Mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO - Luận án tiến sĩ Nguyễn Thị Thảo

Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO, đề xuất phương pháp mô phỏng hiệu quả cho vật liệu bán dẫn.

Chuyên ngành

Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án Tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

159

Thời gian đọc

24 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

50 Point

Tóm tắt nội dung

I.Nghiên cứu cấu trúc nano xốp ZnO và ứng dụng tiềm năng

Tài liệu này trình bày nghiên cứu toàn diện về cấu trúc nano xốp ZnO. Vật liệu oxit kẽm (ZnO) là một bán dẫn nhóm II-VI quan trọng. ZnO nổi bật với khoảng trống vùng cấm rộng và năng lượng liên kết exciton lớn. Các đặc tính này tạo nên tiềm năng ứng dụng đa dạng của ZnO. Bao gồm lĩnh vực điện tử, quang điện tử và cảm biến. Cấu trúc nano xốp ZnO cung cấp diện tích bề mặt lớn. Điều này cải thiện hiệu suất trong nhiều ứng dụng. Mục tiêu là hiểu rõ hơn các đặc điểm cơ bản của cấu trúc nano kẽm oxit. Tài liệu khám phá các phương pháp mô hình hóa và mô phỏng. Kết quả cung cấp cái nhìn sâu sắc về tính chất vật lý của ZnO nano xốp. Những hiểu biết này hỗ trợ việc phát triển vật liệu tiên tiến.

1.1. Tổng quan vật liệu nano và bán dẫn

Tài liệu này cung cấp cái nhìn tổng quan về vật liệu nano. Định nghĩa vật liệu nano được trình bày rõ ràng. Phân loại vật liệu nano được giải thích chi tiết. Các phương pháp chế tạo vật liệu nano cũng được đề cập. Vật liệu bán dẫn là trọng tâm. Đặc biệt, vật liệu oxit kẽm (ZnO) được nhấn mạnh. ZnO là một bán dẫn nhóm II-VI quan trọng. Vật liệu này có nhiều tiềm năng ứng dụng. Nó là nền tảng cho nhiều công nghệ mới.

1.2. Vật liệu oxit kẽm ZnO

ZnO sở hữu cấu trúc tinh thể Wurtzite phổ biến. Vật liệu này có độ bền cao. Khoảng trống vùng cấm rộng là đặc điểm nổi bật (khoảng 3.37 eV ở nhiệt độ phòng). Năng lượng liên kết exciton lớn (60 meV) cũng được ghi nhận. Điều này tạo ra tính chất quang học ZnO độc đáo. ZnO biểu hiện cả tính chất áp điện và nhiệt điện. Vật liệu này có tính tương thích sinh học cao. Ứng dụng tiềm năng của ZnO rất đa dạng. Bao gồm các thiết bị điện tử, cảm biến và quang điện tử. Nghiên cứu cấu trúc nano kẽm oxit là cần thiết.

1.3. Cấu trúc nano xốp

Cấu trúc nano xốp được nghiên cứu kỹ lưỡng. Đây là vật liệu có diện tích bề mặt riêng BET lớn. Kích thước lỗ xốp nằm trong dải nanomet. Phân loại nano xốp được giới thiệu. Bao gồm Zeolite, Khung kim loại hữu cơ (MOF), và các tinh thể Fullerite. Mỗi loại có đặc điểm và ứng dụng riêng. Cấu trúc nano xốp mang lại tính chất vật lý và hóa học đặc biệt. Chúng phù hợp cho các ứng dụng xúc tác, lọc và cảm biến. Mô hình hóa cấu trúc xốp này là trọng tâm.

II.Lý thuyết phiếm hàm mật độ DFT và mô hình hóa ZnO

Nghiên cứu sử dụng Lý thuyết phiếm hàm mật độ DFT làm cơ sở. DFT là công cụ mạnh mẽ để mô hình hóa cấu trúc xốp và tính chất điện tử ZnO. Các định lý Hohenberg-Kohn và phương trình Kohn-Sham là nền tảng lý thuyết. Phương pháp trường tự hợp (SCF) được áp dụng. Điều này đảm bảo tính toán chính xác và ổn định. Đặc biệt, phương pháp SCC-DFTB được triển khai. Phương pháp này kết hợp DFT với gần đúng liên kết chặt. SCC-DFTB cung cấp hiệu quả tính toán cao. Nó phù hợp cho việc mô phỏng vật liệu nano, đặc biệt là các hệ thống lớn. Hiểu rõ lý thuyết là chìa khóa để phân tích chính xác các cấu trúc nano kẽm oxit.

2.1. Cơ sở lý thuyết phiếm hàm mật độ DFT

Lý thuyết phiếm hàm mật độ DFT là phương pháp tính toán quan trọng. Phương pháp này nghiên cứu cấu trúc điện tử của vật liệu. Các định lý Hohenberg-Kohn là nền tảng. Chúng chỉ ra năng lượng trạng thái cơ bản là phiếm hàm của mật độ điện tử. Phương trình Kohn-Sham được sử dụng. Phương trình này chuyển bài toán tương tác đa hạt thành bài toán hạt độc lập. Thế hiệu dụng Kohn-Sham bao gồm thế bên ngoài, thế Hartree, và thế trao đổi tương quan. Phiếm hàm trao đổi tương quan là thành phần cốt lõi. Gần đúng mật độ cục bộ (LDA) và gần đúng Gradient tổng quát (GGA) thường được áp dụng. Phương pháp này cung cấp cái nhìn sâu sắc về tính chất điện tử ZnO.

2.2. Phương pháp trường tự hợp SCF

Phương pháp trường tự hợp (Self-Consistent Field - SCF) là quy trình iterative. Phương pháp này giải quyết phương trình Kohn-Sham. Mật độ điện tử ban đầu được giả định. Thế hiệu dụng được tính từ mật độ này. Phương trình Kohn-Sham sau đó được giải. Mật độ điện tử mới được thu được. Quá trình này lặp lại cho đến khi mật độ điện tử hội tụ. Tức là, mật độ đầu vào và đầu ra gần như không thay đổi. Phương pháp SCF đảm bảo tính toán ổn định và chính xác. Đây là bước thiết yếu trong mô hình hóa cấu trúc xốp.

2.3. DFT kết hợp gần đúng liên kết chặt SCC DFTB

Mô hình gần đúng liên kết chặt (Tight-Binding - TB) là phương pháp bán kinh nghiệm. Phương pháp SCC-DFTB (Self-Consistent Charge Density Functional based Tight-Binding) kết hợp DFT với TB. Phương pháp này cải thiện hiệu quả tính toán đáng kể. Nó vẫn giữ được độ chính xác nhất định. Công thức năng lượng tổng Kohn-Sham được sắp xếp lại. Các gần đúng SCC-DFTB được áp dụng. Chúng giúp giảm chi phí tính toán. Phương pháp SCC-DFTB lý tưởng cho mô phỏng vật liệu nano quy mô lớn. Đặc biệt với cấu trúc nano kẽm oxit phức tạp.

III.Mô hình hóa cấu trúc nano xốp ZnO mật độ thấp Bottom up

Tài liệu tập trung vào mô hình hóa cấu trúc xốp ZnO mật độ thấp. Phương pháp tiếp cận từ dưới lên được sử dụng. Cách tiếp cận này xây dựng cấu trúc từ các đơn vị nhỏ nhất. Mục tiêu là khám phá các hình thái mới của ZnO nano xốp. Các tính toán chi tiết về năng lượng liên kết được thực hiện. Độ bền vững của từng cấu trúc được đánh giá cẩn thận. Cấu trúc vùng năng lượng của điện tử cũng được nghiên cứu. Điều này cung cấp hiểu biết sâu sắc về tính chất điện tử ZnO và tính chất quang học ZnO. Các kết quả góp phần vào việc thiết kế cấu trúc nano kẽm oxit với các đặc tính mong muốn. Phương pháp này là một công cụ mạnh mẽ trong mô phỏng vật liệu nano.

3.1. Phương pháp tiếp cận từ dưới lên

Phương pháp tiếp cận từ dưới lên được áp dụng. Phương pháp này xây dựng cấu trúc nano xốp từ các khối nguyên tử nhỏ. Các thành phần cơ bản được ghép nối với nhau. Mục tiêu là tạo ra các cấu trúc nano xốp ZnO mới. Các cấu trúc này có mật độ thấp. Điều này giúp tối ưu hóa diện tích bề mặt. Khả năng dự đoán cấu trúc vật liệu mới được tăng cường. Đây là phương pháp hiệu quả cho mô phỏng vật liệu nano.

3.2. Tính toán chi tiết cấu trúc và độ bền

Các tính toán chi tiết được thực hiện. Năng lượng liên kết của các cấu trúc được xác định. Độ bền vững của từng cấu trúc được đánh giá. Các thông số cấu trúc quan trọng được chiết xuất. Bao gồm chiều dài liên kết và góc liên kết. Cấu trúc vùng năng lượng của điện tử cũng được nghiên cứu. Khoảng cách vùng cấm và mức Fermi được xác định. Điều này cung cấp thông tin quan trọng về tính chất điện tử của ZnO nano xốp.

3.3. Phân tích tính chất của ZnO nano xốp

Kết quả tính toán được phân tích kỹ lưỡng. Các cấu trúc nano xốp ZnO mật độ thấp tiềm năng được xác định. Sự ổn định cấu trúc được thảo luận. Tính chất quang học ZnO được dự đoán. Khả năng hấp thụ và phát xạ ánh sáng được đánh giá. Tính chất điện tử ZnO, như độ dẫn điện, cũng được phân tích. Những hiểu biết này đóng góp vào việc phát triển cấu trúc nano kẽm oxit mới. Các ứng dụng trong cảm biến hoặc xúc tác có thể được khám phá.

IV.Mô phỏng cấu trúc nano xốp kênh lục giác ZnO Top down

Nghiên cứu này mô phỏng cấu trúc nano xốp kênh lục giác ZnO. Phương pháp tiếp cận từ trên xuống được sử dụng để thiết kế. Các cấu trúc với các dạng kênh rỗng lục giác được tạo ra. Năng lượng liên kết và độ bền vững của pha được tính toán. Mật độ trạng thái phonon được xác định bằng lý thuyết DFT. Điều này cung cấp thông tin quan trọng về sự ổn định nhiệt. Cấu trúc vùng điện tử được phân tích chi tiết. Ảnh hưởng của hình thái kênh rỗng đến tính chất quang học ZnO và tính chất điện tử ZnO được làm rõ. Các phát hiện này mở rộng hiểu biết về cấu trúc nano kẽm oxit. Chúng hỗ trợ việc thiết kế các vật liệu có hiệu suất cao cho các ứng dụng cụ thể.

4.1. Thiết kế cấu trúc nano xốp từ trên xuống

Phương pháp thiết kế cấu trúc từ trên xuống được triển khai. Cấu trúc nano xốp kênh rỗng dạng lục giác được tạo ra. Phương pháp này bắt đầu từ cấu trúc khối lớn. Sau đó, các lỗ rỗng được tạo hình. Cách phân loại cấu trúc được mô tả. Bao gồm các cấu trúc với số lớp tường khác nhau. Việc này cho phép nghiên cứu ảnh hưởng của hình thái học. Mô hình hóa cấu trúc xốp này là bước quan trọng.

4.2. Tính toán năng lượng độ bền vững và phonon

Năng lượng liên kết của các cấu trúc kênh lục giác được tính toán. Độ bền vững của pha được đánh giá. Phương trình trạng thái được nghiên cứu kỹ lưỡng. Mật độ trạng thái phonon được tính bằng lý thuyết DFT. Phổ phonon cung cấp thông tin về dao động mạng. Điều này phản ánh sự ổn định nhiệt của vật liệu. Các kết quả này rất quan trọng. Chúng xác định các cấu trúc khả thi trong thực tế. Mô phỏng vật liệu nano đòi hỏi các tính toán chính xác.

4.3. Phân tích vùng điện tử và tính chất

Cấu trúc vùng điện tử của các cấu trúc kênh lục giác được phân tích. Khoảng cách vùng cấm và các mức năng lượng được xác định. Ảnh hưởng của kích thước và hình dạng kênh rỗng được làm rõ. Điều này tác động đến tính chất quang học ZnO. Nó cũng ảnh hưởng đến tính chất điện tử ZnO. Các kết quả thảo luận sâu sắc. Chúng chỉ ra tiềm năng của các cấu trúc này. Ứng dụng trong quang điện tử và cảm biến được mở rộng. Cấu trúc nano kẽm oxit dạng kênh rỗng có nhiều triển vọng.

V.Khám phá cấu trúc nano xốp ZnO kênh tam giác thoi Top down

Nghiên cứu tiếp tục khám phá các cấu trúc nano xốp ZnO phức tạp hơn. Cụ thể là cấu trúc kênh rỗng dạng tam giác và thoi. Phương pháp tiếp cận từ trên xuống được áp dụng. Độ bền vững của các cấu trúc mới được đánh giá nghiêm ngặt. Tính chất cơ học, như modulus Young, cũng được nghiên cứu. Mô phỏng ảnh nhiễu xạ tia X giúp xác nhận cấu trúc. Tính chất điện tử của các cấu trúc này được phân tích chi tiết. Ảnh hưởng của hình dạng kênh đến các đặc tính điện tử được làm rõ. Các kết quả đóng góp vào việc hiểu sâu hơn về ZnO nano xốp. Nó mở ra hướng mới cho việc thiết kế cấu trúc nano kẽm oxit với các chức năng cụ thể.

5.1. Thiết kế cấu trúc nano xốp dạng tam giác và thoi

Nghiên cứu mở rộng sang các cấu trúc nano xốp khác. Cấu trúc kênh rỗng dạng tam giác và thoi được thiết kế. Phương pháp tiếp cận từ trên xuống tiếp tục được sử dụng. Việc này cho phép khám phá đa dạng các hình thái lỗ xốp. Mục tiêu là tìm ra các cấu trúc ổn định. Các cấu trúc mới có thể có tính chất độc đáo.

5.2. Đánh giá độ bền vững và tính chất cơ học

Độ bền vững của các cấu trúc mới được đánh giá. Năng lượng hình thành được tính toán. Tính chất cơ học của các cấu trúc cũng được nghiên cứu. Các tham số như modulus Young được xác định. Mô phỏng ảnh nhiễu xạ tia X được thực hiện. Điều này giúp dự đoán kết quả thực nghiệm. Nó cung cấp bằng chứng gián tiếp về cấu trúc. Việc này rất quan trọng trong việc xác nhận mô hình hóa cấu trúc xốp.

5.3. Phân tích tính chất điện tử của các cấu trúc

Tính chất điện tử của cấu trúc nano xốp kênh rỗng dạng tam giác và thoi được phân tích. Cấu trúc vùng năng lượng được kiểm tra kỹ lưỡng. Ảnh hưởng của hình dạng kênh đến khoảng cách vùng cấm được làm rõ. Điều này có ý nghĩa quan trọng đối với tính chất điện tử ZnO. Các phát hiện này đóng góp vào hiểu biết sâu rộng. Chúng hỗ trợ việc thiết kế vật liệu có chức năng cụ thể. Các ứng dụng cho ZnO nano xốp tiếp tục được mở rộng.

Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp zno

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (159 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ THẢO NGHIÊN CỨU MÔ HÌNH HÓA VÀ MÔ PHỎNG CẤU TRÚC NANO XỐP ZnO LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội - 2017 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI NGUYỄN THỊ THẢO NGHIÊN CỨU MÔ HÌNH HÓA VÀ MÔ PHỎNG CẤU TRÚC NANO XỐP ZnO Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 62440103 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS. Vũ Ngọc Tước Hà Nội - 2017 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi, được thực hiện dưới sự hướng dẫn của PGS. Các kết quả nêu trong luận án là trung thực và chưa từng được ai khác công bố. Hà Nội, ngày tháng năm Giáo viên hướng dẫn Tác giả luận án PGS.

Vũ Ngọc Tước Nguyễn Thị Thảo i LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, tôi xin tỏ lòng cảm ơn sâu sắc tới người thầy của tôi - PGS. Trong quá trình làm việc thực hiện luận án, tôi đã nhận được sự hướng dẫn tận tình của Thầy. Thầy đã động viên, khích lệ tôi vượt qua khó khăn trong công việc, cũng như đặt ra các vấn đề nghiên cứu có tính thời sự cao và tạo hứng khởi trong nghiên cứu để tôi theo đuổi đề tài luận án. Tiếp theo tôi xin cảm ơn sự chân thành giúp đỡ, đóng góp ý kiến về mặt khoa học cũng như sự động viên tinh thần, tạo mọi điều kiện thuận lợi của các đồng nghiệp, các Thầy cô trong viện Vật lý kỹ thuật và Viện đào tạo sau đại học, Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội và cơ quan chủ quản của tôi Trường Đại học Hồng Đức.

Cuối cùng, tôi xin cảm ơn sự động viên, tạo điều kiện tốt nhất của Gia đình tôi, đặc biệt là bố mẹ, chồng và các con tôi để tôi có thể tập trung nghiên cứu và hoàn thành luận án này. Hà Nội, ngày tháng năm Tác giả luận án Nguyễn Thị Thảo ii MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN. ii MỤC LỤC. iii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT.

vi DANH MỤC CÁC BIỂU BẢNG. ix DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ ĐỒ THỊ. xiv CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU VÀ CÁC CẤU TRÚC NANO BÁN DẪN THẤP CHIỀU. Tổng quan về vật liệu và cấu trúc nano bán dẫn thấp chiều.

Định nghĩa vật liệu nano. Phân loại vật liệu nano. Chế tạo vật liệu nano. Tổng quan về các vật liệu nghiên cứu.

Sơ lược về vật liệu bán dẫn. Phân loại vật liệu bán dẫn theo cấu trúc nguyên tử. Vật liệu ôxit kẽm (ZnO). Đặc điểm cấu trúc và các thuộc tính:.

Ứng dụng tiềm năng. Cấu trúc nano xốp. Phân loại nano xốp. Zeolite - Nano xốp vô cơ.

Khung kim loại hữu cơ - MOF. Siêu vật liệu. Các tinh thể Fullerite. Các khoáng sét nanoclay.

34 CHƯƠNG 2: CƠ SỞ LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ VÀ GẦN ĐÚNG LIÊN KẾT CHẶT DỰA TRÊN DFT. Phương trình Schrödinger độc lập thời gian. Gần đúng Born-Oppenheimer. Lý thuyết phiếm hàm mật độ DFT.

Các Định lý Höhenberg-Kohn. Phương trình Kohn-Sham. Thế hiệu dụng Kohn-Sham. Phiếm hàm trao đổi tương quan.

Gần đúng mật độ cục bộ. Gần đúng Gradient tổng quát. Phương pháp trường tự hợp. Phương pháp phiếm hàm mật độ kết hợp gần đúng liên kết chặt tự hợp điện tích SCC-DFTB.

Mô hình gần đúng liên kết chặt. Phương pháp SCC-DFTB. Sắp xếp lại công thức năng lượng tổng Kohn-Sham. Các gần đúng SCC-DFTB.

54 CHƯƠNG 3: NGHIÊN CỨU CÁC CẤU TRÚC NANO XỐP MẬT ĐỘ THẤP BẰNG PHƯƠNG PHÁP TIẾP CẬN TỪ DƯỚI LÊN. Phương pháp dự đoán cấu trúc bằng cách tiếp cận từ dưới lên. Tính toán chi tiết. Năng lượng liên kết, độ bền vững của cấu trúc.

Cấu trúc vùng năng lượng của điện tử [29]. Các thông số cấu trúc. 74 CHƯƠNG 4: NGHIÊN CỨU CÁC CẤU TRÚC NANO XỐP KÊNH RỖNG DẠNG LỤC GIÁC BẰNG PHƯƠNG PHÁP TIẾP CẬN TỪ TRÊN XUỐNG. Phương pháp thiết kế cấu trúc bằng phương pháp từ trên xuống.

Chi tiết tính toán. Năng lượng dao động tự do. Tính mật độ trạng thái phonon bằng lý thuyết DFT. Các cấu trúc nano xốp kênh rỗng dạng lục giác.

Mô tả về cách phân loại cấu trúc. Năng lượng liên kết, độ bền vững của pha và phương trình trạng thái. Cấu trúc vùng điện tử. Kết quả và thảo luận.

101 iv CHƯƠNG 5: NGHIÊN CỨU CÁC CẤU TRÚC NANO XỐP KÊNH RỖNG DẠNG TAM GIÁC VÀ THOI BẰNG PHƯƠNG PHÁP TIẾP CẬN TỪ TRÊN XUỐNG. Thiết kế các cấu trúc nano xốp kênh rỗng dạng thoi và tam giác. Chi tiết tính toán. Đánh giá độ bền vững của cấu trúc.

Mô phỏng ảnh nhiễu xạ tia X. Tính chất cơ học của các cấu trúc. Tính chất điện tử. 123 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ.

124 TÀI LIỆU THAM KHẢO. 126 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN. 138 v DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT KH &CN: Khoa học và công nghệ KH: Khoa học CN: Công nghệ KHVL: Khoa học vật liệu TD: Thí dụ WZ: Wurtzite ZB: Zincblende 0D: 0 dimension 1D: 1 dimention 2D: 2 dimension 3D: 3 dimension HW: Half Wall SW: Single Wall 1.5 Wall DW: Double Wall 2.5 Wall TW: Triple Wall 3.5 Wall QW: Quadruple Wall CMS: Computational Materials Science MD: Molecular Dynamics DFT: Density Functional Theory TB: Tight-Binding DFTB: Density Functional based Tight-Binding SCF: Self- Sonsistent Field SCC-DFTB: Self Consistent Charge Density Functional based Tight-Binding TDDFTB: Time Dependent Density Functional based Tight-Binding VASP: The Vienna Ab initio Simulation Package SIESTA: Spanish Initiative for Electronic Simulations with Thousands of Atoms VESTA: Visualization System of Electronic and Structural Analysic XRD: X Ray Diffraction vi LDA: Local Density Approximation GEA: Geradient Expansion Approximation GGA: Gneralized Gradient Approximation PBE: Perdew-Burke-Ernzerhof PBESol: Perdew-Burke-Ernzerhof Solid HSE: Heyd-Scuseria-Ernzerhof STO: Slater Type Orbitals SK: Slater Koster HF: Hatree Fock BM: Bulk Modulus XC: Exchange Corelational DOS: Densities Of States PDOS: Projected Densities Of States MOF: Metal Organic Framework HOMO: Hightest Occupied Molecular Orbital LUMO: Lowest Unoccupied Molecular Orbital CBM: Conduction Band Minimum VBM: Valence Band Maximum TEM: Transmission Electron Microscopy SEM: Scanning Electron Microscope AFM: Atomic Force Microscope NEMS: Nano Electric Mechanical System MEMS Micro Electronic Mechanical System CMOS: Complementary Metal-Oxide-Semiconductor CVD: Chemical Vapour Deposition PVD: Physical Vapor Deposition MC: Micromechanical Cleavage RNA: Ribo Nucleic Acid DNA: Deoxyribo Nucleic Acid NP: Nano Particle NP-DNA : Nano Particle - DeoxyriboNucleic Acid UV: Ultra Violet IR: Infra Red ITO: Indium Tin Oxide vii FET: Field Effect Transistor TTET: Transparent Thin Film Transistors LED: Light Emitting Diode OLED: Organic LightEmiting Diode LCD: Liquid Crystal Display MR: Member Ring IZA: International Zeolite Association viii DANH MỤC CÁC BIỂU BẢNG Bảng 1.1: Bảng các tham số của vật liệu bán dẫn nhóm II-VI [117] .2: Modul khối của vật liệu ZnO [131] .1: Bảng tổng hợp các thông số đặc trưng của tất cả các pha nano xốp đã nghiên cứu của ZnO.1: Các đặc trưng vật lý của một vài cấu trúc rỗng được tính bởi DFTB+ và DFT .2: Bảng tổng hợp thông số đặc trưng của các cấu trúc nano xốp kênh rỗng dạng lục giác.1: Bảng tổng hợp ba họ cấu trúc rỗng ZnO được thiết kế nghiên cứu.2: Hằng số mạng (a và c), độ dài liên kết Zn-O trung bình (l), góc liên kết Zn-O- Zn (dòng trên), O-Zn-O (dòng dưới) (  ) và độ rộng vùng cấm của một vài cấu trúc đại diện cho họ A, được tính theo cả DFTB+ và DFT.3: Bảng tổng hợp thông số đặc trưng của tất cả các cấu trúc nano xốp rỗng họ A .4: Bảng tổng hợp thông số đặc trưng của tất cả các cấu trúc nano xốp rỗng họ B .5: Bảng tổng hợp thông số đặc trưng của tất cả các cấu trúc nano xốp rỗng họ C. 120 ix DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ ĐỒ THỊ Hình 1.1: Sự tiến hóa về độ rộng vùng cấm phụ thuộc vào bề dày vách xốp cũng như là kích thước hốc rỗng trong một cấu trúc nano xốp 3D, cho thấy một sự tương tự như hiệu ứng đặc tính phụ thuộc vào kích thước trong các cấu trúc nano bán dẫn thấp chiều truyền thống [83].2: Cấu trúc nano có giam hãm theo 1 chiều (màng nano), 2 chiều (dây nano) và 3 chiều (hạt nano) [76].3: Mật độ trạng thái năng lượng của cấu trúc khối (3D) và cấu trúc thấp chiều có giam hãm theo 1 chiều (2D), 2 chiều (1D), 3 chiều (0D) [12].4: Sơ đồ các cấu trúc nano dị chất dựa trên các thành tố xây dựng 0D (a), 1D (b), 2D (c), 3D (d) với các mặt cắt và góc nhìn khác nhau.

Các thí dụ về cấu trúc xốp từ các hạt nano CdSe (e), các lớp nano Ti3C2Tx (f), màng xốp Nb2O5 (g)[101].5: Các thí dụ về công nghệ tạo các màng xốp, ảnh SEM của các màng xốp nhìn từ trên xuống (a-e), ảnh SEM của các màng xốp nhìn từ dưới lên (f-j) [26].6: Sơ đồ chế tạo các vi cấu trúc nano [86,113] .7: Sơ đồ nguyên lý và hình ảnh TEM tương ứng với các giai đoạn thuộc quá trình ăn mòn bằng oxy hóa ở nhiệt độ cao được gọi là ăn mòn oxy hóa hỗ trợ phối vị. Hạt Pt-Ni thể rắn dạng polyhedral ban đầu (a), khung Pt-Ni ở trạng thái trung gian I (b), khung Pt-Ni ở trạng thái trung gian II(c), khung Pt-Ni ở trạng thái cuối cùng (d). Thanh tỷ lệ màu đen có độ dài 50 nm.8: Sơ đồ quá trình tự lắp ráp mạng (hạt nano)-(khungDNA) (NP-DNA) [146].9: Sơ đồ minh hoạ các kỹ thuật chính để sản xuất graphenne [27].10: Thang đặc trưng của việc phân loại vật liệu: điện môi, bán dẫn và vật dẫn [1] .11: Cấu trúc mạng tinh thể ZnO: dạng WZ (a) và dạng ZB (b) [33].13: Bảng phân loại các vật liệu nano xốp [129] .14: Một vài cấu trúc Zeolite [32] .15: Các đại diện quan trọng của MOF (a) và các ứng dụng tiềm năng (b) [14].16: Giản đồ sức mạnh và mật độ của vật liệu (a) và siêu vật liệu cơ học (b) [61].17: Cấu trúc tinh thể dạng lập phương tâm diện (FCC) của fullerite C60 [75] .18: Một cấu trúc Smectite điển hình cho thấy hai tấm dạng tetrahedral [51].1: Sơ đồ giải tự hợp phương trình thế ký Kohn-Sham.1: Các cấu trúc đã được hồi phục của các cụm ma thuật đứng độc lập được sử dụng như là các thành tố cơ bản, từ trái sang phải Zn9O9 (a), Zn12O12-a (b), Zn12O12-b (c) và Zn16O16-cub (d). Những quả tròn nhỏ (màu đỏ) là nguyên tử O, quả lớn (màu xám) là nguyên tử Zn.

Hình cho bởi phần mềm VESTA [128] .2: Từ trái qua phải: cấu trúc cụm (Zn12O12)-a đã hồi phục, cấu trúc tinh thể (Zn12O12)-a đã hồi phục, cấu trúc pha đa hình SOD [50] .

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO" nghiên cứu về vấn đề gì?

Luận án tiến sĩ nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO, đề xuất phương pháp mô phỏng hiệu quả cho vật liệu bán dẫn.

Luận án "Nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội. Năm bảo vệ: 2017.

Luận án "Nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO" thuộc chuyên ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán. Danh mục: Công Nghệ Vật Liệu.

Luận án "Nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO" có bao nhiêu trang?

Luận án "Nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO" có 159 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Nghiên cứu mô hình hóa và mô phỏng cấu trúc nano xốp ZnO" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter