Luận án tiến sĩ: Thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano cho hệ thống ghép kênh WDM - Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông

Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano tối ưu cho ghép kênh WDM, nâng cao hiệu suất truyền dẫn quang.

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

131

Thời gian đọc

20 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

40 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
1. Tổng quan ống dẫn sóng plasmonic trong ghép kênh WDM
Số trang:
131 trang
Trường:
Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông
Chuyên ngành:
Kỹ thuật điện tử
Tác giả:
Năm:

Tóm tắt nội dung luận án

I. Tổng quan ống dẫn sóng plasmonic trong ghép kênh WDM

Hệ thống quang truyền thống đối mặt với giới hạn nhiễu xạ quang học. Giới hạn này ngăn cản việc thu nhỏ kích thước linh kiện xuống dưới bước sóng ánh sáng. Công nghệ plasmonic xuất hiện như một giải pháp mang tính đột phá. Sóng plasmonic cho phép định vị và truyền lan trường điện từ ở cấp độ nanomet. Kỹ thuật ghép kênh WDM giúp truyền tải đồng thời nhiều luồng dữ liệu trên cùng một kênh dẫn. Việc kết hợp ống dẫn sóng plasmonic vào hệ thống ghép kênh WDM mở ra tiềm năng to lớn cho vi mạch tích hợp quang học mật độ cao. Các linh kiện quang nano plasmonic đáp ứng tốt yêu cầu xử lý dữ liệu tốc độ cực cao và tiêu thụ năng lượng thấp.

1.1. Bản chất vật lý của Surface Plasmon Polaritons

Surface plasmon polaritons là sóng điện từ bề mặt lan truyền dọc theo mặt phân cách giữa kim loại và chất điện môi. Sóng này xuất hiện do sự tương tác mạnh mẽ giữa photon ánh sáng và dao động tập thể của các electron tự do trong kim loại. Trường điện từ suy giảm theo hàm mũ vuông góc với bề mặt tiếp xúc. Hiện tượng này giúp giam giữ ánh sáng ở thể tích cực nhỏ dưới giới hạn nhiễu xạ. Kim loại như bạc và vàng thường được sử dụng phổ biến nhờ độ suy hao quang thấp trong dải bước sóng viễn thông. Các thông số như độ thẩm thấu điện môi và bước sóng kích thích đóng vai trò quyết định đến chiều dài truyền lan của surface plasmon polaritons.

1.2. Vai trò của kỹ thuật ghép kênh phân chia theo bước sóng

Kỹ thuật ghép kênh phân chia theo bước sóng là nền tảng cốt lõi trong hạ tầng viễn thông hiện đại. Phương pháp này tận dụng băng thông rộng lớn của sợi quang bằng cách truyền song song nhiều bước sóng khác nhau. Mỗi bước sóng mang một luồng tín hiệu dữ liệu độc lập. Khi mạng truyền thông phát triển sang các mạch tích hợp photonic quy mô chip, nhu cầu thu nhỏ bộ ghép và tách kênh ngày càng cấp thiết. Ống dẫn sóng plasmonic mang lại khả năng phân tách kênh ở cấp độ nanomet. Sự kết hợp này gia tăng dung lượng truyền dẫn và giảm thiểu đáng kể diện tích chiếm dụng trên vi mạch điện tử - quang học tương lai.

II. Cấu trúc kim loại điện môi kim loại và ống dẫn sóng MIM

Ống dẫn sóng plasmonic có nhiều cấu hình hình học khác nhau. Hai cấu trúc cơ bản nhất gồm điện môi - kim loại - điện môi (IMI) và kim loại - điện môi - kim loại (MIM). Cấu trúc kim loại điện môi kim loại đặc biệt nổi bật nhờ khả năng giam giữ trường quang học vượt bậc trong khe điện môi hẹp. Kích thước khe hở chỉ vài chục nanomet. Trường điện từ được nén sâu bên trong lớp điện môi mà không bị giới hạn bởi bước sóng ánh sáng tới. Nhờ vậy, cấu trúc này trở thành nền tảng lý tưởng để thiết kế các phần tử quang nano siêu nhỏ gọn.

2.1. Đặc tính truyền dẫn của cấu trúc kim loại điện môi kim loại

Cấu trúc kim loại điện môi kim loại sở hữu mode truyền dẫn cơ bản là mode từ ngang (TM). Mode này không có tần số cắt, cho phép truyền dẫn ánh sáng ở bước sóng tùy ý qua các khe hở siêu hẹp. Lớp kim loại bao quanh đóng vai trò như gương phản xạ plasmonic hoàn hảo. Sự tập trung năng lượng cao trong vùng phi kim loại tạo ra gradient trường điện từ rất lớn. Tuy nhiên, tổn hao kim loại nội tại (Ohmic loss) đặt ra thách thức về cự ly truyền dẫn. Việc tối ưu hóa vật liệu kim loại và hình học khe dẫn sóng giúp cân bằng giữa mức độ giam giữ trường và chiều dài suy hao quang học.

2.2. Ưu thế vượt trội của ống dẫn sóng MIM kích thước nano

Ống dẫn sóng MIM mang lại lợi thế vượt trội trong thiết kế linh kiện tích hợp mật độ cao. Bán kính uốn cong của ống dẫn sóng MIM có thể giảm xuống dưới 100 nanomet mà không gây bức xạ năng lượng đáng kể ra ngoài. Đặc tính này vượt xa khả năng của ống dẫn sóng điện môi thông thường như silic hay silica. Ống dẫn sóng MIM dễ dàng tương thích với quy trình chế tạo bán dẫn CMOS tiêu chuẩn. Các cấu trúc uốn cong, chia nhánh và ghép cặp quang học đều có thể thực hiện với diện tích footprint siêu nhỏ. Đây là tiền đề quan trọng để hiện thực hóa các mạch xử lý tín hiệu toàn quang trên chip.

III. Thiết kế bộ giải ghép kênh WDM với mô phỏng FDTD nano

Thiết kế bộ giải ghép kênh WDM kích thước nano đòi hỏi các công cụ tính toán số học chính xác cao. Kỹ thuật mô phỏng số giúp khảo sát chi tiết sự tương tác sóng điện từ với cấu trúc kim loại ở cấp độ dưới bước sóng. Phương pháp mô phỏng FDTD (Finite-Difference Time-Domain) là công cụ chủ đạo được ứng dụng xuyên suốt trong quá trình khảo sát. Mô hình tính toán hỗ trợ xác định chính xác phổ truyền qua, độ cách ly giữa các kênh và hệ số phẩm chất của linh kiện. Từ đó, các cấu trúc quang học nano được tối ưu hóa thông số hình học trước khi tiến hành chế tạo thực nghiệm.

3.1. Phương pháp mô phỏng FDTD trong phân tích trường điện từ

Phương pháp mô phỏng FDTD giải trực tiếp hệ phương trình vi phân Maxwell trong cả miền thời gian và không gian. Không gian mô phỏng được chia thành các lưới Yee bậc hạt siêu mịn. Các lớp biên hấp thụ hoàn hảo (PML) được thiết lập xung quanh để loại bỏ phản xạ sóng nhân tạo tại các cạnh biên. Mô hình Drude hoặc Drude-Lorentz được tích hợp nhằm mô tả chính xác hằng số điện môi tán sắc của kim loại. Mô phỏng FDTD cho phép quan sát trực quan sự phân bố trường điện từ thời gian thực, xác định tổn hao hấp thụ và tính toán tỷ lệ truyền qua của từng bước sóng viễn thông.

3.2. Cấu trúc bộ giải ghép kênh WDM kích thước siêu nhỏ

Bộ giải ghép kênh WDM dựa trên ống dẫn sóng plasmonic có cấu tạo gồm các nhánh dẫn sóng chính và các bộ lọc cộng hưởng nhánh. Tín hiệu đa bước sóng đi vào cổng đầu vào và được phân tách đến các cổng đầu ra tương ứng. Sự ghép cặp cộng hưởng giữa ống dẫn sóng thẳng và các khoang cộng hưởng nano quyết định độ chọn lọc bước sóng. Kích thước tổng thể của bộ giải ghép kênh chỉ trong phạm vi vài micromet vuông. Thiết kế đạt độ cách ly kênh cao trên 20 dB cùng tổn hao chèn thấp. Cấu trúc này hoàn toàn đáp ứng các tiêu chuẩn khắt khe của hệ thống thông tin quang thế hệ mới.

IV. Bộ lọc cộng hưởng plasmon đa băng thông viễn thông quang

Lọc bước sóng là chức năng cơ bản trong các hệ thống truyền dẫn và xử lý thông tin quang. Bộ lọc cộng hưởng plasmon hoạt động dựa trên cơ chế giao thoa xây dựng và phá hủy của sóng plasmon bề mặt. Bằng cách điều chỉnh thông số kích thước hình học, bước sóng cộng hưởng có thể được định vị chính xác tại các cửa sổ viễn thông quan trọng. Các băng sóng tiêu chuẩn bao gồm 1310 nm (băng O), 1430 nm (băng E) và 1550 nm (băng C). Bộ lọc plasmonic đảm bảo độ rộng phổ hẹp, độ chọn lọc cao và kích thước nhỏ hơn hàng trăm lần so với linh kiện quang truyền thống.

4.1. Bộ lọc cộng hưởng 2 băng sóng chuẩn viễn thông

Thiết kế bộ lọc 2 băng sóng tập trung vào hai bước sóng tiêu chuẩn 1310 nm và 1550 nm. Cấu trúc sử dụng các khe cộng hưởng phụ trợ hoặc khoang cộng hưởng chữ T đặt dọc ống dẫn sóng chính. Sóng tại tần số cộng hưởng sẽ truyền qua hoặc bị chặn hoàn toàn tùy theo cơ chế lọc dải thông hoặc lọc triệt dải. Quá trình tối ưu hóa khoảng cách ghép cặp và chiều sâu khe giúp triệt tiêu xuyên âm giữa hai kênh tín hiệu. Kết quả phân tích cho thấy hiệu suất truyền dẫn đạt mức cao tại cả hai băng sóng, cung cấp giải pháp tách kênh hiệu quả cho mạng quang thụ động.

4.2. Bộ lọc 3 băng sóng và bộ chia công suất quang 3dB

Bộ lọc 3 băng sóng mở rộng khả năng xử lý đồng thời tại các bước sóng 1310 nm, 1430 nm và 1550 nm. Cấu trúc tích hợp các khoang cộng hưởng đa bậc hoặc ghép nối chuỗi để tạo ra nhiều đỉnh truyền dẫn độc lập. Đồng thời, cấu trúc bộ chia công suất quang 3dB plasmonic được thiết kế để phân chia đều năng lượng tín hiệu giữa các nhánh đầu ra. Sự cân bằng pha và biên độ sóng tại các cổng ra được duy trì ổn định nhờ tính đối xứng hình học. Thiết kế này đóng góp quan trọng vào việc xây dựng các nút định tuyến quang phức hợp trên chip quang tử nano.

V. Ứng dụng Ring Resonator Plasmonic trong xử lý quang nano

Bộ cộng hưởng vòng (Ring resonator) là một trong những cấu hình kinh điển và hiệu quả nhất trong quang học tích hợp. Khi thu nhỏ xuống thang nanomet, ring resonator plasmonic thể hiện đặc tính cộng hưởng mạnh với hệ số chất lượng Q cao. Sóng plasmon chạy vòng tròn trong khoang kín tạo ra sự can thiệp pha tuần hoàn. Cấu trúc này rất nhạy với sự thay đổi của bước sóng và chiết suất môi trường xung quanh. Do đó, ring resonator plasmonic vừa làm bộ lọc bước sóng chính xác, vừa ứng dụng hiệu quả trong cảm biến sinh hóa và cổng logic toàn quang.

5.1. Thiết kế ring resonator plasmonic cho lọc đa bước sóng

Thiết kế ring resonator plasmonic bao gồm một vòng kim loại hoặc khe điện môi dạng khuyên ghép cạnh ống dẫn sóng thẳng. Điều kiện cộng hưởng phụ thuộc trực tiếp vào bán kính vòng, chiết suất hiệu dụng của mode plasmon và bước sóng tới. Bằng cách kết hợp nhiều vòng cộng hưởng có bán kính khác nhau hoặc cấu hình vòng lồng nhau, hệ thống có thể lọc đồng thời nhiều bước sóng riêng biệt. Độ truyền qua tại bước sóng cộng hưởng đạt mức suy giảm sâu, tạo ra các bẫy quang học chọn lọc. Cấu trúc cho phép điều chỉnh linh hoạt phổ đáp ứng quang học theo nhu cầu thiết kế hệ thống.

5.2. Mở rộng ứng dụng bộ lọc RGB và các cổng logic toàn quang

Ngoài dải viễn thông hồng ngoại, nguyên lý plasmonic còn được mở rộng để thiết kế bộ lọc ba màu cơ bản Đỏ - Lục - Lam (RGB) trong vùng ánh sáng khả kiến. Ứng dụng này phục vụ xử lý ảnh nano, hiển thị màn hình siêu nét và truyền thông ánh sáng khả kiến (VLC). Hơn nữa, sự kết hợp giữa hiệu ứng phi tuyến và giao thoa pha plasmonic cho phép hiện thực hóa các cổng logic toàn quang như AND, OR, NOT và Feynman Gate. Các cổng logic nano plasmonic hoạt động hoàn toàn bằng ánh sáng với tốc độ chuyển mạch Terahertz, mở ra kỷ nguyên mới cho máy tính quang học siêu nhanh.

Mục lục chi tiết luận án

LỜI CAM ĐOAN
LỜI CẢM ƠN
DANH MỤC CÁC THUẬT NGỮ VIẾT TẮT
CÁC KÝ HIỆU TOÁN HỌC
DANH MỤC BẢNG BIỂU
DANH MỤC CÁC HÌNH
MỞ ĐẦU
prefix-1. Tính cấp thiết của đề tài luận án
prefix-2. Mục tiêu nghiên cứu
prefix-3. Nội dung nghiên cứu của luận án
prefix-4. Đối tượng, phạm vi nghiên cứu
prefix-5. Phương pháp nghiên cứu
prefix-6. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn
prefix-7. Bố cục của luận án
1. CHƯƠNG 1: CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ ỐNG DẪN SÓNG PLASMONIC
1.1. Kỹ thuật ghép kênh theo bước sóng
1.1.1. Một số cấu kiện ghép/tách kênh quang trong hệ thống WDM
1.1.2. Ưu điểm của WDM
1.2. Lý thuyết về plasmonic
1.2.1. Giới thiệu
1.2.2. Plasmonic
1.2.3. Phân cực plasmon bề mặt
1.2.4. Cộng hưởng plasmon bề mặt
1.3. Ống dẫn sóng plasmonic
1.3.1. Sơ đồ nguyên lý ống dẫn sóng khe hở
1.3.2. Ống dẫn sóng khe hở plasmonic 3D dưới bước sóng
1.3.3. Cấu trúc ống dẫn sóng plasmon IMI
1.3.4. Cấu trúc ống dẫn sóng plasmon MIM
1.4. Sự hình thành và truyền lan sóng plasmonic
1.5. Các phương pháp phân tích và mô phỏng sử dụng trong luận án
1.5.1. Phương pháp EME
1.5.2. Phương pháp FDTD
1.6. Kết luận chương 1
2. CHƯƠNG 2: ỐNG DẪN SÓNG LAI GHÉP PLASMONIC - SILIC CÓ CHỨC NĂNG QUAY PHÂN CỰC VÀ CÁC CỔNG LOGIC TOÀN QUANG KÍCH THƯỚC NANO MÉT
2.1. Ống dẫn sóng lai ghép plasmonic - silic có chức năng quay phân cực kích thước nano mét
2.1.1. Thiết kế cấu trúc và phân tích hoạt động
2.1.2. Kết quả mô phỏng và nhận xét
2.2. Các cổng logic toàn quang dựa trên ống dẫn sóng plasmonic MIM
2.2.1. Nguyên lý thiết kế các cổng logic plasmonic
2.2.2. Kết quả mô phỏng các cổng logic và nhận xét
2.3. Kết luận Chương 2
3. CHƯƠNG 3: THIẾT KẾ CÁC BỘ LỌC BƯỚC SÓNG SỬ DỤNG ỐNG DẪN SÓNG PLASMONIC KÍCH THƯỚC NANO MÉT
3.1. Thiết kế bộ lọc 2 băng sóng 1310nm và 1550nm dựa trên ống dẫn sóng nano plasmonic
3.1.1. Mô hình và nguyên lý thiết kế
3.1.2. Mô phỏng số và phân tích đặc tính
3.2. Bộ lọc 3 băng 1310nm, 1430nm và 1550nm dựa trên ống dẫn sóng nano plasmonic MIM
3.2.1. Mô hình và nguyên lý thiết kế
3.2.3. Hiệu suất và đặc điểm của bộ chia ba băng sóng 3dB
3.3. Thiết kế bộ lọc bước sóng RGB để ứng dụng cho xử lý ảnh, trộn màu truyền hình, thông tin VLC
3.3.1. Mô hình và nguyên lý thiết kế
3.3.2. Thiết kế tối ưu và mô phỏng
3.4. Kết luận Chương 3
KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN
prefix-1. ĐÓNG GÓP KHOA HỌC CỦA LUẬN ÁN
prefix-2. HƯỚNG PHÁT TRIỂN TRONG THỜI GIAN TỚI
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ
DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO
Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Luận án tiến sĩ kỹ thuật điện tử nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano trong ghép kênh phân chia theo bước sóng

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (131 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƢU CHÍNH VIỄN THÔNG --------------------------------------- NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ ỐNG DẪN SÓNG PLASMONIC NANO TRONG GHÉP KÊNH PHÂN CHIA THEO BƢỚC SÓNG LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ HÀ NỘI - 2022 HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƢU CHÍNH VIỄN THÔNG --------------------------------------- NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ ỐNG DẪN SÓNG PLASMONIC NANO TRONG GHÉP KÊNH PHÂN CHIA THEO BƢỚC SÓNG Chuyên ngành: Kỹ thuật Điện tử Mã số: 9 52 02 03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC HÀ NỘI - 2022 i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan rằng các kết quả khoa học đƣợc trình bày trong luận án này là thành quả nghiên cứu của tôi trong suốt thời gian làm nghiên cứu sinh và chƣa từng xuất hiện trong các công bố của các tác giả khác Các kết quả đạt đƣợc là hoàn toàn chính xác và trung thực TÁC GIẢ LUẬN ÁN ii LỜI CẢM ƠN Trƣớc hết, tôi xin bày tỏ lời cảm ơn sâu sắc đến PGS TS không những đã chỉ bảo nhiệt tình, tỉ mỉ về mặt khoa học mà còn luôn động viên, hỗ trợ tôi về mọi mặt để tôi có thể hoàn thành bản luận án này sau hơn 4 năm làm nghiên cứu sinh Qua đây, tôi cũng xin gửi lời cảm ơn đến Khoa Đào tạo Sau Đại học, Khoa Kỹ thuật Điện tử, Học viện Công nghệ Bƣu chính Viễn thông đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi trong quá trình học tập và nghiên cứu Cuối cùng, tôi xin dành những lời yêu thƣơng nhất đến gia đình tôi: bố mẹ, các em và đặc biệt là vợ và các con trai tôi Sự động viên, giúp đỡ và sự hy sinh của họ là động lực giúp cho tôi vƣợt qua mọi khó khăn để hoàn thành luận án này iii MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN i LỜI CẢM ƠN ii DANH MỤC CÁC THUẬT NGỮ VIẾT TẮT vi CÁC KÝ HIỆU TOÁN HỌC viii DANH MỤC BẢNG BIỂU ix DANH MỤC CÁC HÌNH x MỞ ĐẦU 1 Tính cấp thiết của đề tài luận án 1 Mục tiêu nghiên cứu 3 Nội dung nghiên cứu của luận án 4 Đối tƣợng, phạm vi nghiên cứu 4 Phƣơng pháp nghiên cứu 4 Ý nghĩa khoa học và thực tiễn 4 Bố cục của luận án 4 CHƢƠNG 1 CƠ SỞ LÝ THUYẾT VỀ ỐNG DẪN SÓNG PLASMONIC 6 1 1 Kỹ thuật ghép kênh theo bƣớc sóng 6 1 1 1 Một số cấu kiện ghép/tách kênh quang trong hệ thống WDM 7 1 1 2 Ƣu điểm của WDM 8 1 2 Lý thuyết về plasmonic 9 1 2 1 Giới thiệu 9 1 2 2 Plasmonic 9 1 2 3 Phân cực plasmon bề mặt 11 iv 1 2 4 Cộng hƣởng plasmon bề mặt 14 1 3 Ống dẫn sóng plasmonic 14 1 3 1 Sơ đồ nguyên lý ống dẫn sóng khe hở 15 1 3 2 Ống dẫn sóng khe hở plasmonic 3D dƣới bƣớc sóng 16 1 3 3 Cấu trúc ống dẫn sóng plasmon IMI 19 1 3 4 Cấu trúc ống dẫn sóng plasmon MIM 20 1 4 Sự hình thành và truyền lan sóng plasmonic 20 1 5 Các phƣơng pháp phân tích và mô phỏng sử dụng trong luận án 23 1 5 1 Phƣơng pháp EME 23 1 5 2 Phƣơng pháp FDTD 28 Kết luận chƣơng 1 33 CHƢƠNG 2 Ố NG D Ẫ N SÓNG LAI GHÉP PLASMONIC - SILIC CÓ CH Ứ C NĂNG QUAY PHÂN CỰ C VÀ CÁC C Ổ NG LOGIC TOÀN QUANG KÍCH THƢỚ C NANO MÉT 35 2 1 Ố ng d ẫ n sóng lai ghép plasmonic - silic có ch ức năng quay phân cự c kích thƣớc nano mét 35 2 1 1 Thiết kế cấu trúc và phân tích hoạt động 39 2 1 2 Kết quả mô phỏng và nhận xét 42 2 2 Các cổng logic toàn quang dựa trên ống dẫn sóng plasmonic MIM 48 2 2 1 Nguyên lý thiết kế các cổng logic plasmonic 50 222 K ế t qu ả mô ph ỏng các c ổng logic và nh ậ n xét 52 2 3 Kết luận Chƣơng 2 58 CHƢƠNG 3 THIẾT KẾ CÁC BỘ LỌC BƢỚC SÓNG SỬ DỤNG ỐNG DẪN SÓNG PLASMONIC KÍCH THƢỚC NANO MÉT 60 v 3 1 Thiết kế bộ lọc 2 băng sóng 1310nm và 1550nm dựa trên ống dẫn sóng nano plasmonic 60 3 1 1 Mô hình và nguyên lý thiết kế 62 3 1 2 Mô phỏng số và phân tích đặc tính 67 3 2 Bộ lọc 3 băng 1310nm, 1430nm và 1550nm dựa trên ống dẫn sóng nano plasmonic MIM 70 3 2 1 Mô hình và nguyên lý thiết kế 72 3 2 3 Hiệu suất và đặc điểm của bộ chia ba băng sóng 3dB 80 3 3 Thiết kế bộ lọc bƣớc sóng RGB để ứng dụng cho xử lý ảnh, trộn màu truyền hình, thông tin VLC 86 3 3 1 Mô hình và nguyên lý thiết kế 90 3 3 2 Thiết kế tối ƣu và mô phỏng 93 3 4 Kết luận Chƣơng 3 97 KẾT LUẬN VÀ HƢỚNG PHÁT TRIỂN 99 ĐÓNG GÓP KHOA HỌC CỦA LUẬN ÁN 99 HƢỚNG PHÁT TRIỂN TRONG THỜI GIAN TỚI 101 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC ĐÃ CÔNG BỐ 102 DANH M Ụ C TÀI LI Ệ U THAM KH Ả O 103 vi DANH MỤC CÁC THUẬT NGỮ VIẾT TẮT Cách tử ống dẫn sóng đƣợc AWG Arrayed Waveguide Grating xếp mảng Complementary Metal Oxide CMOS Bán dẫn ô xít kim loại bù Semiconductor HIệu ứng cảm ứng điện từ electromagenically induced EIT trong suốt transparency EM Điện từ Electro Magnetic EME Khai triển mode riêng Eigen - Mode Expansion FG Cổng Feynman Feynman Gate Sai phân hữu hạn miền thời FDTD Finite Difference - Time Domain gian FEM Phƣơng pháp phần tử hữu hạn Finite Element Method FG Cổng Feynman Feynman Gate FIB Chùm Ion hội tụ Focused Ion-Beam FP Giao thoa kế Fabry - Perot Fabry-Perot FTTH Cáp quang đến tận nhà Fiber to the home Ống dẫn sóng lai ghép HPW Hybrid Plasmonic Waveguide plasmonic Điện môi - Kim loại - Điện IMI Insulator - Metal - Insulator môi Các mạch tích hợp lai ghép Long Range Hybrid Plasmonic LRHPICs plasmonic tầm xa Integrated Circuits MGW Ống dẫn sóng khe hở kim loại Metal Gab Waveguide MIM Kim loại - Điện môi - Kim Metal – Insulator - Metal loại Kính hiển vi quang học quét Near-field Scanning Optical NSOM trƣờng gần Microscope PML Lớp kết hợp hoàn hảo Perfect-Matched Layer RGB Đỏ - Xanh lam - Xanh lục Red - Green - Blue Phân cực plasmon bề mặt tầm LR-SPP Long Range SPP xa vii SOI Silic trên nền chất cách điện Silicon On Insulator SP Surface Plasmon Ống dẫn sóng khe hở plasmon SPGW Surface Plasmon Gab Waveguide bề mặt SPP Phân cực plasmon bề mặt Surface Plasmon Polariton Phân cực plasmon bề mặt tầm SR-SPP Short Range SPP gần TE Sóng điện ngang Transverse Electric TEM Sóng điện từ ngang Transverse Electromangnetic TM Sóng từ ngang Transverse Magnetic VCL Thông tin ánh sáng khả kiến Visible Light Communication Ghép kênh phân chia bƣớc WDM Wavelength Division Multiplexing sóng viii CÁC KÝ HIỆU TOÁN HỌC Ý nghĩa ∇ Ký hiệu Toán tử Hamilton ∇×A rotA ∇A divA ∇2 Toán tử Laplace B Cảm ứng từ c0 Vận tốc của ánh sáng trong chân không D Cảm ứng điện E Cƣờng độ điện trƣờng H Cƣờng độ từ trƣờng J Cƣờng độ điện trƣờng k Số sóng trong không gian tự do k0 Số sóng trong chân không kx Số sóng lan truyền theo chiều x ky Số sóng lan truyền theo chiều y kz Số sóng lan truyền theo chiều z L Chiều dài ống dẫn sóng LPro Chiều dài sóng lan truyền n Chỉ số chiết suất neff Chỉ số chiết suất hiệu dụng Si Silic SiO2 Silic dioxit tAg Chiều dày lớp kim loại bạc tSi Chiều dày lớp silic tSiO2 Chiều dày lớp silic dioxit w Chiều rộng ống dẫn sóng β Hằng số truyền và thành phần theo hƣớng z ε Độ thẩm điện λ0 bƣớc sóng trong chân không μ Độ thẩm từ ρ Cƣờng độ điện tích σ Điện trở suất ω Tần số góc ix DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 2 1 So sánh ống dẫn sóng HPW với các công trình đã đƣợc công bố trên các tạp chí chuyên ngành 47 Bảng 2 2 So sánh các cổng logic đề xuất với các công trình đã đƣợc công bố trên các tạp chí chuyên ngành 57 Bảng 3 1 So sánh bộ tách kênh hai bƣớc sóng với các công trình đã đƣợc công bố trên các tạp chí chuyên ngành 69 Bảng 3 2 So sánh bộ tách kênh ba bƣớc sóng với các công trình đã đƣợc công bố trên các tạp chí chuyên ngành 85 Bảng 3 3 So sánh bộ lọc bƣớc sóng RGB với các công trình đã đƣợc công bố trên các tạp chí chuyên ngành 96 x DANH MỤC CÁC HÌNH Hình 1 1 Sơ đồ truyền dẫn quang 6 Hình 1 2 Bộ tách bƣớc sóng dùng bộ lọc màng mỏng (a); Bộ tách bƣớc sóng 2 kênh sử dụng bộ lọc giao thoa (b); Bộ tách nhiều bƣớc sóng (c, d) 7 Hình 1 3 Hai môi trƣờng bán vô hạn với hàm điện môi ε1 và ε2 phân cách nhau tại giao diện giữa hai mặt phẳng z = 0 12 Hình 1 4 Nguyên lý kết hợp điện từ trƣờng với phân cực plasmon bề mặt lan truyền dọc theo giao diện kim loại - điện môi Điện trƣờng Ei suy giảm theo hàm mũ với khoảng cách |z| từ bề mặt Dấu + và - lần lƣợt biểu diễn mật độ electron mức cao và mức thấp 13 Hình 1 5 Sơ đồ nguyên lý ống dẫn sóng khe hở 15 Hình 1 6 Sự phụ thuộc của (a) thành phần thực và (b) thành phần ảo của β của SPPs vào chiều rộng khe hở w và chỉ số khúc xạ n1 (= 1 0; 1 5; 1 8) của điện môi trong vùng dẫn 16 Hình 1 7 (a) Dạng hình học của ống dẫn sóng khe hở plasmonic 3D, mũi tên chỉ hƣớng làn truyền của mode sóng ánh sáng; (b) mặt cắt ngang của ống dẫn sóng khe hở plasmonic 3D; (c) - (e) tƣơng ứng là các cấu trúc IMI, MIM và màng kim loại cắt ngắn của ống dẫn sóng khe hở plasmonic 3D trong hình (b) 18 Hình 1 8 (a) Chỉ số chiết suất hiệu dụng neff của SR-SPP của cấu trúc ống dẫn sóng IMI (silic dioxit - bạc - silic dioxit) là một hàm của chiều rộng h của vùng bạc ở giữa (đƣờng nét liền), đƣờng nét đứt biểu diễn chỉ số khúc xạ của silic dioxit (b) Chỉ số chiết suất hiệu dụng neff của G-SPP của cấu trúc ống dẫn sóng MIM (bạc - silic dioxit - bạc) là một hàm của chiều rộng w của vùng bạc ở giữa (đƣờng nét liền), đƣờng nét đứt biểu diễn chỉ số khúc xạ của silic dioxit (c) Chỉ số chiết suất hiệu dụng neff của mode cạnh cơ sở của màng kim loại bạc cắt ngắn đƣợc nhúng vào silic dioxit là một hàm của chiều dày h của màng kim loại (đƣờng nét liền), đƣờng nét đứt biểu diễn chỉ số khúc xạ của silic dioxit 19 Hình 1 9 Nguyên lý tạo ra sóng tăng cƣờng kích thích (a) trong điện…

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano trong ghép kênh WDM (2022) [Luận án tiến sĩ, Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông]. LuanAn.net. https://luanan.net/cong-nghe-thong-tin/an-toan-thong-tin/luan-an-tien-si-thiet-ke-ong-dan-song-plasmonic-nano-ghep-kenh-wdm

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano trong ghép kênh WDM" nghiên cứu về vấn đề gì?

Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano tối ưu cho ghép kênh WDM, nâng cao hiệu suất truyền dẫn quang.

Luận án "Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano trong ghép kênh WDM" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông. Năm bảo vệ: 2022.

Luận án "Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano trong ghép kênh WDM" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano trong ghép kênh WDM" thuộc chuyên ngành Kỹ thuật Điện tử. Danh mục: An Toàn Thông Tin.

Luận án "Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano trong ghép kênh WDM" có bao nhiêu trang?

Luận án "Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano trong ghép kênh WDM" có 131 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Nghiên cứu thiết kế ống dẫn sóng plasmonic nano trong ghép kênh WDM" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter