.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (142 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộLỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới thầy giáo hướng dẫn GS. Thầy đã đóng góp các ý kiến khoa học quý báu cũng như tạo mọi điều kiện thuận lợi để tôi hoàn thành luận án này. Tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành tới PGS. Nguyễn Đức Hòa, PGS.
Nguyễn Văn Duy và tập thể cán bộ Phòng thí nghiệm nghiên cứu phát triển và ứng dụng Cảm biến nano đã luôn nhiệt tình giúp đỡ, chia sẻ kinh nghiệm và gợi mở nhiều ý tưởng quan trọng để tôi thực hiện các nghiên cứu của luận án này. Tôi cũng xin cảm ơn các nghiên cứu sinh và học viên cao học của nhóm iSensors đã luôn đồng hành và hỗ trợ tôi trong quá trình thực hiện đề tài. Tôi xin chân thành cảm ơn Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu, Viện Vật lý kỹ thuật, Phòng Đào tạo, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội đã tạo điều kiện cho tôi được học tập và nghiên cứu. Tôi xin cảm ơn Quỹ Phát triển khoa học & công nghệ Quốc gia (Nafosted) đã tài trợ cho nghiên cứu này thông qua đề tài NCCB mã số 103.
Cuối cùng, tôi xin gửi lời cảm ơn tới toàn thể gia đình, bạn bè và đồng nghiệp đã luôn động viên và chia sẻ để tôi hoàn thành luận án này. Tác giả Quản Thị Minh Nguyệt i Luận án tiến sĩ Kĩ thuật LỜI CAM ĐOAN Tác giả xin cam đoan nội dung của luận án là công trình nghiên cứu của riêng tác giả dưới sự hướng dẫn của GS. Các số liệu và kết quả trong luận án trung thực và chưa được tác giả khác công bố. Hà Nội, ngày tháng năm 2019 Giáo viên hướng dẫn Tác giả GS.
Nguyễn Văn Hiếu Quản Thị Minh Nguyệt ii Luận án tiến sĩ Kĩ thuật MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN .i LỜI CAM ĐOAN. ii MỤC LỤC. iii DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT. 1 DANH MỤC BẢNG BIỂU.
3 DANH MỤC HÌNH ẢNH VÀ ĐỒ THỊ. 4 GIỚI THIỆU CHUNG. Lý do chọn đề tài. Mục tiêu nghiên cứu.
Đối tượng và phạm vi nghiên cứu. Phương pháp nghiên cứu. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của đề tài nghiên cứu. Những đóng góp mới của đề tài.
Cấu trúc của luận án. 15 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN. Cơ sở lý thuyết chuyển tiếp dị thể. Chuyển tiếp Schottky.
Chuyển tiếp dị thể p-n. Tổng quan cảm biến khí trên cơ sở chuyển tiếp dị thể. Cơ chế nhạy khí của các chuyển tiếp dị thể. Kết luận chương 1.
37 CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM. Mô hình cấu trúc chuyển tiếp SnO2/CNTs/SnO2 và SnO2/CNTs. Phương pháp chế tạo dây nano SnO2. 39 iii Luận án tiến sĩ Kĩ thuật 2.
Quy trình chế tạo dây nano SnO2 trực tiếp trên điện cực. Chế tạo chuyển tiếp dị thể giữa dây nano SnO2 và CNTs. Khảo sát các tính chất của các chuyển tiếp SnO2/CNTs. Phân tích hình thái và khảo sát tính chất điện của chuyển tiếp.
Khảo sát tính chất nhạy khí. Kết luận chương 2. 45 CHƯƠNG 3: HÌNH THÁI VÀ TÍNH CHẤT NHẠY KHÍ CỦA CHUYỂN TIẾP DỊ THỂ KÉP SnO2/CNTs/SnO2 VÀ CHUYỂN TIẾP SnO2/CNTs. Hình thái và tính chất nhạy khí của các chuyển tiếp dị thể kép SnO2/CNTs/SnO2.
Chuyển tiếp SnO2/CNTs/SnO2 có lớp CNTs chế tạo bằng phương pháp phun phủ. Chuyển tiếp SnO2/SWCNTs/SnO2 có lớp SWCNTs chế tạo trực tiếp trên dây nano SnO2 bằng phương pháp hồ quang điện. Cấu trúc SnO2/MWCNTs (d: 20-40 nm)/SnO2 có lớp MWCNTs chế tạo bằng phương pháp nhúng phủ. Hình thái và tính chất nhạy khí của các cấu trúc SnO2/MWCNTs.
Kết quả phân tích hình thái cấu trúc SnO2/MWCNTs. Đặc trưng I-V của các chuyển tiếp SnO2/MWCNTs. Đặc trưng nhạy khí của chuyển tiếp SnO2/MWCNTs (d: 20-40 nm). Khảo sát ảnh hưởng của mật độ CNTs lên tính chất nhạy khí của chuyển tiếp SnO2/MWCNTs (d: 20-40 nm).
Đặc trưng nhạy khí của các cấu trúc SnO2/MWCNTs với MWCNTs có đường kính khác nhau. Kết luận chương 3. 83 CHƯƠNG 4: NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN VÀ CƠ CHẾ NHẠY KHÍ CỦA CHUYỂN TIẾP SnO2/CNTs. 85 iv Luận án tiến sĩ Kĩ thuật 4.
Phân tích đặc trưng I-V của các chuyển tiếp SnO2/MWCNTs.1 Phân tích đặc trưng I-V của chuyển tiếp SnO2/MWCNTs trong không khí. Ảnh hưởng của khí tới tính chất điện của chuyển tiếp SnO2/MWCNTs. Cơ chế dòng điện qua chuyển tiếp SnO2/MWCNTs. Ảnh hưởng của yếu tố hình thái đến tính chất nhạy khí của các chuyển tiếp SnO2/CNTs.
Nghiên cứu phổ tổng trở của chuyển tiếp SnO2/MWCNTs. Cơ chế nhạy khí của chuyển tiếp SnO2/CNTs. Kết luận chương 4. 125 TÀI LIỆU THAM KHẢO.
127 DANH MỤC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN. 137 v Luận án tiến sĩ Kĩ thuật DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT TT Ký hiệu, viết tắt Tên tiếng Anh Nghĩa tiếng Việt 1 CNTs Carbon nanotubes Ống nano carbon Multi-walled 2 MWCNTs Ống nano carbon đa tường Carbon nanotubes Single-walled carbon 3 SWCNTs Ống nano carbon đơn tường nanotubes Chemical Vapour 4 CVD Lắng đọng hóa học pha hơi Deposition 5 V-L-S Vapour Liquid Solid Hơi-lỏng-rắn 6 UV Ultraviolet Tia cực tím 7 MFC Mass Flow Controllers Bộ điều khiển lưu lượng khí 8 ppm Parts per million Một phần triệu 9 ppb Parts per billion Một phần tỷ 10 ppt Parts per trillion Một phần nghìn tỷ 11 FBI Focused ion beam Hội tụ chùm ion 12 DL Detection Limit Giới hạn đo khí Standard cubic centimeters Đơn vị đo lưu lượng khí 13 sccm per minute cm3/phút 1 Luận án tiến sĩ Kĩ thuật Scanning Electron 14 SEM Kính hiển vi điện tử quét Microscope Field Emission Scanning Kính hiển vi điện tử 15 FE-SEM Electron Microsope quét phát xạ trường Scanning transmission Kính hiển vi điện tử 16 STEM electron microscope truyền qua quét Photoluminescence 17 PL Phổ huỳnh quang spectroscopy 18 CL Cathodoluminescence Phát quang catốt Density functional 19 DFT Lý thuyết hàm mật độ theory Điện trở đo trong 20 Ra không khí 21 Rg Điện trở đo trong khí thử 22 Donors Các tâm cho điện tử 23 Acceptors Các tâm nhận điện tử 24 TE Thermal emission Phát xạ nhiệt 25 FE Field emission Phát xạ trường 26 TAT Trap assisted tunneling Xuyên hầm qua tâm bắt Semiconductor metal 27 SMO Ôxít kim loại bán dẫn oxide 28 NWs Nanowires Dây nano 29 NRs Nanorods Thanh nano Transition metal Kim loại chuyển tiếp 30 TMDs dichalcogenides dichalcogenides 2 Luận án tiến sĩ Kĩ thuật DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 1. Cảm biến khí trên cơ sở chuyển tiếp giữa dây nano ôxít kim loại. 33 và vật liệu nano carbon.
Danh mục hoá chất sử dụng trong luận án. Các đặc trưng nhạy khí của cảm biến trên cơ sở vật liệu dây nano SnO2, SnO2/SWCNTs/SnO2 và SnO2/MWCNTs/SnO2. Bảng giá trị giới hạn đo khí của một số cảm biến. Các thông số đặc trưng của các chuyển tiếp SnO2/MWCNTs với dây nano SnO2 chế tạo ở các điều kiện khác nhau xác định bằng lý thuyết nhiệt phát xạ từ đường đặc trưng I-V trong không khí ở nhiệt độ 50 oC.
Các thông số của chuyển tiếp SnO2 (0.3 sccm O2)/MWCNTs (d: 20-40 nm) trong các môi trường khác nhau: không khí, NO2 0,25 ppm và H2S 0,25 ppm. Điện dung và điện trở của tiếp xúc SnO2/MWCNTs (d: 20-40 nm) trong môi trường không khí và trong 0,25 ppm khí NO2 tại nhiệt độ phòng. 121 3 Luận án tiến sĩ Kĩ thuật DANH MỤC HÌNH ẢNH VÀ ĐỒ THỊ Hình 1. Chuyển tiếp Schottky giữa kim loại và bán dẫn loại n có công thoát nhỏ hơn: (a) Công thoát ϕM và năng lượng Fermi EFM của kim loại, (b) công thoát ϕS, ái lực hoá học điện tử và các mức năng lượng trong bán dẫn, (c) Vùng điện tích không gian của chuyển tiếp kim loại-bán dẫn n, (d) Sơ đồ năng lượng của chuyển tiếp kim loại- bán dẫn loại n ở trạng thái cân bằng, (e) Sơ đồ năng lượng của chuyển tiếp kim loại- bán dẫn loại p ở trạng thái cân bằng [7].
Cấu trúc vùng năng lượng của bán dẫn loại p, n riêng biệt (a) và chuyển tiếp p-n ở trạng thái cân bằng (b) [73]. Cảm biến trên cơ sở chuyển tiếp dị thể p-CuO/n-ZnO dạng viên (a) và đặc trưng I-V (b), cảm biến trên cơ sở chuyển tiếp CuO/ZnO dạng màng mỏng (c) [40] [62] [84] [85]. Cảm biến khí trên cơ sở các chuyển tiếp giữa dây nano CuO và ZnO: (a) các bước chế tạo; (b) mô hình và ảnh SEM của cảm biến và (c) ảnh quang học của cảm biến chế tạo trên đế, (d) đặc trưng I-V của cảm biến, (e) Sơ đồ năng lượng của các cấu trúc [66]. Ảnh SEM, đặc trưng I-V và mô hình tương đương của cấu trúc Schottky giữa đơn dây nano ZnO và điện cực Pt (a) [34]; ống TiO2 và Au (b ) [49].
31 4 Luận án tiến sĩ Kĩ thuật Hình 1. Chuyển tiếp giữa thanh nano α- Fe2O3 và CNTs [21] (a), chuyển tiếp giữa dây nano ZnO và CNTs (b) [51]. Sơ đồ vùng năng lượng của chuyển tiếp Schottky Pd–rGO/SiO2/Si [26]. Cơ chế nhạy khí H2 của chuyển tiếp Schottky Au/TiO2 [49].
Mô hình vùng năng lượng của chuyển tiếp Schottky giữa dây nano ZnO và điện cực Pt: (a) trong khí N2, (b) trong khí O2 và (c) khi có mặt khí thử CO [88]. Các bước chế tạo các chuyển tiếp SnO2/CNTs/SnO2 và SnO2/CNTs trên điện cực Pt. Các bước lắp đặt đế Si, bột nguồn Sn trong ống thạch anh (a) và các chu trình nhiệt trong quá trình bốc bay nhiệt (b) [1]. Sơ đồ hệ hồ quang điện sử dụng để chế tạo CNTs.
Sơ đồ đo điện cho cấu trúc chuyển tiếp SnO2/MWCNTs. Sơ đồ nguyên lý hệ đo khí [1]. Ảnh FE-SEM của cấu trúc SnO2/CNTs/SnO2 trên điện cực Pt (a), dây nano SnO2 (b), SnO2/MWCNTs/SnO2 (c) và SnO2/SWCNTs/SnO2 (d). Phổ Raman của MWCNTs/SnO2 (a) và SWCNTs/SnO2 (b).
Đặc trưng I-V của cảm biến trên cơ sở dây nano SnO2, SWCNTs và MWCNTs trong không khí tại 200 oC. Đặc trưng I-V của cảm biến SnO2/MWCNTs/SnO2 và SnO2/SWCNTs/SnO2 trong không khí và trong khí NO2 nồng độ 250 ppb tại 150 oC. Sự thay đổi điện trở theo thời gian của các cảm biến trên cơ sở các vật liệu dây nano SnO2, MWCNTs và SWCNTs với 1 ppm NO2 tại 200 oC. Độ đáp ứng của các cảm biến SnO2/SWCNTs/SnO2 và SnO2/MWCNTs/ SnO2 với 250 ppb NO2 theo thời gian tại các nhiệt độ khác nhau.
53 5 Luận án tiến sĩ Kĩ thuật Hình 3. Sự thay đổi điện trở theo thời gian của cảm biến SnO2/MWCNTs/SnO2 (a), và SnO2/SWCNTs/SnO2 (b) với khí NO2 nồng độ 20- 250 pbb tại 150 oC. Sự thay đổi điện trở theo thời gian của các cảm biến trên cơ sở các vật liệu SWCNTs, MWCNTs và dây nano SnO2 với 1ppm khí H2S tại nhiệt độ 250 oC.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Quản Thị Minh Nguyệt (2019). Nghiên cứu chế tạo và tính chất nhạy khí của cấu trúc dị thể SnO2/CNTs [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/ky-thuat-hoa-hoc-thuc-pham/cong-nghe-hoa-hoc/sno2-va-ong-nano-carbon
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Nghiên cứu chế tạo và tính chất nhạy khí của cấu trúc dị thể SnO2/CNTs" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án: chế tạo cấu trúc dị thể SnO2/CNT và tính chất nhạy khí. Nghiên cứu ứng dụng trong cảm biến.
Luận án "Nghiên cứu chế tạo và tính chất nhạy khí của cấu trúc dị thể SnO2/CNTs" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Năm bảo vệ: 2019.
Luận án "Nghiên cứu chế tạo và tính chất nhạy khí của cấu trúc dị thể SnO2/CNTs" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Nghiên cứu chế tạo và tính chất nhạy khí của cấu trúc dị thể SnO2/CNTs" thuộc chuyên ngành Kĩ thuật. Danh mục: Công Nghệ Hóa Học.
Luận án "Nghiên cứu chế tạo và tính chất nhạy khí của cấu trúc dị thể SnO2/CNTs" có bao nhiêu trang?
Luận án "Nghiên cứu chế tạo và tính chất nhạy khí của cấu trúc dị thể SnO2/CNTs" có 142 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Nghiên cứu chế tạo và tính chất nhạy khí của cấu trúc dị thể SnO2/CNTs" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.