Luận án vật lý: Trạng thái ngưng tụ exciton trong hệ bán kim loại - bán dẫn chuyển pha
Luận án nghiên cứu trạng thái ngưng tụ exciton trong hệ bán kim loại bán dẫn có chuyển pha. Phân tích cơ chế hình thành và đặc tính vật lý của trạng thái này.
Luan An
Luận án tiến sĩ
Năm xuất bản
Số trang
132
Thời gian đọc
20 phút
Lượt xem
1
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- 1. Tổng quan nghiên cứu: Trạng thái ngưng tụ exciton
- Số trang:
- 132 trang
- Trường:
- Học viện Khoa học và Công nghệ
- Chuyên ngành:
- Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
- Tác giả:
- Đỗ Thị Hồng Hải
- Năm:
- 2020
Tóm tắt nội dung luận án
I. Tổng quan nghiên cứu Trạng thái ngưng tụ exciton
Luận án tập trung vào nghiên cứu trạng thái ngưng tụ exciton trong các hệ vật liệu đặc biệt. Các hệ này có khả năng chuyển pha từ bán kim loại sang bán dẫn. Đây là lĩnh vực quan trọng trong vật lý vật chất ngưng tụ. Exciton, một quasiparticle tạo thành từ cặp điện tử-lỗ trống, đóng vai trò trung tâm. Nghiên cứu khám phá cơ chế hình thành và điều kiện để exciton ngưng tụ thành một trạng thái lượng tử vĩ mô. Việc hiểu rõ trạng thái ngưng tụ exciton mở ra nhiều triển vọng ứng dụng. Các ứng dụng tiềm năng bao gồm quang điện tử, thiết bị lưu trữ thông tin và siêu dẫn nhiệt độ cao. Luận án sử dụng các phương pháp lý thuyết tiên tiến để phân tích hành vi của exciton. Đặc biệt, nó xem xét ảnh hưởng của tương tác điện tử-phonon. Nghiên cứu này góp phần làm sâu sắc hơn kiến thức về các hiện tượng lượng tử phức tạp trong chất rắn.
1.1. Mục tiêu và phạm vi luận án
Luận án đặt mục tiêu xác định các yếu tố ảnh hưởng đến sự hình thành trạng thái ngưng tụ exciton. Mục tiêu này tập trung vào các hệ có chuyển pha bán kim loại – bán dẫn. Phạm vi nghiên cứu bao gồm việc xây dựng các mô hình lý thuyết. Các mô hình này được áp dụng để mô tả tương tác điện tử-lỗ trống và điện tử-phonon. Luận án cũng tiến hành tính toán số để dự đoán hành vi của exciton. Kết quả cung cấp cái nhìn định lượng về các thông số quan trọng. Nghiên cứu này mở rộng hiểu biết về điều kiện vật lý cần thiết cho ngưng tụ exciton. Luận án góp phần vào việc phát triển vật liệu mới với các tính chất điện tử độc đáo.
1.2. Tầm quan trọng của chuyển pha bán kim loại bán dẫn
Chuyển pha bán kim loại – bán dẫn là một hiện tượng vật lý hấp dẫn. Nó xuất hiện trong nhiều loại vật liệu, bao gồm cả vật liệu 2D. Hiện tượng này ảnh hưởng sâu sắc đến cấu trúc dải năng lượng của hệ. Việc chuyển đổi từ bán kim loại sang bán dẫn có thể kích hoạt các trạng thái lượng tử mới. Trong bối cảnh này, ngưng tụ exciton là một trạng thái đặc biệt được quan tâm. Nghiên cứu các hệ này giúp khám phá các tính chất điện tử và quang học độc đáo. Sự chuyển pha có thể điều khiển bằng nhiệt độ, áp suất hoặc các trường bên ngoài. Đây là yếu tố then chốt để kiểm soát và tối ưu hóa các ứng dụng của exciton ngưng tụ.
II. Khám phá trạng thái ngưng tụ exciton và lý thuyết BEC
Exciton là một quasiparticle trung hòa điện tích hình thành từ sự tương tác Coulomb giữa một điện tử và một lỗ trống. Trong một số điều kiện, các exciton có thể cư xử như boson. Điều này cho phép chúng hình thành trạng thái ngưng tụ Bose-Einstein (BEC) ở nhiệt độ đủ thấp. Trạng thái ngưng tụ exciton thể hiện các đặc tính lượng tử vĩ mô. Nó có thể dẫn đến các hiện tượng như siêu dẫn hoặc siêu lỏng. Việc nghiên cứu BEC của exciton là một lĩnh vực thử thách. Nó đòi hỏi sự kết hợp giữa lý thuyết và thực nghiệm. Sự phát hiện và kiểm soát trạng thái ngưng tụ exciton có ý nghĩa khoa học to lớn. Nó mở ra cánh cửa cho các công nghệ dựa trên spin và quang tử. Nắm bắt bản chất của exciton và các trạng thái ngưng tụ là trọng tâm của vật lý vật chất ngưng tụ.
2.1. Khái niệm cơ bản về exciton
Exciton là một trạng thái liên kết giữa một điện tử và một lỗ trống. Lỗ trống là một vị trí thiếu điện tử trong dải hóa trị. Exciton được tạo ra khi một điện tử hấp thụ năng lượng. Điện tử này chuyển từ dải hóa trị lên dải dẫn. Lỗ trống còn lại trong dải hóa trị hút điện tử. Lực hút Coulomb giữa chúng tạo thành exciton. Exciton có thể là Frenkel exciton (liên kết mạnh) hoặc Wannier-Mott exciton (liên kết yếu). Cấu trúc dải năng lượng của vật liệu quyết định loại exciton. Exciton là quasiparticle trung hòa điện. Nó có thể truyền năng lượng mà không truyền điện tích. Điều này làm cho exciton trở thành đối tượng nghiên cứu hấp dẫn trong vật lý và công nghệ.
2.2. Hiện tượng ngưng tụ Bose Einstein BEC của exciton
Ngưng tụ Bose-Einstein (BEC) là một trạng thái vật chất đặc biệt. Trong trạng thái này, một số lượng lớn boson chiếm cùng một trạng thái lượng tử cơ bản. Exciton, với spin nguyên (hoặc tổng spin của điện tử và lỗ trống), có thể hoạt động như boson. Do đó, dưới các điều kiện nhất định (nhiệt độ thấp, mật độ cao), exciton có thể ngưng tụ. Trạng thái ngưng tụ exciton là một ví dụ về trật tự lượng tử vĩ mô. Nó có thể thể hiện sự siêu lỏng hoặc điện môi exciton. Nghiên cứu BEC của exciton đòi hỏi sự kiểm soát chính xác. Kiểm soát này bao gồm mật độ exciton, nhiệt độ và các tương tác trong hệ. Việc đạt được và duy trì BEC exciton là một thách thức lớn trong vật lý thực nghiệm.
2.3. Những thành tựu nghiên cứu exciton ngưng tụ
Nhiều công trình đã ghi nhận những thành tựu quan trọng trong nghiên cứu exciton ngưng tụ. Các nhà khoa học đã quan sát các dấu hiệu của ngưng tụ exciton trong vật liệu 2D. Đặc biệt, các cấu trúc giếng lượng tử (quantum well) đã được sử dụng. Chúng cung cấp môi trường lý tưởng để tạo ra exciton với thời gian sống dài. Các kỹ thuật như phổ quang phát xạ (PL) và phổ quang phát xạ phân giải theo góc (ARPES) được áp dụng. Chúng giúp xác nhận sự hình thành và tính chất của trạng thái ngưng tụ. Những thành tựu này mở ra hướng đi mới. Chúng cho phép kiểm soát và thao tác các trạng thái lượng tử. Điều này có tiềm năng phát triển các thiết bị mới dựa trên exciton. Hiểu biết sâu sắc về exciton ngưng tụ tiếp tục là trọng tâm của nghiên cứu hiện đại.
III. Phương pháp lý thuyết trường trung bình trong vật chất ngưng tụ
Lý thuyết trường trung bình (Mean Field Theory – MF) là một công cụ cơ bản. Nó được sử dụng rộng rãi trong vật lý vật chất ngưng tụ. Phương pháp này đơn giản hóa các tương tác phức tạp giữa nhiều hạt. Nó thay thế các tương tác giữa các hạt riêng lẻ bằng một trường trung bình hiệu dụng. Trường trung bình này được tạo ra bởi tất cả các hạt khác trong hệ. Cách tiếp cận này cho phép giải quyết các bài toán nhiều vật mà không cần tính toán từng tương tác riêng lẻ. Mặc dù là một gần đúng, MF vẫn cung cấp những hiểu biết quan trọng. Nó giúp hiểu các chuyển pha và sự xuất hiện của các trạng thái trật tự. Lý thuyết trường trung bình là nền tảng cho nhiều mô hình tiên tiến hơn.
3.1. Nền tảng của lý thuyết trường trung bình
Nền tảng của lý thuyết trường trung bình dựa trên việc xấp xỉ tương tác. Thay vì giải quyết tương tác cụ thể giữa từng cặp hạt, lý thuyết này giả định mỗi hạt tương tác với một trường trung bình. Trường này do tất cả các hạt khác tạo ra. Trường trung bình này là tự hợp. Nghĩa là, nó phụ thuộc vào trạng thái của hệ và ngược lại. Điều này dẫn đến một tập hợp các phương trình tự hợp cần được giải. Phương pháp MF đặc biệt hữu ích khi số lượng hạt rất lớn. Nó giúp dự đoán các tính chất vĩ mô của hệ. Các đặc tính này bao gồm chuyển pha nhiệt độ và tham số trật tự. Đây là một phương pháp mạnh mẽ để nghiên cứu các hệ vật chất ngưng tụ.
3.2. Gần đúng Hartree Fock cho hệ tương tác
Gần đúng Hartree-Fock (HFA) là một dạng cụ thể của lý thuyết trường trung bình. Nó được áp dụng cho các hệ điện tử tương tác. HFA xem xét cả tương tác Coulomb trực tiếp và tương tác trao đổi. Tương tác trao đổi là một hiệu ứng lượng tử thuần túy. Nó xuất phát từ tính chất đối xứng của hàm sóng nhiều hạt. Trong HFA, hàm sóng của hệ được xấp xỉ bằng một định thức Slater. Định thức này được tạo thành từ các hàm sóng một hạt. Việc giải các phương trình Hartree-Fock tự hợp cho phép xác định các trạng thái năng lượng của điện tử. HFA cung cấp một mô tả tốt cho nhiều hệ chất rắn. Nó là bước đầu tiên trong việc hiểu các cấu trúc dải năng lượng phức tạp.
3.3. Phá vỡ đối xứng và các trạng thái trật tự
Hiện tượng phá vỡ đối xứng là khái niệm trung tâm trong vật lý chuyển pha. Nó mô tả sự xuất hiện của một trạng thái có ít đối xứng hơn trạng thái ban đầu. Trong trạng thái ngưng tụ exciton, đối xứng pha bị phá vỡ. Điều này dẫn đến sự xuất hiện của một tham số trật tự khác không. Tham số trật tự này đặc trưng cho trạng thái ngưng tụ. Ví dụ, trong trường hợp điện môi exciton, đối xứng đối với số hạt bị phá vỡ. Việc nghiên cứu phá vỡ đối xứng giúp hiểu rõ cơ chế của các chuyển pha. Nó cũng giúp phân loại các trạng thái vật chất khác nhau. Điều này có ý nghĩa quan trọng trong việc khám phá các tính chất mới của vật liệu.
IV. Mô hình hai dải năng lượng Exciton ngưng tụ bán dẫn
Một trong những trọng tâm của luận án là việc áp dụng mô hình hai dải năng lượng. Mô hình này được mở rộng để bao gồm tương tác điện tử – phonon. Nó là một cách hiệu quả để nghiên cứu trạng thái ngưng tụ exciton trong bán dẫn. Trong các bán dẫn, khoảng cách năng lượng giữa dải hóa trị và dải dẫn là hữu hạn. Điều này tạo điều kiện thuận lợi cho sự hình thành exciton. Tương tác điện tử – phonon có thể đóng vai trò kép. Nó có thể thúc đẩy hoặc ức chế sự hình thành và ngưng tụ exciton. Nghiên cứu này phân tích cách tương tác này ảnh hưởng đến tham số trật tự của exciton. Nó cũng xem xét các tính chất nhiệt động lực học của trạng thái ngưng tụ. Các kết quả từ mô hình này cung cấp những hiểu biết sâu sắc về hành vi của exciton.
4.1. Thiết lập mô hình hai dải điện tử phonon
Mô hình này bao gồm hai dải năng lượng: dải dẫn và dải hóa trị. Mỗi dải chứa các điện tử và lỗ trống. Ngoài ra, mô hình tích hợp tương tác giữa điện tử và phonon. Phonon là các dao động mạng tinh thể. Tương tác điện tử-phonon có thể gây ra các hiệu ứng quan trọng. Nó có thể thay đổi cấu trúc dải năng lượng. Nó cũng có thể ảnh hưởng đến năng lượng liên kết của exciton. Việc thiết lập Hamiltonian của hệ là bước đầu tiên. Hamiltonian bao gồm các số hạng động năng, tương tác Coulomb và tương tác điện tử-phonon. Mô hình này được xây dựng để mô tả chính xác hơn các điều kiện thực tế. Nó giúp hiểu các hệ vật chất phức tạp hơn.
4.2. Ứng dụng lý thuyết trường trung bình vào mô hình
Lý thuyết trường trung bình được áp dụng để giải mô hình hai dải. Các phép gần đúng Hartree-Fock được sử dụng. Chúng giúp biến đổi Hamiltonian phức tạp thành dạng đơn giản hơn. Điều này cho phép tính toán các tham số trật tự của exciton. Các phương trình tự hợp được thiết lập và giải. Chúng mô tả mối quan hệ giữa tham số trật tự và các thông số của hệ. Ví dụ, nhiệt độ, cường độ tương tác điện tử-phonon. Ứng dụng MF giúp xác định giản đồ pha. Nó cũng dự đoán sự phụ thuộc của trạng thái ngưng tụ vào các điều kiện vật lý. Phương pháp này cung cấp một khuôn khổ có hệ thống. Nó phân tích các hiệu ứng của tương tác điện tử-phonon đối với ngưng tụ exciton.
4.3. Phân tích kết quả ngưng tụ exciton và thảo luận
Các kết quả tính toán số từ mô hình hai dải được phân tích kỹ lưỡng. Sự phụ thuộc của tham số trật tự vào nhiệt độ và cường độ tương tác được khảo sát. Kết quả chỉ ra rằng tương tác điện tử-phonon có thể hỗ trợ hoặc cạnh tranh với ngưng tụ exciton. Điều này phụ thuộc vào loại và cường độ tương tác. Các giản đồ pha được xây dựng. Chúng biểu diễn các vùng ngưng tụ exciton trên không gian thông số. Thảo luận tập trung vào ý nghĩa vật lý của các kết quả này. Nó liên hệ với các quan sát thực nghiệm có thể có. Phân tích này đóng góp vào sự hiểu biết về vai trò của tương tác điện tử-phonon. Nó đặc biệt quan trọng trong việc điều khiển trạng thái ngưng tụ exciton trong bán dẫn.
V. Exciton ngưng tụ trong Falicov Kimball mở rộng Bán kim loại
Luận án cũng nghiên cứu trạng thái ngưng tụ exciton trong mô hình Falicov-Kimball mở rộng. Mô hình này rất phù hợp cho các hệ có cả điện tử tự do và điện tử cục bộ. Đặc biệt là những hệ trải qua chuyển pha bán kim loại – bán dẫn. Tương tác điện tử-phonon được tích hợp vào mô hình. Nó cho phép đánh giá vai trò của biến dạng mạng tinh thể. Các hệ bán kim loại thường có cấu trúc dải năng lượng đặc trưng. Chúng bao gồm các điểm Dirac hoặc khoảng trống năng lượng nhỏ. Điều này ảnh hưởng trực tiếp đến sự hình thành và ổn định của exciton. Nghiên cứu này cung cấp cái nhìn chi tiết về các điều kiện để exciton ngưng tụ. Nó cũng khám phá các tính chất của trạng thái ngưng tụ trong các vật liệu phức tạp này.
5.1. Giới thiệu mô hình Falicov Kimball mở rộng
Mô hình Falicov-Kimball (FK) ban đầu mô tả tương tác giữa điện tử tự do và điện tử cục bộ. Bản mở rộng của mô hình FK bổ sung thêm các tương tác khác. Nó có thể bao gồm tương tác giữa các điện tử cục bộ hoặc tương tác điện tử-phonon. Mô hình này rất hữu ích cho các vật liệu chuyển tiếp. Đặc biệt là những vật liệu có sự lai tạp giữa các dải điện tử khác nhau. Cấu trúc dải năng lượng phức tạp của bán kim loại được mô tả hiệu quả. Mô hình FK mở rộng giúp nghiên cứu các hiện tượng như chuyển pha điện môi-kim loại. Nó cũng phân tích sự hình thành của các trạng thái trật tự điện tử. Việc áp dụng mô hình này vào nghiên cứu exciton ngưng tụ là một hướng tiếp cận mới mẻ.
5.2. Nghiên cứu trạng thái ngưng tụ exciton trong mô hình
Trong khuôn khổ mô hình Falicov-Kimball mở rộng, trạng thái ngưng tụ exciton được điều tra. Lý thuyết trường trung bình tiếp tục là công cụ phân tích chính. Các tham số trật tự liên quan đến sự ghép cặp điện tử-lỗ trống được xác định. Nghiên cứu này xem xét ảnh hưởng của các thông số mô hình. Các thông số này bao gồm cường độ tương tác Coulomb, năng lượng lai tạp và tương tác điện tử-phonon. Nó cũng xem xét sự phụ thuộc vào nhiệt độ và mức độ điền đầy điện tử. Mục tiêu là xác định điều kiện tối ưu cho sự hình thành exciton ngưng tụ. Đặc biệt, nó tập trung vào các hệ có chuyển pha từ bán kim loại sang bán dẫn. Kết quả cung cấp hiểu biết về động lực học của các quasiparticle trong các hệ này.
5.3. Thảo luận kết quả và ý nghĩa cho bán kim loại
Các tính toán số từ mô hình Falicov-Kimball mở rộng được phân tích. Kết quả cho thấy tương tác điện tử-phonon đóng vai trò quan trọng. Nó có thể thay đổi đáng kể giản đồ pha của trạng thái ngưng tụ exciton. Đặc biệt, nó ảnh hưởng đến nhiệt độ chuyển pha. Sự hiện diện của điện tử cục bộ cũng tác động mạnh mẽ đến các tính chất của exciton. Thảo luận tập trung vào ý nghĩa của những phát hiện này đối với bán kim loại. Các hệ này có thể là ứng cử viên tiềm năng cho các ứng dụng công nghệ. Đặc biệt là trong việc chế tạo các thiết bị điện tử và quang tử mới. Nghiên cứu này góp phần vào việc khám phá các trạng thái vật chất kỳ lạ. Nó làm sâu sắc thêm sự hiểu biết về vật lý của các vật liệu bán kim loại phức tạp.
VI. Kết quả nổi bật và ý nghĩa nghiên cứu exciton
Luận án đã đạt được nhiều kết quả quan trọng trong việc làm sáng tỏ cơ chế ngưng tụ exciton. Đặc biệt, nó tập trung vào các hệ có chuyển pha bán kim loại – bán dẫn. Các mô hình lý thuyết đã được xây dựng và phân tích kỹ lưỡng. Chúng bao gồm mô hình hai dải và Falicov-Kimball mở rộng. Tương tác điện tử-phonon được đưa vào một cách có hệ thống. Điều này giúp hiểu rõ hơn vai trò của nó trong quá trình ngưng tụ. Kết quả chỉ ra các điều kiện cụ thể để exciton hình thành và ổn định. Nó cũng làm rõ cách các tham số vật liệu ảnh hưởng đến trạng thái ngưng tụ. Những đóng góp này có ý nghĩa lớn đối với vật lý vật chất ngưng tụ. Nó mở ra hướng nghiên cứu mới cho vật liệu và thiết bị trong tương lai.
6.1. Tóm tắt những đóng góp chính của luận án
Luận án đã chứng minh rằng tương tác điện tử-phonon có thể điều chỉnh mạnh mẽ. Nó điều chỉnh sự hình thành và nhiệt độ chuyển pha của trạng thái ngưng tụ exciton. Nó đã phát triển các giản đồ pha chi tiết cho các mô hình nghiên cứu. Các giản đồ này chỉ ra các vùng ổn định của ngưng tụ exciton. Nó cũng làm rõ vai trò của cấu trúc dải năng lượng đặc trưng. Cấu trúc này của các hệ bán kim loại và bán dẫn ảnh hưởng đến exciton. Luận án cung cấp một khuôn khổ lý thuyết toàn diện. Khung này giúp giải thích các hiện tượng quan sát được trong thực nghiệm. Những đóng góp này làm giàu thêm kiến thức về các trạng thái lượng tử vĩ mô.
6.2. Hướng nghiên cứu tiềm năng trong tương lai
Các kết quả từ luận án mở ra nhiều hướng nghiên cứu tiềm năng. Một hướng là mở rộng mô hình để bao gồm các hiệu ứng không tĩnh. Điều này bao gồm các dao động lượng tử và hiệu ứng nhiệt động học động. Nghiên cứu sâu hơn về vật liệu 2D như graphene hoặc dichalcogenide chuyển tiếp là cần thiết. Chúng có thể có các điểm Dirac và tính chất điện tử độc đáo. Việc khám phá ảnh hưởng của các trường ngoài (điện, từ) cũng rất hứa hẹn. Chúng có thể điều khiển và thao tác các trạng thái exciton ngưng tụ. Cuối cùng, sự hợp tác chặt chẽ hơn với các nghiên cứu thực nghiệm là thiết yếu. Điều này sẽ giúp kiểm chứng các dự đoán lý thuyết và thúc đẩy phát triển công nghệ mới.
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (132 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộBỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ––––––––––––––– ĐỖ THỊ HỒNG HẢI TRẠNG THÁI NGƯNG TỤ EXCITON TRONG CÁC HỆ CÓ CHUYỂN PHA BÁN KIM LOẠI – BÁN DẪN LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội – 2020 luan an BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ––––––––––––––– ĐỖ THỊ HỒNG HẢI TRẠNG THÁI NGƯNG TỤ EXCITON TRONG CÁC HỆ CÓ CHUYỂN PHA BÁN KIM LOẠI – BÁN DẪN Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 9.03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. Trần Minh Tiến Hà Nội – 2020 luan an LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Các số liệu, kết quả mới mà tôi công bố trong luận án là trung thực và chưa được ai công bố trong bất kỳ công trình nào khác. Hà Nội, ngày.năm 2020 Tác giả Đỗ Thị Hồng Hải i luan an LỜI CẢM ƠN Để được đi học ở Học viện Khoa học và Công nghệ, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam, trước hết tôi xin cảm ơn sự giúp đỡ, tạo điều kiện về mọi mặt của Ban giám hiệu trường Đại học Mỏ – Địa chất, Ban chủ nhiệm khoa Khoa học Cơ bản, Ban chủ nhiệm bộ môn Vật lý, cùng tập thể cán bộ, giảng viên bộ môn Vật lý.
Trong quá trình học tập và làm việc tại Học viện Khoa học và Công nghệ, dưới sự hướng dẫn của PGS. Phan Văn Nhâm và PGS. Trần Minh Tiến, tôi đã học hỏi được rất nhiều kiến thức cũng như kinh nghiệm trong nghiên cứu khoa học. Để hoàn thành được Luận án này và để có thể trở thành một người có khả năng nghiên cứu khoa học độc lập, tôi xin gửi đến hai thầy hướng dẫn lời cảm ơn sâu sắc nhất.
Tôi cũng xin gửi lời cảm ơn đến các cán bộ, thầy cô của Viện Vật lý đã giúp đỡ tôi trong thời gian học tập và nghiên cứu tại Viện. Tôi xin chân thành cảm ơn cán bộ phòng sau đại học Viện Vật lý, phòng đào tạo Học viện Khoa học và Công nghệ đã hỗ trợ tôi hoàn thành các thủ tục bảo vệ Luận án. Cuối cùng, tôi xin được cảm ơn gia đình, bạn bè luôn ở bên động viên và giúp đỡ tôi vượt qua mọi khó khăn trong quá trình học tập và hoàn thành Luận án. ii luan an MỤC LỤC DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT.
v DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ. vi MỞ ĐẦU. EXCITON VÀ TRẠNG THÁI NGƯNG TỤ EXCITON .Khái niệm về exciton .BEC và các trạng thái ngưng tụ exciton .Những thành tựu nghiên cứu ngưng tụ exciton. LÝ THUYẾT TRƯỜNG TRUNG BÌNH .Những khái niệm cơ bản .Gần đúng Hartree-Fock .Phá vỡ trật tự đối xứng.
EXCITON NGƯNG TỤ TRONG MÔ HÌNH HAI DẢI NĂNG LƯỢNG CÓ TƯƠNG TÁC ĐIỆN TỬ – PHONON .Mô hình điện tử hai dải năng lượng có tương tác điện tử – phonon 41 3.Áp dụng lý thuyết trường trung bình .Kết quả tính số và thảo luận. EXCITON NGƯNG TỤ TRONG MÔ HÌNH FALICOV-KIMBALL MỞ RỘNG CÓ TƯƠNG TÁC ĐIỆN TỬ – PHONON .Mô hình Falicov-Kimball mở rộng có tương tác điện tử – phonon .Áp dụng lý thuyết trường trung bình .Kết quả tính số và thảo luận. 78 iii luan an 4. 107 DANH MỤC CÔNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ.
112 TÀI LIỆU THAM KHẢO. 114 iv luan an DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT Viết tắt Tiếng Anh Tiếng Việt ARPES angle-resolved photoelectron phổ quang phát xạ phân giải theo spectroscopy góc BCS John Bardeen, Leon Cooper, Robert Schrieffer BEC Bose-Einstein condensed ngưng tụ Bose-Einstein CDW charge density wave sóng mật độ điện tích DMF dynamical mean field trường trung bình động EFK extended Falicov-Kimball Falicov-Kimball mở rộng EI excitonic insulator điện môi exciton HFA Hartree–Fock approximation gần đúng Hartree–Fock MF mean field trường trung bình PL photoluminescence quang phát xạ PR projector-based renormalization chiếu kết hợp tái chuẩn hóa QW quantum well giếng lượng tử SC semiconductor bán dẫn SM semimetal bán kim loại v luan an DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1.1 Cơ chế tạo thành exciton trong chất rắn.2 Giản đồ pha tổng quát của hệ điện tử – lỗ trống.3 Ghép cặp điện tử – lỗ trống trong các trạng thái ngưng tụ exciton.4 Giản đồ pha trạng thái ngưng tụ exciton trong mô hình EFK.5 Độ lệch mạng của ion Ti trong 1T -TiSe2 phụ thuộc vào nhiệt độ.6 Giản đồ pha trạng thái cơ bản trong mô hình EFK.7 Cường độ PL trong mặt phẳng năng lượng và tọa độ.8 ARPES của Ta2 NiSe5 ở 40K và 300K .9 ARPES của 1T -TiSe2 (a) ở trên và (b) dưới nhiệt độ chuyển pha EI.10 Giản đồ pha trạng thái EI của TmSe0.1 Thế năng của hệ khi chưa có phá vỡ (a) và phá vỡ (b) đối xứng.2 Sắp xếp mômen từ tại các nút lân cận gần nhất.3 Sắp xếp mômen từ của hệ ở trạng thái sắt từ và thuận từ.4 Hình (a) và (b) biểu thị nghiệm hình học của phương trình.5 Ba dạng nghiệm có thể có của mô hình Stoner.6 Các giá trị đo được của tham số khe cho ba kim loại khác nhau.1 Hình (a) mô tả cấu trúc vùng năng lượng của điện tử c và điện tử f .2 Tham số trật tự d phụ thuộc vào tần số phonon ω0 ứng với một vài giá trị của g khi εc −εf = 1 trong trạng thái cơ bản.3 Giản đồ pha trạng thái cơ bản của mô hình trong mặt phẳng (ω0 , g) khi εc − εf = 1.4 Giá trị của tham số trật tự |dk | phụ thuộc xung lượng k với một vài giá trị khác nhau của ω0 tại T = 0.5 Tham số trật tự d (lấp đầy) và độ lệch mạng xQ (rỗng) phụ thuộc vào εc − εf trong trạng thái cơ bản .6 Giản đồ pha trạng thái cơ bản của mô hình trong mặt phẳng (εc −εf , ω0 ) khi g thay đổi.53 vi luan an Hình 3.7 Tham số trật tự d phụ thuộc vào tần số phonon ω0 ứng với một vài giá trị của nhiệt độ khi εc − εf = 1 và g = 0.8 Tham số trật tự d (lấp đầy) và độ lệch mạng xQ (rỗng) phụ thuộc vào g ứng với một vài giá trị của nhiệt độ .9 Giản đồ pha của mô hình trong mặt phẳng (ω0 , g) khi εc − εf = 1 với một vài giá trị của nhiệt độ .10 Giá trị của tham số trật tự |dk | phụ thuộc vào xung lượng k và g với một vài giá trị khác nhau của nhiệt độ .11 Giá trị của tham số trật tự |dk | phụ thuộc vào xung lượng k và ω0 với một vài giá trị của nhiệt độ.12 Tham số trật tự d (lấp đầy) và độ lệch mạng xQ (rỗng) phụ thuộc vào εc − εf ứng với một vài giá trị của nhiệt độ.13 Giản đồ pha trạng thái ngưng tụ exciton của mô hình trong mặt phẳng (εc − εf , ω0 ) với g = 0.5 khi T thay đổi.14 Tham số trật tự d (lấp đầy) và độ lệch mạng xQ (rỗng) phụ thuộc vào nhiệt độ ứng với một vài giá trị của ω0 .15 Giá trị của tham số trật tự |dk | phụ thuộc vào xung lượng k và nhiệt độ ứng với một vài giá trị khác nhau của tần số phonon ω0 .16 Giản đồ pha trạng thái ngưng tụ exciton của mô hình trong mặt phẳng (ω0 , T ) với εc −εf = 1 khi g = 0.17 Tham số trật tự d (lấp đầy) và độ lệch mạng xQ (rỗng) là hàm của nhiệt độ T tại ω0 = 0.18 Giá trị của tham số trật tự |dk | phụ thuộc vào xung lượng k và nhiệt độ ứng với một vài giá trị của g khi ω0 = 0.19 Giản đồ pha trạng thái ngưng tụ exciton của mô hình trong mặt phẳng (g, T ) khi ω0 = 0.20 Tham số trật tự d (lấp đầy) và độ lệch mạng xQ (rỗng) là hàm của nhiệt độ T khi εc − εf thay đổi.21 Giản đồ pha trạng thái ngưng tụ exciton của mô hình trong mặt phẳng (εc − εf , T ) khi ω0 = 0.1 Năng lượng giả hạt Ek+ (đường liền nét); Ek− (đường đứt nét) và tham số trật tự |nk | dọc theo trục k trong vùng Brillouin thứ nhất với U nhỏ.2 Năng lượng giả hạt Ek+ (đường liền nét); Ek− (đường đứt nét) và tham số vii luan an trật tự |nk | dọc theo trục k trong vùng Brillouin thứ nhất với U lớn.3 Năng lượng giả hạt Ek+ (đường liền nét); Ek− (đường đứt nét) và tham số trật tự nk dọc theo trục k trong vùng Brillouin thứ nhất khi g thay đổi.4 Năng lượng giả hạt Ek+ (đường liền nét); Ek− (đường đứt nét) và tham số trật tự |nk | dọc theo trục k ở các nhiệt độ khác nhau.5 Tham số trật tự Λ (đường liền nét) và độ lệch mạng xQ (đường đứt nét) như là hàm của cường độ thế Coulomb với các giá trị khác nhau của g .6 Tham số trật tự Λ (đường liền nét) và độ lệch mạng xQ (đường đứt nét) như là hàm của U với các giá trị khác nhau của năng lượng tại nút.7 Tham số trật tự Λ (đường liền nét) và độ lệch mạng xQ (đường đứt nét) như là hàm của hằng số tương tác điện tử – phonon.8 Tham số trật tự Λ (đường liền nét) và độ lệch mạng xQ (đường đứt nét) như là hàm của nhiệt độ với các giá trị khác nhau của g .9 Tham số trật tự Λ (đường liền nét) và độ lệch mạng xQ (đường đứt nét) như là hàm của nhiệt độ với các giá trị khác nhau của U .10 Giá trị của tham số trật tự |nk | phụ thuộc xung lượng k trong vùng Bril- louin thứ nhất với các giá trị khác nhau của U .11 Giá trị của tham số trật tự |nk | phụ thuộc xung lượng k và thế Coulomb trong vùng Brillouin thứ nhất tại T = 0.12 Giá trị của tham số trật tự |nk | phụ thuộc xung lượng k trong vùng Bril- louin thứ nhất với nhiệt độ khác nhau.13 Giá trị của tham số trật tự |nk | phụ thuộc xung lượng k trong vùng Bril- louin thứ nhất với hằng số tương tác điện tử – phonon khác nhau .14 Sự phân bố quang phổ của điện tử c (trái) và điện tử f (phải) dọc theo trục (k, k) trong trạng thái cơ bản khi g thay đổi.15 Sự phân bố quang phổ của điện tử c (trái) và điện tử f (phải) dọc theo trục (k, k) trong trạng thái cơ bản khi U thay đổi.16 Sự phân bố quang phổ của điện tử c (trái) và điện tử f (phải) dọc theo trục (k, k) dọc theo trục (k, k) khi T thay đổi.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Đỗ Thị Hồng Hải (2020). Luận án trạng thái ngưng tụ exciton trong bán kim loại bán dẫn [Luận án tiến sĩ, Học viện Khoa học và Công nghệ]. LuanAn.net. https://luanan.net/vat-ly/vat-ly-chat-ran/luan-an-trang-thai-ngung-tu-exciton-he-ban-kim-loai-ban-dan-chuyen-pha
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Luận án trạng thái ngưng tụ exciton trong bán kim loại bán dẫn" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án nghiên cứu trạng thái ngưng tụ exciton trong hệ bán kim loại bán dẫn có chuyển pha. Phân tích cơ chế hình thành và đặc tính vật lý của trạng thái này.
Luận án "Luận án trạng thái ngưng tụ exciton trong bán kim loại bán dẫn" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Học viện Khoa học và Công nghệ. Năm bảo vệ: 2020.
Luận án "Luận án trạng thái ngưng tụ exciton trong bán kim loại bán dẫn" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Luận án trạng thái ngưng tụ exciton trong bán kim loại bán dẫn" thuộc chuyên ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán. Danh mục: Vật Lý Chất Rắn.
Luận án "Luận án trạng thái ngưng tụ exciton trong bán kim loại bán dẫn" có bao nhiêu trang?
Luận án "Luận án trạng thái ngưng tụ exciton trong bán kim loại bán dẫn" có 132 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Luận án trạng thái ngưng tụ exciton trong bán kim loại bán dẫn" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.