Luận án Tiến sĩ Vật lý Nguyễn Minh Hiếu: Chế tạo dây nano SnO2 cảm biến ADN
Luận án tiến sĩ vật lý tập trung nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2. Phát triển công nghệ ứng dụng dây nano này trong thiết kế cảm biến ADN.
Vật lí chất rắn
Luan An
Luận án tiến sĩ
Năm xuất bản
Số trang
131
Thời gian đọc
20 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Mục lục chi tiết
Tóm tắt nội dung
I. Nghiên cứu dây nano SnO2 Vật liệu tiên tiến cho cảm biến ADN
1.1. Tổng quan về dây nano oxit thiếc SnO2 NWs
Dây nano SnO2 là vật liệu nano bán dẫn nổi bật. Chúng sở hữu cấu trúc một chiều đặc biệt. Tỷ lệ diện tích bề mặt trên thể tích của chúng rất lớn. SnO2 mang lại nhiều tính chất điện và quang học độc đáo. Các tính chất này phù hợp cho vô số ứng dụng công nghệ cao. Vật liệu này được nghiên cứu rộng rãi trong cảm biến khí, pin mặt trời, và chất xúc tác. Oxit thiếc (SnO2) cung cấp hiệu suất vượt trội trong các thiết bị điện tử thu nhỏ. Đặc biệt, dây nano SnO2 thể hiện khả năng nhạy cao đối với nhiều loại phân tử. Điều này mở ra tiềm năng to lớn cho cảm biến sinh học. Việc kiểm soát kích thước, hình thái và cấu trúc là yếu tố then chốt. Các phương pháp chế tạo tiên tiến liên tục được phát triển để đạt được điều này.
1.2. Vai trò của SnO2 trong cảm biến sinh học ADN
SnO2 được biết đến là một vật liệu nhạy khí xuất sắc. Tuy nhiên, tiềm năng của nó trong cảm biến sinh học cũng rất đáng kể. Dây nano SnO2 cung cấp một nền tảng điện cực biến tính lý tưởng. Diện tích bề mặt lớn của chúng tăng cường khả năng gắn kết các phân tử ADN. Tính chất bán dẫn của SnO2 cho phép truyền tín hiệu điện hóa hiệu quả. Cảm biến dựa trên SnO2 phát hiện ADN thông qua các thay đổi về điện trở hoặc dòng điện. Khả năng tương thích sinh học của oxit thiếc cũng được đánh giá cao. Biosensor ADN dựa trên dây nano SnO2 hứa hẹn độ nhạy và độ đặc hiệu vượt trội. Chúng có thể phát hiện ADN đích với nồng độ cực thấp. Đây là bước tiến quan trọng trong các ứng dụng chẩn đoán y tế nhanh chóng và chính xác.
1.3. Mục tiêu và ý nghĩa của luận án tiến sĩ
Luận án này tập trung nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2. Mục tiêu chính là định hướng ứng dụng chúng trong cảm biến ADN. Nghiên cứu tìm cách phát triển một quy trình chế tạo hiệu quả và có khả năng lặp lại. Các đặc tính vật liệu của dây nano SnO2 cần được đánh giá chi tiết. Luận án cố gắng tối ưu hóa cấu trúc, hình thái và tính chất điện hóa của vật liệu nano bán dẫn này. Sản phẩm cuối cùng là một cảm biến ADN điện hóa hoạt động tốt, đáng tin cậy. Ý nghĩa khoa học của công trình nằm ở việc đóng góp kiến thức mới về vật liệu nano oxit kim loại. Ý nghĩa thực tiễn là tạo ra công nghệ phát hiện ADN tiên tiến. Công nghệ này có tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong y học, pháp y và an toàn thực phẩm. Nghiên cứu này là một bước tiến quan trọng trong lĩnh vực biosensor ADN.
II. Chế tạo dây nano SnO2 hiệu quả bằng phương pháp CVD
2.1. Quy trình lắng đọng hơi hóa học CVD
Phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) được sử dụng để chế tạo dây nano SnO2. Đây là kỹ thuật phổ biến và hiệu quả. Quá trình CVD bao gồm việc đưa các tiền chất hóa học dạng hơi vào lò phản ứng. Các tiền chất này sau đó phân hủy và lắng đọng trên đế. Sự kiểm soát nhiệt độ, áp suất và tốc độ dòng khí là rất quan trọng. Phương pháp này cho phép kiểm soát tốt hình thái và kích thước của dây nano. Việc sử dụng xúc tác như hạt nano Au thường được áp dụng. Xúc tác đóng vai trò khởi tạo sự phát triển của dây nano. Quá trình VLS (Vapor-Liquid-Solid) là cơ chế thường gặp. CVD tạo ra các dây nano SnO2 có độ tinh khiết cao. Chúng sở hữu cấu trúc tinh thể đồng nhất và ít khuyết tật.
2.2. Tối ưu hóa điều kiện chế tạo dây nano SnO2
Việc tối ưu hóa các điều kiện CVD là cần thiết. Các yếu tố bao gồm nhiệt độ lò, lưu lượng khí mang và nồng độ tiền chất. Tỷ lệ dòng khí và vị trí đặt mẫu ảnh hưởng đến nồng độ hơi Sn. Nồng độ hơi Sn quyết định mật độ và đường kính của dây nano SnO2. Nhiệt độ cao thúc đẩy sự hình thành tinh thể. Áp suất thấp giúp tăng trưởng dây nano theo chiều dọc. Các thí nghiệm được tiến hành để xác định điều kiện tối ưu. Mục tiêu là tạo ra dây nano SnO2 với đường kính và chiều dài mong muốn. Các điều kiện này đảm bảo dây nano có tính chất bán dẫn tốt. Chúng cũng phải phù hợp cho ứng dụng cảm biến điện hóa. Việc kiểm soát chính xác các tham số này là mấu chốt.
2.3. Thiết kế điện cực biến tính vàng Au
Điện cực biến tính vàng (Au) là thành phần quan trọng của cảm biến. Vàng là vật liệu dẫn điện tốt và có khả năng tương thích sinh học. Thiết kế điện cực bao gồm mặt nạ quang khắc để tạo hình. Quy trình chế tạo điện cực Au cần được chuẩn hóa. Các bước bao gồm lắng đọng màng Au và tạo hình bằng quang khắc. Điện cực Au sau đó được sử dụng làm đế để mọc dây nano SnO2. Vàng cũng có thể đóng vai trò xúc tác cho quá trình CVD. Bề mặt điện cực vàng mang lại khả năng biến tính hóa học tốt. Điều này cho phép gắn kết hiệu quả các phân tử ADN. Sự kết hợp giữa dây nano SnO2 và điện cực Au tăng cường hiệu suất cảm biến.
III. Đặc tính vật liệu nano bán dẫn SnO2 cho biosensor ADN
3.1. Phân tích cấu trúc tinh thể và hình thái học
Cấu trúc tinh thể của dây nano SnO2 được phân tích bằng nhiễu xạ tia X (XRD). Phổ XRD xác nhận pha tinh thể rutil của SnO2. Các đỉnh nhiễu xạ đặc trưng được ghi nhận và so sánh với dữ liệu chuẩn. Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) và kính hiển vi điện tử quét (SEM) được dùng để đánh giá hình thái học. Ảnh SEM và TEM cho thấy dây nano SnO2 có hình dạng đồng nhất. Chúng có đường kính và chiều dài trong khoảng nanomet đến micromet. Kết quả HRTEM cung cấp thông tin chi tiết về cấu trúc mạng tinh thể. Các ảnh SAED (Selected Area Electron Diffraction) xác nhận định hướng phát triển của dây nano. Sự phân bố đường kính dây nano cũng được xác định. Cấu trúc và hình thái lý tưởng là cần thiết cho hiệu suất cảm biến.
3.2. Xác định thành phần hóa học và trạng thái oxy hóa
Phổ quang điện tử tia X (XPS) được sử dụng để phân tích thành phần hóa học. XPS cung cấp thông tin về các nguyên tố có mặt trên bề mặt. Nó cũng xác định trạng thái oxy hóa của thiếc (Sn). Phổ Sn3d5/2 và Sn3d3/2 được ghi lại và phân tích. Các đỉnh này được phân tích thành các thành phần Gauss. Điều này giúp xác định tỷ lệ Sn2+ và Sn4+. Sự hiện diện của Sn4+ là chủ yếu trong SnO2. Tỷ lệ các trạng thái oxy hóa ảnh hưởng đến tính chất bán dẫn. Phổ tán sắc năng lượng tia X (EDX) bổ sung thông tin về thành phần nguyên tố. EDX xác nhận sự có mặt của Sn và O. Kết quả này đảm bảo độ tinh khiết của dây nano SnO2.
3.3. Tính chất dẫn điện của dây nano SnO2
Tính chất dẫn điện của dây nano SnO2 là yếu tố then chốt. SnO2 là một vật liệu bán dẫn loại n. Các khuyết tật oxy hoặc tạp chất có thể ảnh hưởng đến độ dẫn điện. Phương pháp đo phổ trở kháng điện hóa (EIS) được sử dụng. EIS đánh giá điện trở và điện dung của vật liệu. Cảm biến ADN hoạt động dựa trên sự thay đổi độ dẫn điện. Sự thay đổi này xảy ra khi ADN đích liên kết với điện cực. Độ dẫn điện cao hơn có thể cải thiện độ nhạy của cảm biến. Việc kiểm soát quá trình chế tạo ảnh hưởng trực tiếp đến tính chất này. Các nghiên cứu tìm cách tối ưu hóa độ dẫn điện của dây nano SnO2. Điều này giúp chúng trở thành điện cực hiệu quả cho biosensor ADN.
IV. Ứng dụng cảm biến sinh học ADN từ dây nano oxit thiếc
4.1. Cơ chế hoạt động của cảm biến ADN điện hóa
Cảm biến ADN điện hóa hoạt động dựa trên sự nhận diện phân tử. Điện cực biến tính bằng dây nano SnO2 đóng vai trò trung tâm. Các phân tử thăm dò ADN (probe DNA) được cố định lên bề mặt dây nano. Khi ADN đích (target DNA) có mặt, nó sẽ lai hóa với probe DNA. Quá trình lai hóa này gây ra sự thay đổi điện tích trên bề mặt điện cực. Sự thay đổi điện tích này được chuyển thành tín hiệu điện hóa. Các kỹ thuật như phương pháp đo phổ trở kháng điện hóa (EIS) được sử dụng. Tín hiệu đo được tỷ lệ thuận với nồng độ ADN đích. Đây là cơ sở để phát hiện ADN định tính và định lượng. Cảm biến cung cấp khả năng phát hiện nhanh chóng và chính xác.
4.2. Biến tính bề mặt điện cực bằng dây nano SnO2
Biến tính bề mặt điện cực là bước quan trọng. Dây nano SnO2 được gắn lên điện cực Au đã được chế tạo. Quá trình này tạo ra một bề mặt nhạy cảm có diện tích lớn. Các nhóm chức hóa học trên SnO2 cho phép gắn kết các phân tử sinh học. Ví dụ, 3-Aminopropyltriethoxysilane (APTES) có thể được sử dụng. APTES tạo ra các nhóm amin (-NH2) trên bề mặt. Các nhóm amin này sau đó liên kết với probe ADN thông qua các chất hoạt hóa. 1-ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide (EDC) và N-hydroxysuccinimide (NHS) thường được dùng. Quá trình biến tính phải đảm bảo sự ổn định và mật độ cao của probe ADN. Điều này tối đa hóa khả năng nhận diện và lai hóa ADN.
4.3. Hiệu suất phát hiện ADN và giới hạn phát hiện LOD
Hiệu suất của cảm biến ADN được đánh giá thông qua độ nhạy và độ đặc hiệu. Độ nhạy liên quan đến khả năng phát hiện nồng độ ADN thấp. Giới hạn phát hiện (LOD) là nồng độ thấp nhất có thể phát hiện được. Cảm biến dựa trên dây nano SnO2 cho thấy LOD thấp. Điều này chứng tỏ khả năng phát hiện ADN ở mức pM (picomol). Độ đặc hiệu đảm bảo chỉ phát hiện ADN đích, không phải các phân tử tương tự. Thời gian đáp ứng của cảm biến cũng là một yếu tố quan trọng. Các kết quả thực nghiệm chứng minh hiệu suất vượt trội của biosensor ADN này. So sánh với các phương pháp truyền thống, cảm biến điện hóa này nhanh hơn và đơn giản hơn.
V. Tiềm năng cảm biến điện hóa ADN Phát hiện nhanh chính xác
5.1. Ưu điểm của cảm biến SnO2 NWs so với phương pháp truyền thống
Cảm biến ADN dựa trên dây nano SnO2 mang lại nhiều ưu điểm. So với các phương pháp truyền thống như PCR hay ELISA, chúng nhanh hơn. Quy trình phát hiện đơn giản, không yêu cầu thiết bị phức tạp. Kích thước nhỏ gọn của cảm biến phù hợp cho các thiết bị cầm tay. Khả năng phát hiện trực tiếp mà không cần khuếch đại mẫu là một lợi thế. Điều này giảm thiểu nguy cơ sai sót và chi phí. Dây nano SnO2 cung cấp độ nhạy cao và giới hạn phát hiện thấp. Chúng cũng có tiềm năng tái sử dụng. Các ưu điểm này làm cho cảm biến điện hóa trở thành công cụ mạnh mẽ. Nó đặc biệt hữu ích cho các ứng dụng chẩn đoán tại chỗ (point-of-care).
5.2. Hướng phát triển cảm biến sinh học ADN thế hệ mới
Nghiên cứu mở ra hướng phát triển cho cảm biến sinh học ADN thế hệ mới. Việc tích hợp dây nano SnO2 vào các hệ thống vi lỏng (microfluidics) là một hướng đi. Điều này giúp tự động hóa quá trình phân tích. Khả năng phát hiện đa chỉ tiêu (multiplex detection) cũng đang được khám phá. Tức là phát hiện nhiều loại ADN cùng một lúc. Tối ưu hóa bề mặt điện cực để tăng cường độ ổn định và tuổi thọ. Phát triển các vật liệu nano oxit kim loại khác cũng có thể được xem xét. Mục tiêu là tạo ra các cảm biến mạnh mẽ hơn. Chúng cần có độ nhạy, độ đặc hiệu và độ bền cao hơn nữa.
5.3. Mở rộng ứng dụng cho các phát hiện sinh học khác
Công nghệ cảm biến dựa trên dây nano SnO2 không chỉ giới hạn ở ADN. Tiềm năng ứng dụng có thể mở rộng cho phát hiện protein, virus và tế bào. Ví dụ, phát hiện vi rút Epstein-Barr (EBV) có thể là một ứng dụng. Việc thay đổi phân tử thăm dò (probe) cho phép nhận diện các chất khác nhau. Đây là một nền tảng linh hoạt cho nhiều biosensor. Vật liệu nano bán dẫn này có thể tùy chỉnh cho các mục đích cụ thể. Các ứng dụng trong y tế, giám sát môi trường và an toàn thực phẩm là rất rộng lớn. Dây nano SnO2 đóng vai trò quan trọng trong tương lai của công nghệ cảm biến.
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (131 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộĐẠI QUOC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYEN MINH HIẾU NGHIÊN CỨU CHE TAO DAY NANO SnO, ĐỊNH HƯỚNG UNG DUNG TRONG CAM BIEN ADN LUẬN AN TIEN SĨ VAT Li HOO HA NOL - 2022 ĐẠI QUOC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI KHOA HỌC TỰ NHIÊN NGUYEN MINH HIỂU NGHIÊN CỨU CHE TAO DAY NANO SnO; DINH HUGNG UNG DUNG TRONG CAM BIEN ADN Ohuy6n ngành: Vat lí chất rắn Ma.02 LUẬN AN TIEN SĨ VAT Li HOO NGƯỜI HƯỚNG DAN KHOA HOO 1. Nguyễn Hoang Hai 2. Mai Anh Tuấn HÀ NỘI - 2022 Lời cam: đoan Toi xin vam đoạn đây là oông trình nghiên cứu của riêng oá nhân tôi. Oáo số liệu va kết quả mới trình bay, trong luận ấn là trung thực và chua từng.
được ông, bd trong oáo nghiên oứu khav. Nghiên cứu sinh Nguyễn Minh Hiéu Lời cam ơn Nghiên cứu sinh bày tó lòng biết ơn tới PGS. Nguyễn Hoàng Hai và PGS. Mai Anh Tuấn.
tận tình hướng dẫn và định hướng cho Nghiên ottu sinh thực hiện uông, trình nghiên ottu này, Hai thầy, đã dạy cho Nghiên cứu sinh sự nghiêm tio trong khoa họo, khả năng phâu tích sau cdc kết quả nghiên otfu về ấu tric, tính chất của. Nghiên cứu sinh đã. chế tạo vam biến và hiếu rõ vdeo vẫn đồ nghiên cứu từ đó dua ra được những đồ xuất mới trong nghiên cứu, khá năng khái quất hoa vẫn đồ. Nghiên ottu sinh 06 khá năng.
viết oáo bài báo khoa học và. bắn thao bài báo. cứu sinh xin chân. thành cai on đến PGS.
Ngô Dito Lhê, US. Pham Dito Thành, VS. Trương Quang Dito va US. Ong Khắc Quý đã giúp đỡ va cong tấu trong công.
việo do đạo áo phép đo XPS, HRLEM, HAADE. Nghiên cứu sinh chan thành oắm ơn odo thầy cô trong Bộ môn. Vật lí chất rin, Khoa Vật Lí, Trường Dai hoo Khoa họo Lu Nhiên, Dai học Quév gia Hà, Nội đã tao mọi điều kiện cho Nghiên oứu sinh tiếu hành oáo nghiên ottu tại phòng: thí nghiệm. Nghiên otfu sinh xin chân thành cắm on oáo thầy oô đồng, nghiệp trong, Trung tam Nano và.
Năng lượng luôn luôn quan tam động viên Nghiên oứu sinh trong thời gian thực hiệu luận ấn này, Nghiên cứu sinh cau. du tới gia đình đã, động, viên khi Nghiên oứu sinh thực hiện luận ấn, Nghiên cứu sinh Nguyễn Minh Hiéu Danh mục chữ viết tắt APLES 3-Aminopropyl! triethoxysilane OVD Lắng đọng hoa họo pha hơi dsADN Sợi đôi ADN EBY. vi rút EpstoIn Barr EDO I-ethyl-ä (-3-dimethylaminopropy|)-cacbodiimide EDX Phố tán sắo năng lượng tia X Ky Độ rong vùng, cấu ELS Phương pháp do phố trở kháng điện hoa ELISA Phương phấp Kuzyme-lnked LlunnnnosorbenE assay, E. ngoại biên đối Fourier.
HAADE Ảnh trường tối góo lớn HREM Kính hiển điện tứ truyền qua phan gidi cao LUPAO 16 chức hoa học tỉnh khiết và ứng: dung quốo tế KE Động năng. M Số mol vật liệu MEO Bộ điều khiến lưu lượng dòng khí NOS Nghiên cứu sinh NWS Dây, nano NHS Oarbodiimide-uhy droxy-suoolniinido MEMS Qông nghệ vi vo điện tử LOD. Giới han phát hiện. Phương pháp Polymerase Ohain Reaction pM pivomol, SEM Kính hiến điện tử quét ssADN Sot ADN đơn Scom Dou vị lưu lượng khí, cm amin+ SnO; NWs Day, nano thiếo 6 xít LOO Vật liệu mang 6 xít dẫn điện và trong suốt TEM Kính hiến vi điện ttt truyền qua XRD.
Phổ nhiễu xạ tia X XPS Phố điệu tử tia X AG Sự thay, đối năng lượng tự do Gibbs VLS Pha hoi-Pha loug-Pha rắn Danh sách hình ve Sơ đồ tom tắt dấu trúc ola luận ấn Oâu trúo tỉnh thé của SuOs2 Giản đồ nhiễu xạ tia X cla dây nano SuO, Gidu đồ nhiễu xa tia X cla wang woug Au và AuSn Tinh chất dẫn điện oúa vật liệu SpO> Oau tao cla dám biến sinh họo Oau trúc hình hee cho 3 vị trí đặt oắm biến ST, $2, $3 Oấu trúc hình học cho 3 vị trí $4, S5, S6 Phan bô nồng độ hơi Su trong ông OVD. được phóng đại tai vị trí nguồn. Sn và 3 vị trí S1, 32 và S3 tại oùng thời điểm 3600 giây nhưng kháo nhan về lưu lượng dong khí mang Oo tăng dau lau lượt từ (a) 0,1 svom, (b) 0,2 sooI, (06) 0,3 soom, (id) 0,4 sooin, (e ) 0,5 sccm, (ff) 0,6 socom, (ig) 0,7 socom, (h) 0,8 som, (i) 0,9 soom và, (ik) 1,0 scorn. Nông độ Su tại bề mat WE cho 3 vị trí ST, S2, $3 Nong độ Su lắng đọng tai vị trí 34, S5, 36 Thiết kẾ mat nạ quang khắo chê tạo điện cue Au Mặt nạ bao vệ điện cue Thiết bị sử dụng chê tao cắm biến Sơ đồ ché tạo điện oựo Au Sơ đồ quy trình chế tạo và sắn phẩm vi điện cue Au.
Hệ lắng, đọng, hơi hoa họo OVD, (a) Sơ đồ hộ OVD, (b) Hệ wat ua báo v6 điện cue và 3 điện cực, (cv) Giản đồ nâng nhiệt hệ OVD khi chế tạo dây. SnOs, (d) Ảnh bên ngoài hệ lò OVD, bàn điều khiển khí và chai khí, (e) ảnh bên trong lò OVD. Phố nhiễu xạ tia X otta điện oựo Au và dây nano SuO¿, (a) XRD. ota điệu oựo mang Au, (ib) XRD của dây nano SuO, mọc sử dung xúo tao là màng Au, (©) XRD.
ota dây nano SnO2 mọc sử dụng xứ táo là hạt nano Au. Két qua do phố XPS ita day, nano SuO¿, (a) Kết qua XPS của Su3d; 2 và Susdy 2, (b,c) Kết qua XPS gúa Su3d5/2 và Sn3d¿/¿ được phan tích thành hai đính bằng phương phap fitting sử dụng ham Gauss, (d) kết qua XPS mọc trên mang mong Au, (a2) Phan bố đường kính dứa dây nano SnO+ hạt Au, (b2) Phan bố đường, kính cotta dây nano SuO, mọc trên hat Au). Kết qua HRVEM và SAED cotta dây nano SuO, khong phâu nhánh, (a) HREM octta dây nano SuO, không phau nhánh, (ib) SAED (Kết quả ảnh gôu), (o) oấo vị trí 06 dường độ mạnh nhất trong kết quá SAED, (d) Mạng tinh thế phù hợp nhất được tìm thấy bằng thuật toán RANSAO, (e) Veotơ mạng, độ dài veotơ trong không gian, (f) Odo veut0 mang riêng dude xấu định theo tỉnh thé và trục khu vue được tính tuấu. Kết qua SPEM-EDX trên dây nano 3SuO¿ không phan nhánh, (a) Kết qua SLEM vtta dây nano SuO2, (b) EDX vita nguyên tổ Su và O, (6) EDX của nguyên.
tố SH, EDX cotta nguyên tổ O Ảnh SEM của gáo dây nano SuOs chỗ tạo với thời gian và khoảng cach tit nguồn lắng đọng lắng đọng đôn vi trí đặt oắm biến, (ta) SI(6—20 phút, x—15 wun), (ib) 32(6—20 phút, x—30 nàn), (6) S3(6—20 phút, x—48mn), (d) S4(t —20 phút, x—60 wun), (ie) S5(t—20 phút, x—75 mm), (if) S6(t—20 phút, x—90 tu), (g) 37(—T phút, x—15 mu), (h) S8(it—5 phút, x—15 màn), (i) S9(t—1U phút, x—15 mm), (k) S10(6—20 phút, x—15 mm), (uw) SIT(t—40 phút, x—15 nam); (uu) S12 (t—60 phút, x—15 mu) Mộ hình mov dây nano SuÖ: sử dụng hat Au làm xtc tao Oo chế moc tit g60 dây nano volta SuQs (a) Kết quá HAADE-SLEM của dây nano SnOa, (b)-(o) lần lượt là kết quá SLEM-EDX vita nguyên tô O và Su, (d)-Íe ) là kết quả HREM của, day, nano SuO» thang, (g)-(h) là kết qua HRLEM ota dây nano SuO2 tại vị trí phân nhánh, (f)-(i) Kết quá SABD. 70 Mô hình giải thích cho cơ chê xúo tao Au, (a) Hap thụ vật lý của Oy leu bề mặt Au, (b) Hấp thụ hóa hee oúa Oy lên bề mat Au, (6) O» nhận điệu từ và phan tách thành 20, (d) Phan ứng giữa Su và O, (ie) Phan tứ SuOs bị đấy ra khói pha lông tao thành cấu trúo dây nano SnO> 9.] Sơ đồ tong quát qué trình chức năng hoa bề mat ola cắm biến, (a) Lao nhóm chite OH trêu bồ wat cd biên, (ib) Ohứo năng hoa bồ maAt oắm biếu bằng nhóm NH», (6) Gan ADN dò lên bề mặt cam biến, (d) Lai hóa ADN đích và ADN dò trên bề mAt cải biến, 5.6 Phố hồng ngoại biên đối Fourier da cáo mẫu (a) ADN dò, (b) ABLES, (6) Dây, nano SuOs, (id) ADN dò liêu kết với dây nano SuOy 5.7 Kêt quả hiển vi huỳnh quang của ADN trên bề mặt điện cực, (a) Mau điệu cue không gắn kết ADN, (b) gắn ADN nồng độ 10uM, (ib) gắn ADN nồng độ 20uM, (wv) gin ADN nồng độ 304M, (d) gin ADN nồng độ 400M, (e) gắn ADN nồng độ 50uM 5.8 Kết quá SEM cotta điệu oựo vàng phử hạt vàng moo dây nano (06 phú thêu hạt nano Au và điều kiện chỗ tao(SI3, ¢ — 20 phút , x — 15 mun), (wl) ánh SEM điệu cue vàng 06 dây nano trên WE, (a2) ánh SEM tại vị trí sửa WE với SuO; 6 vị trí có Au và trên dé SiO¿ không có dây SuOb», (b1)-(b2) ảnh SEM của vic dây nano SuO» có hạt Au ở đầu dây, (c1)-(o2) ánh SEM olla dấu dây nano SuQ)› v6 hat Au ở oấo vi trí khấo nhau trên điện cuo, (d1)-(d3) ánh SEM của day, SuOs phóng đại với hạt Au ở đầu dây, 5.9 Kêt qua do thê khuôch đại vi sai oủa vai biên biểu diễn sự phụ thuộc vita nồng độ ADN đích vào thé vi sai, oằm biến sử dung loại day, nano SnO» 06 hạt nano Au 6 đầu dây và mọc trên điện oựo mang Au 5.10 Kết qua đo thé khuếch đại vi sai cla vai biểu, loại dây nano SuOy sử dụng volta điện ấp khi oó sự lai hóa otta AND. trên cắm biến Lhời g dứa ấm biếu, (b) Sự phụ thuộc ctta nồng độ ADN đích vào thé vi sai va đường, ngoai suy tuyến tính Mục lục Lời cam đoan: Lời cám on h rá 7 7 0 TU 13 13 1.2 Phương phấp lắng đọng điệu hóa|.3 Phương pháp lắng đọng hoa họo phahơi.- 14 Oo chế mov dây nano SnO+ 15 1.1 Oo chế mọc dây VLS hiện tại 15 1.2 Những vẫn đề còn tồn tai olla vg chê VLS 16 Mô phỏng phan bố nồng độ hơi Su 17 14.1 Nội dung bài toáu mô phóng) 17 1.2 Lựa chon Ooisol wultiphysic cho mô phou 17 Qa. biến sinh hool .1 Định nghĩa và vu tạo cắm biến sinh hee 19 1.2 Phân loại cam biến sinh học 20 1.3 Oắäm biến sinh họo phát hiện ADN 21 Phương pháp v6 định ADN với vật liệu nano 24 1.1 Phương phấp hấp phụ ADN với vật liệu nano 24 1.2 Phương phấp liên kết cong hóa trị ADN với vật liệu nano 24 1.3 Kết luận chương) 26 Xáo định điều kiện biên và điều kiện vật lý Kết quả mô phỏng OVD cho vị trí S1, S2, $3 2.1 Nong độ Sn phụ thuộc lưu lượng khí O2 với vị trí ST, 32, S3 2.2 Nong độ 5n tai bề mat WE cho 3 vị trí ST, 32, S3 Kết quả mô phỏng OVD cho vị trí $4, S5, 36 2.1 Nồng độ Sn phụ thuộc vào lưu lượng khí O2 với 3 vị trí 34, S5, S6|.2 Nong độ Sn tại bề mặt cắm biên với vị trí 34, 35, S6 2.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến ADN" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án tiến sĩ vật lý tập trung nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2. Phát triển công nghệ ứng dụng dây nano này trong thiết kế cảm biến ADN.
Luận án "Nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến ADN" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội. Năm bảo vệ: 2022.
Luận án "Nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến ADN" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến ADN" thuộc chuyên ngành Vật lí chất rắn. Danh mục: Vật Lý Chất Rắn.
Luận án "Nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến ADN" có bao nhiêu trang?
Luận án "Nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến ADN" có 131 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Nghiên cứu chế tạo dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến ADN" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.