Luận án tiến sĩ nghiên cứu hiệu ứng tự đốt nóng của dây nano SnO2 ứng dụng cho cảm biến khí - Trịnh Minh Ngọc
Nghiên cứu hiệu ứng tự đốt nóng của dây nano SnO2 ứng dụng cho cảm biến khí nhằm mục đích đánh giá tiềm năng của vật liệu trong lĩnh vực cảm biến khí.
Luan An
Luận án tiến sĩ
Năm xuất bản
Số trang
159
Thời gian đọc
24 phút
Lượt xem
1
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
50 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- 1. Tổng quan cảm biến khí tự đốt nóng dây nano SnO2
- Số trang:
- 159 trang
- Trường:
- Đại học Bách khoa Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Khoa học Vật liệu
- Tác giả:
- Trịnh Minh Ngọc
- Năm:
- 2020
Tóm tắt nội dung luận án
I. Tổng quan cảm biến khí tự đốt nóng dây nano SnO2
Cảm biến khí đóng vai trò thiết yếu trong việc giám sát môi trường và an toàn công nghiệp. Thiết bị truyền thống tiêu tốn nhiều năng lượng do bộ sấy nhiệt cồng kềnh. Xu hướng hiện đại tập trung vào việc thu nhỏ kích thước thiết bị. Công nghệ vật liệu nano mở ra hướng tiếp cận đột phá. Dây nano thiếc oxit (SnO2 nanowires) sở hữu diện tích bề mặt riêng lớn cùng độ ổn định hóa học cao. Việc tích hợp hiệu ứng tự đốt nóng (Self-heating effect) giúp loại bỏ hoàn toàn bộ vi sấy ngoài. Dòng điện chạy qua dây nano trực tiếp sinh nhiệt. Nhiệt lượng tập trung cục bộ tại vùng làm việc của vật liệu. Giải pháp này giúp cắt giảm công suất tiêu thụ đáng kể. Thiết bị hoạt động ổn định, phản hồi nhanh và dễ dàng tích hợp vào hệ thống vi điện tử di động.
1.1. Thách thức năng lượng của cảm biến khí bán dẫn oxit kim loại
Cảm biến khí bán dẫn oxit kim loại (MOS gas sensor) yêu cầu nhiệt độ kích hoạt phản ứng từ 200°C đến 400°C. Bộ nung truyền thống sử dụng dây điện trở tiêu tốn hàng trăm milliwatt đến hàng watt điện năng. Mức tiêu thụ này cản trở việc tích hợp cảm biến vào thiết bị di động hay mạng cảm biến không dây IoT. Nguồn pin cạn kiệt nhanh chóng khi hệ thống đốt nóng hoạt động liên tục. Sự truyền nhiệt ra môi trường xung quanh gây tổn hao năng lượng lớn. Kích thước cảm biến cồng kềnh cũng là rào cản kỹ thuật lớn. Việc tìm kiếm cơ chế gia nhiệt mới trở thành yêu cầu cấp bách của ngành vi cơ điện tử.
1.2. Giải pháp tự đốt nóng trên cấu trúc vật liệu nano oxit
Cấu trúc nano một chiều mang lại khả năng dẫn dòng và sinh nhiệt cục bộ vượt trội. Nhiệt Joule cấu trúc nano (Joule heating) xuất hiện khi dòng điện đi qua mạng lưới dây nano. Điện trở cao tại các tiếp xúc nano chuyển hóa điện năng thành nhiệt năng hiệu quả. Nhiệt độ cục bộ trên dây nano tăng nhanh chỉ với dòng điện vài microampe. Hiện tượng tự gia nhiệt này loại bỏ nhu cầu sử dụng bộ gia nhiệt phụ trợ. Nhờ vậy, kích thước tổng thể của vi mạch giảm mạnh. Cảm biến đạt nhiệt độ kích hoạt bề mặt với mức năng lượng tiêu hao cực thấp. Đây là tiền đề chế tạo cảm biến khí tiêu thụ công suất thấp (Ultra-low power gas sensor).
II. Quy trình chế tạo dây nano SnO2 và vi điện cực cảm biến
Quy trình chế tạo cảm biến đòi hỏi sự kết hợp chính xác giữa công nghệ bán dẫn và tổng hợp nano. Vật liệu nền thường dùng là phiến silicon phủ lớp cách điện SiO2. Vi điện cực kim loại được tạo hình bằng kỹ thuật quang khắc và lắng đọng màng mỏng. Mạng lưới dây nano SnO2 được tích hợp trực tiếp lên khe điện cực. Cấu hình điện cực tối ưu hóa mật độ tiếp xúc và giảm điện trở ký sinh. Quy trình chế tạo đảm bảo tính lặp lại cao và khả năng mở rộng sản xuất công nghiệp. Cấu trúc sau chế tạo thể hiện độ bám dính tốt và độ bền cơ nhiệt cao.
2.1. Tổng hợp dây nano thiếc oxit qua phương pháp mọc hơi lỏng rắn
Phương pháp mọc hơi - lỏng - rắn (VLS mechanism) là kỹ thuật tiêu chuẩn để tổng hợp dây nano chất lượng cao. Hạt nano vàng (Au) đóng vai trò chất xúc tác trung tâm trên đế. Bột tiền chất Sn hoặc SnO2 bốc hơi ở nhiệt độ cao trong lò ống chân không. Hơi thiếc hòa tan vào giọt xúc tác kim loại lỏng tạo thành hợp kim quá bão hòa. SnO2 kết tinh và phát triển thành sợi đơn tinh thể định hướng dọc trục. Dây nano thiếc oxit (SnO2 nanowires) thu được có đường kính đồng đều từ 20 đến 100 nm. Cấu trúc tinh thể hoàn hảo giúp hạn chế tối đa sai hỏng mạng. Điều này nâng cao độ linh động của hạt tải điện trong vật liệu.
2.2. Thiết kế và chế tạo vi điện cực liên kết dây nano
Thiết kế hình thái điện cực quyết định hiệu suất phân bố dòng điện trong cảm biến. Các cặp điện cực răng lược hoặc điện cực khe hẹp cỡ micro mét được chế tạo bằng công nghệ bóc tách màng kim loại (lift-off). Lớp tiếp xúc Pt/Ti hoặc Au/Cr cung cấp độ bám dính và tiếp xúc ohmic hoàn hảo. Mạng lưới dây nano bắc cầu qua khe điện cực tạo thành mạch dẫn điện đa điểm tiếp xúc. Khoảng cách điện cực được tính toán kỹ lưỡng để tối ưu mật độ dây nano. Cấu trúc vi điện cực tối ưu giúp giảm điện thế vận hành và tập trung dòng điện hiệu quả.
III. Cơ chế nhạy khí và hiệu ứng tự đốt nóng công suất thấp
Cơ chế hoạt động của cảm biến dựa trên phản ứng trao đổi điện tử giữa khí thử và bề mặt vật liệu. Các phân tử oxy trong không khí hấp phụ và ion hóa, bắt giữ điện tử tự do. Quá trình này hình thành rào thế năng cản trở dòng dẫn qua vật liệu nano. Khi khí khử xuất hiện, phản ứng oxy hóa giải phóng điện tử trở lại dải dẫn. Điện trở của mạng lưới dây nano thay đổi đột ngột. Hiệu ứng tự đốt nóng kích hoạt các phản ứng hóa hấp phụ diễn ra nhanh chóng. Năng lượng tiêu thụ duy trì ở mức microwatt nhưng vẫn đảm bảo tín hiệu đo đạc chính xác.
3.1. Nhiệt Joule cấu trúc nano và điều khiển nhiệt độ hoạt động
Điện trở tại các điểm tiếp xúc giữa các dây nano đóng góp lớn vào tổng trở của mạng lưới. Khi đặt điện áp, nhiệt Joule cấu trúc nano (Joule heating) tập trung chủ yếu tại các điểm nối nano này. Mật độ dòng điện cực lớn sinh ra nhiệt lượng đủ để nung nóng toàn bộ dây nano lên hàng trăm độ C. Nhiệt độ hoạt động được điều khiển chính xác thông qua việc điều chỉnh công suất hoặc dòng điện đặt vào. Mối tương quan giữa công suất và nhiệt độ được xác định thông qua sự dịch chuyển phổ Raman hoặc mô phỏng truyền nhiệt. Phương pháp này giảm thiểu thất thoát nhiệt ra môi trường xung quanh.
3.2. Sự biến điệu vùng suy giảm điện tử và đặc tính I V dây nano đơn
Kích thước dây nano tương đương với bề dày của vùng suy giảm điện tử (Electron depletion layer). Sự thay đổi nồng độ khí môi trường làm biến điệu sâu sắc toàn bộ thể tích dẫn điện của dây nano. Khảo sát đặc tính I-V dây nano đơn (Single nanowire I-V characteristics) cho thấy hành vi dẫn điện phi tuyến tính dưới tác động của dòng tự đốt nóng. Khi điện áp tăng, nhiệt độ dây tăng làm tăng độ linh động của hạt tải và mật độ điện tử. Phân tích đường cong I-V giúp giải mã chi tiết cơ chế nhạy khí và xác định ngưỡng công suất hoạt động tối ưu.
3.3. Tối ưu hóa công suất tiêu thụ cho cảm biến khí nano
Việc tối ưu cấu trúc mạng lưới giúp tạo ra cảm biến khí tiêu thụ công suất thấp (Ultra-low power gas sensor). Bằng cách kiểm soát mật độ dây và khoảng cách điện cực, công suất làm việc của cảm biến giảm xuống dưới 100 microwatt. Mức công suất này thấp hơn hàng nghìn lần so với cảm biến màng mỏng truyền thống. Cảm biến hoạt động bền bỉ, không xảy ra hiện tượng quá nhiệt gây suy biến vật liệu. Thời gian đáp ứng và phục hồi tín hiệu đạt mức vài giây. Cấu trúc nano duy trì độ ổn định điện học tuyệt đối sau nhiều chu kỳ làm việc liên tục.
IV. Biến tính nano SnO2 với bạc nhằm tăng cường độ nhạy khí
Biến tính bề mặt bằng hạt nano kim loại quý là giải pháp then chốt để cải thiện hiệu năng cảm biến. Vật liệu SnO2 nguyên bản thường có độ chọn lọc hạn chế đối với các khí độc hại. Kim loại bạc (Ag) đóng vai trò chất xúc tác hóa học và điện tử mạnh mẽ. Sự kết hợp giữa nano Ag và mạng lưới SnO2 tạo ra các tiếp xúc dị thể nano. Hiệu ứng xúc tác làm giảm năng lượng hoạt hóa của các phản ứng bề mặt. Nhờ đó, cảm biến phát hiện khí mục tiêu ở nồng độ cực thấp với độ chọn lọc vượt trội. Quá trình biến tính được kiểm soát chặt chẽ nhằm tránh hiện tượng kết tụ hạt nano.
4.1. Kỹ thuật biến tính hạt nano kim loại bạc trên bề mặt SnO2
Hạt nano bạc được gắn kết lên bề mặt dây nano thiếc oxit (SnO2 nanowires) bằng phương pháp ngâm tẩm hóa học hoặc lắng đọng pha hơi. Kích thước hạt Ag được khống chế trong khoảng 3 đến 10 nm, phân bố đồng đều trên các sợi nano. Tiếp xúc giữa kim loại Ag và bán dẫn SnO2 tạo nên tiếp xúc Schottky cục bộ. Sự chênh lệch công thoát electron mở rộng vùng suy giảm điện tử (Electron depletion layer) tại ranh giới tiếp xúc. Cấu trúc vật liệu sau biến tính duy trì độ tinh khiết cao và độ bền liên kết bề mặt vững chắc.
4.2. Nâng cao độ nhạy và tính chọn lọc khí H2S ở công suất siêu thấp
Cảm biến SnO2 biến tính Ag thể hiện độ nhạy và tính chọn lọc khí (Sensitivity and selectivity) vượt bậc với khí H2S. Hạt Ag phản ứng với H2S tạo thành Ag2S, phá vỡ tiếp xúc Schottky và giải phóng lượng lớn điện tử vào SnO2. Sự chuyển pha hóa học này làm điện trở cảm biến giảm đột ngột nhiều bậc độ lớn. Ngay cả ở mức công suất tự đốt nóng siêu nhỏ, cảm biến vẫn phát hiện H2S ở nồng độ phần tỷ (ppb). Cảm biến hoàn toàn không bị nhiễu bởi các khí phổ biến như CO, H2, hay NH3. Tốc độ phục hồi của cảm biến được cải thiện rõ rệt.
V. Tiềm năng ứng dụng cảm biến khí tự đốt nóng thế hệ mới
Cảm biến tự đốt nóng mở ra kỷ nguyên mới cho các thiết bị phân tích khí di động. Khả năng hoạt động với công suất cực thấp cho phép tích hợp trực tiếp vào điện thoại thông minh, đồng hồ đeo tay và các thiết bị IoT. Hệ thống cảm biến đa kênh ứng dụng kỹ thuật tự gia nhiệt có thể phân tích hỗn hợp khí phức tạp. Thuật toán học máy kết hợp dữ liệu đáp ứng ở các mức công suất khác nhau giúp nhận diện chính xác từng loại khí. Đây là bước đột phá kỹ thuật phục vụ quan trắc môi trường, cảnh báo rò rỉ khí độc công nghiệp và chẩn đoán y tế hơi thở.
5.1. Cơ chế nhạy khí nhiệt độ phòng kết hợp tự đốt nóng thông minh
Cơ chế nhạy khí nhiệt độ phòng thường bị giới hạn bởi tốc độ phản ứng chậm và hiện tượng ngộ độc bề mặt. Hiệu ứng tự đốt nóng (Self-heating effect) giải quyết triệt để nhược điểm này bằng các xung dòng điện vi mô. Xung điện tự đốt nóng gia nhiệt cục bộ trong thời gian ngắn để làm sạch bề mặt và tái tạo độ nhạy. Cảm biến hoạt động ở nhiệt độ môi trường xung quanh nhưng vẫn duy trì hiệu suất nhạy khí cao như ở nhiệt độ cao. Phương pháp kích hoạt nhiệt xung này kéo dài tuổi thọ thiết bị và tiết kiệm tối đa năng lượng tiêu thụ của nguồn pin.
5.2. Định hướng phát triển cảm biến khí tiêu thụ công suất thấp
Sự phát triển của cảm biến khí tiêu thụ công suất thấp (Ultra-low power gas sensor) gắn liền với công nghệ chế tạo màng nano tự lắp ráp và mạch tích hợp CMOS. Việc tương thích hóa quy trình chế tạo vật liệu nano với dây chuyền bán dẫn tiêu chuẩn cho phép sản xuất hàng loạt với giá thành thấp. Thế hệ cảm biến khí tiếp theo sẽ đóng vai trò then chốt trong các trạm quan trắc không khí tự hành sử dụng pin năng lượng mặt trời. Ứng dụng này mang lại giải pháp giám sát an toàn môi trường thời gian thực với độ tin cậy và tính linh hoạt vượt trội.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (159 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộLỜI CẢM ƠN Luận án tiến sĩ được hoàn thành tại Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu (ITIMS), Trường Đại học Bách khoa Hà Nội dưới sự hướng dẫn khoa học của PGS. Nguyễn Văn Duy và PGS. Nguyễn Ngọc Trung. Nghiên cứu sinh xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc tới các thầy về định hướng khoa học, phương pháp nghiên cứu.
Dưới sự chỉ bảo tận tình cũng như sự quan tâm giúp đỡ và điều kiện mà các thầy giành cho học trò đã giúp học trò hoàn thành được luận văn này. Nghiên cứu sinh xin được chân thành cảm ơn GS. Nguyễn Văn Hiếu, GS. Nguyễn Đức Hòa, GS.
Hugo Nguyễn đã có những chỉ dẫn về khoa học, giúp đỡ và góp ý để luận án được hoàn thiện. Nghiên cứu sinh xin chân thành cảm ơn các cán bộ thuộc Phòng thí nghiệm nghiên cứu phát triển và ứng dụng Cảm biến nano, các nghiên cứu sinh, các học viên của nhóm iSensors đã nhiệt tình giúp đỡ, hỗ trợ, chia sẻ ý tưởng khoa học, chia sẻ khó khăn trong những thời khắc quan trọng để nghiên cứu sinh vượt qua và hoàn thành luận án. Tôi xin trân trọng cảm ơn Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội, các Phòng, Ban của Viện, Trường đã tạo điều kiện để nghiên cứu sinh hoàn thành chương trình học tập, nghiên cứu của mình. Nghiên cứu sinh xin được chân thành cảm ơn các nhà khoa học, các tác giả của các công trình khoa học được trích dẫn trong luận án vì đã cung cấp kiến thức, ý tưởng khoa học liên quan tới nội dung nghiên cứu của luận án.
Tác giả bày tỏ lòng biết ơn đối với những người thân trong gia đình đã động viên, khích lệ tác giả trong suốt thời gian học tập, nghiên cứu và thực hiện luận án. Tác giả luận án Trịnh Minh Ngọc luan an LỜI CAM ĐOAN Tác giả xin cam đoan nội dung của luận án là công trình nghiên cứu của riêng tác giả dưới sự hướng dẫn của PGS. Nguyễn Văn Duy và PGS. Nguyễn Ngọc Trung.
Các số liệu và kết quả trong luận án trung thực và chưa được tác giả khác công bố. Hà Nội, ngày tháng năm 2020 Giáo viên hướng dẫn Tác giả PGS. Nguyễn Văn Duy Trịnh Minh Ngọc PGS. Nguyễn Ngọc Trung i luan an MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN.
LỜI CAM ĐOAN .ii DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT. v DANH MỤC BẢNG BIỂU .vii DANH MỤC HÌNH ẢNH VÀ ĐỒ THỊ. viii GIỚI THIỆU CHUNG. 1 CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN.
Sự cần thiết của việc đốt nóng trong cảm biến khí. Cấu trúc vùng năng lượng, nguyên lý hoạt động và vai trò của nhiệt độ. Ảnh hưởng của nhiệt độ đến phản ứng bề mặt. Công suất tiêu thụ của cảm biến khí.
Yêu cầu giảm công suất tiêu thụ trong chế tạo cảm biến. Ứng dụng công nghệ để giảm c ng suất tiêu thụ của cảm iến. Cảm biến khí ứng dụng hiệu ứng tự đốt nóng. Hiệu ứng tự đốt nóng Joule và sự truyền nhiệt.
Cảm biến ứng dụng hiệu ứng tự đốt nóng và tình hình nghiên cứu. Kết luận chương 1. 39 CHƢƠNG 2: THỰC NGHIỆM. Hình thái và các ước chính trong chế tạo điện cực.
Hình thái của điện cực. Các ước chính trong chế tạo điện cực. Công nghệ chế tạo dây nano SnO2. Thiết bị và vật tư cần thiết.
Thực nghiệm chế tạo dây nano SnO2. 44 ii luan an 2. Phương pháp nghiên cứu hình thái vật liệu. Một số yếu tố ảnh hưởng tới hình thái vật liệu.
Hệ đo tính chất nhạy khí và phương pháp thực nghiệm. Hệ đo tính chất nhạy khí. Phương pháp đo tính chất nhạy khí của cảm biến tự đốt nóng. Biến tính mạng lưới dây nano SnO2.
Kết luận chương 2. 52 CHƢƠNG 3: ẢNH HƢỞNG CỦA HÌNH THÁI ĐIỆN CỰC VÀ VẬT LIỆU NHẠY KHÍ TỚI CÔNG SUẤT HOẠT ĐỘNG VÀ TÍNH CHẤT NHẠY KHÍ CỦA CẢM BIẾN. Nghiên cứu phát triển điện cực cho cảm biến tự đốt nóng. Vai trò của hình thái điện cực trong cảm biến khí oxit kim loại bán dẫn.
Nghiên cứu phát triển điện cực cho cảm biến tự đốt nóng. Nghiên cứu ảnh hưởng của mạng lưới dây nano SnO2 tới công suất hoạt động. Mô hình mạch điện và cơ chế nhạy khí của mạng lưới dây nano SnO2. Hình thái cấu trúc mạng lưới dây nano SnO2.
Nghiên cứu ảnh hưởng của mạng lưới dây nano SnO2 tới công suất hoạt động và đáp ứng khí của cảm biến. Tối ưu điều kiện chế tạo mạng lưới dây nano SnO2 cho phát triển cảm biến khí khử tự đốt nóng công suất thấp. Tác động của công suất tới độ ổn định của mạng lưới dây nano. Đặc trưng nhạy khí khử theo công suất hoạt động của cảm biến mạng lưới dây nano.
Định tính nhiệt độ hoạt động hoạt của cảm biến thông qua công suất hoạt động…. Kết luận chương 3. 90 CHƢƠNG 4: PHÁT TRIỂN CẢM BIẾN TỰ ĐỐT NÓNG MẠNG LƢỚI DÂY NANO SnO2 BIẾN TÍNH BẠC CHO NHẠY KHÍ H2S. Cảm biến khí tự đốt nóng mạng lưới dây nano SnO2 biến tính Ag.
93 iii luan an 4. Hình thái của vật liệu sau biến tính. Nghiên cứu hoạt động nhạy khí của cảm biến tự đốt nóng biến tính kim loại Ag. Phát triển cảm biến tự đốt nóng cho ứng dụng phân tích khí.
Kỹ thuật đo trên thiết bị của cảm biến ứng dụng hiệu ứng tự đốt nóng. Hoạt động mô phỏng đa cảm biến ứng dụng cho phân tích khí của cảm biến tự đốt nóng. Kết luận chương 4. 125 KẾT LUẬN CHUNG VÀ KIẾN NGHỊ.
127 TÀI LIỆU THAM KHẢO. 129 DANH MỤC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN. 143 iv luan an DANH MỤC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Ký hiệu, viết TT Tên tiếng Anh Nghĩa tiếng Việt tắt Bán dẫn – Oxit – Kim loại Complementary Metal- ù (một loại c ng nghệ sản 1 CMOS Oxide-Semiconductor xuất mạch tích hợp) 2 CNTs Carbon nanotubes Ống nano car on Chemical Vapour Lắng đọng hóa học pha 3 CVD Deposition hơi 4 DL Detection Limit Giới hạn phát hiện 5 FE Field Emission Phát xạ trường Field Emission Scanning Kính hiển vi điện tử 6 FE-SEM Electron Microsope quét phát xạ trường 7 FIB Focused Ion Beam Chùm ion hội tụ High Resolution Kính hiển vi điện tử 8 HR-TEM Transmission Electron truyền qua phân giải cao Microscope 9 IC Integrated Circuit Mạch tích hợp 10 ITO Indium Tin Oxide Oxit thiếc inđi Linear Discriminat Phân tích sự khác iệt 11 LDA Analysis tuyến tính Micro-Electro-Mechanical 12 MEMS Hệ vi cơ điện tử Systems Bộ điều khiển lưu lượng 13 MFC Mass Flow Controllers khí Multi-walled carbon 14 MWCNTs Ống nano car on đa tường nanotubes 15 NRs Nanorods Thanh nano 16 NWs Nanowires Dây nano 17 ppb Parts per billion Một phần tỷ v luan an Principal Component 18 PCA Phân tích thành phần chính Analysis 19 ppm Parts per million Một phần triệu 20 PR Photo Resist Cảm quang 21 ppt Parts per trillion Một phần nghìn tỷ 22 Ra Điện trở đo trong kh ng khí 23 Rg Điện trở đo trong khí thử Standard cubic centimeters Đơn vị đo lưu lượng khí 24 sccm per minute cm3/phút Scanning Electron 25 SEM Kính hiển vi điện tử quét Microscope Semiconductor Metal 26 SMO Oxit kim loại án dẫn Oxide 27 SVM Support Vector Machine Máy hỗ trợ véc-tơ Single-walled carbon Ống nano car on đơn 28 SWCNTs nanotubes tường 29 TE Thermal Emission Phát xạ nhiệt 30 UV Ultraviolet Tia cực tím 31 V-L-S Vapour Liquid Solid Hơi-lỏng-rắn 32 WSN Wireless Sensor Network Mạng cảm biến không dây 33 1D One Dementional Một chiều vi luan an DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 1. Công suất tiêu thụ của các thành phần điện được sử dụng trong thiết kế nút mạng cảm biến không dây [29]……………………………………………………….
Tính chất nhiệt trong thiết kế lò nhiệt [55]………………………………. Đặc tính các loại lò nhiệt [58]……………………………………………. Nồng độ các khí khác nhau được pha loãng từ khí khí chuẩn……. Các thông số được sử dụng phún xạ kim loại Ag………………………… 51 Bảng 4.
Ký hiệu các cảm biến sau khi biến tính Ag ở các điều kiện khác nhau…. Độ đáp ứng của cảm biến ST20(G10-S3) ở các nồng độ khác nhau của các loại khí khác nhau tương ứng với các dòng điện cấp cho cảm biến hoạt động khác nhau…………………………………………………………………………………. Ma trận nhầm lẫn nhận được từ phương pháp hồi quy máy hỗ trợ véc-tơ của cảm biến ST20(G10-S3) ở các dòng điện 0,6 mA; 0,8 mA và 1 mA………………. 124 vii luan an DANH MỤC HÌNH ẢNH VÀ ĐỒ THỊ Hình 1.
Sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng trong vật liệu bán dẫn. Mô hình kênh dẫn của vật liệu trong m i trường kh ng khí và sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng vật liệu bán dẫn loại n sau khi hấp phụ oxy bề mặt. Các dạng tồn tại của oxy ở các nhiệt độ khác nhau trên bề mặt vật liệu nhạy khí SnO2 [12]. Cơ chế hấp phụ độ ẩm trên bề mặt SnO2; một phân tử H2O liên kết với hai vị trí kim loại (a) và một phân tử nước liên kết với một vị trí kim loại (b) [20].
Mối quan hệ giữa điện trở và độ ẩm trong bán dẫn loại n và loại p [20]. Thành tựu công nghệ trong việc giảm công suất tiêu thụ của cảm biến của hãng Figaro (a), cảm biến khí được tích hợp trên điện thoại th ng minh ( ) và đồng hồ thông minh (c) [25-27]. Cảm biến kiểu Taguchi các thành phần cấu tạo (a), nhiệt độ làm việc của cảm biến trong khoảng 200 ± 400 ºC, đóng gói cảm biến (b). Cảm biến khí được chế tạo bằng kỹ thuật in lưới trên đế gốm có kích thước 6 mm 8 mm, có nhiệt độ làm việc khoảng 300 ºC (c) [32].
Đặc tính nhiệt của lò vi nhiệt: lò nhiệt Pt (a), lò nhiệt Si đa tinh thể (b) [40]……………………………………………………………………………………. Lò vi nhiệt của cảm biến công nghệ MEMS (a,b), cấu tạo của cảm biến (c) [43,44]…………………. Mất nhiệt của dây nano do tiếp xúc kim loại, m i trường khí và bức xạ [59]……. Mô hình cảm biến khí sử dụng: lò nhiệt ngoài (a), hiệu ứng tự đốt nóng (b)……….
Sự thay đổi nhiệt độ bề mặt so với công suất tiêu thụ (a), thay đổi độ nhạy của cảm biến so với điện áp xoay chiều và nhiệt độ của 1000 ppm CO (b) [60]. 30 viii luan an Hình 1. Ảnh SEM của cảm biến NO2 dạng đơn sợi ống nano cac on (a), đặc trưng nhạy khí của cảm biến dựa trên hiệu ứng tự đốt nóng (b) [65]. Sợi nano cac on được lắng động lên điên cực (a), ảnh quang học của cảm biến (b), ảnh TEM của sợi nano cacbon (c) [66,67].
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Trịnh Minh Ngọc (2020). Luận án tiến sĩ hiệu ứng tự đốt nóng dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến khí [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/vat-ly/vat-ly-chat-ran/luan-an-tien-si-hieu-ung-tu-dot-nong-day-nano-sno2-ung-dung-cam-bien-khi
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Luận án tiến sĩ hiệu ứng tự đốt nóng dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến khí" nghiên cứu về vấn đề gì?
Nghiên cứu hiệu ứng tự đốt nóng của dây nano SnO2 ứng dụng cho cảm biến khí nhằm mục đích đánh giá tiềm năng của vật liệu trong lĩnh vực cảm biến khí.
Luận án "Luận án tiến sĩ hiệu ứng tự đốt nóng dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến khí" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Năm bảo vệ: 2020.
Luận án "Luận án tiến sĩ hiệu ứng tự đốt nóng dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến khí" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Luận án tiến sĩ hiệu ứng tự đốt nóng dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến khí" thuộc chuyên ngành Khoa học Vật liệu. Danh mục: Vật Lý Chất Rắn.
Luận án "Luận án tiến sĩ hiệu ứng tự đốt nóng dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến khí" có bao nhiêu trang?
Luận án "Luận án tiến sĩ hiệu ứng tự đốt nóng dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến khí" có 159 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Luận án tiến sĩ hiệu ứng tự đốt nóng dây nano SnO2 ứng dụng cảm biến khí" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.