Luận án tiến sĩ Vật lý: Hiệu ứng động và âm điện tử trong các hệ thấp chiều
Luận án TS Vật lý: Hiệu ứng động, âm điện tử hệ điện tử thấp chiều. Khám phá tính chất vật lý lượng tử phức tạp. Mã: 62 44 01 01.
Số trang
150
Thời gian đọc
23 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- Hệ Thấp Chiều: Đặc Tính Lượng Tử và Hiệu Ứng Điện Tử
- Số trang:
- 150 trang
- Chuyên ngành:
- Vật lý
- Tác giả:
- Luan An
Tóm tắt nội dung luận án
I.Hệ Thấp Chiều Đặc Tính Lượng Tử và Hiệu Ứng Điện Tử
Luận án giới thiệu tổng quan về các hệ vật liệu thấp chiều. Điện tử bị giam cầm trong không gian. Sự giam cầm này tạo ra các đặc tính lượng tử độc đáo. Các hệ này bao gồm giếng lượng tử (2D), dây lượng tử (1D), và chấm lượng tử (0D). Khái niệm về lượng tử hóa do giảm kích thước được thảo luận. Phổ năng lượng của điện tử thay đổi đáng kể. Điều này ảnh hưởng đến dao động điện tử và vận chuyển điện tử. Phương pháp Kubo-Mori được sử dụng để phân tích các hiệu ứng động. Đây là một công cụ mạnh mẽ trong vật lý chất rắn. Nó mô tả các quá trình truyền dẫn trong bán dẫn. Đặc biệt, nó tập trung vào hiệu ứng Hall lượng tử. Tương tác âm-điện tử là một khía cạnh quan trọng. Sự ghép cặp điện tử-phonon quyết định nhiều tính chất vật lý. Phương trình động lượng tử cho phonon cung cấp khuôn khổ lý thuyết. Nó mô tả hành vi của các dao động mạng. Nghiên cứu này đặt nền móng cho các ứng dụng công nghệ.
1.1. Lượng tử hóa và cấu trúc năng lượng điện tử.
Kích thước vật liệu giảm. Điện tử bị giam cầm trong một hoặc nhiều chiều. Hiện tượng này dẫn đến lượng tử hóa năng lượng. Năng lượng điện tử không còn liên tục. Nó tồn tại dưới dạng các mức rời rạc. Hàm sóng điện tử thay đổi đáng kể. Các cấu trúc năng lượng mới xuất hiện. Phổ năng lượng của điện tử trong các hệ thấp chiều (2D, 1D, 0D) được khảo sát. Các mô hình giếng thế vô hạn, hàng rào thế được phân tích. Mật độ trạng thái cũng thay đổi. Đây là yếu tố then chốt xác định tính chất điện.
1.2. Hiệu ứng động trong bán dẫn Phương pháp Kubo Mori.
Hiệu ứng động trong bán dẫn liên quan đến phản ứng vật liệu với trường ngoài thay đổi. Luận án khảo sát các phản ứng này. Phương pháp Kubo-Mori là một kỹ thuật tiêu chuẩn. Nó tính toán các tenxơ độ dẫn. Phương pháp này cung cấp cái nhìn sâu sắc về vận chuyển điện tử. Các công thức cho độ dẫn được trình bày. Chúng áp dụng cho các hệ thấp chiều. Phân tích này là cần thiết. Nó giúp hiểu rõ các quá trình động học.
1.3. Tương tác âm điện tử và phương trình động lượng tử.
Tương tác âm-điện tử mô tả sự trao đổi năng lượng giữa điện tử và dao động mạng tinh thể (phonon). Đây là cơ chế ghép cặp điện tử-phonon. Nó ảnh hưởng đến tính chất nhiệt và điện. Các phương trình động lượng tử cho phonon được xây dựng. Chúng mô tả động lực học của phonon. Điều này rất quan trọng. Nó giải thích các hiện tượng như dẫn nhiệt. Nó cũng giải thích sự thư giãn năng lượng. Các yếu tố ảnh hưởng đến thời gian thư giãn phonon được xem xét.
II.Hấp Thụ Sóng Điện Từ Yếu Dao Động Điện Tử Hệ Thấp Chiều
Luận án tập trung vào hiện tượng hấp thụ sóng điện từ yếu. Đặc biệt là trong các hệ bán dẫn thấp chiều. Dao động điện tử trong các cấu trúc này rất nhạy. Chúng phản ứng mạnh với trường điện từ. Sự giam cầm điện tử tạo ra các mức năng lượng riêng biệt. Điều này ảnh hưởng trực tiếp đến phổ hấp thụ. Sự tương tác giữa ánh sáng và vật chất được nghiên cứu chi tiết. Ảnh hưởng của giam cầm phonon được xem xét. Nó tác động lên sự hấp thụ sóng điện từ. Trong giếng lượng tử, các điện tử bị giam cầm theo một chiều. Chúng có thể hấp thụ năng lượng từ sóng điện từ. Sự có mặt của từ trường thay đổi đáng kể phổ hấp thụ. Nó tạo ra các mức Landau. Trong dây lượng tử, giam cầm điện tử xảy ra theo hai chiều. Điều này làm tăng độ phức tạp của phổ hấp thụ. Các điện tử trong dây lượng tử cho thấy hành vi khác biệt. Nghiên cứu xem xét cả trường hợp có và không có từ trường. Kết quả cho thấy sự phụ thuộc mạnh mẽ vào nhiệt độ. Chúng cũng phụ thuộc vào bán kính dây lượng tử. Các tần số cyclotron đóng vai trò quan trọng. Hiểu rõ cơ chế này là cần thiết. Nó giúp phát triển các thiết bị quang điện tử.
2.1. Khái quát hấp thụ sóng điện từ trong hệ bán dẫn.
Hấp thụ sóng điện từ là quá trình cơ bản. Điện tử trong vật liệu hấp thụ năng lượng photon. Trong bán dẫn, quá trình này liên quan đến chuyển dải năng lượng. Đối với hệ thấp chiều, phổ hấp thụ rất đặc trưng. Các vạch hấp thụ sắc nét xuất hiện. Điều này là do lượng tử hóa năng lượng. Việc kiểm soát kích thước vật liệu cho phép điều chỉnh phổ. Các yếu tố như nhiệt độ và trường ngoài ảnh hưởng đến hiệu quả hấp thụ.
2.2. Ảnh hưởng giam cầm phonon Hấp thụ điện tử trong giếng lượng tử.
Giam cầm phonon là một hiệu ứng quan trọng. Nó ảnh hưởng đến các quá trình tán xạ. Trong giếng lượng tử (vật liệu 2D), các điện tử bị giam cầm. Sự hấp thụ sóng điện từ yếu được phân tích. Các trường hợp có và không có từ trường được nghiên cứu. Từ trường làm thay đổi các mức năng lượng điện tử. Nó dẫn đến hiệu ứng lượng tử hóa Landau. Các đường cong hấp thụ cho thấy sự phụ thuộc vào tần số sóng điện từ. Chúng cũng phụ thuộc vào độ rộng giếng lượng tử.
2.3. Hấp thụ điện tử trong dây lượng tử Có và không từ trường.
Nghiên cứu mở rộng sang dây lượng tử (hệ thấp chiều 1D). Điện tử bị giam cầm theo hai chiều. Sự hấp thụ sóng điện từ yếu được phân tích. Cả hai trường hợp có và không có từ trường được xem xét. Trong trường hợp không có từ trường, phổ hấp thụ liên quan đến chuyển mức năng lượng giam cầm. Khi có từ trường, phổ phức tạp hơn. Các mức Landau xuất hiện. Tần số cyclotron quyết định vị trí các đỉnh hấp thụ. Các kết quả này cung cấp thông tin chi tiết về vận chuyển điện tử và sóng plasmon trong dây lượng tử.
III.Ghép Cặp Điện Tử Phonon Cộng Hưởng Tham Số Hệ 1D
Luận án khám phá sâu về ghép cặp điện tử-phonon. Đặc biệt là trong cấu trúc dây lượng tử (hệ thấp chiều 1D). Sự tương tác giữa phonon âm và phonon quang học là trọng tâm. Hiệu ứng cộng hưởng tham số được nghiên cứu. Điều này xảy ra khi các dao động phonon được khuếch đại. Năng lượng được chuyển đổi giữa các loại phonon. Phương trình động lượng tử cho cả phonon âm và phonon quang được thiết lập. Các phương trình này mô tả động học của chúng. Chúng bao gồm các yếu tố như tần số, biên độ và các điều kiện kích thích. Điều này giúp hiểu cơ chế cộng hưởng. Cộng hưởng tham số giữa phonon âm và phonon quang là một hiện tượng thú vị. Nó có ý nghĩa quan trọng trong vật lý và công nghệ. Hiện tượng này có thể dẫn đến việc tạo ra các nguồn phonon mạnh. Nó cũng có thể ảnh hưởng đến thời gian thư giãn phonon. Sự hiểu biết này mở đường cho các thiết bị phonon thế hệ mới.
3.1. Tương tác và biến đổi phonon âm quang.
Phonon âm và phonon quang học là hai loại dao động mạng. Chúng có các đặc tính khác nhau. Phonon âm liên quan đến dao động đồng pha của các nguyên tử. Phonon quang học liên quan đến dao động ngược pha. Trong hệ bán dẫn, chúng có thể tương tác. Sự tương tác này được gọi là ghép cặp điện tử-phonon. Nó có thể dẫn đến sự biến đổi năng lượng. Các quá trình trao đổi năng lượng giữa chúng được mô tả.
3.2. Phương trình động lượng tử cho phonon.
Để mô tả động lực học của phonon, cần các phương trình động lượng tử. Luận án xây dựng các phương trình này. Chúng tính đến tương tác phonon-phonon và ghép cặp điện tử-phonon. Các phương trình này là cần thiết. Chúng giúp dự đoán hành vi của phonon. Đặc biệt là dưới tác động của trường ngoài. Nó cũng bao gồm các yếu tố làm thay đổi thời gian thư giãn phonon.
3.3. Cộng hưởng tham số Ứng dụng trong dây lượng tử.
Cộng hưởng tham số là một hiện tượng phi tuyến tính. Nó xảy ra khi một hệ dao động bị điều khiển bởi một tham số. Trong trường hợp này, đó là sự tương tác giữa phonon âm và phonon quang. Điều kiện để xảy ra cộng hưởng được xác định. Các yếu tố như tần số kích thích và cường độ tương tác rất quan trọng. Ứng dụng tiềm năng trong dây lượng tử (hệ thấp chiều 1D) là đáng chú ý. Nó có thể được dùng để kiểm soát dao động điện tử. Nó cũng có thể được dùng để khuếch đại tín hiệu phonon.
IV.Gia Tăng Phonon Hiệu Ứng Âm Điện Tử Trong Dây Lượng Tử
Luận án tiếp tục nghiên cứu hiệu ứng âm-điện tử. Trọng tâm là hiện tượng gia tăng phonon trong cấu trúc dây lượng tử. Sự gia tăng này liên quan đến sự chuyển năng lượng từ điện tử sang phonon. Điều này xảy ra khi có một trường điện từ ngoài. Một biểu thức tổng quát cho hệ số hấp thụ phonon âm được đưa ra. Điều này áp dụng cho các dây lượng tử. Các trường hợp hấp thụ một photon và nhiều photon được phân tích riêng biệt. Kết quả cho thấy sự phụ thuộc vào tần số laser và nhiệt độ. Hiện tượng gia tăng phonon âm được nghiên cứu trong các dây lượng tử hình trụ. Các mô hình thế giếng khác nhau được xem xét. Bao gồm thế giếng vô hạn và thế parabolic. Sự có mặt của từ trường cũng được đưa vào tính toán. Từ trường ảnh hưởng đến vận chuyển điện tử và thời gian thư giãn phonon. Cuối cùng, gia tăng phonon trong dây lượng tử hình chữ nhật cũng được khảo sát. Các kết quả cung cấp hiểu biết sâu sắc. Nó về cách kiểm soát và khuếch đại phonon. Đây là một cơ chế tiềm năng cho các thiết bị âm-điện tử. Nó có thể ứng dụng trong sóng plasmon và hiệu ứng Hall lượng tử khi điều kiện phù hợp.
4.1. Biểu thức tổng quát Hệ số hấp thụ phonon âm.
Hệ số hấp thụ phonon âm là một đại lượng quan trọng. Nó mô tả mức độ tương tác giữa phonon và điện tử. Luận án xây dựng một biểu thức tổng quát. Nó áp dụng cho dây lượng tử (hệ thấp chiều 1D). Biểu thức này tính đến cả hấp thụ một photon và nhiều photon. Các yếu tố như tần số sóng điện từ, nhiệt độ, và hình dạng dây lượng tử được xem xét. Biểu thức này là nền tảng. Nó cho việc phân tích hiện tượng gia tăng phonon.
4.2. Gia tăng phonon âm Dây lượng tử hình trụ và từ trường.
Hiện tượng gia tăng phonon âm được nghiên cứu chi tiết. Cấu trúc dây lượng tử hình trụ được sử dụng làm mô hình. Các kịch bản thế giếng vô hạn và thế parabolic được so sánh. Ảnh hưởng của từ trường cũng được phân tích. Từ trường có thể điều chỉnh mức năng lượng điện tử. Điều này ảnh hưởng đến sự ghép cặp điện tử-phonon. Kết quả cho thấy từ trường có thể tăng cường hiệu quả gia tăng phonon. Nó cũng ảnh hưởng đến thời gian thư giãn phonon và vận chuyển điện tử.
4.3. Gia tăng phonon Cấu hình dây lượng tử hình chữ nhật.
Nghiên cứu mở rộng sang dây lượng tử hình chữ nhật. Cấu hình này mang lại các đặc điểm giam cầm khác. Hiện tượng gia tăng phonon được khảo sát với thế giếng vô hạn. Các điều kiện cần thiết cho sự gia tăng phonon được xác định. Việc so sánh với dây lượng tử hình trụ cho thấy sự phụ thuộc vào hình học. Các kết quả này đóng góp vào việc thiết kế. Nó cho các thiết bị điều khiển phonon.
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (150 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộMöc löc 1 GIÎI THIU TÊNG QUAN H THP CHIU V PH×ÌNG PHP NGHIN CÙU 21 1.1 Sü l÷ñng tû ho¡ do gi£m k½ch th÷îc .2 H m sâng v phê n«ng l÷ñng cõa i»n tû trong c¡c c§u tróc h» th§p chi·u .3 Hi»u ùng ëng trong b¡n d¨n. Ph÷ìng ph¡p Kubo-Mori .1 Hi»u ùng ëng trong b¡n d¨n .2 Cæng thùc Kubo-Mori cho tenxì ë d¨n .4 Hi»u ùng ¥m - i»n tû trong b¡n d¨n. Ph÷ìng tr¼nh ëng l÷ñng tû cho phonon .1 Hi»u ùng ¥m - i»n tû trong b¡n d¨n .2 Ph÷ìng tr¼nh ëng l÷ñng tû cho phonon. 43 2 HIU ÙNG ËNG: HP THÖ SÂNG IN TØ YU BÐI IN TÛ GIAM CM TRONG CC H THP CHIU 52 2.1 V· sü h§p thö sâng i»n tø trong c¡c h» b¡n d¨n th§p chi·u 52 2.2 nh h÷ðng hi»u ùng giam c¦m cõa phonon l¶n sü h§p thö sâng i»n tø y¸u bði i»n tû giam c¦m trong Hè l÷ñng tû 55 2.1 Tr÷íng hñp khæng câ m°t tø tr÷íng .2 Tr÷íng hñp câ m°t tø tr÷íng .3 Sü h§p thö sâng i»n tø y¸u bði i»n tû giam c¦m trong d¥y l÷ñng tû.
67 1 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.1 Tr÷íng hñp khæng câ m°t tø tr÷íng .2 Tr÷íng hñp câ m°t tø tr÷íng. 72 3 HIU ÙNG M- IN TÛ: CËNG H×ÐNG THAM SÈ GIÚA PHONON M V PHONON QUANG TRONG CU TRÓC D Y L×ÑNG TÛ 81 3.1 T÷ìng t¡c v bi¸n êi tham sè giúa phonon ¥m v phonon quang .2 Ph÷ìng tr¼nh ëng l÷ñng tû cho phonon ¥m, phonon quang 82 3.3 Cëng h÷ðng tham sè giúa phonon ¥m v phonon quang. 86 4 HIU ÙNG M - IN TÛ: GIA TNG PHONON TRONG CU TRÓC D Y L×ÑNG TÛ 90 4.1 Biºu thùc têng qu¡t cho h» sè h§p thö phonon ¥m trong c§u tróc d¥y l÷ñng tû .1 H» sè h§p thö phonon ¥m trong tr÷íng hñp h§p thö mët photon .2 H» sè h§p thö phonon ¥m trong tr÷íng hñp h§p thö nhi·u photon .2 Gia t«ng phonon ¥m trong c§u tróc d¥y l÷ñng tû h¼nh trö 105 4.1 Gia t«ng phonon ¥m trong d¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ cao væ h¤n .2 Gia t«ng phonon ¥m trong d¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ parabol .3 Gia t«ng phonon ¥m trong d¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ cao væ h¤n °t trong tø tr÷íng .4 Gia t«ng phonon ¥m trong d¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ mët chi·u l parabol mët chi·u l h¼nh vuæng trong tø tr÷íng .3 Gia t«ng phonon cho c§u h¼nh d¥y l÷ñng tû h¼nh chú nhªt vîi hè th¸ cao væ h¤n. 132 DANH MÖC CC CÆNG TRNH LIN QUAN N LUN N.
137 TI LIU THAM KHO. 151 2 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Danh s¡ch h¼nh v³ 1.1 Phê n«ng l÷ñng cõa m q ng mäng l÷ñng tû hâa do gi£m k½ch th÷îc; p = p2x + p2y l ëng l÷ñng trong m°t ph¯ng cõa m ng mäng.2 Mæ h¼nh ho¡ vòng n«ng l÷ñng: (a) èi vîi dà ti¸p xóc; (b) èi vîi h ng r o th¸; (c) èi vîi hè l÷ñng tû.3 Mªt ë tr¤ng th¡i trong c¡c h» i»n tû 2, 3 chi·u .4 Mæ h¼nh c§u tróc hè l÷ñng tû. Ll ë d¦y lîp vªt li»u 2 - ë rëng hè l÷ñng tû .5 Mæ h¼nh ho¡ hè th¸ vuæng gâc. ë cao cõa hè coi nh÷ væ h¤n, ë rëng cõa hè l L.1 C¡c ÷íng cong G(ω), G+ (ω), G− (ω) v o phö thuëc cõa 0 n«ng l÷ñng ~ω cõa sâng i»n tø y¸u ùng vîi L = 60A.
Tr÷íng hñp khæng câ tø tr÷íng.2 C¡c ÷íng cong phö thuëc cõa G(ω) v o c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa ë rëng hè l÷ñng tû L. Tr÷íng hñp khæng câ tø tr÷íng.3 ÷íng cong phö thuëc cõa G(ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø tr÷íng.4 ÷íng cong phö thuëc cõa G(ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø tr÷íng.5 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o n«ng l÷ñng sâng i»n tø vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa nhi»t ë.6 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o n«ng l÷ñng cõa sâng i»n tø v nhi»t ë cõa h». 71 3 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.7 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o n«ng l÷ñng cõa sâng i»n tø v 0 0 b¡n k½nh d¥y l÷ñng tû. Tr÷íng hñp n = n = 0; ` = ` = 0.
Câ tø tr÷íng .8 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o n«ng l÷ñng cõa sâng i»n tø 0 0 v nhi»t ë cõa h». Tr÷íng hñp n = n = 0; ` = ` = 0. Câ tø tr÷íng .9 Sü phö thuëc αzz (ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø cõa 0 0 tr÷íng. Tr÷íng hñp n = n = 0; ` = ` = 0.10 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø 0 0 tr÷íng.
Tr÷íng hñp n = 0; n = 1; ` = ` = 0.11 Sü phö thuëc cõa αzz (ω) v o t¦n sè cyclotron ωc cõa tø 0 0 tr÷íng. Tr÷íng hñp n = 1; n = 0; ` = ` = 0.1 Eth (kV cm−1 ) cõa phonon Sü phö thuëc cõa ng÷ïng gia t«ng ¥m theo vectì sâng ~ q ; R=5nm; Ω = 200T Hz ; T = 30K .2 Sü phö thuëc cõa ng÷ïng gia t«ng Eth (kV cm ) v o nhi»t 8 −1 ë cõa h»; R=8nm; Ω = 250T Hz ; q = 1 × 10 m .1 ÷íng cong phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vectì sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; T = 30K, Ω = 10T Hz ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö.2 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o nhi»t ë v vector sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; Ω = 3.5T Hz ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö.3 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o t¦n sè laser v vectì sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; T = 30K ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö.4 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o t¦n sè laser v vector sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; T=30K; t¦n sè laser lîn: 10T Hz −→ 100T Hz ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö.5 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vector sâng cõa phonon v t¦n sè Laser- tr÷íng hñp h§p thö mët photon; T = 30K ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö vîi hè th¸ h¼nh parabol. 111 4 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.6 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o nhi»t ë v vector sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; Ω = 3.5T Hz ; D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ parabol.7 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o b¡n k½nh d¥y - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; Ω = 10T Hz; T = 30K ;(a) D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ h¼nh trö (b) D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ parabol.8 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vec tì sâng cõa phonon - tr÷íng hñp h§p thö mët photon; Ω = 10T Hz; T = 30K ;(a) D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ h¼nh trö (h¼nh 4.1)(b) D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ parabol.9 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vector sâng phonon vîi Ω = 250T Hz, R = 15nm, T = 77K. ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö mët photon ð b¶n tr¡i v ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö nhi·u photon ð b¶n ph£i.
D¥y l÷ñng tû h¼nh trö -câ tø tr÷íng.10 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o t¦n sè Laser; R = 17nm; T = 77K ; ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö mët photon ð b¶n tr¡i v ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö nhi·u photon ð b¶n ph£i. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö -câ tø tr÷íng.11 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vectì sâng phonon; R = 15nm; T = 20K; m∗ = 0, 067m; Ω = 100T Hz ; ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö mët photon ð b¶n tr¡i v ç thà cho tr÷íng hñp h§p thö nhi·u photon ð b¶n ph£i. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ mët chi·u parabol, mët chi·u h¼nh vuæng- câ tø tr÷íng.12 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o vectì sâng phonon v t¦n sè Laser cho tr÷íng hñp h§p thö nhi·u pho- ton. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ mët chi·u l parabol, mët chi·u h¼nh vuæng-câ tø tr÷íng.
121 5 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.13 Sü phö thuëc cõa h» sè h§p thö phonon ¥m v o c÷íng ë tr÷íng laser-h§p thö nhi·u photon. Sû döng h» to¤ ë loga(gi¡ trà x tr¶n tröc s³ t÷ìng ùng vîi gi¡ trà 10x trong h» to¤ ë th÷íng. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö hè th¸ mët chi·u l parabol, mët chi·u h¼nh vuæng-câ tø tr÷íng.14 Sü phö thuëc cõa tèc ë bi¸n êi mªt ë phonon ¥m v o vectì sâng phonon vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa nhi»t ë T = 300K, T = 77K v T = 25K. D¥y l÷ñng tû h¼nh trö chú nhªt hè th¸ cao væ h¤n.15 Sü phö thuëc cõa tèc ë bi¸n êi mªt ë phonon quang v o vectì sâng phonon vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa nhi»t ë T = 300K, T = 77K v T = 4K.
D¥y l÷ñng tû h¼nh chú nhªt hè th¸ cao væ h¤n.16 Sü phö thuëc cõa tèc ë bi¸n êi mªt ë phonon ¥m v o vectì c÷íng ë i»n tr÷íng vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa t¦n sè laser. ÷íng solid, dashed, dotted l¦n l÷ñt t÷ìng ùng vîi Ω = 1, 2, 4 × 1014 Hz .17 Sü phö thuëc cõa tèc ë bi¸n êi mªt ë phonon quang v o c÷íng ë i»n tr÷íng vîi c¡c gi¡ trà kh¡c nhau cõa t¦n sè laser. ÷íng solid, dashed, dotted l¦n l÷ñt t÷ìng ùng vîi Ω = 1, 2, 3 × 1013 Hz. 125 6 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Danh s¡ch b£ng 2.1 B£ng c¡c thæng sè cì b£n °c tr÷ng cõa d¥y l÷ñng tû h¼nh trö .1 B£ng c¡c thæng sè cõa d¥y l÷ñng tû h¼nh chú nhªt.
126 7 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Danh s¡ch b£ng 8 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Ch¿ sè 9 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. L½ do chån · t i Khði ¦u tø nhúng th nh cæng rüc rï cõa vªt li»u b¡n d¨n v o thªp ni¶n 50, 60 cõa th¸ k¿ tr÷îc, còng vîi sü ph¡t triºn m¤nh m³ c¡c cæng ngh» nuæi tinh thº nh÷ epitaxy chòm ph¥n tû (MBE: Molecular Beam Epitaxy)[26, 43, 44] ho°c k¸t tõa hìi kim lo¤i hâa húu cì (MOCVD: Met- alorganic Chemical Vapor Deposition)[69] ng÷íi ta ¢ t¤o ra ÷ñc nhi·u c§u tróc nanæ. Song song vîi sü ph¡t triºn cæng ngh» ch¸ t¤o l sü ph¡t triºn cõa kÿ thuªt o c¡c hi»u ùng vªt lþ ð c§p ë vi mæ.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ thấp chiều - Luận án TS Vật lý (n.d.) [Luận án tiến sĩ]. LuanAn.net. https://luanan.net/vat-ly/vat-ly-ly-thuyet/hieu-ung-dong-va-am-dien-tu-trong-he-thap-chieu-luan-an-tien-si-vat-ly
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ thấp chiều - Luận án TS Vật lý" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án TS Vật lý: Hiệu ứng động, âm điện tử hệ điện tử thấp chiều. Khám phá tính chất vật lý lượng tử phức tạp. Mã: 62 44 01 01.
Luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ thấp chiều - Luận án TS Vật lý" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ thấp chiều - Luận án TS Vật lý" thuộc chuyên ngành Vật lý. Danh mục: Vật Lý Lý Thuyết.
Luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ thấp chiều - Luận án TS Vật lý" có bao nhiêu trang?
Luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ thấp chiều - Luận án TS Vật lý" có 150 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Hiệu ứng động và âm điện tử trong hệ thấp chiều - Luận án TS Vật lý" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.