Luận án tiến sĩ: Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn cho phân tích kết cấu tấm và vỏ - Tôn Thất Hoàng Lân
Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn tiên tiến cho phân tích tấm vỏ, nâng cao độ chính xác và hiệu quả tính toán trong kỹ thuật xây dựng.
Năm xuất bản
Số trang
169
Thời gian đọc
26 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
50 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- 1. Tổng quan kỹ thuật phần tử hữu hạn phân tích tấm vỏ
- Số trang:
- 169 trang
- Trường:
- Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh
- Chuyên ngành:
- Cơ kỹ thuật
- Tác giả:
- Tôn Thất Hoàng Lân
- Năm:
- 2022
Tóm tắt nội dung luận án
I. Tổng quan kỹ thuật phần tử hữu hạn phân tích tấm vỏ
Kết cấu tấm và vỏ đóng vai trò cốt lõi trong kỹ thuật công trình hiện đại. Dạng kết cấu này xuất hiện phổ biến trong xây dựng, cơ khí, hàng không và đóng tàu. Chúng chịu các trạng thái tải trọng phức tạp trong không gian. Phân tích giải tích cổ điển gặp nhiều rào cản khi hình học hoặc vật liệu phi tuyến. Phương pháp phần tử hữu hạn (FEM) là công cụ tính toán số mạnh mẽ nhất hiện nay. FEM chia nhỏ miền kết cấu phức tạp thành các phần tử đơn giản. Các phương trình vi phân đạo hàm riêng chuyển thành hệ phương trình đại số. Quá trình này giúp mô phỏng chính xác trạng thái ứng suất và biến dạng. Nghiên cứu phát triển các phần tử tấm vỏ cải tiến mang lại giá trị thực tiễn rất cao. Mục tiêu chính nhằm nâng cao độ chính xác, tối ưu thời gian tính toán và loại bỏ các sai số số học.
1.1. Vai trò của phương pháp số trong cơ học kết cấu
Phương pháp số giúp giải quyết bài toán biên phức tạp của kết cấu tấm và vỏ. Các phương pháp giải tích truyền thống chỉ giải được các bài toán hình học đơn giản. Khi kết cấu có lỗ khoét, gân tăng cứng hoặc vật liệu không đồng nhất, nghiệm giải tích không khả thi. Phương pháp phần tử hữu hạn (FEM) khắc phục triệt để điểm yếu này. FEM cho phép mô phỏng chính xác ứng xử cơ học dưới nhiều điều kiện biên. Kỹ sư có thể dự đoán trường chuyển vị, ứng suất và biến dạng cục bộ. Việc áp dụng FEM giúp tối ưu hóa thiết kế, giảm chi phí thử nghiệm thực tế. Độ tin cậy của mô phỏng số phụ thuộc lớn vào việc lựa chọn công thức phần tử phù hợp. Các phần tử số hiệu quả cần cân bằng giữa tốc độ hội tụ và chi phí tài nguyên tính toán.
1.2. Thách thức kỹ thuật khi mô phỏng tấm và vỏ
Mô phỏng kết cấu tấm vỏ mỏng gặp nhiều thách thức số học đặc thù. Khi độ dày tấm tiến dần về 0, độ cứng uốn và độ cứng cắt có sự chênh lệch rất lớn. Sự mất cân bằng này dẫn đến sai số nghiêm trọng trong ma trận độ cứng. Hiện tượng suy giảm bậc tự do xoay quanh trục pháp tuyến gây khó khăn khi ghép nối phần tử. Ngoài ra, độ cong của vỏ tạo ra sự tương tác phức tạp giữa biến dạng màng và biến dạng uốn. Các phần tử tiêu chuẩn bậc thấp thường cho kết quả quá cứng. Sự cứng hóa số học làm sai lệch nghiệm chuyển vị thực tế. Việc phát triển các thuật toán mới nhằm triệt tiêu hiện tượng cứng giả là yêu cầu sống còn trong cơ học tính toán.
II. Các lý thuyết cơ sở phục vụ cho phân tích tấm vỏ
Mô hình hóa kết cấu tấm vỏ dựa trên các giả thiết động học biến dạng. Mỗi lý thuyết tương ứng với phạm vi ứng dụng và bậc chính xác khác nhau. Đối với tấm rất mỏng, biến dạng cắt ngang thường được bỏ qua. Đối với tấm có chiều dày trung bình hoặc lớn, biến dạng trượt ngang trở nên đáng kể. Kết cấu vật liệu hiện đại như composite đa lớp đòi hỏi mô hình trường chuyển vị bậc cao. Việc lựa chọn đúng lý thuyết cơ học quyết định trực tiếp đến độ tin cậy của thuật toán phần tử hữu hạn. Quá trình mô phỏng cần phản ánh đúng cơ chế làm việc của vật liệu dưới tải trọng uốn, nén và xoắn.
2.1. Lý thuyết tấm Kirchhoff Love cho kết cấu mỏng
Lý thuyết tấm Kirchhoff-Love áp dụng chủ yếu cho kết cấu tấm và vỏ mỏng cổ điển. Giả thiết cơ bản cho rằng đường pháp tuyến với mặt trung hòa giữ nguyên góc vuông sau biến dạng. Biến dạng trượt ngang được coi bằng không. Lý thuyết này giảm đáng kể số lượng ẩn số chuyển vị. Tuy nhiên, nó đòi hỏi hàm dạng phần tử phải thỏa mãn tính liên tục đạo hàm bậc nhất C1. Yêu cầu liên tục C1 rất phức tạp khi xây dựng phần tử tứ giác 2D thông thường. Ngoài ra, lý thuyết Kirchhoff-Love hoàn toàn mất độ chính xác khi áp dụng cho tấm dày hoặc vật liệu dị hướng. Vì vậy, lý thuyết này ít được dùng trực tiếp trong việc phát triển các phần tử tấm vỏ đa năng hiện đại.
2.2. Lý thuyết tấm Mindlin Reissner cho tấm dày vừa
Lý thuyết tấm Mindlin-Reissner xét đến ảnh hưởng của biến dạng trượt ngang trong tính toán. Giả thiết pháp tuyến cho phép đoạn thẳng vuông góc ban đầu không còn vuông góc với mặt trung hòa sau biến dạng. Trường chuyển vị và góc xoay độc lập với nhau. Điều này giúp hàm dạng chỉ cần thỏa mãn tính liên tục bậc không C0. Độ liên tục C0 giúp việc thiết lập ma trận phần tử trở nên đơn giản hơn nhiều. Lý thuyết Mindlin-Reissner phù hợp cho cả tấm mỏng lẫn tấm có độ dày trung bình. Mặc dù vậy, lý thuyết này giả định ứng suất cắt phân bố đều theo chiều dày. Do đó, mô hình cần hệ số hiệu chỉnh cắt để bù đắp sai số phân bố thực tế.
2.3. Lý thuyết biến dạng trượt bậc cao HSDT hiện đại
Lý thuyết biến dạng trượt bậc cao (HSDT) khắc phục hoàn toàn nhược điểm của các mô hình bậc thấp. HSDT khai triển trường chuyển vị theo hàm bậc cao dọc theo chiều dày kết cấu. Nhờ đó, ứng suất cắt ngang phân bố dạng parabol thực tế. Ứng suất cắt tự động triệt tiêu tại các mặt biên tự do trên và dưới của tấm. Mô hình HSDT không cần dùng đến hệ số hiệu chỉnh cắt nhân tạo. Lý thuyết này đặc biệt chính xác khi phân tích tấm vỏ composite nhiều lớp, vật liệu FGM hoặc kết cấu rỗng. Kết quả tính toán phản ánh trung thực trạng thái ứng suất cục bộ giữa các lớp vật liệu, nâng cao độ tin cậy khi đánh giá độ bền phá hủy.
III. Xử lý triệt để hiện tượng khóa khi phân tích tấm vỏ
Trong phương pháp phần tử hữu hạn tấm vỏ, hiện tượng khóa số học là bài toán hóc búa nhất. Khóa số học xảy ra khi phần tử trở nên quá cứng trong miền giới hạn mỏng. Năng lượng biến dạng ký sinh xuất hiện, lấn át năng lượng uốn thực tế. Hậu quả là chuyển vị tính toán nhỏ hơn rất nhiều so với nghiệm chính xác. Để giải quyết vấn đề này, nhiều kỹ thuật số hóa tiên tiến đã được phát triển. Các kỹ thuật này can thiệp vào cách tính toán biến dạng màng và biến dạng cắt. Mục tiêu là đảm bảo phần tử hội tụ nhanh và không bị khóa trong mọi tỷ lệ kích thước hình học.
3.1. Khắc phục hiện tượng khóa cắt Shear locking
Hiện tượng khóa cắt (Shear locking) xuất hiện phổ biến trong các phần tử dựa trên lý thuyết Mindlin-Reissner khi chiều dày tấm tiến về 0. Năng lượng biến dạng cắt nhân tạo gia tăng đột biến, cản trở chuyển động uốn tự nhiên của kết cấu. Kết quả chuyển vị bị suy giảm nghiêm trọng, dẫn đến sai số rất lớn. Để loại bỏ hiện tượng khóa cắt, các kỹ thuật nội suy trường biến dạng cắt độc lập được áp dụng. Phương pháp biến dạng trượt rời rạc hoặc kỹ thuật nội suy hỗn hợp giúp triệt tiêu thành phần cắt ký sinh. Nhờ vậy, phần tử duy trì độ chính xác cao và tốc độ hội tụ ổn định ngay cả với kết cấu tấm cực mỏng.
3.2. Triệt tiêu hiện tượng khóa màng Membrane locking
Hiện tượng khóa màng (Membrane locking) là thách thức lớn khi phân tích kết cấu vỏ cong. Hiện tượng này phát sinh do phần tử không biểu diễn chính xác trạng thái uốn thuần túy mà không gây ra biến dạng màng giả tạo. Biến dạng màng ký sinh làm ma trận độ cứng tăng vọt giả tạo. Cấu trúc vỏ bị cứng hóa, khiến nghiệm dao động và mất ổn định bị sai lệch. Kỹ thuật chia tách trường biến dạng màng và làm trơn biến dạng trên miền biên tế bào giúp triệt tiêu khóa màng hiệu quả. Việc loại bỏ hoàn toàn khóa màng đảm bảo mô hình phản ánh đúng ứng xử chịu lực uốn - màng kết hợp của vỏ cong.
3.3. Hiệu quả của kỹ thuật nội suy tensor hỗn hợp MITC
Kỹ thuật nội suy tensor hỗn hợp (MITC) là giải pháp toán học đột phá nhằm xử lý khóa số học. Thay vì tính toán trực tiếp từ đạo hàm trường chuyển vị, thành phần tensor biến dạng cắt và màng được nội suy độc lập tại các điểm mẫu đặc biệt. Điểm mẫu được chọn sao cho triệt tiêu hoàn toàn các ràng buộc cắt và màng giả tạo khi độ dày giảm nhỏ. Phương pháp MITC tương thích tuyệt vời với các phần tử tứ giác 4 nút và phần tử vỏ thoái hóa. Thuật toán MITC mang lại độ ổn định cao, không xuất hiện các mode dao động năng lượng không và không phụ thuộc vào tham số hiệu chỉnh nhân tạo.
IV. Cải tiến phần tử hữu hạn mới nhằm phân tích tấm vỏ
Nhu cầu phát triển các công thức phần tử mới luôn là trọng tâm trong cơ học tính toán kết cấu. Các phần tử bậc thấp như tứ giác 4 nút rất được ưa chuộng nhờ chi phí tính toán thấp và dễ lập trình. Tuy nhiên, phần tử bậc thấp truyền thống thường kém chính xác khi lưới bị méo mó. Các chiến lược mới như nội suy hai lần (twice interpolation), biến dạng làm trơn (smoothed strains) và bậc tự do xoay khoan (drilling DOFs) được tích hợp. Sự kết hợp này tạo ra thế hệ phần tử mới vượt trội về độ chính xác, tính ổn định và khả năng thích ứng hình học phức tạp.
4.1. Xây dựng phần tử vỏ thoái hóa Degenerated shell element
Phần tử vỏ thoái hóa (Degenerated shell element) được xây dựng trực tiếp từ lý thuyết đàn hồi 3D bằng cách suy giảm các giả thiết động học. Cách tiếp cận này bỏ qua sự biến dạng dọc theo trục pháp tuyến nhưng vẫn giữ được trường quay độc lập. Phần tử vỏ thoái hóa không phụ thuộc vào lý thuyết bề mặt cổ điển, giúp mô hình hóa dễ dàng các vỏ cong có dạng hình học bất kỳ. Việc kết hợp chiến lược nội suy biến dạng làm trơn trên phần tử thoái hóa giúp khắc phục nhược điểm méo lưới. Phần tử này xử lý rất tốt các bài toán tiếp xúc, tấm vỏ ghép nối và các kết cấu thành mỏng phức tạp trong kỹ thuật.
4.2. Ứng dụng phần tử vỏ cong liên tục độ chính xác cao
Phần tử vỏ cong liên tục mô tả trực tiếp độ cong tự nhiên của bề mặt kết cấu mà không cần xấp xỉ qua các mảnh phẳng ghép nối. Độ cong thực tế được tích hợp chặt chẽ vào ma trận biến dạng - chuyển vị. Nhờ đó, trạng thái tương tác giữa lực dọc, lực cắt và mô men uốn được tính toán chính xác tuyệt đối. Phần tử này loại bỏ sự gián đoạn hình học tại các nút chung giữa các phần tử liền kề. Khả năng dự báo ứng suất tập trung tại vùng chuyển tiếp hoặc quanh góc lượn tăng lên rõ rệt. Đây là lựa chọn tối ưu cho các kết cấu vỏ vòm, tháp giải nhiệt và thân tàu thủy hiện đại.
4.3. Kỹ thuật tích phân giảm Reduced integration cải tiến
Kỹ thuật tích phân giảm (Reduced integration) là phương pháp hiệu quả để giảm độ cứng giả tạo của phần tử hữu hạn. Bằng cách giảm số lượng điểm cầu tích phân Gauss, các ràng buộc cắt và màng dư thừa được nới lỏng. Kỹ thuật này giúp giải phóng hiện tượng khóa và tiết kiệm đáng kể thời gian xử lý ma trận. Tuy nhiên, tích phân giảm đơn thuần dễ sinh ra dạng dao động giả năng lượng không (hourglass modes). Do đó, các kỹ thuật tích phân giảm có chọn lọc hoặc kết hợp ổn định nhân ma trận được áp dụng. Giải pháp cải tiến này đảm bảo phần tử vừa mềm dẻo, vừa không bị mất ổn định số học.
V. Ứng dụng kỹ thuật phần tử hữu hạn trong phân tích tấm vỏ
Các phần tử hữu hạn cải tiến được áp dụng rộng rãi để giải quyết nhiều bài toán cơ học thực tế. Kết cấu tấm vỏ trong kỹ thuật hiện đại không chỉ chịu uốn tĩnh mà còn chịu tải động, dao động và mất ổn định. Vật liệu mới như composite nhiều lớp hay vật liệu có cơ tính biến thiên FGM đòi hỏi công cụ mô phỏng chuẩn xác. Sự xuất hiện của các gân tăng cứng làm tăng độ phức tạp của bài toán phân tích. Các thuật toán phần tử hữu hạn tiên tiến mang lại lời giải chính xác, hỗ trợ đắc lực cho công tác thiết kế kết cấu tối ưu và an toàn.
5.1. Phân tích kết cấu composite và vật liệu chức năng FGM
Các kỹ thuật phần tử hữu hạn tiên tiến cho phép đánh giá chính xác ứng xử của tấm vỏ composite đa lớp và vật liệu chức năng FGM. Sự thay đổi cơ tính liên tục theo chiều dày trong tấm FGM được mô hình hóa mượt mà. Hiện tượng tách lớp, tập trung ứng suất trượt giữa các lớp composite được nhận diện rõ ràng. Đối với vật liệu tiên tiến gia cường hạt nano graphene (GPL), phần tử số phản ánh chính xác hiệu ứng tăng cứng cục bộ và ảnh hưởng của độ rỗng. Khả năng mô phỏng chi tiết cấu trúc vi mô giúp các nhà kỹ thuật tối ưu hóa tỷ lệ phân bố vật liệu, nâng cao khả năng chịu tải và giảm trọng lượng công trình.
5.2. Đánh giá ứng xử tĩnh dao động tự do và mất ổn định
Phân tích ứng xử tĩnh, dao động riêng và mất ổn định oằn (buckling) là các bước bắt buộc trong thiết kế tấm vỏ. Các phần tử cải tiến cung cấp tần số dao động tự nhiên và dạng dao động cực kỳ chính xác. Hiện tượng mất ổn định cục bộ của vỏ mỏng dưới tải trọng nén và cắt được dự đoán sát với thực nghiệm. Ma trận khối lượng và ma trận độ cứng hình học được thiết lập chặt chẽ, loại bỏ hoàn toàn các nghiệm giả tạo. Nhờ tốc độ hội tụ nhanh, kỹ thuật số giúp tối ưu hóa thời gian tính toán lặp trong các bài toán phân tích giá trị riêng quy mô lớn của công trình thực tế.
5.3. Mô phỏng phi tuyến hình học kết cấu tấm vỏ có sườn
Kết cấu tấm vỏ có sườn gia cường thường xuyên làm việc trong miền chuyển vị lớn và phi tuyến hình học. Việc tích hợp bậc tự do xoay khoan giúp việc ghép nối giữa sườn gia cường và bề mặt tấm vỏ diễn ra thuận lợi mà không cần dùng phần tử chuyển tiếp phức tạp. Thuật toán phi tuyến Newton-Raphson kết hợp kỹ thuật điều khiển chiều dài cung (arc-length) cho phép theo dõi toàn bộ đường cong cân bằng sau mất ổn định (post-buckling). Mô phỏng số làm sáng tỏ cơ chế truyền tải phức tạp giữa tấm và sườn, giúp tối ưu hóa kích thước và vị trí gân tăng cứng nhằm tiết kiệm vật liệu.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (169 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộBỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TÔN THẤT HOÀNG LÂN PHÁT TRIỂN CÁC KỸ THUẬT PHẦN TỬ HỮU HẠN CHO PHÂN TÍCH KẾT CẤU DẠNG TẤM VÀ VỎ LUẬN ÁN TIẾN SĨ NGÀNH: CƠ KỸ THUẬT Tp. Hồ Chí Minh, tháng /2022 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH TÔN THẤT HOÀNG LÂN PHÁT TRIỂN CÁC KỸ THUẬT PHẦN TỬ HỮU HẠN CHO PHÂN TÍCH KẾT CẤU DẠNG TẤM VÀ VỎ NGÀNH: CƠ KỸ THUẬT - 9520101 HƯỚNG DẪN KHOA HỌC 1: PGS. NGUYỄN VĂN HIẾU HƯỚNG DẪN KHOA HỌC 2: PGS. CHÂU ĐÌNH THÀNH PHẢN BIỆN 1: PHẢN BIỆN 2: PHẢN BIỆN 3: Tp.
HồLỜI ChíCẢM Minh,ƠN tháng /2022 i ii LÝ LỊCH KHOA HỌC I. LÝ LỊCH SƠ LƯỢC: Họ & tên: Tôn Thất Hoàng Lân Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 07/11/1978 Nơi sinh: Huế Quê quán: Thừa Thiên Huế Dân tộc: Kinh Chức vụ, đơn vị công tác trước khi học tập, nghiên cứu: Giảng viên Trường đại học Kiến Trúc Thành phố Hồ Chí Minh Chỗ ở riêng hoặc địa chỉ liên lạc: 3 Núi Thành, phường 13, quận Tân Bình, thành phố Hồ Chí Minh Điện thoại cơ quan: (028) 38.222748 Điện thoại nhà riêng: 0908531029 Fax: Không E-mail: lan. QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: 1. Đại học: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ 09/1996 đến 01/2001 Nơi học (trường, thành phố): Trường đại học Bách Khoa Thành phố Hồ Chí Minh, Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam Ngành học: Xây dựng dân dụng và công nghiệp Tên đồ án, luận án hoặc môn thi tốt nghiệp: Thiết kế trụ sở Ngân hàng Sài Gòn Thương tín Sacombank Ngày & nơi bảo vệ đồ án, luận án hoặc thi tốt nghiệp: 2001, Trường đại học Bách Khoa Thành phố Hồ Chí Minh Người hướng dẫn: PGS.
Bùi Công Thành 2. Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Hợp tác Việt-Bỉ Thời gian đào tạo từ 09/2001 đến 09/2003 Nơi học (trường, thành phố): Trường đại học Bách Khoa Thành phố Hồ Chí Minh, Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam + Trường đại học Liegé, Vương quốc Bỉ Ngành học: Cơ kỹ thuật Tên luận văn: Yield line method in reinforced concrete shells Ngày & nơi bảo vệ luận văn: 2003, Trường đại học Bách Khoa Thành phố Hồ Chí Minh Người hướng dẫn: GS. Nguyễn Đăng Hưng 3. Tiến sĩ: iii Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ 05/2017 đến 03/2022 Tại (trường, viện, nước): Trường đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành phố Hồ Chí Minh, Thành phố Hồ Chí Minh, Việt Nam Tên luận án: Phát Triển Các Kỹ Thuật Phần Tử Hữu Hạn Cho Phân Tích Kết Cấu Dạng Tấm Và Vỏ Người hướng dẫn: PGS.
Nguyễn Văn Hiếu, PGS. Châu Đình Thành Ngày & nơi bảo vệ: 2022, Trường đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Thành phố Hồ Chí Minh 4. Trình độ ngoại ngữ : Tiếng Anh B2 5. Học vị, học hàm, chức vụ kỹ thuật được chính thức cấp; số bằng, ngày & nơi cấp: Kỹ sư xây dựng dân dụng và công nghiệp; số bằng B295650, cấp ngày 23/3/2001 tại Trường đại học Bách Khoa Thành phố Hồ Chí Minh Thạc sĩ cơ kỹ thuật; cấp ngày 15/3/2004 tại Trường đại học Liegé, Vương quốc Bỉ III.
QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian Nơi công tác Công việc đảm nhiệm Khoa Xây dựng, Trường đại học 2003 đến nay Kiến Trúc Thành phố Hồ Chí Giảng viên Minh IV. CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ: • CÁC BÀI BÁO ISI 1. Enhancement to four-node quadrilateral plate elements by using cell-based smoothed strains and higher-order shear deformation theory for nonlinear analysis of composite structures. Journal of Sandwich Structures & Materials, Vol.
An Improved Four-Node Element for Analysis of Composite Plate/Shell Structures Based on Twice Interpolation Strategy. International Journal of Computational Methods, Vol. Static and buckling analyses of stiffened plate/shell structures using the quadrilateral element SQ4C. A Combined Strain Element in Static, Frequency and Buckling Analyses of Laminated Composite Plates and Shells.
Periodica Polytechnica Civil Engineering, Vol. A novel quadrilateral element for analysis of functionally graded porous plates/shells reinforced by graphene platelets. Archive of Applied Mechanics, Vol. Nonlinear Static Bending Analysis of Functionally Graded Plates Using MISQ24 Elements with Drilling Rotations.
Proceedings of the International Conference on Advances in Computational Mechanics, Springer, Singapore, pp. Phân tích ứng xử tĩnh tấm composite đa lớp dựa trên một lý thuyết tấm biến dạng cắt bậc cao. Hội nghi cơ học Việt Nam, 2017. Phân tích dao động tự do của vỏ có sườn gia cường bằng phần tử tứ giác MISQ24.
Hội nghi cơ học Việt Nam, 2017. Nonlinear Bending Analysis of Functionally Graded Plates Using SQ4T Elements based on Twice Interpolation Strategy. Journal of Applied and Computational Mechanics, Vol. Ngày 22 tháng 8 năm 2022 Người khai ký tên (đã ký) Tôn Thất Hoàng Lân v LỜI CAM ĐOAN Tôi cam đoan đây là công trình nghiên cứu của tôi.
Các số liệu, kết quả nêu trong Luận án là trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kỳ công trình nào khác. Hồ Chí Minh, ngày 22 tháng 8 năm 2022 (Ký tên và ghi rõ họ tên) (đã ký) Tôn Thất Hoàng Lân vi LỜI CẢM ƠN Trước tiên, nghiên cứu sinh kính gửi lời cảm ơn sâu sắc đến các Thầy hướng dẫn PGS.Nguyễn Văn Hiếu và PGS.Châu Đình Thành. Các Thầy đã luôn động viên và định hướng cho tôi trong suốt quá trình thực hiện nhiệm vụ. Nghiên cứu sinh cũng chân thành gửi lời cảm ơn đến Ban chủ nhiệm, quý Thầy, Cô của Khoa Xây dựng trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp.HCM; quý Thầy, Cô tham gia hướng dẫn các học phần trong chương trình đào tạo tiến sĩ; Hội đồng khoa học đánh giá chuyên đề tổng quan, chuyên đề khoa học 1, chuyên đề khoa học 2, cấp cơ sở; Nhà khoa học phản biện cấp cơ sở, cấp trường; Đại diện cơ quan đoàn thể, Nhà khoa học nhận xét bản tóm tắt; cùng các cộng sự đã đóng góp ý kiến, tạo điều kiện, động lực cho nghiên cứu sinh thực hiện công việc nghiên cứu.
Nghiên cứu sinh trân trọng cảm ơn Ban lãnh đạo Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp.HCM cũng như Trường Đại học Kiến trúc Tp.HCM vì đã có những chính sách hỗ trợ kịp thời cho nghiên cứu sinh trong quá trình học tập và làm việc. Nghiên cứu sinh không quên cảm ơn những người thân yêu trong gia đình luôn chia sẻ mọi khó khăn, là chỗ dựa vững chắc về vật chất lẫn tinh thần trong suốt thời gian thực hiện và hoàn thành luận án tiến sĩ. Nghiên cứu sinh Tôn Thất Hoàng Lân vii TÓM TẮT Tấm/vỏ là các kết cấu phổ biến trong cuộc sống thực tế, chúng được dùng làm mái che, sàn, tường, xilo, bể chứa,. Trong số các phương pháp dùng để mô phỏng cũng như phân tích ứng xử cơ học của tấm/vỏ, phương pháp phần tử hữu hạn (FEM) là phương pháp được sử dụng rộng rãi và hiệu quả nhất.
Với sự xuất hiện liên tục các bài toán phức tạp mới, FEM vẫn còn đó những hạn chế nhất định liên quan đến kỹ thuật rời rạc phần tử, độ chính xác, tính ổn định, chi phí tính toán, tính linh hoạt,. Do đó, việc đề xuất những cải tiến kỹ thuật cho FEM hiện hữu trong mô phỏng ứng xử tấm/vỏ luôn giữ vai trò quan trọng. Hướng nghiên cứu này luôn mang tính thời sự từ nhiều thập kỷ qua đến tận bây giờ. Với mong muốn làm đa dạng thêm nữa, tạo ra thêm nhiều phần tử lai, tích hợp từ những ưu điểm của các phần tử hiện hữu, luận án này đã được hình thành.
Bên cạnh đó, mục tiêu của nghiên cứu là tạo nên một tập hợp các phần tử tứ giác 4 nút đơn giản trong thiết lập công thức dùng cho phân tích tấm/vỏ, càng ít bị ảnh hưởng bởi các hiện tượng khóa màng, khóa cắt,… càng tốt. Các đóng góp chính của luận án: - Xây dựng phần tử tứ giác 4 nút SQ4H dựa vào kỹ thuật trơn biến dạng trên miền con kết hợp kỹ thuật cải biên dạng C0-HSDT để phân tích phi tuyến kết cấu tấm phẳng và tấm gấp. Phần tử này cải thiện độ chính xác của mô hình và giảm bớt sự bất ổn về số đối với phân tích hình học phi tuyến tính. - Xây dựng phần tử tứ giác 4 nút SQ4T dựa vào kỹ thuật nội suy kép (TIS) để phân tích tuyến tính và phi tuyến kết cấu tấm/vỏ.
Với việc xây dựng hàm nội suy bậc cao dựa vào giá trị nút lẫn gradient trung bình nút trong phạm vi miền ảnh hưởng, phần tử này cải thiện được yếu tố bất liên tục của biến dạng và ứng suất qua biên của nó. - Xây dựng phần tử tứ giác 4 nút SQ4C dựa trên kỹ thuật tổ hợp biến dạng: màng, uốn và cắt để phân tích tuyến tính kết cấu tấm/vỏ có hoặc không có sườn gia cường. Phần tử này cải thiện được độ chính xác của mô hình và giảm bớt sự bất ổn về kết quả số liên quan đến hiện tượng khóa màng khi phân tích kết cấu vỏ. viii - Xây dựng phần tử tứ giác 4 nút SQ4P dựa trên chuỗi đa thức Chebyshev để phân tích tuyến tính kết cấu tấm vỏ.
Kết quả số được cải thiện dựa vào lưới chia lẫn bậc của đa thức Chebyshev. ix ABSTRACT Plates and shells are common structures in real life, they are used as roofs, floors, walls, silos, tanks, etc. Among the numerical methods used to simulate as well as analyze the mechanical behavior of plate and shell structures, the finite element method (FEM) is the most widely used and effective method. With the continuous emergence of new complex problems, FEM still has certain limitations related to discrete element techniques, accuracy, stability, computational cost, flexibility, etc.
Therefore, it is always important to suggest technical improvements to FEM in plate/shell behavior simulation. This research direction has always been topical from the past decades to now. With the desire to further diversify, create more hybrid elements, integrate from the advantages of existing elements, this thesis is formed. Besides, the goal of the study is to create a simple set of 4-node quadrilateral elements in the formulation for plate/shell analysis, which is less affected by the phenomena of membrane locking, shear locking, etc.
The main contributions of this thesis can be listed as follows: - Constructing a 4-node quadrilateral element, namely SQ4H, based on cellbased strain smoothing enhancement combined with the type of C0-HSDT for nonlinear analysis of plate and folded plate structures. This element improves model accuracy and reduces numerical instability for geometrically nonlinear analysis. - Constructing a 4-node quadrilateral element, namely SQ4T, based on twice interpolation strategy (TIS) for linear and nonlinear analysis of plate/shell structures. By establishing high-order shape functions that take into account the influence of the group of neighboring nodes on the considering element, this element improves the discontinuity of its strain and stress across its boundaries.
- Under the combined strain strategy with respect to overcoming membrane locking as well as shear locking phenomenon and using cell-based strain smoothing enhancement, the third contribution is to build a 4-node quadrilateral element, x namely SQ4C, for analysis of plate and shell structures with or without stiffeners.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Tôn Thất Hoàng Lân (2022). Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn cho phân tích tấm vỏ [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh]. LuanAn.net. https://luanan.net/ky-thuat-co-khi/cong-nghe-vat-lieu/luan-an-phat-trien-ky-thuat-phan-tu-huu-han-phan-tich-tam-vo
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn cho phân tích tấm vỏ" nghiên cứu về vấn đề gì?
Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn tiên tiến cho phân tích tấm vỏ, nâng cao độ chính xác và hiệu quả tính toán trong kỹ thuật xây dựng.
Luận án "Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn cho phân tích tấm vỏ" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh. Năm bảo vệ: 2022.
Luận án "Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn cho phân tích tấm vỏ" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn cho phân tích tấm vỏ" thuộc chuyên ngành Cơ kỹ thuật. Danh mục: Công Nghệ Vật Liệu.
Luận án "Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn cho phân tích tấm vỏ" có bao nhiêu trang?
Luận án "Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn cho phân tích tấm vỏ" có 169 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Phát triển kỹ thuật phần tử hữu hạn cho phân tích tấm vỏ" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.