Luận án tiến sĩ nâng cao tính năng đế SERS cấu trúc MFON - Nguyễn Văn Tiến
Luận án tiến sĩ nghiên cứu nâng cao tính năng đế sers cấu trúc Mfon và phát triển thiết bị Raman xách tay ứng dụng trong phân tích vật liệu.
Vật lý chất rắn
Luan An
Luận án Tiến sĩ
Năm xuất bản
Số trang
138
Thời gian đọc
21 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tóm tắt nội dung
I. Tối Ưu Hiệu Suất Đế SERS Cấu Trúc MFON
Nghiên cứu tập trung vào tối ưu hiệu suất đế SERS cấu trúc MFON (Metal Film Over Nanosphere). Cấu trúc này thể hiện tiềm năng lớn trong việc tăng cường tín hiệu Raman. Việc tối ưu hóa các thông số thiết kế mang lại khả năng phát hiện mẫu ở nồng độ cực thấp. Mục tiêu là đạt được hệ số tăng cường cao và độ tái lập tốt.
1.1. Đặc điểm Cấu trúc MFON cho SERS
Cấu trúc MFON bao gồm một lớp màng kim loại mỏng phủ lên các cầu nano polystyrene. Cấu trúc này tạo ra các điểm nóng plasmonic hiệu quả. Sự sắp xếp tuần hoàn của cầu nano polystyrene đóng vai trò làm khuôn. Màng kim loại, thường là bạc nano hoặc vàng nano, quyết định khả năng tăng cường tín hiệu SERS. Việc kiểm soát kích thước cầu nano và độ dày màng kim loại là rất quan trọng.
1.2. Ảnh hưởng tham số cấu trúc đến hệ số tăng cường
Kích thước cầu nano ảnh hưởng trực tiếp đến cộng hưởng plasmon bề mặt. Độ dày của màng kim loại mỏng là yếu tố then chốt, tác động đến vị trí và cường độ hotspot plasmonic. Tối ưu hóa các tham số này cải thiện đáng kể hệ số tăng cường SERS. Nghiên cứu xác định các thông số lý tưởng để đạt hiệu suất SERS tối đa. Điều này bao gồm việc điều chỉnh mật độ và phân bố của các cấu trúc nano trên bề mặt đế.
1.3. Kỹ thuật phân tích hiệu suất plasmon bề mặt
Mô phỏng điện từ trường giúp xác định vị trí và cường độ của hotspot plasmonic. Phân tích cường độ điện trường cục bộ dự đoán hiệu quả tăng cường tín hiệu Raman. Kết quả thực nghiệm xác nhận hiệu suất tối ưu của đế SERS cấu trúc MFON. Kỹ thuật này cung cấp cái nhìn sâu sắc về cơ chế tăng cường và giúp tinh chỉnh thiết kế cấu trúc.
II. Xây Dựng Thiết Bị Đo Phổ Raman Xách Tay
Dự án phát triển thiết bị đo phổ Raman xách tay nhỏ gọn và hiệu quả. Thiết bị này đáp ứng nhu cầu phân tích nhanh, tại chỗ. Kích thước nhỏ gọn, dễ dàng vận chuyển là ưu điểm chính. Khả năng tích hợp với đế SERS nano mở rộng đáng kể phạm vi ứng dụng và độ nhạy. Thiết bị được thiết kế để hoạt động ổn định trong các môi trường khác nhau.
2.1. Các thành phần chính của thiết bị Raman di động
Thiết bị tích hợp nguồn laser ổn định với bước sóng phù hợp. Một máy quang phổ mini hiệu suất cao được sử dụng để phân tích tín hiệu tán xạ. Kính lọc nhiễu đóng vai trò quan trọng trong việc cải thiện chất lượng phổ Raman. Thiết kế mạch điện tử tối ưu hóa hiệu suất thu nhận và xử lý dữ liệu. Các linh kiện được chọn lọc để đảm bảo độ bền và độ chính xác.
2.2. Lợi ích và ứng dụng của thiết bị Raman xách tay
Thiết bị cho phép phân tích mẫu trực tiếp tại hiện trường mà không cần vận chuyển về phòng thí nghiệm. Tốc độ thu thập dữ liệu nhanh chóng, cung cấp kết quả tức thì. Ứng dụng rộng rãi trong kiểm soát chất lượng sản phẩm, an ninh, y tế và giám sát môi trường. Khả năng kết hợp với đế SERS nano mở rộng đáng kể khả năng phát hiện các hợp chất vết.
2.3. Thách thức trong việc thu nhỏ và tối ưu hóa
Giảm kích thước thiết bị mà vẫn duy trì hiệu suất quang học là một thách thức lớn. Tối ưu hóa tiêu thụ năng lượng là cần thiết cho các thiết bị di động sử dụng pin. Cải thiện độ nhạy và độ phân giải phổ là mục tiêu tiếp theo. Việc tìm kiếm các linh kiện nhỏ gọn, đáng tin cậy cũng là một phần quan trọng của quá trình phát triển.
III. Chế Tạo Đế SERS Nano Cấu Trúc MFON
Quy trình chế tạo đế SERS nano cấu trúc MFON đòi hỏi các kỹ thuật tiên tiến. Quy trình này quyết định trực tiếp chất lượng và hiệu suất tăng cường của đế. Mục tiêu là tạo ra các cấu trúc ổn định, có độ tái lập cao và hiệu suất SERS mạnh mẽ. Các bước chế tạo được kiểm soát chặt chẽ để đảm bảo độ chính xác của cấu trúc nano.
3.1. Phương pháp tổng hợp hạt polystyrene vi cầu
Các hạt polystyrene vi cầu được tổng hợp với kích thước đồng nhất và kiểm soát chính xác. Kỹ thuật tạo màng đơn lớp xếp chặt của các hạt này trên đế là bước cơ bản. Hạt polystyrene đóng vai trò làm khuôn cho việc hình thành cấu trúc nano kim loại. Chất lượng của khuôn polystyrene ảnh hưởng trực tiếp đến tính đồng nhất của đế SERS cuối cùng.
3.2. Kỹ thuật tạo màng kim loại mỏng trên cầu nano
Kỹ thuật bốc bay chùm tia điện tử hoặc phún xạ được sử dụng để phủ màng kim loại. Lớp màng kim loại mỏng (thường là bạc nano hoặc vàng nano) được phủ đều lên bề mặt cầu nano polystyrene. Độ dày của màng kim loại cần được kiểm soát chính xác để tối ưu hóa cộng hưởng plasmon bề mặt. Quá trình phủ màng tạo ra các khoảng trống và điểm nóng plasmonic.
3.3. Kiểm tra và đánh giá cấu trúc nano bề mặt
Kính hiển vi điện tử quét (SEM) được sử dụng để quan sát hình thái và độ đồng đều của cấu trúc nano. Phân tích nhiễu xạ tia X (XRD) xác nhận thành phần và cấu trúc tinh thể của lớp kim loại. Kiểm tra độ đồng đều của các hotspot plasmonic trên đế là cần thiết. Các phương pháp này đảm bảo chất lượng và hiệu suất mong muốn của đế SERS cấu trúc MFON.
IV. Cơ Chế Tăng Cường Phổ Raman Bề Mặt SERS
Cơ chế tăng cường phổ Raman bề mặt (SERS) là trọng tâm của nghiên cứu. Sự tương tác giữa ánh sáng và vật liệu nano kim loại tạo ra hiệu ứng này. SERS cho phép phát hiện các phân tử ở nồng độ cực thấp, mang lại độ nhạy vượt trội. Hiểu rõ cơ chế là chìa khóa để thiết kế các đế SERS hiệu quả hơn.
4.1. Hiệu ứng Plasmon bề mặt cục bộ LSPR
LSPR xảy ra khi ánh sáng kích thích điện tử tự do trong cấu trúc nano kim loại. Sự cộng hưởng tạo ra trường điện từ mạnh ở gần bề mặt kim loại. LSPR là yếu tố chính cho khả năng tăng cường của SERS. Thiết kế các cấu trúc nano phù hợp để tối ưu hóa tần số cộng hưởng LSPR là rất quan trọng.
4.2. Vai trò của Hotspot plasmonic trong tăng cường SERS
Hotspot plasmonic là những vùng có cường độ điện trường cục bộ cực đại. Các vị trí này thường xuất hiện tại các khe hở hoặc điểm nhọn của cấu trúc nano kim loại. Hotspot tăng cường tín hiệu Raman lên hàng triệu lần. Cấu trúc MFON được thiết kế đặc biệt để tạo ra nhiều hotspot hiệu quả, tối đa hóa sự tăng cường.
4.3. Ảnh hưởng của khoảng cách nano đến tín hiệu SERS
Khoảng cách giữa các hạt nano kim loại ảnh hưởng lớn đến sự hình thành hotspot plasmonic. Tối ưu hóa khoảng cách nano tạo ra hiệu ứng ghép nối plasmon. Điều này dẫn đến tăng cường mạnh mẽ trường điện từ. Trong cấu trúc MFON, khoảng cách giữa các lớp kim loại và cầu nano được kiểm soát để đạt hiệu ứng ghép nối tối ưu.
V. Vật Liệu và Cấu Trúc Nano cho Đế SERS
Lựa chọn vật liệu và thiết kế cấu trúc nano quyết định hiệu quả của đế SERS. Các vật liệu kim loại quý và vật liệu làm khuôn đều đóng vai trò quan trọng. Nghiên cứu đánh giá các lựa chọn tối ưu để tạo ra đế SERS có hiệu suất cao và độ ổn định. Sự kết hợp thông minh giữa vật liệu và hình thái cấu trúc mang lại kết quả vượt trội.
5.1. Bạc nano và Vàng nano trong chế tạo đế SERS
Bạc nano (Ag nanoparticle) nổi bật với hiệu quả tăng cường SERS cao nhất, do tính chất plasmonic ưu việt. Vàng nano (Au nanoparticle) mang lại độ ổn định hóa học tốt hơn và khả năng tương thích sinh học. Mỗi kim loại có ưu nhược điểm riêng, phù hợp với các ứng dụng khác nhau. Sự lựa chọn vật liệu kim loại phụ thuộc vào yêu cầu cụ thể của ứng dụng.
5.2. Cầu nano Polystyrene làm khuôn cho cấu trúc MFON
Cầu nano polystyrene (polystyrene nanosphere) cung cấp một khuôn mẫu linh hoạt và dễ kiểm soát. Kích thước và sự sắp xếp của cầu nano kiểm soát hình dạng và phân bố của hotspot. Phương pháp này đơn giản, hiệu quả để tạo cấu trúc nano tuần hoàn. Việc sử dụng polystyrene giúp giảm chi phí sản xuất và tăng khả năng mở rộng quy mô.
5.3. Các loại cấu trúc nano khác và tiềm năng phát triển
Ngoài cấu trúc MFON, nhiều dạng đế SERS nano khác cũng đang được nghiên cứu. Các cấu trúc như nanorod, nanocube, nanostar cũng tạo ra hotspot plasmonic hiệu quả. Sự phát triển tiếp theo tập trung vào việc tạo ra các cấu trúc phức tạp hơn. Mục tiêu là cải thiện độ nhạy, tính chọn lọc và khả năng ứng dụng thực tiễn của đế SERS.
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (138 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộBà GIÁO DĂC VÀ ĐÀO T¾O VIàN HÀN LÂM KHOA HâC VÀ CÔNG NGHà VIàT NAM HàC VIàN KHOA HàC VÀ CÔNG NGHà ----------------------------- NÂNG CAO TÍNH NĂNG ĐẾ SERS CẤU TRÚC MFON VÀ PHÁT TRIàN THIẾT BÞ RAMAN XÁCH TAY LUÀN ÁN TI¾N S) VÁt lý Hà Nßi – Năm 2023 Bà GIÁO DĂC VÀ ĐÀO T¾O VIàN HÀN LÂM KHOA HâC VÀ CÔNG NGHà VIàT NAM HàC VIàN KHOA HàC VÀ CÔNG NGHà ----------------------------- NÂNG CAO TÍNH NĂNG ĐẾ SERS CẤU TRÚC MFON VÀ PHÁT TRIàN THIẾT BÞ RAMAN XÁCH TAY Chuyên ngành: VÃt lý chÃt rÅn Mã sß: 9 44 01 04 LUÀN ÁN TI¾N S) VÁt lý NG¯äI H¯âNG DÀN KHOA HâC: 1. Nguyßn Minh Huá 2. Nghiêm Thá Hà Liên Hà Nßi – Năm 2023 LâI CAM ĐOAN Tôi xin cam oan ây là công trình nghiên cću do tôi thăc hián d°ãi să h°ãng dÁn cąa TS. Nguyßn Minh Huá và PGS.
Nghiêm Thá Hà Liên cùng să cáng tác cąa các ãng nghiáp. Các kÃt quÁ nghiên cću °āc thăc hián t¿i Vián VÃt lý - Vián Hàn lâm Khoa hãc và Công nghá Viát Nam. Các sá liáu và kÃt quÁ trong luÃn án này là hoàn toàn trung thăc và ch°a từng °āc công bá trong bÃt cć luÃn án nào khác. Hà Nội, ngày tháng năm 2023 Tác giÁ Nguyßn Văn Ti¿n LâI CÀM ¡N Tôi xin bày tß lòng kính trãng và biÃt ¢n sâu sÅc tãi thÅy cô h°ãng dÁn cąa tôi, TS.
Nguyßn Minh Huá và PGS. Nghiêm Thá Hà Liên ã tÃn tâm h°ãng dÁn khoa hãc, ánh h°ãng nghiên cću và t¿o mãi iều kián thuÃn lāi cho tôi trong suát quá trình thăc hián luÃn án. Tôi xin trân trãng cÁm ¢n các thÅy cô và Ban Giám ác Hãc vián Khoa hãc và Công nghá, lãnh ¿o Trung tâm Đián tÿ hãc l°āng tÿ, lãnh ¿o Vián VÃt lý, Vián Hàn lâm Khoa hãc và Công nghá Viát Nam ã t¿o mãi iều kián về thåi gian, c¢ sç vÃt chÃt, tài chính và hã s¢ thą tăc giúp tôi hoàn thành luÃn án. Tôi cũng xin gÿi låi cÁm ¢n Ãn chá Nguyßn Thá Diáu Hãng và Phòng Sau Đ¿i hãc, Hãc vián Khoa hãc và Công nghá ã quan tâm giúp ÿ tôi hoàn thành các thą tăc, hã s¢ trong quá trình hãc tÃp, nghiên cću.
Tôi xin gÿi låi cÁm ¢n chân thành Ãn GS. Vũ Đình Lãm, Giám ác Hãc vián Khoa hãc và Công nghá và nhóm nghiên cću cąa Giáo s° ã giúp ÿ tôi thăc hián nái dung tính toán, mô phßng trong luÃn án. Tôi xin gÿi låi cÁm ¢n chân thành Ãn PGS. D°¢ng Chí Dũng và Bá môn Khí tài quang hãc 3 Hãc vián Kỹ thuÃt Quân să ã cho phép tôi tiÃp cÃn há bác bay chùm tia ián tÿ Leybold Univex 400 ể thăc hián nái dung chà t¿o à SERS trong luÃn án.
Tôi xin gÿi låi cÁm ¢n chân thành Ãn PGS. Nguyßn TrÅn ThuÃt và Trung tâm Nano & Năng l°āng 3 Tr°ång Đ¿i hãc Khoa hãc và Tă nhiên ã t¿o iều kián ể tôi sÿ dăng các thiÃt bá trong phòng s¿ch thăc hián nái dung nghiên cću chà t¿o các cÃu trúc tuÅn hoàn sÿ dăng h¿t vi cÅu polystyren bằng kỹ thuÃt ăn mòn oxygen plasma. Tôi xin chân thành cÁm ¢n TS. Ph¿m TiÃn Thành, Tr°ång Đ¿i hãc Viát NhÃt và nhóm nghiên cću ã t¿o iều kián cho tôi thăc hián hāp tác nghiên cću chà t¿o các cÃu trúc ¢n lãp ngÁu nhiên h¿t vi cÅu polystyren.
Tôi xin chân thành cÁm ¢n các cô, chú, anh, chá và các b¿n trong nhóm NanoBioPhotonics - Vián VÃt lý ã quan tâm giúp ÿ, áng viên tôi trong quá trình hãc tÃp và nghiên cću. Cuái cùng, tôi xin bày tß lòng cÁm ¢n Ãn gia ình, b¿n bè, các ãng nghiáp ã luôn áng viên, giúp ÿ tôi v°āt qua khó khăn ể ¿t °āc nhāng kÃt quÁ nghiên cću nh° ngày hôm nay. TÁC GIÀ Nguyßn Văn Ti¿n i MĀC LĀC LäI CAM ĐOAN .i DANH MĂC CÁC CHĀ VIÂT TÄT. iii DANH MĂC CÁC BÀNG.
v DANH MĂC CÁC HÌNH VÀ VÀ Đâ THà. Tăng c°ång tán x¿ Raman bề mặt SERS. Các ph°¢ng pháp chà t¿o à SERS. H¿t nano kim lo¿i trong dung dách huyền phù.
H¿t nano kim lo¿i cá ánh trên à cćng. CÃu trúc nano chà t¿o trăc tiÃp trên à rÅn. Đà SERS dăa trên h¿t polystyren vi cÅu. ThiÃt bá thu phå Raman xách tay.
Lách sÿ phát triển các thiÃt bá phå di áng. Các công nghá tiên tiÃn tích hāp trong thiÃt bá o phå Raman xách/cÅm tay. Nguãn laser sÿ dăng cho thiÃt bá phå Raman xách tay. Máy quang phå mini và kính lãc t¿p quang.
37 a) Máy quang phå mini. Tiềm năng kÃt hāp thiÃt bá quang phå Raman cÅm tay và Ã SERS. TäNG HĀP H¾T POLYSTYREN VÀ T¾O MÀNG Đ¡N LâP H¾T POLYSTYREN CÓ CÂU TRÚC TUÄN HOÀN. Tång hāp h¿t vi cÅu polystyren.
T¿o màng ¢n lãp h¿t polystyren xÃp chặt và các cÃu trúc tuÅn hoàn cao. T¿o màng h¿t polystyren ¢n lãp xÃp chặt. T¿o các cÃu trúc tuÅn hoàn sÿ dăng h¿t vi cÅu bằng kỹ thuÃt ăn mòn oxygen plasma. Xây dăng ph°¢ng pháp xác ánh kích th°ãc h¿t polystyren bằng phå truyền qua.
Phå truyền qua cąa màng ¢n lãp các h¿t vi cÅu polystyren xÃp chặt. Mô hình mô phßng màng polystyren ¢n lãp xÃp chặt. KÃt quÁ mô phßng phå truyền qua cąa màng polystyren ¢n lãp xÃp chặt. KÃt quÁ thăc nghiám.
KÃt luÃn ch°¢ng 2. TàI ¯U HIàU SUÂT ĐÂ SERS CÂU TRÚC MFON. Tính chÃt quang hãc cąa cÃu trúc MFON. Hiáu ćng tăng c°ång tán x¿ Raman bề mặt SERS cÃu trúc MFON.
Phå truyền qua dá th°ång cąa cÃu trúc MFON. Chà t¿o và khÁo sát các ặc tính cąa à SERS cÃu trúc MFON. Chà t¿o à SERS cÃu trúc MFON. KhÁo sát tính chÃt quang và khÁ năng tăng c°ång tán x¿ Raman cąa à SERS cÃu trúc MFON chà t¿o °āc.
Mô phßng tính chÃt quang cąa cÃu trúc MFON. KÃt luÃn ch°¢ng 3. XÂY DĂNG THIÂT Bà ĐO PHä RAMAN XÁCH TAY. Lý thuyÃt tán x¿ Raman cå iển.
Xây dăng há o phå Raman xách tay. Há o phå Raman xách tay sÿ dăng laser kích 638 nm. KhÁo sát ánh giá máy ho¿t áng cąa máy o phå Raman xách tay thÿ nghiám. ThuÃt toán làm tr¢n phå và lo¿i nhißu nền huỳnh quang.
ThuÃt toán ánh danh phå. Kỹ thuÃt lÃy mÁu phå ngÁu nhiên. H¿n chà cháy, phá hąy mÁu khi o phå Raman. CÁi thián chÃt l°āng tín hiáu SERS.
KÃt luÃn ch°¢ng 4. 100 KÂT LUÂN VÀ KIÂN NGHà. 102 DANH MĂC CÔNG TRÌNH CÔNG Bà CĄA TÁC GIÀ. 104 TÀI LIàU THAM KHÀO.
106 iii DANH MĀC CÁC CHþ VI¾T TÂT Chÿ vi¿t Ngh*a ti¿ng Anh Ngh*a ti¿ng Viát tÃt AFM Atomic Force Microscope Kính hiển vi lăc nguyên tÿ AI Artificial Intenlligence Trí tuá nhân t¿o BS Beam Splitter Bá chia chùm CARS Coherent Anti-Stokes Raman Phå Raman kÃt hāp ái Stoke Spectroscopy CCD Charge Coupled Device CÁm biÃn Ánh tích ián kép CM Chemical Mechanism C¢ chà hóa hãc CMOS Complementary Metal Oxide- Bán dÁn ô-xít kim lo¿i bå sung Semiconductor CVD Chemical Vapor Deposition LÅng ãng h¢i hóa hãc DDA Discrete Dipole Approximation XÃp xß l°ÿng căc råi r¿c DFB Distribute Feedback PhÁn hãi phân bá EBL Electron-Beam Lithography KhÅc chùm tia ián tÿ EF Enhancement Factor Há sá tăng c°ång EM Electromagnetic Mechanism C¢ chà ián từ EOT Extraordinary optical Phå truyền qua dá th°ång transmission FDTD Finite Difference Time Domain Ph°¢ng pháp sai phân hāu h¿n Method trong miền thåi gian FIB Focused Ion Beam Lithography KhÅc chùm ion hái tă FWHM Full Width At Half Maximum Đá ráng t¿i nÿa ßnh biên á HCP Hexagonal Close Packed CÃu trúc lăc lăng xÃp chặt KPS Potassium Persulfate Kali Persunfat LIBS Laser Induced Breakdown Phå kích thích bằng laser Spectroscopy LP LongPass Filter Kính lãc băng dài LSPR Localized Surface Plasmon Cáng h°çng plasmon bề mặt Resonance ánh xć iv MFON Metal Film Over Nanospheres Màng kim lo¿i trên h¿t vi cÅu NA Numerical Aperture Kh¿u á sá NIR Near Infrared Reflectance Phå phÁn x¿ hãng ngo¿i gÅn Spectroѕcopу NIL Nanoimprint Lithography KhÅc óng dÃu nano NSL Nanosphere Lithography Kỹ thuÃt khÅc mặt n¿ vi cÅu Technique ORS Orbital Raster Scanning Bá lÅc chùm tia PAT Processes Analytical Công nghá giám sát dây truyền Technology sÁn suÃt PDMS Polydimethylsiloxane Polydimethylsiloxane PS Polystyrene Polystyren PSPs Propagating Surface Plasmons Plasmon bề mặt lan truyền SDS Sodium Lauryl Sulfate Natri Lauryl Sunfat SEM Scanning Electron Kính hiển vi ián tÿ quét Microscope SERS Surface Enhanced Raman Tăng c°ång tán x¿ Raman bề Scattering mặt SLM Single-Longitudinal Mode Đ¢n mode dãc SNR Signal To Noise Ratio Tỷ lá tín hiáu trên nhißu SORS Spatially Offset Raman Kỹ thuÃt o phå Raman lách tâm Spectroscopy SPP Surface Plasmon Polariton Plasmon polariton bề mặt TEC Thermoelectric Cooling Làm l¿nh bằng b¢m nhiát ián TERS Tip Enhanced Raman Tăng c°ång tán x¿ Raman dăa Scattering vào hiáu ćng mũi nhãn kim lo¿i UV Ultraviolet Visible Vùng căc tím - khÁ kiÃn VHG Volume Holographic Grating Cách tÿ holograph khái XRF X-Ray Fluorescence Phå huỳnh quang tia X v DANH MĀC CÁC BÀNG BÁng 1. Phân lo¿i các thiÃt bá o phå di áng &&&&&&&&&&&&&&26 BÁng 1. Mát sá lo¿i máy quang phå Raman cÅm tay th°¢ng m¿i&&&&&&&30 BÁng 4. Vá trí v¿ch phå Raman cąa mát sá liên kÃt và nhóm chćc hóa hãc&&&.
BÁng há sá t°¢ng quan giāa phå Raman cąa mát sá lo¿i vÃt liáu nå.92 vi DANH MĀC CÁC HÌNH VẼ VÀ Đâ THÞ Hình 1. C¢ chà tăng c°ång tán x¿ Raman bề mặt SERS; b) c¢ chà ián từ EM; c) c¢ chà truyền ián tÿ CM. Sá l°āng bài báo chą ề Raman nói chung và SERS nói riêng hàng năm. Mát sá vÃt liáu SERS phå biÃn.
Ành SEM các cÃu trúc nano vàng: (a) nano cÅu; (b) nano tam giác, và (c) nano sao. So sánh phå SERS cąa rhodamine 6G nãng á 5 μM trong dung dách cąa h¿t nano vàng hình sao, tam giác, và ám cÅu. Để so sánh phå Raman, (i), cąa Naphtalene tr¿ng thái rÅn cũng °āc hiển thá. Đßnh Naphthalene °āc ánh dÃu bằng các °ång nét ćt.
(a) Ành SEM cąa h¿t nano vàng trên giÃy lãc; (b) Phå SERS cąa TNT. Hình nhß biểu dißn să phă thuác c°ång á SERS cąa nhóm NO2 theo nãng á. S¢ ã biểu dißn quy trình khÅc nano ể chà t¿o màng kim lo¿i trên lãp nano cÅu (FON), mÁng h¿t nano tuÅn hoàn hoặc mÁng lß rßng nano. Ành AFM à SERS linh ho¿t °āc chà t¿o bằng ph°¢ng pháp (a) kÃt hāp kỹ thuÃt khÅc mềm vãi khÅc nano, và (b) in nano bằng tia căc tím cuán tãi cuán.
S¢ ã cąa hai quá trình sÿ dăng ể chà t¿o à SERS. Hình minh hãa kỹ thuÃt khÅc mặt n¿ vi cÅu NSL.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Nâng cao tính năng đế SERS cấu trúc MFON và thiết bị Raman" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án tiến sĩ nghiên cứu nâng cao tính năng đế sers cấu trúc Mfon và phát triển thiết bị Raman xách tay ứng dụng trong phân tích vật liệu.
Luận án "Nâng cao tính năng đế SERS cấu trúc MFON và thiết bị Raman" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Học viện Khoa học và Công nghệ. Năm bảo vệ: 2023.
Luận án "Nâng cao tính năng đế SERS cấu trúc MFON và thiết bị Raman" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Nâng cao tính năng đế SERS cấu trúc MFON và thiết bị Raman" thuộc chuyên ngành Vật lý chất rắn. Danh mục: Công Nghệ Hóa Học.
Luận án "Nâng cao tính năng đế SERS cấu trúc MFON và thiết bị Raman" có bao nhiêu trang?
Luận án "Nâng cao tính năng đế SERS cấu trúc MFON và thiết bị Raman" có 138 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Nâng cao tính năng đế SERS cấu trúc MFON và thiết bị Raman" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.