Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động của bộ vi chấp hành mũ
Luận án: Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động của bộ vi chấp hành mũi dò quét định hướng ứng dụng khắc các cấu trúc nano. Xem tóm tắt và tả
Luan An
Luận án tiến sĩ
Năm xuất bản
Số trang
133
Thời gian đọc
20 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- 1. Luận án Tiến sĩ: Thiết kế Vi Chấp Hành cho Nano
- Số trang:
- 133 trang
- Trường:
- Đại học Bách khoa Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Khoa học Vật liệu
- Tác giả:
- Đặng Văn Hiếu
- Năm:
- 2021
Tóm tắt nội dung luận án
I. Luận án Tiến sĩ Thiết kế Vi Chấp Hành cho Nano
Luận án tiến sĩ này tập trung vào nghiên cứu khoa học chuyên sâu. Mục tiêu là thiết kế và mô phỏng hoạt động của bộ vi chấp hành. Bộ vi chấp hành mũi dò quét định hướng là trọng tâm. Ứng dụng chính là khắc các cấu trúc nano. Công nghệ khắc đầu dò quét (PSL) đang phát triển nhanh chóng. Nó có tiềm năng lớn trong chế tạo cấu trúc nano. Bộ vi chấp hành đóng vai trò quan trọng trong việc điều khiển chính xác mũi dò. Nghiên cứu giải quyết thách thức về độ chính xác và hiệu suất. Phương pháp nghiên cứu bao gồm tổng quan lý thuyết, thiết kế mô hình, mô phỏng hệ thống và chế tạo thực nghiệm. Phân tích dữ liệu từ mô phỏng và thực nghiệm cung cấp cái nhìn sâu sắc. Kết quả góp phần vào lĩnh vực khoa học vật liệu, đặc biệt là vi cơ điện tử (MEMS). Việc phát triển bộ vi chấp hành hiệu quả mở ra nhiều ứng dụng mới. Các ứng dụng này bao gồm công nghệ bán dẫn, cảm biến và thiết bị y sinh.
1.1. Giới thiệu về Kỹ thuật Khắc Đầu Dò Quét
Kỹ thuật khắc đầu dò quét (PSL) là một công nghệ then chốt. Nó cho phép tạo ra các cấu trúc nano với độ chính xác cao. Kỹ thuật này sử dụng mũi dò quét để tương tác với vật liệu. Sự tương tác này diễn ra ở cấp độ nanomet. Các phương pháp chấp hành khác nhau được ứng dụng để điều khiển mũi dò. Phương pháp nhiệt, áp điện và tĩnh điện là những lựa chọn phổ biến. Mỗi phương pháp có ưu và nhược điểm riêng. Việc lựa chọn phương pháp chấp hành phù hợp rất quan trọng. Nó ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất và độ tin cậy của quá trình khắc. Hiệu suất khắc đầu dò quét phụ thuộc vào nhiều yếu tố. Bao gồm độ chính xác của bộ chấp hành và công nghệ chế tạo.
1.2. Mục tiêu Nghiên cứu và Phạm vi Luận án
Luận án này đặt ra mục tiêu rõ ràng. Đó là nghiên cứu thiết kế các bộ vi chấp hành định hướng tiên tiến. Bộ vi chấp hành phải có khả năng điều khiển mũi dò quét. Việc mô phỏng hoạt động là cần thiết để đánh giá thiết kế. Phạm vi nghiên cứu bao gồm từ cơ sở lý thuyết đến mô phỏng hệ thống chi tiết. Sau đó là chế tạo thực nghiệm các thành phần chính. Luận án tiến sĩ này tập trung vào tối ưu hóa hiệu suất và độ ổn định. Đặc biệt chú trọng đến việc đạt được độ dịch chuyển và tần số hoạt động mong muốn. Các kết quả nghiên cứu đóng góp vào việc phát triển thế hệ công nghệ khắc nano tiếp theo. Nó cũng cung cấp nền tảng cho các nghiên cứu khoa học sâu hơn.
II. Cơ sở Lý Thuyết Mô Phỏng Hệ Thống Vi Chấp Hành
Phần này trình bày cơ sở lý thuyết toàn diện. Nó là nền tảng cho việc thiết kế mô hình và mô phỏng hệ thống. Các tính toán lý thuyết bao gồm độ cứng của lò xo và tần số riêng. Điện áp tới hạn (Vpull-in) của cấu trúc cũng được xác định. Việc tính toán độ dịch chuyển của cấu trúc là yếu tố quan trọng. Điện dung của cấu trúc và hệ số phẩm chất cũng được xem xét kỹ lưỡng. Đây là những tham số thiết yếu để đánh giá hiệu suất của bộ vi chấp hành. Sự hiểu biết sâu sắc về các nguyên lý vật lý là cần thiết. Nó giúp đảm bảo thiết kế hoạt động hiệu quả. Phương pháp phần tử hữu hạn (FEM) được sử dụng rộng rãi. Nó là công cụ mạnh mẽ để mô phỏng và phân tích. Phần mềm phân tích phần tử hữu hạn (FEA) cung cấp môi trường để kiểm chứng các giả định lý thuyết. Kết quả mô phỏng giúp tối ưu hóa thiết kế trước khi chế tạo thực tế.
2.1. Tính toán Lý thuyết các Tham số Cơ bản
Các tham số cơ bản của bộ vi chấp hành được tính toán chi tiết. Độ cứng của lò xo treo là yếu tố quyết định độ dịch chuyển. Tần số riêng của cấu trúc xác định dải tần hoạt động. Điện áp tới hạn (Vpull-in) là giới hạn hoạt động ổn định. Độ dịch chuyển của cấu trúc vi chấp hành được dự đoán. Nó phụ thuộc vào điện áp điều khiển và thiết kế cơ khí. Điện dung của cấu trúc ảnh hưởng đến đặc tính điện. Hệ số phẩm chất đánh giá mức độ suy hao năng lượng. Những tính toán này cung cấp một cái nhìn định lượng. Nó giúp xác định các thông số thiết kế tối ưu.
2.2. Phương pháp Mô phỏng Hệ thống Phần tử Hữu hạn
Phương pháp phần tử hữu hạn (FEM) là công cụ chính. Nó dùng để mô phỏng hoạt động của bộ vi chấp hành. FEM chia cấu trúc phức tạp thành các phần tử nhỏ hơn. Điều này cho phép phân tích hành vi vật lý của hệ thống. Phần mềm phân tích phần tử hữu hạn (FEA) được sử dụng để thực hiện các mô phỏng. Nó bao gồm phân tích cơ học, điện và tương tác cơ điện. Kết quả mô phỏng cung cấp dữ liệu về độ dịch chuyển, ứng suất, tần số. Nó cũng cho thấy phân bố điện trường và các đặc tính khác. Việc mô phỏng hệ thống giúp kiểm tra các ý tưởng thiết kế. Nó cũng dự đoán hiệu suất trong các điều kiện khác nhau. Từ đó, thiết kế mô hình được tinh chỉnh để đạt hiệu quả cao nhất.
III. Thiết Kế Mô Hình Bộ Chấp Hành Trục Z XYZ Toàn Diện
Chương này đi sâu vào thiết kế mô hình các bộ chấp hành. Các bộ chấp hành trục Z được nghiên cứu trước tiên. Bao gồm cấu trúc vi treo dầm thẳng truyền thống và cải tiến. Cấu trúc vi treo lò xo gấp khúc dạng truyền thống và dạng cải tiến cũng được xem xét. Mục tiêu là đạt được độ dịch chuyển lớn và tần số hoạt động phù hợp. Các cấu trúc dầm kết cặp cơ được giới thiệu. Cấu trúc vi treo kết cặp cơ sử dụng hai khung kết cặp giúp tăng hiệu suất. Sau đó, luận án mở rộng sang thiết kế bộ vi dịch chuyển ba chiều (XYZ). Đây là một hệ thống phức tạp hơn. Nó yêu cầu sự phối hợp của nhiều bộ chấp hành. Thiết kế mô hình được thực hiện dựa trên cơ sở lý thuyết. Sau đó được kiểm chứng thông qua mô phỏng hệ thống. Phân tích dữ liệu từ mô phỏng giúp đánh giá khả năng hoạt động. Nó cũng xác định giới hạn của từng thiết kế.
3.1. Thiết kế Bộ Chấp Hành Trục Z Tối Ưu
Thiết kế bộ chấp hành trục Z được tập trung nghiên cứu. Các cấu trúc vi treo dầm thẳng và lò xo gấp khúc được đánh giá. Cả phiên bản truyền thống và cải tiến đều được xem xét. Mục tiêu là đạt được độ dịch chuyển lớn trong phương Z. Đồng thời duy trì tần số cộng hưởng phù hợp. Cấu trúc dầm kết cặp cơ là một giải pháp sáng tạo. Nó giúp cải thiện hiệu quả truyền lực. Cấu trúc vi treo kết cặp cơ sử dụng hai khung giúp tăng cường độ ổn định. Mỗi thiết kế mô hình được phân tích cẩn thận. Ưu và nhược điểm của từng cấu trúc được xác định. Việc tối ưu hóa thiết kế dựa trên kết quả mô phỏng hệ thống.
3.2. Thiết kế và Mô phỏng Bộ Vi Dịch chuyển XYZ
Bộ vi dịch chuyển ba chiều (XYZ) là một thành phần phức tạp. Thiết kế mô hình của hệ thống này được trình bày chi tiết. Việc chấp hành trục Z, trục X và trục Y được tích hợp. Mỗi trục có các đặc tính hoạt động riêng. Các tính toán và mô phỏng cấu trúc được thực hiện kỹ lưỡng. Tác động của lực cản không khí lên bộ vi dịch chuyển được phân tích. Nó ảnh hưởng đến hiệu suất và độ chính xác. Kết quả và thảo luận về cấu trúc XYZ được trình bày. Tần số hoạt động và độ dịch chuyển được phân tích. Mối quan hệ giữa các tham số thiết kế và hiệu suất được làm rõ. Độ dịch chuyển phụ thuộc vào điện áp điều khiển. Hệ số phẩm chất của bộ vi dịch chuyển ba chiều cũng được đánh giá.
IV. Chế Tạo Mũi Dò Phương Pháp Nghiên Cứu Ứng Dụng
Phần cuối của luận án tiến sĩ tập trung vào quy trình chế tạo. Mũi dò quét được chế tạo bằng phương pháp ăn mòn ướt. Quy trình này bao gồm nhiều bước phức tạp. Nó nhằm mục đích thu nhỏ mũi dò đến kích thước nano. Quy trình chế tạo bộ chấp hành trục Z có gắn mũi dò cũng được trình bày. Đây là bước quan trọng để hiện thực hóa thiết kế mô hình. Các bước chế tạo đòi hỏi sự chính xác cao. Nó sử dụng các kỹ thuật công nghệ vật liệu tiên tiến. Kết quả chế tạo mũi dò và bộ chấp hành được phân tích và thảo luận. Hình ảnh và đặc tính của sản phẩm được trình bày. Phân tích dữ liệu từ các thử nghiệm thực tế cung cấp bằng chứng. Nó xác nhận tính khả thi và hiệu suất của thiết kế. Nghiên cứu khoa học này mở ra hướng ứng dụng rộng lớn. Đặc biệt trong lĩnh vực khắc cấu trúc nano và MEMS.
4.1. Quy trình Chế tạo và Thu nhỏ Mũi Dò
Quy trình chế tạo mũi dò là một phần cốt lõi của nghiên cứu. Phương pháp ăn mòn ướt được lựa chọn để thu nhỏ mũi dò. Quy trình bao gồm các bước quang khắc, lắng đọng và ăn mòn. Mỗi bước được kiểm soát chặt chẽ để đạt độ chính xác cao. Mục tiêu là tạo ra mũi dò với hình dạng và kích thước mong muốn. Điều này đảm bảo khả năng tương tác hiệu quả với vật liệu. Việc thu nhỏ mũi dò đến cấp độ nano là thách thức lớn. Nó đòi hỏi sự thành thạo trong các kỹ thuật chế tạo vi mô. Kết quả của quy trình này là các mũi dò có khả năng quét và khắc nano.
4.2. Đánh giá Kết quả Chế tạo và Thảo luận
Sau khi hoàn thành quy trình chế tạo, các sản phẩm được đánh giá. Mũi dò và bộ chấp hành trục Z tích hợp được kiểm tra. Các đặc tính hình học và cơ học được đo lường. Phân tích dữ liệu từ các phép đo cung cấp thông tin quan trọng. Nó so sánh kết quả thực tế với dự đoán từ thiết kế mô hình. Bất kỳ sự khác biệt nào cũng được thảo luận chi tiết. Kết quả chế tạo cho thấy tính khả thi của phương pháp. Nó cũng cung cấp kinh nghiệm quý báu cho các nghiên cứu tiếp theo. Những phát hiện này khẳng định tiềm năng ứng dụng của bộ vi chấp hành. Đặc biệt trong lĩnh vực khắc cấu trúc nano và công nghệ MEMS.
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (133 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộBỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI -------------------------- Đặng Văn Hiếu NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG HOẠT ĐỘNG CỦA BỘ VI CHẤP HÀNH MŨI DÒ QUÉT ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG KHẮC CÁC CẤU TRÚC NANO LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU Hà Nội – 2021 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI -------------------------- Đặng Văn Hiếu NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG HOẠT ĐỘNG CỦA BỘ VI CHẤP HÀNH MŨI DÒ QUÉT ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG KHẮC CÁC CẤU TRÚC NANO Ngành: Khoa học Vật liệu Mã số: 9440122 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. CHU MẠNH HOÀNG 2. VŨ THU HIỀN Hà Nội – 2020 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dưới sự hướng dẫn của PGS. Chu Mạnh Hoàng và TS.
Các số liệu và kết quả trong luận án là hoàn toàn trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kỳ công trình khoa học nào khác. Thay mặt Tập thể hướng dẫn Tác giả PGS. Chu Mạnh Hoàng Đặng Văn Hiếu LỜI CẢM ƠN Trước hết, tôi xin bày tỏ lòng kính trọng và biết ơn sâu sắc đến PGS. Chu Mạnh Hoàng và TS.
Vũ Thu Hiền, những người thầy đã truyền động lực nghiên cứu cho tôi, đã tận tình hướng dẫn, giúp đỡ và tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi trong suốt quá trình học tập, nghiên cứu và thực hiện luận án. Nhờ sự chỉ bảo tận tình của các thầy, tôi đã có được những kiến thức về khoa học vật liệu, về các công nghệ chế tạo, những kinh nghiệm và phương pháp nghiên cứu, phương pháp viết bài và đăng bài trên các tạp chí ISI và trên hết là mở ra con đường nghiên cứu khoa học tiếp theo của bản thân. Tôi xin chân thành cảm ơn Ban lãnh đạo Viện ITIMS, trường ĐH Bách Khoa Hà Nội, trường ĐH Thành Đô và trường Đại học FPT đã tạo điều kiện về thời gian, vật chất và tinh thần giúp tôi hoàn thành luận án. Tôi xin chân thành cảm ơn GS.
Vũ Ngọc Hùng, cùng các anh, chị, em trong phòng thí nghiệm MEMS, Viện ITIMS: ThS. Lê Văn Tâm, TS. Nguyễn Ngọc Minh, NCS. Nguyễn Thanh Hương, TS.
Nguyễn Văn Minh, TS. Nguyễn Thị Quỳnh Chi, TS. Ngô Đức Quân, ThS. Nguyễn Ngọc Sơn… đã chia sẻ những kinh nghiệm nghiên cứu khoa học, đã động viên và có những thảo luận góp ý giúp tôi hoàn thành luận án.
Tôi xin chân thành cảm ơn TS. Nguyễn Văn Toán đã tạo điều kiện và hướng dẫn tôi sử dụng các thiết bị và làm việc trong phòng sạch. Tôi cũng xin được gửi lời cảm ơn tới bạn bè và đồng nghiệp đã luôn ở bên, động viên khích lệ tôi trong thời gian qua. Cuối cùng, tôi xin giành lời cảm ơn cho gia đình, gia đình là hậu phương vững chắc, là chỗ dựa tinh thần để tôi có thể yên tâm nghiên cứu trong suốt thời gian vừa qua.
Hà Nội, ngày …. Tác giả Đặng Văn Hiếu MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN. ii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT. iii DANH MỤC CÁC BẢNG.
v DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ. vi MỞ ĐẦU. 1 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ KHẮC ĐẦU DÒ QUÉT. Cơ sở về kỹ thuật khắc đầu dò quét.
Các phương pháp chấp hành. Phương pháp chấp hành nhiệt. Phương pháp chấp hành áp điện. Phương pháp chấp hành tĩnh điện.
Hiệu suất khắc đầu dò quét. Công nghệ chế tạo. Mục tiêu của luận án. Kết luận chương 1 .25 CHƯƠNG 2: CƠ SỞ LÝ THUYẾT VÀ MÔ PHỎNG.
Cơ sở tính toán lý thuyết. Tính toán độ cứng của lò xo. Tính toán tần số riêng. Tính toán điện áp tới hạn (Vpull_in) của cấu trúc dịch chuyển một chiều theo phương z.
Tính toán độ dịch chuyển của cấu trúc. Điện dung của cấu trúc. Hệ số phẩm chất của bộ vi chấp hành. Cơ sở mô phỏng.
Giới thiệu chung về phương pháp phần tử hữu hạn. Phần mềm phân tích phần tử hữu hạn (FEA). Kết luận chương 2 .50 CHƯƠNG 3: THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG BỘ CHẤP HÀNH TRỤC Z. Bộ chấp hành sử dụng cấu trúc vi treo dầm thẳng truyền thống và cải tiến.
Bộ chấp hành sử dụng cấu trúc vi treo lò xo gấp khúc dạng truyền thống và dạng cải tiến. Cấu trúc dầm kết cặp cơ. Cấu trúc vi treo kết cặp cơ sử dụng 2 khung kết cặp. Kết luận chương 3 .73 CHƯƠNG 4: TÍNH TOÁN THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG BỘ VI DỊCH CHUYỂN BA CHIỀU XYZ.
Thiết kế bộ vi dịch chuyển XYZ. Tính toán và mô phỏng cấu trúc. Chấp hành trục z. Chấp hành trục x và y.
Tác động của lực cản không khí lên bộ vi dịch chuyển ba chiều xyz. Kết quả và thảo luận của cấu trúc vi dịch chuyển ba chiều. Tần số theo trục z phụ thuộc vào độ rộng và độ dày của lò xo treo. Tần số hoạt động theo trục x, y phụ thuộc vào độ rộng và độ dày của dầm treo.
Độ dịch chuyển của bộ điều khiển XYZ phụ thuộc vào điện áp điều khiển 94 4. Hệ số phẩm chất của bộ vi dịch chuyển ba chiều. Kết luận chương 4 .96 CHƯƠNG 5: CHẾ TẠO MŨI DÒ BẰNG PHƯƠNG PHÁP ĂN MÒN ƯỚT. Quy trình chế tạo và thu nhỏ mũi dò.
Quy trình chế tạo bộ chấp hành trục z có gắn mũi dò. Kết quả chế tạo mũi dò và thảo luận. Kết luận chương 5 .106 KẾT LUẬN CHUNG CỦA LUẬN ÁN. 107 ĐỊNH HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO CỦA LUẬN ÁN.
108 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN. 109 TÀI LIỆU THAM KHẢO. 111 ii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT 1. IC (Integrated Circuit): Mạch điện tích hợp 3.
SPM (Scanning Probe Microscopy): Kính hiển vi đầu dò quét 4. PSL (Probe Scanning Lithography): Kỹ thuật khắc đầu dò quét 5. AFM (Atomic Force Microscope): Kính hiển vi hiển vi lực nguyên tử 6. MFM (Magnetic Force Microscopy): Kính hiển vi lực từ 7.
SEM (Scanning Electron Microscope): Kính hiển vi điện tử quét. TEM ( Transmission Electron Microscopy): Kính hiển vi điện tử truyền qua 9. SC (Standard Cleaning): Quy trình rửa phiến Si chuẩn. STM (Scanning Tunneling Microscope): Kính hiển vi quét xuyên ngầm 11.
PMMA (Polymethylmethacrylate): Thủy tinh hữu cơ 12. DPN (Dip-Pen nanolithography): Khắc Dip-Pen 13. MEMS (Microelectromechanical system): Hệ thống vi cơ điện tử 14. FEM (Finite Element Method): Phương pháp phần tử hữu hạn 15.
FEA (Finite Element Analysis): Phân tích phần tử hữu hạn 16. PDEs (Partial Differential Equations): Phương trình vi phân từng phần 17. HF: Axít Flohydric 18. KOH: Kali hydro xít 20.
FESEM: Kính hiển vi điện tử quét hiệu ứng trường 22. CM-AFM: Khắc AFM chế độ tiếp xúc 23. TM-AFM: Khắc AFM chế độ không tiếp xúc 24. Lift-off: Quá trình lift-off 25.
DPL: Khắc động 26. CTE: Hằng số giãn nở nhiệt 27. Si3N4: Silic nitrua 29. MOEMS (Micro Optoelectronic Mechanical Systems): Hệ thống vi cơ quang điện tử 31.
Kx; Ky; Kz: Độ cứng của dầm theo các phương x, y và z 32. E: Mô-đun Young iii 33. I: Mô-men quán tính mặt cắt ngang 34. w, h, l: Lần lượt là chiều rộng, chiều cao (độ dày), chiều dài của các cấu trúc.
G: Mô-đun trượt 36. Vpull_in: Điện áp tới hạn 39. Vdc: Điện áp một chiều 40. Vac: Điện áp xoay chiều 41.
Q: Hệ số phẩm chất 42. gc, gz: Lần lượt là khoảng các giữa các răng lược và khoảng các giữa tấm trung tâm và bản cực điều khiển. ζ: Hệ số cản không khí 45. COMSOL Multiphysics: Phần mềm mô phỏng 46.
δf: Sự sai khác tần số giữa hai mode lân cận 47. NaOH: Natri Hydroxit 48. TMAH: Tetramethylammonium Hydroxide (C4H13NO) 49. BHF: Dung dịch axit HF pha loãng (HF48%:H2O = 1:6) 50.
Mode: Hình dạng cấu trúc của một hệ thống cơ ở một tần số cộng hưởng iv DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1: So sánh STM với AFM hoạt động ở chế độ tiếp xúc (CM-AFM) và AFM hoạt động ở chế độ không tiếp xúc (TM-AFM) cho khắc sử dụng kỹ thuật ôxi hóa vùng [7].1: Các thông số kích thước của các cấu trúc vi treo 1sb, 2sb, 3sb và 4sb.2: So sánh kết quả mô phỏng và tính toán.3: Các thông số của cấu trúc vi treo lò xo gấp khúc dạng 1fb và 2fb .4: Các thông số kỹ thuật của cấu trúc vi treo kết cặp cơ 1cs, 2cs và 3cs.5: Bảng so sánh kết quả giữa tính toán và mô phỏng của cấu trúc vi treo kết cặp cơ 1cs, 2cs và 3cs.6: Các thông số kỹ thuật của cấu trúc vi treo kết cặp cơ sử dụng hai khung kết cặp .1: Các tính chất vật lý của không khí và Si đơn tinh thể .2: Các thông số kỹ thuật của cấu trúc dịch chuyển phương z phân tích thành các dầm gấp khúc dạng dầm thẳng.3: Các thông số kỹ thuật của cấu trúc dịch chuyển phương z phân tích thành các lò xo gấp khúc dạng zig-zag.4: Các thông số kỹ thuật của cấu trúc dịch chuyển phương z phân tích thành các khâu càng cua.5: Các thông số kỹ thuật của cấu trúc dịch chuyển phương z phân tích thành các lò xo gấp khúc dạng càng cua kép.6: Các thông số kích thước của dầm treo gấp và răng lược.7: Bảng so sánh kết quả giữa tính toán và mô phỏng tần số hoạt động của cấu trúc chấp hành trục z với các trường hợp phân tích khác nhau.8: Kết quả tính toán và mô phỏng tần số riêng của bộ vi dịch chuyển ba chiều xyz. 91 v DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Hình 1.1: Sơ đồ nguyên lý hoạt động của kính hiển vi lực nguyên tử (AFM) [3] .2: Hình ảnh minh họa kỹ thuật khắc đầu dò quét [1] .3: Hình ảnh minh họa kỹ thuật khắc bằng phương pháp chiếu chùm tia điện tử phát xạ [2] .4: Sơ đồ minh họa kỹ thuật khắc bằng phương pháp ôxi hóa vùng [5, 6].5: Hình ảnh minh họa kỹ thuật khắc Dip-Pen [9] .6: Hình ảnh minh họa phương pháp khắc cơ nhiệt [10] .7: Hình ảnh minh họa phương pháp khắc cơ học [12] .8: Sơ đồ minh họa kỹ thuật khắc cơ học sử dụng đầu dò AFM [1] .9: Hình ảnh của rãnh PMMA được tạo bởi AFM với mũi dò Si (a) và tín hiệu của rãnh (b) [2].10: Ảnh SEM mặt cắt của mũi dò (a) và của đỉnh mũi dò (b) [14].11: Các bước chính của quy trình chế tạo bóng bán dẫn dựa trên khắc cơ học sử dụng AFM (a), hình ảnh của rãnh được khắc bằng AFM trong polyimide (b) [15]13 Hình 1.12: Hình ảnh động của mũi dò trong kỹ thuật khắc sử dụng AFM (a). tốc độ khắc cao (b), tốc độ khắc trung bình (c), và tốc độ khắc thấp (d) [15].
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Đặng Văn Hiếu (2021). Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động củ [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/khoa-hoc-trai-dat-moi-truong/luan-an-tien-si-nghien-cuu-thiet-ke-va-mo-phong-hoat-dong-cua-bo-vi-chap-hanh-mui-do-quet-dinh-huong-ung-dung-khac-cac-cau-truc-nano
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động củ" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án: Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động của bộ vi chấp hành mũi dò quét định hướng ứng dụng khắc các cấu trúc nano. Xem tóm tắt và tả
Luận án "Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động củ" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Năm bảo vệ: 2021.
Luận án "Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động củ" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động củ" thuộc chuyên ngành Khoa học Vật liệu. Danh mục: Khoa Học Trái Đất & Môi Trường.
Luận án "Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động củ" có bao nhiêu trang?
Luận án "Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động củ" có 133 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Luận án tiến sĩ nghiên cứu thiết kế và mô phỏng hoạt động củ" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.