Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano graphene

Luận án nghiên cứu tính chất truyền dẫn điện của cấu trúc nano, ứng dụng trong linh kiện điện tử tiên tiến.

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

168

Thời gian đọc

26 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

50 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
1. Tính chất truyền dẫn điện của cấu trúc nano graphene
Số trang:
168 trang
Trường:
Học viện Khoa học và Công nghệ
Chuyên ngành:
Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Năm:

Tóm tắt nội dung luận án

I. Tính chất truyền dẫn điện của cấu trúc nano graphene

Vật liệu 2D graphene sở hữu cấu trúc mạng tổ ong đặc biệt. Các nguyên tử carbon liên kết lai hóa sp2 tạo nên độ bền cơ học cao. Điện tử trong graphene chuyển động tương tự hạt Dirac không khối lượng. Vận tốc Fermi đạt xấp xỉ 10^6 m/s. Hệ số tán sắc tuyến tính gần điểm Dirac tạo ra nhiều hiện tượng điện tử độc đáo. Nghiên cứu cấu trúc nano này mở ra bước đột phá cho ngành điện tử học lượng tử. Tính chất truyền dẫn điện trong vật liệu phụ thuộc mạnh vào cấu trúc hình học và thế tĩnh điện ngoài. Hiện tượng chui ngầm Klein cho phép hạt tải vượt qua rào thế cao với xác suất bằng một khi tới trực diện. Hiệu ứng Hall lượng tử dị thường xuất hiện ngay ở nhiệt độ phòng. Các đặc trưng này đưa vật liệu trở thành ứng viên hàng đầu thay thế silicon truyền thống trong công nghệ vi mạch nano.

1.1. Cấu trúc mạng tinh thể và dải năng lượng Dirac

Mạng tinh thể graphene gồm hai mạng con lục giác lồng vào nhau. Các quỹ đạo liên kết sigma tạo khung phẳng vững chắc. Quỹ đạo pz vuông góc mặt phẳng tạo liên kết pi linh động. Vùng hóa trị và vùng dẫn tiếp xúc tại sáu điểm Dirac ở biên vùng Brillouin. Mối quan hệ tán sắc tuyến tính làm hạt tải có khối lượng hiệu dụng bằng không. Đặc tính này khác biệt hoàn toàn so với dây nano bán dẫn thông thường. Độ dẫn điện lượng tử duy trì ở mức tối thiểu ngay cả khi mật độ hạt tải bằng không. Tốc độ dịch chuyển điện tử cực cao giúp giảm thiểu tiêu hao năng lượng. Nghiên cứu dải năng lượng cung cấp nền tảng vật lý quan trọng để giải thích các cơ chế truyền dẫn lượng tử phức tạp.

1.2. Hiện tượng chui ngầm Klein và hiệu ứng Hall dị thường

Hiện tượng chui ngầm Klein là nét đặc trưng nổi bật của hạt Dirac. Điện tử xuyên qua rào thế tĩnh điện mà không bị phản xạ khi góc tới bằng 0. Khái niệm chirality ngăn chặn sự tán xạ ngược của hạt tải. Hiệu ứng Hall lượng tử dị thường trong vật liệu 2D graphene thể hiện qua các bậc lượng tử hóa nửa nguyên. Hiện tượng này duy trì ổn định ngay cả trong điều kiện nhiệt độ cao và từ trường vừa phải. Khả năng giam cầm hạt tải trở thành thách thức lớn do tính chất chui ngầm hoàn hảo. Các nhà khoa học phải kết hợp rào thế tĩnh điện và từ trường ngoài để kiểm soát dòng điện. Những khám phá này thúc đẩy việc phát triển cấu trúc nano graphene trong xử lý thông tin lượng tử.

II. Các phương pháp mô phỏng tính chất truyền dẫn điện

Nghiên cứu cơ chế vận chuyển hạt tải đòi hỏi các mô hình lý thuyết chuẩn xác. Phương pháp ma trận truyền qua đóng vai trò cốt lõi trong giải phương trình Dirac. Mô hình tính toán dòng điện, độ dẫn vi phân và tiếng ồn xung lượng (shot noise) giúp đánh giá độ ổn định của linh kiện nano. Hệ số Fano cung cấp thông tin trực tiếp về tương tác lượng tử giữa các hạt tải. Bên cạnh đó, công thức Landauer-Büttiker liên kết độ dẫn điện lượng tử với xác suất truyền qua tổng cộng của các kênh dẫn. Việc kết hợp lý thuyết phiếm hàm mật độ DFT và hàm Green không cân bằng NEGF tạo nên công cụ mô phỏng vi mô toàn diện. Các phương pháp này hỗ trợ giải bài toán tán xạ với độ chính xác cao.

2.1. Phương pháp ma trận truyền qua và ma trận T

Phương pháp ma trận truyền qua chia hệ thống rào thế phức tạp thành nhiều lớp mỏng đồng nhất. Hàm sóng hạt tải được giải chính xác trên từng phân đoạn. Ma trận ghép nối liên tục hàm sóng tại các ranh giới thế. Từ đó, xác suất truyền qua và hệ số phản xạ được xác định một cách trực tiếp. Đối với hệ có tính đối xứng trục, phương pháp ma trận T chuyển bài toán sang tọa độ cực. Kỹ thuật này phân tích hàm sóng thành các sóng cầu riêng biệt. Ma trận T biểu diễn mối liên hệ giữa sóng tới và sóng tán xạ. Cách tiếp cận này giúp tính toán chính xác tiết diện tán xạ và mật độ trạng thái địa phương trong các linh kiện cấu trúc nano.

2.2. Tính toán dòng điện độ dẫn và hệ số Fano

Dòng điện qua linh kiện được xác định thông qua công thức Landauer-Büttiker. Công thức tích phân xác suất truyền qua trên toàn bộ dải năng lượng Fermi. Tiếng ồn xung lượng phát sinh từ tính gián đoạn của điện tích hạt tải. Tỷ số giữa tiếng ồn đo được và tiếng ồn Poisson gọi là hệ số Fano. Đại lượng này phản ánh mức độ tương quan lượng tử trong kênh dẫn. Giá trị hệ số Fano đạt mức 1/3 tại điểm Dirac trong graphene khuếch tán. Sự suy giảm hệ số Fano thể hiện tính chất truyền dẫn đạn đạo không tán xạ. Cùng với hàm Green không cân bằng NEGF, các công cụ này hỗ trợ phân tích sâu sắc động học hạt tải trong vật liệu nano mới.

III. Truyền dẫn qua chuyển tiếp n p n cấu trúc graphene

Chuyển tiếp lưỡng cực n-p-n tạo nên khối cấu trúc cơ bản cho transistor graphene. Rào thế tĩnh điện dạng Gauss mô tả chân thực sự thay đổi thế năng thực tế do điện cực cổng tạo ra. Quá trình truyền dẫn lượng tử qua rào thế chịu ảnh hưởng đồng thời từ hiện tượng chui ngầm Klein và hiệu ứng giao thoa sóng lượng tử. Các đỉnh cộng hưởng xuất hiện rõ nét trên phổ độ dẫn vi phân. Độ rộng và độ cao của rào thế điều khiển pha của hàm sóng electron. Sự thay đổi thế cổng làm chuyển dịch vị trí các cực đại truyền qua. Nghiên cứu dòng điện và shot noise giúp làm sáng tỏ cơ chế truyền dẫn qua các ranh giới p-n trơn.

3.1. Mô hình chuyển tiếp n p n với rào thế Gauss

Mô hình rào thế Gauss khắc phục các nhược điểm phi thực tế của rào thế bậc thang vuông góc. Thế năng biến thiên mượt mà dọc theo phương truyền của hạt tải. Điện áp đặt lên cổng cục bộ điều biến trực tiếp biên độ và độ dốc rào thế. Phương trình Dirac hai chiều được giải bằng phương pháp chia nhỏ lát cắt không gian. Xác suất truyền qua phụ thuộc mạnh vào năng lượng hạt tới và góc tới của chùm điện tử. Khi góc tới lệch khỏi phương vuông góc, xác suất truyền qua giảm nhanh chóng. Mô hình này phù hợp với các quan sát thực nghiệm trên ống nano carbon và các tiếp xúc nano 2D hiện đại.

3.2. Hiệu ứng giao thoa và đặc trưng dòng điện

Giao thoa sóng electron trong vùng rào thế dẫn đến các dao động cộng hưởng Fabry-Pérot rõ rệt. Đường đặc trưng dòng điện - điện áp thể hiện vùng điện trở vi phân âm. Hiện tượng này mở ra tiềm năng chế tạo bộ dao động tần số cao và khóa chuyển mạch siêu nhanh. Phổ tiếng ồn shot noise dao động tuần hoàn tương ứng với các mức truyền dẫn cộng hưởng. Tác động của nhiệt độ làm suy giảm biên độ dao động do tán xạ nhiệt. Tuy nhiên, hiệu ứng giao thoa vẫn tồn tại bền vững ở dải nhiệt độ thấp. Việc tối ưu hóa hình dạng rào thế giúp nâng cao tỷ số dòng on/off trong các linh kiện chuyển tiếp nano.

IV. Hiệu ứng vi mô tại chấm lượng tử graphene hình tròn

Chấm lượng tử graphene hình tròn tạo bởi thế tĩnh điện xuyên tâm thu hút sự chú ý lớn. Do tính chất chui ngầm Klein, hạt tải không bị giam cầm hoàn toàn mà tồn tại ở các trạng thái giả liên kết. Thời gian sống của hạt tải trong chấm lượng tử phụ thuộc vào năng lượng và mômen góc. Phương pháp ma trận T cho phép phân tích chi tiết quá trình tán xạ điện tử. Phổ mật độ trạng thái địa phương LDOS thể hiện các đỉnh cộng hưởng đặc trưng. Dữ liệu tính toán lý thuyết tương thích chặt chẽ với ảnh chụp từ kính hiển vi quét chui ngầm STM. Nghiên cứu cung cấp giải pháp giam giữ điện tử phục vụ công nghệ tính toán lượng tử.

4.1. Trạng thái giả liên kết và thời gian giam cầm

Trạng thái giả liên kết hình thành khi sóng electron bị bẫy tạm thời bên trong giếng thế tròn. Hạt tải dao động nhiều chu kỳ trước khi rò rỉ ra ngoài qua cơ chế chui ngầm lượng tử. Năng lượng của trạng thái giả liên kết có phần thực xác định vị trí mức năng lượng và phần ảo quy định thời gian sống. Thế tĩnh điện có biên dạng dốc làm tăng đáng kể thời gian giam cầm hạt tải. Bằng cách áp dụng thế xuyên tâm hình thang hoặc thế Lorentz, cấu trúc mức năng lượng có thể được tinh chỉnh linh hoạt. Việc kiểm soát thời gian sống của trạng thái giả liên kết là chìa khóa để duy trì sự kết hợp pha trong bit lượng tử (qubit).

4.2. Mật độ trạng thái địa phương và ảnh hưởng của từ trường

Mật độ trạng thái địa phương LDOS phản ánh phân bố không gian của hàm sóng điện tử. Các vòng đồng tâm xuất hiện trên bản đồ LDOS đại diện cho các mode sóng lượng tử chuẩn hóa. Khi đặt hệ vào từ trường ngoài vuông góc, lực Lorentz bẻ cong quỹ đạo chuyển động của hạt tải. Từ trường phá vỡ tính đối xứng không gian và nén hàm sóng vào trung tâm chấm lượng tử. Mức Landau hình thành rõ rệt làm biến đổi toàn bộ phổ tán xạ và tiết diện tán xạ. Hiệu ứng này nâng cao khả năng cô lập hạt tải trong vật liệu 2D graphene, mở đường cho các linh kiện quang điện tử chính xác cao.

V. Ứng dụng truyền dẫn lượng tử trong cấu trúc nano mới

Sự kết hợp giữa vật liệu 2D graphene, ống nano carbon và dây nano bán dẫn tạo nên bước tiến vượt bậc cho ngành công nghệ nano. Việc giải mã các tính chất truyền dẫn điện giúp định hình hướng thiết kế chip bán dẫn tương lai. Các cấu trúc lai nano khai thác tối đa độ dẫn điện lượng tử và tính linh động của hạt tải Dirac. Phương pháp tính toán dựa trên lý thuyết phiếm hàm mật độ DFT và hàm Green không cân bằng NEGF tiếp tục giữ vai trò định hướng thực nghiệm. Nghiên cứu mở rộng sang các hệ chấm lượng tử nhân tạo hứa hẹn tạo ra linh kiện điện tử spintronics và cảm biến sinh học siêu nhạy.

5.1. Tích hợp cấu trúc nano và linh kiện bán dẫn thế hệ mới

Cấu trúc nano graphene kết nối hiệu quả với các dây nano bán dẫn truyền thống. Liên kết này khắc phục nhược điểm tỏa nhiệt và giới hạn kích thước của công nghệ CMOS. Độ dẫn điện lượng tử cao cho phép tín hiệu truyền đi với tốc độ photon mà không bị suy hao đáng kể. Độ nhạy pha của hàm sóng lượng tử hỗ trợ phát triển các cảm biến hóa học phân tử đơn lẻ. Ống nano carbon và graphene tạo thành mạng lưới dẫn truyền lý tưởng trong mạch tích hợp 3D. Các nghiên cứu truyền dẫn lượng tử đặt nền móng kỹ thuật vững chắc để hiện thực hóa các mạch logic nano siêu nhỏ gọn.

5.2. Tiềm năng trong điện tử spintronics và máy tính lượng tử

Tính chất tương tác spin-quỹ đạo yếu trong graphene giúp bảo toàn trạng thái spin trên khoảng cách dài. Điều này biến vật liệu thành môi trường lý tưởng cho công nghệ điện tử spintronics. Các chấm lượng tử graphene đóng vai trò như các bẫy lượng tử ổn định để lưu trữ qubit. Việc ghép nối ma trận truyền qua và công thức Landauer-Büttiker cho phép kiểm soát luồng phân cực spin một cách chủ động. Các cổng logic lượng tử hoạt động dựa trên pha lượng tử và hiệu ứng chui ngầm Klein. Đây là cơ sở then chốt để xây dựng phần cứng máy tính lượng tử thế hệ mới hoạt động ổn định ở nhiệt độ phòng.

Mục lục chi tiết luận án

Lời cảm ơn
Lời cam đoan
Danh mục các ký hiệu, các chữ viết tắt
Danh mục các hình vẽ
MỞ ĐẦU
1. Chương 1: Các tính chất điện tử của graphene
1.1. Cấu trúc tinh thể và cấu trúc vùng của graphene
1.3. Hiện tượng chui ngầm Klein
1.4. Hiệu ứng Hall lượng tử dị thường
1.5. Chuyển tiếp lưỡng cực graphene
1.6. Chấm lượng tử graphene
1.7. Giam cầm hạt tải trong graphene sử dụng từ trường
2. Chương 2: Các phương pháp tính toán
2.1. Phương pháp ma trận truyền qua
2.2. Phương pháp tính dòng, độ dẫn, shot noise và hệ số Fano
3. Chương 3: Chuyển tiếp n-p-n graphene với rào thế dạng Gauss
3.1. Mô hình chuyển tiếp n-p-n
3.2. Hiệu ứng chui ngầm Klein và hiệu ứng giao thoa
3.4. Dòng và shot noise
4. Chương 4: Chấm lượng tử graphene hình tròn tạo bởi thế tĩnh điện
4.1. Phương pháp T-ma trận cho chấm lượng tử graphene hình tròn
4.1.1. Ma trận W cho trường hợp E = U¯ ± ν∆
4.1.2. Các trạng thái liên kết
4.1.3. Các trạng thái giả liên kết
4.1.5. Tiết diện tán xạ
4.2. Chấm lượng tử graphene hình tròn với thế xuyên tâm hình thang
4.3. Chấm lượng tử graphene hình tròn với thế xuyên tâm bất kỳ
4.3.1. Phương pháp tính LDOS từ các hàm sóng chuẩn hóa
4.3.2. So sánh với thực nghiệm
4.3.3. Thời gian giam cầm hạt tải
4.3.4. Chấm lượng tử graphene hình tròn với thế Lorentz
4.4. Chấm lượng tử graphene hình tròn trong từ trường
4.4.1. Dạng của hàm sóng
4.4.2. Biểu thức T-ma trận
Kết luận chung
Danh mục các công trình của tác giả
Tài liệu tham khảo
Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc nano graphene

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (168 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ----------------------------- NGUYỄN THỊ THUỲ NHUNG CÁC TÍNH CHẤT TRUYỀN DẪN ĐIỆN CỦA MỘT SỐ CẤU TRÚC NANO GRAPHENE LUẬN ÁN TIẾN SỸ VẬT LÝ HÀ NỘI – 2020 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ----------------------------- NGUYỄN THỊ THUỲ NHUNG CÁC TÍNH CHẤT TRUYỀN DẪN ĐIỆN CỦA MỘT SỐ CẤU TRÚC NANO GRAPHENE LUẬN ÁN TIẾN SỸ VẬT LÝ Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 9 44 01 03 Người hướng dẫn khoa học: GS. NGUYỄN VĂN LIỄN Hà Nội – L I CẢM ƠN Bat đau tà năm lớp sáu, bo me tôi đã gải tôi lên Hà N®i đe hoc, đe thực hi n ước mơ khám phá của tôi. Nhǎng lời đau tiên, tôi xin cảm ơn bo me, nhǎng người đã luôn ở bên tôi, khi tôi hạnh phúc cũng như khi tôi that bại. Sau bon năm làm nghiên cáu sinh, bản thân tôi thay mình đã trưởng thành hơn nhieu.

Tôi quả thực đã rat may man khi được hoc t p và nghiên cáu dưới sự hướng dan t n tâm của GS. Thay đã truyen thụ cho tôi không chỉ có tình yêu với v t lý, các kien thác v t lý mà còn có các bài hoc ve cu®c song, ve gia đình. Tôi biet hơn thay sâu sac. Cảm ơn chong, người đã t ng tôi nhǎng đieu kỳ di u nhat của cu®c song.

Cảm ơn các thay, các anh chị trong Vi n v t lý đã luôn giúp đơ, đ®ng viên, ủng h® tôi bat cá khi nào tôi can. Tôi đã được song trong m®t môi trường làm vi c văn minh, được các thay và các anh chị trong Vi n v t lý yêu thương như con em trong gia đình. Cuoi cùng, tôi xin chân thành cảm ơn bạn của tôi, Nguyen Hải Châu. Bạn đã cùng tôi tìm ra nhǎng phương pháp tính toán, gơ nhǎng điem roi của nhǎng phép tính giải tích, kiem tra các ket quả.

Neu không có sự đong hành của bạn, có the lu n án này sě không được hoàn thành. Hà N®i, ngày 25 tháng 7 năm 2018 i ii L I CAM ĐOAN Tôi khȁng định rang các ket quả nghiên cáu trong lu n án trong lu n án “Các tính chat truyen dan đi n của m®t so cau trúc nano graphene” là công trình nghiên cáu của riêng tôi. Các so li u và ket quả tính so là trung thực, chưa được công bo ở m®t lu n án tien sy nào trước đó. Các tài li u tham khảo được trích dan đay đủ.

Tác giả lu n án Nguyen Thị Thuỳ Nhung iii iv Danh mnc các kí hi u, các chfi viet tat DOS M t đ® trạng thái (Density of States) LDOS M t đ® trạng thái địa phương (Local Density of States) TLDOS M t đ® trạng thái địa phương tőng c®ng (Total Local Density of States) GBJ Chuyen tiep lương cực graphene (Graphene Bipolar Junction) QD Cham lượng tả (Quantum Dot) GQD Cham lượng tả graphene (Graphene Quantum Dot) CGQD Cham lượng tả graphene dạng tròn (Circular Graphene Quantum Dot) QBS Trạng thái giả liên ket (Quasi-Bound State) STM Hien vi quét chui ngam (Scanning Tunneling Microscope) v vi Mnc lnc Mnc lnc viii Danh mnc các hình vẽ xiv M đau 1 1 Các tính chat đi n tfi của graphene 7 1.1 Cau trúc tinh the và cau trúc vùng của graphene .3 Hi n tượng chui ngam Klein .4 Hi u áng Hall lượng tả dị thường .5 Chuyen tiep lương cực graphene .6 Cham lượng tả graphene .7 Giam cam hạt tải trong graphene sả dụng tà trường. 27 2 Các phương pháp tính toán 31 2.1 Phương pháp ma tr n truyen qua .2 Phương pháp tính dòng, đ® dan, shot noise và h so Fano. 35 3 Chuyen tiep n-p-n graphene v i rào the dạng Gauss 41 3.1 Mô hình chuyen tiep n-p-n .2 Hi u áng chui ngam Klein và hi u áng giao thoa .4 Dòng và shot noise .58 4 Cham lư ng tfi graphene hình tròn tạo b i the tĩnh đi n 59 4.1 Phương pháp T -ma tr n cho cham lượng tả graphene hình tròn 60 4.1 Ma tr n W cho trường hợp E = U¯ ± ν∆ .2 Các trạng thái liên ket.3 Các trạng thái giả liên ket.5 Tiet di n tán xạ .2 Cham lượng tả graphene hình tròn với the xuyên tâm hình thang .3 Cham lượng tả graphene hình tròn với the xuyên tâm bat kỳ 79 4.1 Phương pháp tính LDOS tà các hàm sóng chuȁn hóa .2 So sánh với thực nghi m .3 Thời gian giam cam hạt tải.4 Cham lượng tả graphene hình tròn với the Lorentz.4 Cham lượng tả graphene hình tròn trong tà trường.1 Dạng của hàm sóng.2 Bieu thác T -ma tr n.100 Ket lu n chung 103 Danh mnc các công trình của tác giả 107 Tài li u tham khảo 109 vii Danh mnc các hình vẽ 1 Các cau hình của v t li u carbon bao gom graphene (a), graphite (b), ong nano carbon (c) và fullerene C60(d) [1].1 Cau trúc mạng tő ong 2 chieu của graphene. Mạng tő ong có the coi là gom 2 mạng lục giác (xanh và đỏ) long vào nhau.2 Các quy đạo của nguyên tả carbon trong graphene [1].

Các quy đạo lai hóa sp2 nam trong m t phȁng tạo nên các liên ket σ. Các quy đạo pz vuông góc với m t phȁng tạo nên liên ket π.3 (a) Cau trúc ô cơ sở của mạng Bravais trong graphene. (b) Các vector ô cơ sở của mạng đảo và vùng Brillouin thá nhat trong mạng đảo.4 (a) Cau trúc vùng năng lượng của graphene doc theo quy đạo √ Γ → K → M → K ′ với ky = kx/ 3.5 H thác tán sac tuyen tính của graphene cho 2 thành phan spinor tại lân c n điem Dirac.6 Xác suat chui ngam của hạt tải qua bờ the vuông có đ® r®ng 100 nm phụ thu®c vào góc tới φ cho graphene đơn lớp. Đ® cao rào the V0 là 200 meV (đường đỏ) và 285 meV (đường xanh) [2].7 Sự phụ thu®c vào tà trường của đi n trở ngang VH và đi n trở doc Vx của lớp GaAs pha tạp tại T = 1.8 Hi u áng Hall lượng tả tìm thay trong (a) H bán dan, (b) Graphene đơn lớp [4], (c) Graphene hai lớp [4] và (d) Graphene đơn lớp ở nhi t đ® T = 4 K, tà trường B = 14 T [5].9 M t đ® trạng thái mác Laudau và đ® dan Hall lượng tả tương áng theo năng lượng [6].

(b) Mô hình chuyen tiep n-p-n graphene.11 Mô hình cham lượng tả graphene hình tròn với ho the tĩnh đi n (trái) và phő năng lượng của cham lượng tả graphene phụ thu®c vào tà trường (phải) [8]. Các đường nét đát the hi n các mác Landau của graphene trong tà trường.1 The bước tại x = 0 với V = 0 ở phía bên trái và V = V0 ở bên phải. Sóng tới ở bên trái cho sóng phản xạ ra bên trái và sóng truyen qua sang bên phải.2 Rào the với sóng tới tà phía bên trái, sóng phản xạ đi ra bên trái và sóng truyen qua đi sang phải.3 Các sóng tới và sóng phản xạ trong 3 vùng ngăn cách bởi 2 rào the.4 Rào the được và bien Fermi các electron (các vùng phȁng tô đ m ngay ở phía ngoài rào the) trong trường hợp lý tưởng khi the V m®t chieu đ t vào là nhỏ [9]. (d) M®t vài dạng chi tiet của the trong phương trình (3.3): L = 20 nm, Vb = 40 V và Vt (tà trên xuong) = −4, −3, −2 và −0.2 Bieu đo T (θ) cho GBJ trong mô hình the dạng chǎ nh t (các đường xanh nét đát) và mô hình the dạng Gauss (đường đỏ nét lien): giá trị ngoài cùng của hình bán nguy t tương áng với T = 1 và ở tâm T = 0 với lưới chia 0.2; các góc giǎa −π/2 và π/2 được chỉ ra và khoảng cách góc là π/6.

Đe thay vai trò của các tham so, các hình T (θ) được vě cho các tham so khác nhau của [L (nm), E (meV), Vb (V), Vt (V)]: (a) [25, 0, 60, −12]; (b) [25, 50, 60, −12]; (c) [50, 50, 60, −12]; (d) [25, 0, 40, −6]; (e) [25, 50, 40, −6]; và (f) [50, 0, 40, −6]. Chú ý là: Do giới hạn thang đo của các hình vě, m®t so đỉnh c®ng hưởng trong các đường lien nét có the không nhìn thay phan nào đó. Thực te, các đường đó đạt tới T = 1.3 Xác suat truyen qua T cho cùng loại GBJs như đã thảo lu n trên Hình 3.2 theo năng lượng tới E tại các góc θ khác nhau; đường xanh nét đát tương áng với T (E) trong mô hình the dạng chǎ nh t; đường đỏ nét lien là trong mô hình the dạng Gauss. Lưu ý là, với cùng lý do ve giới hạn thang hình như trong Hình 3.2, m®t vài đỉnh c®ng hưởng mỏng trong hình có m®t phan không nhìn thay, thực te, các đỉnh này phải bang 1.4 Xác suat truyen qua cho hai loại GBJs [Vb, Vt] = [60, −12] V (a) và [Vb, Vt] = [40, −6] V (b) theo L.

Trong cả hai ô, E = 0 và θ = π/18; đường xanh nét đát T (L) trong mô hình the dạng chǎ nh t; các đường đỏ nét lien là trong mô hình the dạng Gauss.19 V tương áng với Vb = 40, 60 và 80 V). The đ t vào Vsd tác dụng đoi xáng lên source và drain.1 Phő của các trạng thái liên ket được tính tà phương trình (4.21) và các QBS tà phương trình (4.22) cho GQD tạo bởi the xuyên tâm hình thang có U0 = 15 và α = 0. Các đường chỉ vị trí mác, được vě theo bán kính hi u dụng L của cham lượng tả, trong khi đ® dày của các đường chỉ ra đ® r®ng mác tương áng. Dǎ li u được trình bày với ν = +1, j = 3 và ∆ = 2.2 Phő QBS (a) và LDOS (b) của GQD tạo bởi the xuyên tâm hình thang có L = 1 và U0 = 20 được bieu dien cho ν = +, j = 3 và các giá trị α khác nhau.

Trong hình (a): 5 đường 2 tương áng với 5 mác của QBS, moi đường mô tả năng lượng của QBS (Im(E) và Re(E)) thay đői như the nào khi α bien thiên đeu tà 0. Trong hình (b): LDOS (đơn vị bat kỳ) được chỉ ra cho ba phő có α xác định trong hình.3 Tiet di n tán xạ vi phân năng lượng thap được vě theo góc tán xạ φ cho the xuyên tâm hình thang U0 = 15, L = 1, và α = 0 trong ba trường hợp ∆: 0 (đường gạch cham), 0. Dǎ li u được đưa ra với E = 2 và ν = +1.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Nguyễn Thị Thuỳ Nhung (2020). Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc na [Luận án tiến sĩ, Học viện Khoa học và Công nghệ]. LuanAn.net. https://luanan.net/ky-thuat-dien-dien-tu/ky-thuat-vien-thong/luan-an-cac-tinh-chat-truyen-dan-dien-cua-mot-so-cau-truc-nano-graphene

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc na" nghiên cứu về vấn đề gì?

Luận án nghiên cứu tính chất truyền dẫn điện của cấu trúc nano, ứng dụng trong linh kiện điện tử tiên tiến.

Luận án "Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc na" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Học viện Khoa học và Công nghệ. Năm bảo vệ: 2020.

Luận án "Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc na" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc na" thuộc chuyên ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán. Danh mục: Kỹ Thuật Viễn Thông.

Luận án "Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc na" có bao nhiêu trang?

Luận án "Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc na" có 168 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Luận án các tính chất truyền dẫn điện của một số cấu trúc na" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter