Luận án TS: Hiệu ứng động và âm điện tử trong các hệ điện tử thấp chiều

Luận án tiến sĩ nghiên cứu các hiệu ứng động và âm điện tử trong các hệ điện tử thấp, đề xuất phương pháp mới cải thiện hiệu suất hệ thống.

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án

Số trang

150

Thời gian đọc

23 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

40 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
Tổng quan hệ điện tử thấp chiều & hiệu ứng động
Số trang:
150 trang
Tác giả:

Tóm tắt nội dung luận án

I.Tổng quan hệ điện tử thấp chiều hiệu ứng động

Nghiên cứu hệ điện tử thấp chiều rất quan trọng. Các hệ này gồm vật liệu 2D như Graphene, Ống nano carbon, hay cấu trúc Dây lượng tử, Chấm lượng tử. Kích thước giảm tạo ra lượng tử hóa, thay đổi đáng kể tính chất vật lý. Điện tử bị giam cầm trong không gian hạn chế. Điều này dẫn đến sự thay đổi hàm sóng và phổ năng lượng. Sự hiểu biết về các hiệu ứng động trong các hệ này là cần thiết. Nó giúp phát triển công nghệ điện tử nano. Nghiên cứu tập trung vào tương tác điện tử-phonon và vận chuyển điện tử. Phân tích các hiện tượng vật lý mới. Các phương pháp nghiên cứu hiện đại được áp dụng. Chúng bao gồm công thức Kubo-Mori. Các phương trình động lượng tử cũng được sử dụng. Chúng mô tả động lực học của hệ. Sự tương tác giữa điện tử và dao động mạng tinh thể đóng vai trò then chốt. Sự hiểu biết này mở ra nhiều ứng dụng tiềm năng. Công nghệ bán dẫn và quang điện tử hưởng lợi. Vật liệu mới với tính chất độc đáo có thể được thiết kế. Các hệ điện tử thấp chiều là nền tảng cho điện tử học lượng tử. Cần nắm vững lý thuyết và thực nghiệm. Mục tiêu là kiểm soát và khai thác các hiệu ứng này hiệu quả.

1.1. Lượng tử hóa và hàm sóng điện tử

Sự giảm kích thước vật liệu dẫn đến hiện tượng lượng tử hóa. Các điện tử bị giam cầm trong một hoặc hai chiều. Điều này tạo ra các mức năng lượng rời rạc. Hàm sóng điện tử thay đổi đáng kể. Phổ năng lượng không còn liên tục. Các cấu trúc như Dây lượng tử và Chấm lượng tử thể hiện rõ điều này. Các vật liệu 2D như Graphene cũng có phổ năng lượng đặc trưng. Hiểu biết về hàm sóng rất quan trọng. Nó quyết định hành vi của điện tử. Các mô hình lý thuyết mô tả chính xác sự lượng tử hóa. Chúng giúp dự đoán tính chất điện tử. Kích thước giam cầm ảnh hưởng trực tiếp đến trạng thái lượng tử. Việc kiểm soát kích thước là chìa khóa. Nó cho phép tinh chỉnh các đặc tính vật liệu. Mật độ trạng thái cũng thay đổi. Nó có tác động lớn đến vận chuyển điện tử. Phân tích hàm sóng là bước đầu. Nó làm nền tảng cho các nghiên cứu tiếp theo về hiệu ứng động và tương tác.

1.2. Hiệu ứng động và phương pháp Kubo Mori

Hiệu ứng động mô tả phản ứng của hệ vật chất với trường ngoài thay đổi theo thời gian. Trong bán dẫn, các hiệu ứng này rất đa dạng. Chúng liên quan đến vận chuyển điện tử và tương tác hạt. Phương pháp Kubo-Mori là một công cụ mạnh mẽ. Nó tính toán các tenxơ độ dẫn động. Công thức Kubo-Mori cung cấp khuôn khổ lý thuyết. Nó mô tả sự đáp ứng tuyến tính của hệ. Độ dẫn điện xoay chiều được xác định. Các quá trình hấp thụ năng lượng được phân tích. Áp dụng phương pháp này cho hệ điện tử thấp chiều phức tạp hơn. Cần tính đến sự giam cầm lượng tử. Các vật liệu như Graphene hay Ống nano carbon có cấu trúc điện tử độc đáo. Phương pháp Kubo-Mori giúp hiểu rõ hơn. Nó làm sáng tỏ cơ chế vận chuyển điện tử. Nó cũng làm rõ các hiệu ứng nhiệt. Việc này có ý nghĩa lớn trong thiết kế thiết bị. Nó giúp tối ưu hóa hiệu suất thiết bị điện tử.

1.3. Tương tác âm điện tử Phương trình động lượng tử

Tương tác âm-điện tử là hiện tượng quan trọng. Nó liên quan đến trao đổi năng lượng giữa điện tử và phonon. Phonon là các lượng tử của dao động mạng tinh thể. Trong bán dẫn, tương tác này ảnh hưởng đến vận chuyển điện tử. Các hiệu ứng như sự hấp thụ và gia tăng phonon xảy ra. Phương trình động lượng tử cho phonon mô tả động học của chúng. Nó giải thích cách phonon bị ảnh hưởng bởi điện tử. Phương trình này là nền tảng cho việc nghiên cứu các hiệu ứng âm-điện tử. Đặc biệt trong hệ điện tử thấp chiều. Sự giam cầm làm thay đổi phổ phonon. Nó cũng thay đổi cường độ tương tác. Cần xem xét chi tiết cấu trúc điện tử và phonon. Vật liệu 2D như Graphene có phổ phonon đặc biệt. Sự kết hợp giữa điện tử và phonon tạo ra các hiện tượng mới. Nghiên cứu này cần thiết cho các ứng dụng nhiệt điện và quang điện tử. Nó giúp kiểm soát dòng nhiệt và tín hiệu âm thanh trong vật liệu.

II.Hấp thụ sóng điện từ trong hệ giam cầm điện tử

Hấp thụ sóng điện từ trong hệ điện tử thấp chiều là một lĩnh vực nghiên cứu chuyên sâu. Các điện tử bị giam cầm trong cấu trúc như Dây lượng tử hoặc Chấm lượng tử thể hiện hành vi hấp thụ khác biệt. Kích thước giam cầm ảnh hưởng đến phổ hấp thụ. Các đỉnh cộng hưởng xuất hiện tại các tần số cụ thể. Sự tương tác điện tử-phonon đóng vai trò điều hòa quá trình hấp thụ. Phonon có thể làm thay đổi biên độ và vị trí các đỉnh hấp thụ. Sự có mặt của từ trường ngoài cũng ảnh hưởng lớn. Từ trường có thể lượng tử hóa quỹ đạo điện tử. Nó tạo ra các mức Landau. Điều này dẫn đến sự thay đổi đáng kể trong phổ hấp thụ. Việc kiểm soát các yếu tố này quan trọng. Nó cho phép thiết kế các bộ cảm biến và thiết bị quang điện tử hiệu quả. Vật liệu 2D như Graphene cũng có khả năng hấp thụ sóng điện từ mạnh. Cơ chế vận chuyển điện tử trong các vật liệu này rất phức tạp. Chúng liên quan đến cả điện tử và dao động mạng tinh thể. Nghiên cứu này giúp tối ưu hóa hiệu suất của các thiết bị điện tử thế hệ mới.

2.1. Hấp thụ sóng điện từ trong hệ giam cầm

Điện tử trong các hệ giam cầm như hè lượng tử, dây lượng tử và chấm lượng tử có phổ hấp thụ sóng điện từ đặc biệt. Do sự lượng tử hóa, các chuyển dời năng lượng chỉ xảy ra giữa các mức năng lượng rời rạc. Điều này dẫn đến các đỉnh hấp thụ rõ ràng. Vị trí và cường độ của các đỉnh này phụ thuộc vào cấu trúc giam cầm. Nó cũng phụ thuộc vào vật liệu. Phương pháp Kubo-Mori giúp tính toán tenxơ độ dẫn động. Từ đó, hệ số hấp thụ được xác định. Sự tương tác điện tử-phonon ảnh hưởng đến độ rộng và hình dạng các đỉnh hấp thụ. Nhiệt độ cũng đóng vai trò quan trọng. Nhiệt độ cao làm tăng dao động mạng tinh thể. Điều này gây ra sự tán xạ điện tử. Nó làm giảm hiệu quả hấp thụ. Nghiên cứu này cung cấp cái nhìn sâu sắc. Nó về cách điện tử trong các cấu trúc nano tương tác với bức xạ điện từ. Nó có ứng dụng trong thiết kế cảm biến và máy dò quang phổ.

2.2. Ảnh hưởng phonon và từ trường lên hấp thụ điện tử

Sự hiện diện của phonon và từ trường có tác động lớn đến quá trình hấp thụ sóng điện từ. Phonon là dao động mạng tinh thể, có thể tương tác với điện tử. Điều này dẫn đến sự chuyển đổi năng lượng giữa điện tử và mạng. Nó ảnh hưởng đến các đỉnh hấp thụ. Các phonon giam cầm trong hệ điện tử thấp chiều cũng thay đổi phổ phonon. Từ trường ngoài gây ra sự lượng tử hóa Landau. Các điện tử di chuyển trên các quỹ đạo tròn. Các mức năng lượng trở nên rời rạc hơn. Điều này tạo ra các hiệu ứng hấp thụ từ quang đặc biệt. Trong các Dây lượng tử, từ trường song song hoặc vuông góc sẽ có ảnh hưởng khác nhau. Nghiên cứu các ảnh hưởng này rất quan trọng. Nó giúp hiểu rõ hơn về vận chuyển điện tử. Nó cũng giúp phát triển các thiết bị điện tử có thể điều khiển được bằng từ trường. Việc này có ý nghĩa trong các ứng dụng điện toán lượng tử.

2.3. Hấp thụ điện tử trong cấu trúc dây lượng tử

Dây lượng tử là một hệ điện tử thấp chiều quan trọng. Điện tử bị giam cầm trong hai chiều và tự do di chuyển dọc theo một chiều. Cấu trúc này có các mức năng lượng phụ rời rạc. Chúng ảnh hưởng đến quá trình hấp thụ sóng điện từ. Trong trường hợp không có từ trường, các điện tử hấp thụ sóng điện từ yếu. Chúng chuyển từ mức năng lượng phụ này sang mức khác. Các đỉnh hấp thụ đặc trưng xuất hiện. Khi có từ trường, các mức Landau kết hợp với các mức năng lượng phụ. Điều này dẫn đến phổ hấp thụ phức tạp hơn. Các hiệu ứng từ quang được quan sát. Sự tương tác điện tử-phonon cũng ảnh hưởng đáng kể. Nó làm thay đổi độ rộng và hình dạng các đỉnh hấp thụ. Nghiên cứu này cung cấp thông tin chi tiết. Nó về cách các dây lượng tử tương tác với ánh sáng và từ trường. Nó mở ra tiềm năng cho việc chế tạo các thiết bị quang điện tử dựa trên dây nano.

III.Tương tác và cộng hưởng phonon trong cấu trúc dây

Tương tác giữa các loại phonon trong cấu trúc Dây lượng tử rất phức tạp. Chúng dẫn đến các hiện tượng thú vị như cộng hưởng tham số. Phonon âm (acoustic phonon) và phonon quang (optical phonon) có các đặc tính khác nhau. Tuy nhiên, chúng có thể tương tác với nhau thông qua mạng tinh thể. Sự tương tác này được mô tả bởi các phương trình động lượng tử. Việc này giúp hiểu rõ cơ chế truyền nhiệt và năng lượng. Trong các vật liệu như Graphene hay Ống nano carbon, phổ phonon đặc biệt. Cấu trúc giam cầm của Dây lượng tử làm thay đổi phổ phonon. Nó cũng thay đổi cường độ tương tác. Cộng hưởng tham số xảy ra khi năng lượng từ một phonon được truyền sang hai phonon khác. Hoặc ngược lại. Hiện tượng này có thể được điều khiển. Điều khiển thông qua trường điện từ hoặc nhiệt độ. Nghiên cứu sâu về tương tác điện tử-phonon và dao động mạng tinh thể rất cần thiết. Nó giúp phát triển các thiết bị điều khiển phonon. Chúng có thể được ứng dụng trong công nghệ siêu âm và truyền thông lượng tử.

3.1. Tương tác và biến đổi tham số giữa các loại phonon

Trong các hệ vật chất, phonon âm và phonon quang có thể tương tác. Tương tác này dẫn đến sự biến đổi tham số. Năng lượng và động lượng có thể được trao đổi giữa chúng. Các phonon âm thường có tần số thấp. Chúng liên quan đến dao động toàn bộ mạng tinh thể. Phonon quang có tần số cao hơn. Chúng liên quan đến dao động của các nguyên tử trong ô mạng cơ sở. Trong Dây lượng tử, sự giam cầm ảnh hưởng đến phổ của cả hai loại phonon. Điều này làm thay đổi cơ chế tương tác. Các phương trình động mô tả sự trao đổi năng lượng này. Sự biến đổi tham số có thể tạo ra các phonon mới. Hoặc nó có thể tăng cường cường độ của các phonon hiện có. Hiểu rõ cơ chế này rất quan trọng. Nó để điều khiển các tính chất nhiệt và âm học của vật liệu. Tương tác điện tử-phonon cũng ảnh hưởng mạnh đến quá trình này. Nó làm thay đổi sự phân bố của phonon.

3.2. Phương trình động lượng tử cho phonon

Để mô tả động học của phonon, cần sử dụng các phương trình động lượng tử. Các phương trình này dựa trên cơ học lượng tử. Chúng tính đến sự tương tác giữa phonon và các hạt khác, như điện tử. Trong trường hợp có tương tác phonon-phonon, các phương trình trở nên phức tạp hơn. Chúng cho phép phân tích sự phân bố năng lượng phonon. Nó cũng cho phép phân tích sự trao đổi năng lượng trong mạng tinh thể. Áp dụng cho Dây lượng tử, các phương trình này phải tính đến sự giam cầm. Phổ phonon giam cầm khác biệt so với vật liệu khối. Các phương trình động lượng tử là công cụ thiết yếu. Nó giúp nghiên cứu các hiện tượng như cộng hưởng và gia tăng phonon. Hiểu biết về các phương trình này cho phép mô hình hóa. Mô hình hóa chính xác hành vi của dao động mạng tinh thể. Điều này rất quan trọng cho việc phát triển các vật liệu mới. Chúng có tính chất âm học và nhiệt mong muốn.

3.3. Cộng hưởng tham số trong dây lượng tử

Cộng hưởng tham số là hiện tượng phi tuyến tính. Nó xảy ra khi một hệ dao động bị điều khiển bởi một tham số thay đổi theo chu kỳ. Trong cấu trúc Dây lượng tử, cộng hưởng tham số giữa phonon âm và phonon quang có thể xảy ra. Điều này dẫn đến sự truyền năng lượng hiệu quả. Nó giữa các loại phonon khác nhau. Tần số của phonon âm và quang phải thỏa mãn điều kiện cộng hưởng. Hiện tượng này có thể được khai thác. Khai thác để tạo ra các phonon tần số cao từ phonon tần số thấp. Hoặc ngược lại. Sự tương tác điện tử-phonon đóng vai trò trung gian. Nó tạo điều kiện cho cộng hưởng. Nghiên cứu này có ý nghĩa thực tiễn. Nó trong việc thiết kế các thiết bị điều khiển sóng âm. Các thiết bị này bao gồm bộ chuyển đổi tần số. Chúng cũng bao gồm các bộ khuếch đại tín hiệu âm thanh trong các hệ điện tử thấp chiều. Việc kiểm soát cộng hưởng tham số mở ra nhiều ứng dụng tiềm năng.

IV.Gia tăng phonon âm trong vật liệu dây lượng tử

Hiện tượng gia tăng phonon âm trong cấu trúc Dây lượng tử là một lĩnh vực nghiên cứu đầy hứa hẹn. Khi có dòng điện tử trôi đủ mạnh, năng lượng có thể được truyền từ điện tử sang phonon. Điều này dẫn đến sự khuếch đại của sóng âm. Quá trình này được gọi là gia tăng phonon âm. Hiệu ứng này rất nhạy cảm với cấu trúc giam cầm của Dây lượng tử. Hình dạng và kích thước của dây ảnh hưởng đến hiệu suất gia tăng. Các loại tương tác điện tử-phonon khác nhau cũng đóng vai trò quan trọng. Nhiệt độ và cường độ từ trường ngoài có thể điều khiển quá trình gia tăng này. Ứng dụng tiềm năng bao gồm việc chế tạo các bộ khuếch đại âm thanh siêu nhỏ. Chúng cũng bao gồm các cảm biến âm thanh độ nhạy cao. Nghiên cứu này cần xem xét chi tiết biểu thức hệ số hấp thụ phonon âm. Các công thức này tính đến nhiều yếu tố vật lý. Việc hiểu rõ cơ chế gia tăng phonon giúp tối ưu hóa thiết kế vật liệu. Vật liệu cho các thiết bị âm học và điện tử mới.

4.1. Biểu thức tổng quát cho hệ số hấp thụ phonon âm

Để phân tích hiện tượng gia tăng phonon âm, cần xây dựng biểu thức tổng quát cho hệ số hấp thụ. Hệ số này mô tả mức độ năng lượng sóng âm bị điện tử hấp thụ hoặc phát ra. Biểu thức tổng quát tính đến sự tương tác điện tử-phonon. Nó cũng tính đến đặc điểm của Dây lượng tử. Các yếu tố như mật độ điện tử, nhiệt độ và từ trường cũng được đưa vào. Hệ số hấp thụ có thể dương (hấp thụ) hoặc âm (gia tăng). Nó phụ thuộc vào sự chênh lệch năng lượng giữa điện tử và phonon. Trong trường hợp hấp thụ một photon, quá trình tương đối đơn giản. Khi có nhiều photon tham gia, biểu thức phức tạp hơn. Việc này cho phép mô tả chính xác các quá trình khuếch đại. Nghiên cứu này là cơ sở để đánh giá hiệu suất của các thiết bị âm học. Nó giúp xác định điều kiện tối ưu cho sự gia tăng phonon. Nó có ý nghĩa quan trọng trong khoa học vật liệu và công nghệ nano.

4.2. Gia tăng phonon trong cấu trúc dây lượng tử hình trụ

Dây lượng tử hình trụ là một mô hình quan trọng. Nó được sử dụng để nghiên cứu hiện tượng gia tăng phonon âm. Trong cấu hình này, điện tử bị giam cầm trong mặt phẳng vuông góc với trục dây. Chúng tự do di chuyển dọc theo trục. Các biểu thức cho hệ số hấp thụ phonon âm được tính toán. Chúng dành riêng cho hình dạng hình trụ. Các yếu tố như bán kính dây, chiều cao thế giam cầm và sự có mặt của từ trường được xem xét. Nghiên cứu so sánh các trường hợp thế giam cầm khác nhau. Bao gồm thế cao vô hạn và thế parabolic. Sự khác biệt về hình dạng thế ảnh hưởng đến phổ năng lượng điện tử. Từ đó ảnh hưởng đến cường độ gia tăng phonon. Kết quả nghiên cứu cung cấp hiểu biết sâu sắc. Nó về cách tối ưu hóa cấu trúc dây. Nó nhằm đạt được hiệu suất gia tăng phonon mong muốn. Điều này có ứng dụng trong việc chế tạo các bộ khuếch đại âm thanh nhỏ gọn.

4.3. Gia tăng phonon cho cấu hình dây lượng tử hình chữ nhật

Ngoài dây lượng tử hình trụ, cấu hình dây lượng tử hình chữ nhật cũng được nghiên cứu. Điện tử bị giam cầm trong thế giam cầm hình hộp chữ nhật. Điều này tạo ra các mức năng lượng điện tử đặc trưng. Các biểu thức hệ số hấp thụ phonon âm được phát triển. Chúng dành riêng cho cấu hình này. Nghiên cứu xem xét các trường hợp thế cao vô hạn. Nó cũng xem xét sự có mặt của từ trường ngoài. So sánh với dây hình trụ, dây hình chữ nhật có các đặc tính giam cầm khác biệt. Điều này dẫn đến sự khác biệt trong hiệu suất gia tăng phonon. Các kết quả này rất quan trọng. Nó cho việc lựa chọn vật liệu và kiến trúc phù hợp. Điều này nhằm thiết kế các thiết bị dựa trên hiệu ứng gia tăng phonon. Nghiên cứu về các cấu hình khác nhau giúp hiểu rõ hơn. Nó về vai trò của hình học trong việc điều khiển tương tác điện tử-phonon. Nó mở rộng khả năng ứng dụng của các vật liệu này.

Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Luận án tiến sĩ các hiệu ứng động và âm điện tử trong các hệ điện tử thấp chiều luận án ts vật lý62 44 01 01

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (150 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

Möc löc 1 GIÎI THI›U TÊNG QUAN H› TH‡P CHI—U V€ PH×ÌNG PHP NGHI–N CÙU 21 1.1 Sü l÷ñng tû ho¡ do gi£m k½ch th÷îc .2 H m sâng v phê n«ng l÷ñng cõa i»n tû trong c¡c c§u tróc h» th§p chi·u .3 Hi»u ùng ëng trong b¡n d¨n. Ph÷ìng ph¡p Kubo-Mori .1 Hi»u ùng ëng trong b¡n d¨n .2 Cæng thùc Kubo-Mori cho tenxì ë d¨n .4 Hi»u ùng ¥m - i»n tû trong b¡n d¨n. Ph÷ìng tr¼nh ëng l÷ñng tû cho phonon .1 Hi»u ùng ¥m - i»n tû trong b¡n d¨n .2 Ph÷ìng tr¼nh ëng l÷ñng tû cho phonon. 43 2 HI›U ÙNG ËNG: H‡P THÖ SÂNG I›N TØ Y˜U BÐI I›N TÛ GIAM C†M TRONG CC H› TH‡P CHI—U 52 2.1 V· sü h§p thö sâng i»n tø trong c¡c h» b¡n d¨n th§p chi·u 52 2.2 ƒnh h÷ðng hi»u ùng giam c¦m cõa phonon l¶n sü h§p thö sâng i»n tø y¸u bði i»n tû giam c¦m trong Hè l÷ñng tû 55 2.1 Tr÷íng hñp khæng câ m°t tø tr÷íng .2 Tr÷íng hñp câ m°t tø tr÷íng .3 Sü h§p thö sâng i»n tø y¸u bði i»n tû giam c¦m trong d¥y l÷ñng tû.

67 1 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.1 Tr÷íng hñp khæng câ m°t tø tr÷íng .2 Tr÷íng hñp câ m°t tø tr÷íng. 72 3 HI›U ÙNG M-I›N TÛ: CËNG H×ÐNG THAM SÈ GIÚA PHONON M V€ PHONON QUANG TRONG C‡U TRÓC D Y L×ÑNG TÛ 81 3.1 T÷ìng t¡c v bi¸n êi tham sè giúa phonon ¥m v phonon quang .2 Ph÷ìng tr¼nh ëng l÷ñng tû cho phonon ¥m, phonon quang 82 3.3 Cëng h÷ðng tham sè giúa phonon ¥m v phonon quang. 86 4 HI›U ÙNG M - I›N TÛ: GIA T‹NG PHONON TRONG C‡U TRÓC D Y L×ÑNG TÛ 90 4.1 Biºu thùc têng qu¡t cho h» sè h§p thö phonon ¥m trong c§u tróc d¥y l÷ñng tû .1 H» sè h§p thö phonon ¥m trong tr÷íng hñp h§p thö mët photon .2 H» sè h§p thö phonon ¥m trong tr÷íng hñp h§p thö nhi·u photon .2 Gia t«ng phonon ¥m trong c§u tróc d¥y l÷ñng tû h¼nh trö 105 4.1 Gia t«ng phonon ¥m trong d¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ cao væ h¤n .2 Gia t«ng phonon ¥m trong d¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ parabol .3 Gia t«ng phonon ¥m trong d¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ cao væ h¤n °t trong tø tr÷íng .4 Gia t«ng phonon ¥m trong d¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ mët chi·u l parabol mët chi·u l h¼nh vuæng trong tø tr÷íng .3 Gia t«ng phonon cho c§u h¼nh d¥y l÷ñng tû h¼nh chú nhªt vîi hè th¸ cao væ h¤n. 132 DANH MÖC CC CÆNG TRœNH LI–N QUAN ˜N LUŠN N.

137 T€I LI›U THAM KHƒO. 151 2 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Danh s¡ch h¼nh v³ 1.1 Phê n«ng l÷ñng cõa m q ng mäng l÷ñng tû hâa do gi£m k½ch th÷îc; p = p2x + p2y l ëng l÷ñng trong m°t ph¯ng cõa m ng mäng.2 Mæ h¼nh ho¡ vòng n«ng l÷ñng: (a) èi vîi dà ti¸p xóc; (b) èi vîi h ng r o th¸; (c) èi vîi hè l÷ñng tû.3 Mªt ë tr¤ng th¡i trong c¡c h» i»n tû 2, 3 chi·u .4 Mæ h¼nh c§u tróc hè l÷ñng tû. Ll ë d¦y lîp vªt li»u 2 - ë rëng hè l÷ñng tû .5 Mæ h¼nh ho¡ hè th¸ vuæng gâc. ë cao cõa hè coi nh÷ væ h¤n, ë rëng cõa hè l L.1 C¡c ÷íng cong G(ω), G+ (ω), G− (ω) v o phö thuëc cõa 0 n«ng l÷ñng ~ω cõa sâng i»n tø y¸u ùng vîi L = 60A.

Tr÷íng hñp khæng câ tø tr÷íng.2 C¡c ÷íng cong phö thuëc cõa G(ω) v o c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa ë rëng hè l÷ñng tû L. Tr÷íng hñp khæng câ tø tr÷íng.3 ÷íng cong phö thuëc cõa G(ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø tr÷íng.4 ÷íng cong phö thuëc cõa G(ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø tr÷íng.5 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o n«ng l÷ñng sâng i»n tø vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa nhi»t ë.6 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o n«ng l÷ñng cõa sâng i»n tø v nhi»t ë cõa h». 71 3 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.7 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o n«ng l÷ñng cõa sâng i»n tø v 0 0 b¡n k½nh d¥y l÷ñng tû. Tr÷íng hñp n = n = 0; ` = ` = 0.

Câ tø tr÷íng .8 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o n«ng l÷ñng cõa sâng i»n tø 0 0 v nhi»t ë cõa h». Tr÷íng hñp n = n = 0; ` = ` = 0. Câ tø tr÷íng .9 Sü phö thuëc αzz (ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø cõa 0 0 tr÷íng. Tr÷íng hñp n = n = 0; ` = ` = 0.10 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø 0 0 tr÷íng.

Tr÷íng hñp n = 0; n = 1; ` = ` = 0.11 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø 0 0 tr÷íng. Tr÷íng hñp n = 1; n = 0; ` = ` = 0.1 Eth (kV cm−1 ) cõa phonon Sü phö thuëc cõa ng÷ïng gia t«ng ¥m theo vectì sâng ~ q ; R=5nm; Ω = 200T Hz ; T = 30K .2 Sü phö thuëc cõa ng÷ïng gia t«ng Eth (kV cm ) v o nhi»t 8 −1 ë cõa h»; R=8nm; Ω = 250T Hz ; q = 1 × 10 m .1 ÷íng cong phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vectì sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; T = 30K, Ω = 10T Hz ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö.2 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o nhi»t ë v vector sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; Ω = 3.5T Hz ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö.3 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o t¦n sè laser v vectì sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; T = 30K ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö.4 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o t¦n sè laser v vector sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; T=30K; t¦n sè laser lîn: 10T Hz −→ 100T Hz ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö.5 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vector sâng cõa phonon v t¦n sè Laser- tr÷íng hñp h§p thö mët photon; T = 30K ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ h¼nh parabol. 111 4 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.6 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o nhi»t ë v vector sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; Ω = 3.5T Hz ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ parabol.7 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o b¡n k½nh d¥y - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; Ω = 10T Hz; T = 30K ;(a) D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ h¼nh trö (b) D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ parabol.8 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vec tì sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; Ω = 10T Hz; T = 30K ;(a) D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ h¼nh trö (h¼nh 4.1)(b) D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ parabol.9 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vector sâng phonon vîi Ω = 250T Hz, R = 15nm, T = 77K. ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö mët photon ð b¶n tr¡i v ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö nhi·u photon ð b¶n ph£i.

D¥y l÷ñng tû h¼nh trö -câ tø tr÷íng.10 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o t¦n sè Laser; R = 17nm; T = 77K ; ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö mët photon ð b¶n tr¡i v ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö nhi·u photon ð b¶n ph£i. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö -câ tø tr÷íng.11 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vectì sâng phonon; R = 15nm; T = 20K; m∗ = 0, 067m; Ω = 100T Hz ; ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö mët photon ð b¶n tr¡i v ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö nhi·u photon ð b¶n ph£i. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ mët chi·u parabol, mët chi·u h¼nh vuæng- câ tø tr÷íng.12 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vectì sâng phonon v t¦n sè Laser cho tr÷íng hñp h§p thö nhi·u pho- ton. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ mët chi·u l parabol, mët chi·u h¼nh vuæng-câ tø tr÷íng.

121 5 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.13 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o c÷íng ë tr÷íng laser-h§p thö nhi·u photon. Sû döng h» to¤ ë loga(gi¡ trà x tr¶n tröc s³ t÷ìng ùng vîi gi¡ trà 10x trong h» to¤ ë th÷íng. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ mët chi·u l parabol, mët chi·u h¼nh vuæng-câ tø tr÷íng.14 Sü phö thuëc cõa tèc ë bi¸n êi mªt ë phonon ¥m v o vectì sâng phonon vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa nhi»t ë T = 300K, T = 77K v T = 25K. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö chú nhªt hè th¸ cao væ h¤n.15 Sü phö thuëc cõa tèc ë bi¸n êi mªt ë phonon quang v o vectì sâng phonon vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa nhi»t ë T = 300K, T = 77K v T = 4K.

D¥y l÷ñng tû h¼nh chú nhªt hè th¸ cao væ h¤n.16 Sü phö thuëc cõa tèc ë bi¸n êi mªt ë phonon ¥m v o vectì c÷íng ë i»n tr÷íng vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa t¦n sè laser. ÷íng solid, dashed, dotted l¦n l÷ñt t÷ìng ùng vîi Ω = 1, 2, 4 × 1014 Hz .17 Sü phö thuëc cõa tèc ë bi¸n êi mªt ë phonon quang v o c÷íng ë i»n tr÷íng vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa t¦n sè laser. ÷íng solid, dashed, dotted l¦n l÷ñt t÷ìng ùng vîi Ω = 1, 2, 3 × 1013 Hz. 125 6 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Danh s¡ch b£ng 2.1 B£ng c¡c thæng sè cì b£n °c tr÷ng cõa d¥y l÷ñng tû h¼nh trö .1 B£ng c¡c thæng sè cõa d¥y l÷ñng tû h¼nh chú nhªt.

126 7 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Danh s¡ch b£ng 8 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Ch¿ sè 9 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail. L½ do chån · t i Khði ¦u tø nhúng th nh cæng rüc rï cõa vªt li»u b¡n d¨n v o thªp ni¶n 50, 60 cõa th¸ k¿ tr÷îc, còng vîi sü ph¡t triºn m¤nh m³ c¡c cæng ngh» nuæi tinh thº nh÷ epitaxy chòm ph¥n tû (MBE: Molecular Beam Epitaxy)[26, 43, 44] ho°c k¸t tõa hìi kim lo¤i hâa húu cì (MOCVD: Met- alorganic Chemical Vapor Deposition)[69] ng÷íi ta ¢ t¤o ra ÷ñc nhi·u c§u tróc nanæ. Song song vîi sü ph¡t triºn cæng ngh» ch¸ t¤o l sü ph¡t triºn cõa kÿ thuªt o c¡c hi»u ùng vªt lþ ð c§p ë vi mæ.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ điện tử thấp chiều (n.d.) [Luận án tiến sĩ]. LuanAn.net. https://luanan.net/vat-ly/luan-an-ts-hieu-ung-dong-va-am-dien-tu-trong-cac-he-dien-tu-thap-chieu

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ điện tử thấp chiều" nghiên cứu về vấn đề gì?

Luận án tiến sĩ nghiên cứu các hiệu ứng động và âm điện tử trong các hệ điện tử thấp, đề xuất phương pháp mới cải thiện hiệu suất hệ thống.

Luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ điện tử thấp chiều" có bao nhiêu trang?

Luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ điện tử thấp chiều" có 150 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ điện tử thấp chiều" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter