Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông nghiên cứu phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần - Trường Đại học Bách khoa Hà Nội
Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần ứng dụng trong hệ thống thông tin.
Luan An
Luận án tiến sĩ
Năm xuất bản
Số trang
145
Thời gian đọc
22 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- 1. Tổng quan bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần
- Số trang:
- 145 trang
- Trường:
- Đại học Bách khoa Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Kỹ thuật Viễn thông
- Tác giả:
- Trần Thị Thu Hường
- Năm:
- 2021
Tóm tắt nội dung luận án
I. Tổng quan bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần
Luận án cung cấp cái nhìn tổng thể về bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần. Chúng là thành phần cốt lõi trong kỹ thuật viễn thông. Bộ lọc này rất quan trọng cho các hệ thống thông tin vô tuyến hiện đại. Các đặc tính hiệu suất được khảo sát kỹ lưỡng. Suy hao chèn, suy hao phản xạ là những tham số chính. Luận án cũng phân tích ảnh hưởng của điều kiện cơ khí, môi trường. Việc này đảm bảo độ tin cậy, ổn định của bộ lọc. Mục tiêu là phát triển bộ lọc RF chất lượng cao. Chúng đáp ứng yêu cầu nghiêm ngặt của dải tần microwave.
1.1. Đặc tính và tham số bộ lọc hốc cộng hưởng
Bộ lọc hốc cộng hưởng có vai trò thiết yếu. Chúng được dùng rộng rãi trong các hệ thống thông tin vô tuyến. Luận án khảo sát sâu về bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần. Các đặc tính như suy hao chèn, suy hao phản xạ được phân tích. Các tham số này quyết định hiệu suất của bộ lọc. Hiểu rõ đặc tính giúp tối ưu thiết kế bộ lọc RF. Luận án cũng xem xét các yếu tố cơ khí và môi trường ảnh hưởng đến bộ lọc. Những yếu tố này quan trọng cho độ tin cậy của hệ thống. Chúng đảm bảo hoạt động ổn định trong mọi điều kiện.
1.2. Nguyên lý xây dựng bộ lọc thông dải
Quá trình thiết kế bộ lọc thông dải bắt đầu từ bộ lọc thông thấp mẫu. Phương pháp này đơn giản hóa việc tổng hợp bộ lọc. Các bước cụ thể được trình bày rõ ràng. Việc chuyển đổi từ thông thấp sang thông dải là kỹ thuật tiêu chuẩn. Quy trình thiết kế bao gồm tổng hợp, mô phỏng bộ lọc điện từ. Sau đó là tinh chỉnh để đạt được đặc tính mong muốn. Tinh chỉnh thường dùng lý thuyết độ trễ nhóm. Hoặc phương pháp dựa vào tham số cực trị điện nạp. Các bước này đảm bảo bộ lọc hoạt động chính xác trong dải tần microwave.
II. Thiết kế mô phỏng bộ lọc RF hốc cộng hưởng
Phần này tập trung vào việc mô hình hóa và thiết kế thực tế các bộ lọc hốc cộng hưởng. Mô hình hóa hốc cộng hưởng đơn là bước khởi đầu. Sau đó, các cấu trúc ghép phức tạp hơn được nghiên cứu. Đặc biệt là các cấu trúc ghép chéo, chúng tạo ra các pole truyền. Việc tiếp điện cho bộ lọc cũng được phân tích kỹ lưỡng. Đây là yếu tố quyết định sự khớp trở kháng. Luận án xây dựng mô hình tương đương mạch cho bộ lọc. Phần mềm mô phỏng HFSS đóng vai trò quan trọng. Nó giúp kiểm tra và tối ưu thiết kế bộ lọc RF. Các ứng dụng cụ thể trong hệ thống LTE-A được trình bày chi tiết.
2.1. Mô hình hóa và ghép hốc cộng hưởng
Mô hình hóa hốc cộng hưởng là bước cơ bản. Luận án nghiên cứu hốc cộng hưởng đơn và các cấu trúc ghép. Ghép giữa hai hốc liền kề được phân tích chi tiết. Ghép chéo giữa các hốc không liền kề cũng được khảo sát. Điều này tạo ra các pole truyền không hữu hạn. Tiếp điện cho bộ lọc là yếu tố quan trọng. Nó ảnh hưởng trực tiếp đến trở kháng vào/ra. Mô hình tương đương của bộ lọc hốc cộng hưởng cũng được xây dựng. Đây là nền tảng cho việc mô phỏng bộ lọc điện từ. Phần mềm mô phỏng HFSS là công cụ chính được sử dụng. Chúng đảm bảo tính chính xác của mô hình.
2.2. Thiết kế bộ lọc ứng dụng hệ thống LTE A
Luận án trình bày thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng cho ứng dụng LTE-A. Bộ lọc sử dụng hai đường ghép chéo kiểu C. Quá trình tổng hợp bộ lọc hốc cộng hưởng LTE được mô tả. Kích thước và cấu trúc được tính toán cẩn thận. Mô phỏng bộ lọc điện từ trên HFSS giúp đánh giá hiệu suất. Kết quả mô phỏng cung cấp cái nhìn sâu sắc. Nó cho phép điều chỉnh thiết kế. Việc này đảm bảo bộ lọc đạt các yêu cầu của hệ thống thông tin vô tuyến. Dải tần microwave của LTE-A đặt ra nhiều thách thức kỹ thuật. Luận án giải quyết các thách thức này.
III. Cải tiến cấu trúc ghép bộ lọc hốc cộng hưởng
Các giải pháp cải tiến cấu trúc ghép giữa các hốc cộng hưởng được đề xuất. Sự ghép điện từ giữa các hốc có ảnh hưởng lớn đến đáp ứng tần số. Luận án phân tích chi tiết ảnh hưởng này. Đề xuất các cấu trúc ghép cải tiến cho cả hốc liền kề và không liền kề. Cấu trúc ghép chéo kiểu C được đặc biệt chú trọng. Các cải tiến nhằm tối ưu hóa vị trí và độ lớn của các pole truyền. Mục tiêu là tăng độ chọn lọc và giảm suy hao. Các giải pháp này được áp dụng trực tiếp vào thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng. Kết quả chứng minh tính hiệu quả của chúng trong kỹ thuật viễn thông.
3.1. Cải tiến cấu trúc ghép liền kề
Cấu trúc ghép giữa hai hốc cộng hưởng kề nhau ảnh hưởng lớn đến hiệu suất. Luận án phân tích ảnh hưởng của cấu trúc ghép điện từ. Đề xuất cải tiến cấu trúc ghép liền kề. Điều này nhằm tối ưu hóa đáp ứng tần số. Các giải pháp được áp dụng trực tiếp trong thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng. Đánh giá chi tiết cho thấy hiệu quả của các cải tiến. Chúng giúp giảm suy hao và tăng độ chọn lọc. Việc này là cần thiết cho các hệ thống viễn thông hiện đại. Các cải tiến này đóng góp vào sự phát triển bộ lọc siêu cao tần.
3.2. Cải tiến cấu trúc ghép chéo kiểu C
Đường ghép chéo kiểu C thường được dùng để tạo pole truyền. Luận án nghiên cứu đề xuất cải tiến cấu trúc này. Mục tiêu là tối ưu hóa vị trí và độ lớn của pole. Cấu trúc ghép cải tiến được mô tả cụ thể. Chúng được áp dụng vào thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng. Kết quả mô phỏng và phân tích xác nhận tính hiệu quả. Những cải tiến này giúp tăng cường độ chọn lọc của bộ lọc. Chúng cũng có thể làm giảm kích thước tổng thể. Điều này quan trọng cho các thiết bị di động và trạm gốc. Chúng nâng cao khả năng của bộ lọc điện từ.
IV. Tăng cường khả năng chịu công suất bộ lọc siêu cao tần
Khả năng chịu đựng công suất là một thách thức lớn. Đặc biệt với bộ lọc siêu cao tần trong các hệ thống thông tin vô tuyến hiện đại. Luận án phân tích chi tiết đặc điểm chịu đựng công suất. Yêu cầu về công suất trong máy thu phát sóng vô tuyến được đánh giá. Các thông số như công suất đỉnh và công suất trung bình được tính toán. Mục tiêu là xác định giới hạn hoạt động. Luận án cũng tổng quan các phương pháp thiết kế. Chúng nhằm tăng khả năng chịu đựng công suất. Các giải pháp cải tiến cấu trúc vật lý được đề xuất. Chúng giúp tối ưu hóa hiệu suất của bộ lọc RF trong môi trường công suất cao.
4.1. Phân tích yêu cầu chịu đựng công suất
Khả năng chịu đựng công suất là một đặc tính then chốt. Đặc biệt trong các hệ thống thông tin vô tuyến công suất lớn. Luận án phân tích đặc điểm chịu đựng công suất của đường truyền đồng trục. Đánh giá yêu cầu về độ chịu đựng công suất trong máy thu phát sóng vô tuyến. Các thông số liên quan đến công suất đỉnh và công suất trung bình được tính toán. Phân tích này giúp xác định giới hạn hoạt động của bộ lọc siêu cao tần. Điều này là thiết yếu để đảm bảo độ tin cậy của hệ thống. Hiểu rõ yêu cầu là bước đầu để thiết kế bộ lọc RF.
4.2. Giải pháp nâng cao công suất cho bộ lọc
Tổng quan các phương pháp thiết kế tăng độ chịu đựng công suất được trình bày. Các giải pháp này tập trung vào cấu trúc vật lý của bộ lọc. Cải thiện vật liệu và hình dạng có thể tăng khả năng tản nhiệt. Giảm điện trường cục bộ cũng là một mục tiêu quan trọng. Luận án đề xuất các phương pháp cụ thể. Chúng nhằm tối ưu hóa cấu trúc hốc cộng hưởng. Việc này giúp bộ lọc hoạt động ổn định ở công suất cao. Nó đóng góp vào hiệu suất tổng thể của hệ thống dải tần microwave. Đây là cải tiến quan trọng cho kỹ thuật viễn thông.
V. Ứng dụng và đánh giá bộ lọc hốc cộng hưởng RF
Luận án trình bày thiết kế và chế tạo bộ Duplexer. Bộ này sử dụng hốc cộng hưởng lục giác cho trạm gốc LTE-A. Quá trình lựa chọn topo, tính toán kích thước được mô tả chi tiết. Mô phỏng bộ lọc điện từ và Duplexer cung cấp dữ liệu quan trọng. Thiết kế bộ lọc thông thấp đồng trục Band3 cũng được đề cập. Sau khi thiết kế, Duplexer được chế tạo thử nghiệm. Kết quả đo đạc thực tế được so sánh với mô phỏng. Việc đánh giá này xác nhận tính chính xác của phương pháp thiết kế. Nó chứng minh khả năng ứng dụng của bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục trong các hệ thống thông tin vô tuyến.
5.1. Thiết kế Duplexer cho trạm gốc LTE A
Luận án tập trung vào thiết kế bộ Duplexer. Bộ này sử dụng hốc cộng hưởng lục giác. Ứng dụng chính là trạm thu phát gốc LTE-A. Phân tích và lựa chọn cấu trúc topo bộ lọc được thực hiện. Thuộc tính và kích thước hốc cộng hưởng đơn được tính toán. Mô phỏng bộ lọc LTE-A và Duplexer cung cấp kết quả chi tiết. Thiết kế bộ lọc thông thấp đồng trục Band3 cũng được đề cập. Các bước này là cần thiết để tạo ra một Duplexer hiệu quả. Nó phải đáp ứng yêu cầu nghiêm ngặt của hệ thống thông tin vô tuyến. Đây là ứng dụng thực tế của bộ lọc siêu cao tần.
5.2. Chế tạo đo đạc và đánh giá hiệu suất
Sau quá trình thiết kế và mô phỏng, bộ Duplexer được chế tạo thử nghiệm. Kết quả đo đạc thực tế được thu thập. Các dữ liệu này được so sánh với kết quả mô phỏng. Sự đánh giá kết quả và thảo luận diễn ra cẩn thận. Điều này nhằm xác nhận tính chính xác của mô hình và phương pháp thiết kế. Kết quả khẳng định tiềm năng ứng dụng của bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục. Nó cũng chứng minh hiệu quả của các cải tiến được đề xuất. Đây là đóng góp quan trọng cho kỹ thuật viễn thông. Các phép đo đạc chứng minh tính khả thi của bộ lọc RF.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (145 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộBỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI TRẦN THỊ THU HƯỜNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT VIỄN THÔNG Hà Nội - 2021 luan an BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI TRẦN THỊ THU HƯỜNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN Ngành: Kỹ thuật Viễn thông Mã số: 9520208 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT VIỄN THÔNG NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: GS.TS VŨ VĂN YÊM luan an LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan rằng, các kết quả khoa học được trình bày trong quyển luận án này là kết quả nghiên cứu của bản thân tôi trong suốt thời gian làm nghiên cứu sinh và chưa từng xuất hiện trong công bố của các tác giả khác. Các kết quả nghiên cứu trong luận án là chính xác và trung thực. Hà Nội, ngày tháng năm 2021 Giảng viên hướng dẫn Tác giả luận án i luan an LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, tác giả xin bày tỏ lời cảm ơn sâu sắc và kính trọng đến thầy GS.TS Vũ Văn Yêm đã hướng dẫn và định hướng khoa học cho tôi trong suốt khóa học. Tác giả xin gửi lời cảm ơn chân thành nhất đến thầy PGS.
Nguyễn Xuân Quyền cùng các thành viên của RF Lab đã hỗ trợ và cùng tôi thực hiện một số công việc thiết kế trong luận án này. Tác giả xin trân trọng cảm ơn Ban Lãnh đạo, quý thầy cô và cán bộ trong Bộ môn Hệ thống Viễn thông, Viện Điện tử - Viễn thông và Phòng Đào tạo đã tạo các điều kiện thuận lợi về nơi học tập, nghiên cứu, các thủ tục hành chính và góp ý chuyên môn cho tôi trong suốt quá trình học tập và nghiên cứu tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Tác giả trân trọng cảm ơn Ban Giám hiệu Trường Đại học, Ban Lãnh đạo và các đồng nghiệp Khoa Điện tử - Trường Đại học Kinh tế Kỹ thuật Công nghiệp đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tác giả được tập trung nghiên cứu trong thời gian qua. Xin chân thành cảm ơn sự quan tâm, giúp đỡ, động viên của các đồng nghiệp, nhóm Nghiên cứu sinh – Viện Điện tử Viễn thông – Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội đã dành cho tôi.
Cuối cùng, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến các thành viên trong gia đình của tôi. Những người đã luôn động viên tinh thần và giúp đỡ tôi trong suốt thời gian vừa qua. Đây cũng là động lực lớn nhất giúp tôi vượt qua những khó khăn và hoàn thành kết quả của luận án này. Tác giả luận án ii luan an MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN.
ii MỤC LỤC. iii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT. vi DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ. TỔNG QUAN VỀ BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN.
Tổng quan về đặc tính của bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần. 10 Bộ tham số đặc tuyến của bộ lọc. 10 Khảo sát các tham số về cơ khí và điều kiện môi trường. Phương pháp xây dựng bộ lọc thông dải từ bộ lọc thông thấp mẫu.
13 Định nghĩa chung. 13 Xây dựng bộ lọc thông dải từ bộ lọc thông thấp mẫu. 14 Nguyên tắc tổng hợp bộ lọc. Quy trình thiết kế, mô phỏng bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần.
Phương pháp tinh chỉnh, tối ưu bộ lọc hốc cộng hưởng. 26 Phương pháp tinh chỉnh bằng lý thuyết về độ trễ nhóm. 26 Phương pháp tinh chỉnh dựa vào tham số cực trị điện nạp. Kết luận chương 1.
MÔ HÌNH HÓA VÀ CẤU TRÚC BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN. Mô hình hóa hốc cộng hưởng. 30 Hốc cộng hưởng đơn. 30 Ghép giữa hai hốc cộng hưởng.
32 Ghép chéo giữa hai hốc cộng hưởng không liền kề. 39 Tiếp điện cho bộ lọc hốc cộng hưởng (ghép vào/ra của bộ lọc). 41 Mô hình tương đương của bộ lọc hốc cộng hưởng. Mô hình hóa và thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng không khí ứng dụng trong máy thu phát LTE-A sử dụng hai đường ghép chéo kiểu C.
43 Tổng hợp bộ lọc hốc cộng hưởng LTE. 43 Thiết kế, mô phỏng và đánh giá. 45 iii luan an 2. Thiết kế bộ Duplexer có hốc cộng hưởng lục giác ứng dụng trong trạm thu phát gốc LTE-A.
50 Phân tích, lựa chọn topo của bộ lọc. 51 Phân tích thuộc tính và tính toán kích thước hốc cộng hưởng đơn. 53 Mô phỏng bộ lọc LTE-A và duplexer. 54 Thiết kế bộ lọc thông thấp đồng trục Band3.
Chế tạo thử nghiệm bộ Duplexer, đo đạc và đánh giá. 63 Chế tạo thử nghiệm, kết quả đo đạc. 63 Đánh giá kết quả và thảo luận. Kết luận chương 2.
MỘT SỐ GIẢI PHÁP CẢI TIẾN CẤU TRÚC GHÉP GIỮA HAI HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN. Nghiên cứu đề xuất cải tiến cấu trúc ghép giữa hai hốc kề nhau. 70 Phân tích đánh giá ảnh hưởng của cấu trúc ghép điện từ. 70 Đề xuất cải tiến cấu trúc ghép giữa hai hốc cộng hưởng liền kề.
72 Áp dụng trong thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng. 74 Đánh giá đề xuất. Nghiên cứu đề xuất cải tiến cấu trúc đường ghép kiểu C. 79 Đề xuất cấu trúc ghép cải tiến.
80 Áp dụng trong thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng. 83 Nhận xét, đánh giá. Kết luận chương 3. CẢI TIẾN CẤU TRÚC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN CÔNG SUẤT LỚN.
Phân tích về đặc tính chịu đựng công suất của bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần. 92 Đặc điểm về khả năng chịu đựng công suất của đường truyền đồng trục. 92 Đánh giá yêu cầu về độ chịu đựng công suất trong máy thu phát sóng vô tuyến. 93 Phân tích, tính toán thông số về khả năng chịu đựng công suất của bộ lọc (PH).
95 Tổng quan về các phương pháp thiết kế tăng độ chịu đựng công suất của bộ lọc. Đề xuất cấu trúc cải tiến đặc tính PH của bộ lọc. 97 Cấu trúc đề xuất. 97 iv luan an Quy trình thiết kế bộ lọc đạt PH mong muốn.
99 Áp dụng cấu trúc đề xuất trong thiết kế bộ lọc hốc eNodeB. 100 Áp dụng cấu trúc đề xuất vào thiết kế bộ lọc hốc gNodeB. Kết luận chương 4. 113 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO.
116 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN. 124 PHỤ LỤC CÁC PHẦN TỬ TRONG BỘ DUPLEXER CHẾ TẠO THỬ. 125 v luan an DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT Từ viết tắt Nghĩa tiếng Anh Nghĩa tiếng Việt BNC British Naval Connector Đầu nối BNC BW Bandwidth Băng thông CBW Coupling Bandwidth Băng thông ghép EM Electromagnetic Điện từ FBW Fractional Bandwidth Băng thông tương đối IL Insertion Loss Tổn hao do chèn LTE-A Long Term Evolution Advanced Mạng di động thế hệ 4.5 MEMS Microelectromechanical systems Hệ thống vi cơ điện tử MIMO Multi Input Multi Output Nhiều đầu vào nhiều đầu ra PH Power Handling Độ chịu đựng công suất RL Return Loss Suy hao phản xạ SMA SubMiniature version A Rắc nối loại nhỏ TNC Threaded Neill–Concelman Rắc nối có khía ren TZ Transimission Zero Điểm không của hàm truyền VNA Vector Network Analyzer Máy phân tích mạng vector vi luan an DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU a Chiều cao của đường kim loại nối giữa hai hốc cộng hưởng b Chiều dài của đường kim loại nối giữa hai hốc cộng hưởng d Đường kính của trụ cộng hưởng đồng trục ds Đường kính vít tinh chỉnh D Đường kính trong của hốc cộng hưởng (cavity) 𝐸⃗ Cường độ điện trường f0 Tần số trung tâm gi Điện kháng của phần tử cộng hưởng thứ i trong bộ lọc thông thấp mẫu ⃗ 𝐻 Cường độ từ trường h Chiều cao của trụ cộng hưởng đồng trục H Chiều cao của hốc cộng hưởng kE Hệ số ghép kiểu điện dung kM Hệ số ghép kiểu điện cảm K Ma trận biến đổi trở kháng J Ma trận biến đổi dẫn nạp LA Hệ số tổn hao do truyền sóng LAS Hệ số tổn hao trong dải chắn LAR Độ gợn trong dải thông M Ma trận hệ số ghép giữa các hốc n Bậc của bộ lọc N Số sóng mang vii luan an Pbr Công suất chịu đựng được của hốc cộng hưởng Qu Hệ số phẩm chất không tải Qe Hệ số phẩm chất ngoài RL Hệ số suy hao phản xạ Sij Các hệ số của ma trận tán xạ Td Độ trễ nhóm VSWR Tỷ số sóng đứng điện áp w Độ rộng cửa sổ ghép giữa hai hốc liền kề WEM Năng lượng điện trường Wr es Năng lượng điện trường chứa trong hốc cộng hưởng Zin Trở kháng vào của hốc cộng hưởng Z0 Trở kháng đặc trưng Hằng số truyền sóng θ Góc nghiêng khối nón cụt Ф Góc pha r Hằng số điện môi tương đối λ Bước sóng 0 Tần số góc trung tâm viii luan an DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1-1: Độ trễ nhóm của S11 tại tần số trung tâm f 0. 27 Bảng 2-1: Độ rộng băng tần ghép giữa hai hốc cộng hưởng.
47 Bảng 2-2: Các kích thước thiết kế của bộ lọc TX. 48 Bảng 2-3: Yêu cầu kỹ thuật của bộ Duplexer trong hệ thống eNodeB Band 3. 51 Bảng 2-4: Bộ tham số kích thước chi tiết của bộ cộng hưởng đơn. 54 Bảng 2-5: Kích thước chi tiết ốc tinh chỉnh sau tối ưu.
55 Bảng 2-6: Giá trị L,C của bộ lọc thông thấp siêu cao tần. 60 Bảng 2-7: Kích thước của các phần tử đồng trục trong bộ lọc thông thấp. 61 Bảng 2-8: Tổng hợp kết quả đo đạc bộ Duplexer. 68 Bảng 3-1: So sánh đặc điểm của 2 loại topo.
75 Bảng 3-2: Hệ số ghép giữa các hốc cộng hưởng. 76 Bảng 3-3: So sánh chỉ tiêu kỹ thuật của các bộ lọc. 79 Bảng 3-4: Độ rộng băng tần ghép. 85 Bảng 3-5: Bộ tham số chính của bộ lọc.
85 Bảng 4-1: Các yêu cầu kỹ thuật bộ lọc. 100 Bảng 4-2: Kết quả tổng hợp ma trận ghép [M-] và tần số cộng hưởng. 101 Bảng 4-3: So sánh đặc điểm đặc tuyến sau mô phỏng. 105 Bảng 4-4: Các yêu cầu kỹ thuật bộ lọc.
105 Bảng 4-5: Kết quả tổng hợp ma trận ghép [M-] và tần số cộng hưởng (gNB). 106 Bảng 4-6: Bảng giá trị các phần tử LC của sơ đồ mạch nguyên lý. 106 Bảng 4-7: Kích thước cơ bản của bộ lọc hốc cộng hưởng gNodeB. 109 Bảng 4-8: So sánh đặc điểm đặc tuyến sau mô phỏng .
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Trần Thị Thu Hường (2021). Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/ky-thuat-dien-dien-tu/ky-thuat-vien-thong/luan-an-tien-si-ky-thuat-vien-thong-bo-loc-hoc-cong-huong-sieu-cao-tan
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần ứng dụng trong hệ thống thông tin.
Luận án "Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Năm bảo vệ: 2021.
Luận án "Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" thuộc chuyên ngành Kỹ thuật Viễn thông. Danh mục: Kỹ Thuật Viễn Thông.
Luận án "Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" có bao nhiêu trang?
Luận án "Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" có 145 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Luận án tiến sĩ kỹ thuật viễn thông: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.