Luận án tiến sĩ: Nghiên cứu ảnh hưởng của các thông số cấu tạo đến chất lượng làm việc của bộ vi chấp hành MEMS

Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS, phân tích tối ưu thiết kế micro actuator.

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

144

Thời gian đọc

22 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

40 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
1. Tổng quan vi chấp hành tĩnh điện MEMS và điện nhiệt
Số trang:
144 trang
Trường:
Đại học Bách khoa Hà Nội
Chuyên ngành:
Kỹ thuật cơ khí
Tác giả:
Năm:

Tóm tắt nội dung luận án

I. Tổng quan vi chấp hành tĩnh điện MEMS và điện nhiệt

Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS) đóng vai trò cốt lõi trong kỹ thuật chế tạo hiện đại. Trong đó, vi chấp hành tĩnh điện MEMS và vi chấp hành nhiệt MEMS là hai cấu trúc then chốt. Cả hai cơ cấu đều chuyển đổi năng lượng điện thành chuyển động cơ học chính xác ở quy mô micromet. Vi chấp hành tĩnh điện hoạt động dựa trên lực hút Coulomb giữa các bản cực. Thiết bị có thời gian đáp ứng cực nhanh và tiêu thụ rất ít năng lượng. Ngược lại, vi chấp hành nhiệt tạo lực đẩy lớn thông qua hiện tượng dãn nở vì nhiệt Joule. Hiểu rõ các thông số hình học giúp kiểm soát chuyển vị và nâng cao độ bền của cấu trúc vi cơ. Thiết kế chính xác ngăn ngừa hiện tượng mất ổn định khi vận hành ở tần số cao. Quá trình mô phỏng số kết hợp thực nghiệm mang lại lời giải tối ưu cho thiết bị.

1.1. Khái niệm và nguyên lý hoạt động của vi cơ điện tử

Vi cơ điện tử kết hợp vi cơ khí và vi điện tử trên cùng một đế silicon. Thiết bị MEMS biến đổi tín hiệu điện áp thành lực chấp hành vi cơ hoặc chuyển vị dịch chuyển. Lực này điều khiển các cơ cấu vi mô như van vi lưu, gương quét và công tắc RF. Cơ cấu tĩnh điện tạo chuyển động bằng điện trường trong khe hở hẹp. Cấu trúc điện nhiệt tận dụng hiệu ứng đốt nóng Joule để sinh công dãn nở. Mỗi dạng dẫn động sở hữu ưu thế riêng về tốc độ và lực đẩy. Lựa chọn dạng cấu tạo phụ thuộc vào yêu cầu chuyển vị, tần số làm việc và môi trường tải trọng.

1.2. Vai trò của cơ cấu răng lược comb drive trong vi cơ

Cơ cấu răng lược comb-drive là dạng vi chấp hành tĩnh điện phổ biến nhất. Cấu trúc gồm các ngón răng tĩnh đan xen với các ngón răng động. Khi đặt điện áp giữa hai cụm răng, lực tĩnh điện kéo cụm ngón động chuyển động dọc trục. Thiết kế này tạo ra lực dẫn tỷ lệ thuận với bình phương điện áp và số lượng cặp răng. Chuyển vị sinh ra ổn định dọc theo hành trình làm việc. Độ biến dạng không phụ thuộc quá nhiều vào hành trình di chuyển ban đầu. Dầm uốn đóng vai trò đàn hồi, đưa cụm răng động trở về vị trí cân bằng khi ngắt điện áp.

1.3. Tiêu chuẩn đánh giá lực chấp hành vi cơ hiện đại

Chất lượng làm việc của cơ cấu MEMS được xác định qua nhiều tiêu chí kỹ thuật. Lực chấp hành vi cơ phản ánh khả năng sinh công để thắng các lực cản môi trường. Độ ổn định động học thể hiện qua khả năng chống rung lắc ngoài mong muốn. Hệ số phẩm chất Q phản ánh mức độ tiêu hao năng lượng trong chu kỳ dao động. Độ chính xác vị trí và thời gian đáp ứng là thước đo quan trọng cho các ứng dụng vi thao tác. Độ tin cậy cơ nhiệt đảm bảo thiết bị không bị phá hủy dưới tác động của ứng suất nội và nhiệt độ cao.

II. Phân tích vi chấp hành tĩnh điện MEMS kiểu răng lược

Cấu trúc vi chấp hành tĩnh điện MEMS kiểu răng lược yêu cầu tính toán động lực học chính xác. Phương trình vi phân mô tả chuyển động gồm khối lượng tương đương, hệ số cản không khí và độ cứng dầm. Lực tĩnh điện pháp tuyến và tiếp tuyến phụ thuộc chặt chẽ vào hình học răng lược. Răng lược hình thang cân tạo ra sự phân bố lực điện trường phi tuyến. Việc tối ưu hóa góc nghiêng cạnh bên răng lược giúp tăng cường lực đẩy và mở rộng dải chuyển vị. Phân tích dạng xung điện áp như xung vuông hay xung sin giúp dự đoán chính xác đáp ứng động của hệ vi cơ.

2.1. Tác động của khe hở không khí tĩnh điện lên lực dẫn

Khe hở không khí tĩnh điện giữa các ngón răng quyết định trực tiếp cường độ điện trường. Khi khoảng cách khe hở giảm, lực tĩnh điện tăng phi tuyến theo hàm mũ nghịch đảo. Khe hở hẹp sinh ra lực đẩy lớn hơn tại cùng mức điện áp dẫn. Tuy nhiên, khe hở quá nhỏ làm tăng đáng kể lực cản nhớt không khí. Hiện tượng này làm giảm hệ số phẩm chất Q và hạn chế tần số làm việc của cơ cấu. Do đó, kích thước khe hở phải được cân bằng giữa lực tĩnh điện mong muốn và mức tiêu tán năng lượng cản.

2.2. Kiểm soát điện áp pull in vi cơ điện tử chống sụp đổ

Hiện tượng mất ổn định pull-in là thách thức lớn nhất trong vi cơ điện tử tĩnh điện. Điện áp pull-in vi cơ điện tử xuất hiện khi lực tĩnh điện vượt quá lực hồi phục đàn hồi của dầm treo. Khi vượt qua ngưỡng này, ngón răng động sẽ va chạm và dính chặt vào ngón răng tĩnh. Sự cố này gây ngắn mạch và phá hủy toàn bộ cơ cấu vi cơ. Để nâng cao ngưỡng điện áp pull-in, dầm treo cần có độ cứng ngang lớn hơn nhiều so với độ cứng dọc trục. Thiết kế tỷ lệ độ cứng hợp lý ngăn chặn hoàn toàn nguy cơ mất ổn định ngang.

2.3. Tối ưu hóa bề dày màng vi cơ cho cấu trúc răng lược

Bề dày màng vi cơ ảnh hưởng trực tiếp đến diện tích đối diện giữa các bản cực răng lược. Chiều dày màng silicon càng lớn thì diện tích tương tác tĩnh điện càng cao, giúp tăng lực chấp hành vi cơ. Đồng thời, độ dày lớn gia tăng mô men quán tính chống uốn ngoài mặt phẳng, hạn chế hiện tượng cong vênh. Tuy nhiên, việc tăng bề dày màng vi cơ cũng làm tăng khối lượng quy đổi của cụm răng động. Khối lượng tăng làm giảm tần số dao động riêng vi dầm. Cần lựa chọn bề dày màng phù hợp để đạt hiệu suất động học tối đa.

III. Đánh giá chất lượng vi chấp hành nhiệt MEMS dầm chữ V

Vi chấp hành nhiệt MEMS dạng dầm uốn chữ V tạo ra lực đẩy lớn ở dải điện áp thấp. Cấu trúc gồm hai dầm nghiêng nối với một đầu chấp hành trung tâm. Khi dòng điện chạy qua, hiệu ứng đốt nóng Joule làm tăng nhiệt độ dầm silicon. Nhiệt độ cao làm vật liệu dãn nở, đẩy đầu chấp hành tiến về phía trước theo phương dọc trục. Mô hình truyền nhiệt giải tích và sai phân hữu hạn mô tả chính xác sự phân bố nhiệt độ dọc thân dầm. Khảo sát động học giúp xác định chính xác độ dịch chuyển cực đại và thời gian đáp ứng nhiệt của cấu trúc.

3.1. Mô hình truyền nhiệt và lực dãn nở dầm vi cơ chữ V

Nhiệt lượng sinh ra từ dòng điện được truyền qua thân dầm tới các khối đế và tản vào môi trường. Mô hình sai phân hữu hạn 1D chia dầm thành nhiều phần tử nhỏ để tính toán gradient nhiệt độ. Nhiệt độ đạt cực đại tại vị trí chính giữa dầm chữ V. Lực dãn nở nhiệt sinh ra do sự ngăn cản biến dạng tự do tại hai đầu ngàm cố định. Lực nén dọc trục này chuyển hóa thành lực đẩy vuông góc tại đỉnh chữ V. Độ lớn của lực chấp hành vi cơ tỷ lệ thuận với góc nghiêng dầm và mức chênh lệch nhiệt độ trung bình.

3.2. Đo lường độ dịch chuyển cực đại của cơ cấu điện nhiệt

Độ dịch chuyển cực đại phụ thuộc vào góc nghiêng dầm ban đầu, chiều dài dầm và công suất điện cấp. Góc nghiêng nhỏ giúp khuếch đại chuyển vị theo hình học nhưng làm giảm lực đẩy tới hạn. Góc nghiêng quá lớn làm tăng độ cứng ngang, hạn chế hành trình dịch chuyển của đầu chấp hành. Tính toán giải tích kết hợp mô phỏng phần tử hữu hạn giúp xác định dải góc nghiêng tối ưu từ 0.5 đến 2 độ. Chuyển vị tĩnh đo đạc bằng kính hiển vi quang học có sự trùng khớp cao với mô hình lý thuyết.

3.3. Xác định tần số dao động riêng vi dầm khi gia nhiệt

Gia nhiệt làm thay đổi đáng kể đặc tính động lực học của vi dầm chữ V. Ứng suất nhiệt nén làm giảm độ cứng tương đương của hệ dầm uốn. Hiện tượng này kéo theo sự suy giảm của tần số dao động riêng vi dầm. Khi nhiệt độ vượt quá ngưỡng giới hạn, tần số riêng tiến về 0, gây ra hiện tượng oằn nhiệt (thermal buckling). Tần số tới hạn là thông số then chốt để xác định dải tần số làm việc an toàn. Cần kiểm soát công suất đầu vào để hệ thống luôn hoạt động dưới ngưỡng mất ổn định nhiệt động học.

IV. Tối ưu kích thước dầm uốn và ổn định vi cơ điện tử

Kích thước hình học dầm uốn quyết định trực tiếp đến độ cứng, độ bền và chất lượng làm việc của cơ cấu MEMS. Chiều dài, chiều rộng và góc nghiêng của dầm ảnh hưởng đến phân bố ứng suất cơ nhiệt. Thiết kế tối ưu phải thỏa mãn đồng thời điều kiện bền nhiệt và điều kiện ổn định điện thế. Điện áp dẫn giới hạn được xác định nhằm ngăn chặn hiện tượng nóng chảy cục bộ và quá nhiệt bề mặt. Phân tích đa thông số cung cấp cơ sở định lượng để chế tạo các cụm vi chấp hành có độ tin cậy cao và tuổi thọ bền bỉ trong môi trường khắc nghiệt.

4.1. Ảnh hưởng của kích thước hình học dầm uốn đến độ cứng

Độ cứng của dầm uốn tỷ lệ thuận với lũy thừa bậc ba của chiều rộng và nghịch đảo với lũy thừa bậc ba của chiều dài. Tăng chiều rộng dầm làm tăng đáng kể lực hồi phục nhưng yêu cầu điện áp dẫn cao hơn để đạt cùng độ dịch chuyển. Kéo dài thân dầm làm tăng độ mềm dẻo nhưng làm giảm tần số dao động riêng vi dầm. Kích thước hình học dầm uốn cần được thiết kế cân bằng giữa yêu cầu hành trình chuyển vị và khả năng chịu tải trọng động. Tỷ lệ kích thước tối ưu bảo đảm cấu trúc không bị biến dạng dư sau nhiều chu kỳ.

4.2. Giới hạn điện áp làm việc và độ bền nhiệt vi cơ

Điện áp cấp cho vi chấp hành nhiệt bị khống chế bởi nhiệt độ nóng chảy của silicon và nhiệt độ suy giảm cơ tính. Vận hành ở nhiệt độ quá cao làm suy giảm mô đun đàn hồi và gây rão vật liệu vi cơ. Xác định điện áp dẫn giới hạn giúp duy trì nhiệt độ dầm dưới ngưỡng nguy hiểm. Mô hình nhiệt liên hợp tính toán chính xác mức điện áp an toàn cho từng cấu hình hình học. Việc kiểm soát điện áp cấp vừa đảm bảo lực sinh công lớn nhất vừa kéo dài tuổi thọ vận hành của linh kiện vi cơ điện tử.

4.3. Nâng cao hệ số phẩm chất Q cho bộ vi chấp hành

Hệ số phẩm chất Q biểu thị tỷ số giữa năng lượng tích trữ và năng lượng tiêu hao trong một chu kỳ dao động. Tổn hao năng lượng trong vi chấp hành chủ yếu do ma sát không khí và tiêu tán nhiệt đàn hồi. Tối ưu hóa bề dày màng vi cơ và khoảng cách khe hở giúp giảm thiểu lực cản nhớt bề mặt. Cấu trúc dầm uốn có biên dạng tối ưu hạn chế tập trung ứng suất và giảm ma sát nội vật liệu. Nâng cao hệ số Q giúp tăng biên độ cộng hưởng, giảm năng lượng kích thích và cải thiện độ nhạy của thiết bị.

V. Ứng dụng thực tiễn của bộ vi chấp hành vi cơ điện tử

Các nghiên cứu về thông số cấu tạo vi chấp hành MEMS mở ra tiềm năng ứng dụng to lớn trong kỹ thuật hiện đại. Sự kết hợp giữa vi chấp hành tĩnh điện và vi chấp hành điện nhiệt đáp ứng đa dạng yêu cầu từ tốc độ cao đến lực sinh công lớn. Các linh kiện này được ứng dụng rộng rãi trong hệ thống thông tin quang, thiết bị y sinh vi lưu, và cảm biến hàng không vũ trụ. Việc tối ưu hóa kích thước hình học giúp thu nhỏ kích thước tổng thể mà vẫn đảm bảo độ bền cơ học. Đây là nền tảng quan trọng để phát triển các thế hệ cảm biến và cơ cấu chấp hành thông minh tiếp theo.

5.1. Ứng dụng trong cảm biến quang học và vi gương quét

Cơ cấu răng lược comb-drive là lựa chọn hàng đầu cho các hệ thống vi gương quang học và cảm biến con quay hồi chuyển MEMS. Tốc độ chuyển mạch nano giây và tổn hao điện năng thấp cho phép vi gương quét chùm tia laser với tần số cộng hưởng cao. Thiết kế không có ma sát cơ học tiếp xúc giúp thiết bị hoạt động hàng tỷ chu kỳ mà không bị mài mòn. Việc kiểm soát điện áp pull-in vi cơ điện tử cho phép vi gương xoay góc quét lớn mà không lo nguy cơ va chạm bản cực, nâng cao độ chính xác định vị quang học.

5.2. Tiềm năng tích hợp trong thiết bị y sinh vi lưu

Vi chấp hành nhiệt MEMS dầm chữ V đóng vai trò động cơ cho các bơm vi lưu và van đóng mở trong thiết bị y sinh. Lực chấp hành vi cơ lớn tại điện áp thấp đủ sức mở các cổng vi lưu chịu áp suất chất lỏng cao. Khả năng tạo ra độ dịch chuyển cực đại trong không gian nhỏ giúp phân phối chính xác từng liều lượng dung dịch sinh hóa. Cấu trúc dầm uốn ổn định chịu được môi trường dung dịch đệm sinh học khi được bọc màng bảo vệ thụ động. Thiết kế này thúc đẩy sự phát triển của các hệ thống chẩn đoán y tế tự động và cầm tay.

Mục lục chi tiết luận án

LỜI CAM ĐOAN
DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT VÀ KÝ HIỆU
DANH MỤC BẢNG BIỂU
DANH MỤC HÌNH VẼ
MỞ ĐẦU
1. Tính cấp thiết
2. Mục tiêu của luận án
3. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu của luận án
3.1. Đối tượng nghiên cứu
3.2. Phạm vi nghiên cứu
4. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án
4.1. Ý nghĩa khoa học
4.2. Ý nghĩa thực tiễn
5. Phương pháp nghiên cứu của luận án
6. Những đóng góp của luận án
7. Bố cục của luận án
1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ VI CHẤP HÀNH TĨNH ĐIỆN RĂNG LƯỢC VÀ ĐIỆN NHIỆT CHỮ V
1.1. Vi chấp hành MEMS và các ứng dụng
1.2. Vi chấp hành tĩnh điện răng lược
1.3. Vi chấp hành kiểu điện nhiệt
1.4. Thảo luận và đánh giá
1.5. Kết luận chương 1
2. CHƯƠNG 2: NGHIÊN CỨU ĐÁNH GIÁ CHẤT LƯỢNG LÀM VIỆC CỦA VI CHẤP HÀNH TĨNH ĐIỆN RĂNG LƯỢC
2.1. Lý thuyết tĩnh điện
2.1.1. Lực tĩnh điện pháp tuyến
2.1.2. Lực tĩnh điện tiếp tuyến
2.2. Các tham số động lực học tương đương
2.2.1. Phương trình vi phân chuyển động tổng quát
2.2.2. Độ cứng tương đương
2.2.3. Khối lượng quy đổi
2.2.4. Cản quy đổi của không khí
2.3. Xác định đáp ứng của vi chấp hành tĩnh điện răng lược
2.3.1. Trường hợp điện áp dẫn có dạng xung vuông
2.3.2. Trường hợp điện áp dẫn có dạng xung hình sin
2.3.3. Ảnh hưởng của tần số dẫn đến chuyển vị
2.4. Ảnh hưởng của góc nghiêng bề mặt răng lược hình thang cân đến lực dẫn và chuyển vị và điều kiện ổn định
2.4.1. Ảnh hưởng của góc nghiêng bề mặt răng đến lực tĩnh điện
2.4.2. Ảnh hưởng của góc nghiêng bề mặt răng đến chuyển vị của vi chấp hành
2.4.3. Kết quả đo đạc thực nghiệm
2.4.4. Điều kiện ổn định của vi chấp hành răng lược hình thang cân
2.5. Ảnh hưởng của kích thước dầm đến hệ số phẩm chất Q
2.6. Kết luận chương 2
3. CHƯƠNG 3: NGHIÊN CỨU ĐÁNH GIÁ CHẤT LƯỢNG LÀM VIỆC CỦA VI CHẤP HÀNH ĐIỆN NHIỆT CHỮ V
3.1. Mô hình truyền nhiệt và phương trình vi phân chuyển động
3.1.1. Cấu trúc và nguyên lý làm việc
3.1.2. Mô hình truyền nhiệt dạng giải tích
3.1.3. Mô hình truyền nhiệt dạng sai phân hữu hạn
3.1.4. Lực dãn nở nhiệt của vi chấp hành điện nhiệt chữ V
3.1.5. Phương trình vi phân chuyển động
3.2. Khảo sát chuyển vị của vi chấp hành điện nhiệt dạng chữ V
3.2.1. Kiểm chứng kết quả tính toán chuyển vị tĩnh
3.2.2. Tần số tới hạn của vi chấp hành điện nhiệt chữ V
3.2.3. Ảnh hưởng của kích thước dầm đến tần số tới hạn
3.2.4. Ảnh hưởng của kích thước dầm đến hệ số phẩm chất Q
3.5. Kết luận chương 3
4. CHƯƠNG 4: XÁC ĐỊNH KÍCH THƯỚC HỢP LÝ CỦA VI CHẤP HÀNH ĐIỆN NHIỆT CHỮ V ĐẢM BẢO ĐIỀU KIỆN LÀM VIỆC ỔN ĐỊNH VÀ AN TOÀN
4.1. Điều kiện bền nhiệt của dầm và điện áp dẫn giới hạn
4.2. Điều kiện ổn định dọc trục dầm và điện áp giới hạn
4.2.1. Điều kiện ổn định dọc trục dầm (ổn định cơ)
4.2.2. Điện áp giới hạn theo điều kiện “ổn định cơ”
4.3. Điều kiện đảm bảo an toàn cho vi chấp hành chữ V
4.4. Xác định kích thước tối ưu của dầm chữ V cho chuyển vị lớn nhất bằng thuật toán bầy đàn (PSO)
4.4.1. Ảnh hưởng của các thông số kích thước dầm đến chuyển vị
4.4.2. Bài toán tối ưu, kết quả tối ưu bằng thuật toán PSO
4.5. Kết luận chương 4
KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ
DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN
DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO
Phụ lục 1: Quy trình chế tạo vi chấp hành dựa trên công nghệ vi cơ khối MEMS
Phụ lục 2: Hệ thống thiết bị đo
Phụ lục 3: Chương trình thuật toán tối ưu bầy đàn
Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Luận án tiến sĩ nghiên cứu ảnh hưởng của các thông số cấu tạo đến chất lượng làm việc của bộ vi chấp hành mems kiểu tĩnh điện răng lược và điện nhiệt chữ v

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (144 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI HOÀNG TRUNG KIÊN NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA CÁC THÔNG SỐ CẤU TẠO ĐẾN CHẤT LƯỢNG LÀM VIỆC CỦA BỘ VI CHẤP HÀNH MEMS KIỂU TĨNH ĐIỆN RĂNG LƯỢC VÀ ĐIỆN NHIỆT CHỮ V LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT CƠ KHÍ Hà Nội – 2021 luan an BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI HOÀNG TRUNG KIÊN NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA CÁC THÔNG SỐ CẤU TẠO ĐẾN CHẤT LƯỢNG LÀM VIỆC CỦA BỘ VI CHẤP HÀNH MEMS KIỂU TĨNH ĐIỆN RĂNG LƯỢC VÀ ĐIỆN NHIỆT CHỮ V Ngành: Kỹ thuật cơ khí Mã số: 9520103 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT CƠ KHÍ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. Phạm Hồng Phúc 2. Vũ Công Hàm Hà Nội - 2021 luan an LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của cá nhân tôi dưới sự hướng dẫn của tập thể hướng dẫn và các nhà khoa học. Tài liệu tham khảo trong luận án được trích dẫn đầy đủ.

Các kết quả nghiên cứu của luận án là trung thực và chưa từng được các tác giả khác công bố. Hà Nội, ngày tháng năm 2021 TM. Tập thể hướng dẫn Nghiên cứu sinh PGS. Phạm Hồng Phúc Hoàng Trung Kiên i luan an LỜI CẢM ƠN Trải qua một thời gian dài, khó khăn và nhiều thử thách tác giả cũng đã hoàn thành bản luận án của mình.

Trong suốt quá trình đó, tác giả đã luôn nhận được sự giúp đỡ hỗ trợ của các đơn vị chuyên môn, tập thể hướng dẫn, các nhà khoa học, gia đình và đồng nghiệp. Qua đây tác giả muốn gửi lời cám ơn sâu sắc tới tập thể hướng dẫn PGS. Phạm Hồng Phúc, PGS. Vũ Công Hàm, những người đã định hướng, tận tình hướng dẫn chuyên môn và bổ sung kịp thời những kiến thức liên quan.

Xin chân thành cám ơn các giảng viên, các nhà khoa học bộ môn Cơ sở thiết kế máy và Robot, viện Cơ khí, trường Đại học Bách khoa Hà Nội đã nhiệt tình giúp đỡ, có những đóng góp chuyên môn quý báu và cung cấp tài liệu tham khảo để tác giả hoàn thành luận án này. Tác giả xin cám ơn Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu (ITIMS), viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ (AIST) trường Đại học Bách khoa Hà Nội đã hỗ trợ về thiết bị thí nghiệm, hướng dẫn vận hành để tác giả có thể hoàn thành một số quy trình thực nghiệm của luận án. Tác giả cũng xin cám ơn tới Đảng ủy, Ban giám hiệu và các đồng nghiệp tại Học viện Kỹ thuật Quân sự đã đồng ý về chủ trương, tạo điều kiện thuận lợi để tác giả sắp xếp thời gian vừa hoàn thành nhiệm vụ chuyên môn vừa hoàn thành luận án của mình. Đặc biệt tác giả muốn gửi lời cảm ơn tới toàn thể gia đình, bạn bè đã hết lòng ủng hộ, chia sẻ cả về tinh thần và vật chất để tác giả hoàn thành tốt nội dung nghiên cứu này.

Tác giả luận án Hoàng Trung Kiên ii luan an MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN. ii MỤC LỤC. iii DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT VÀ KÝ HIỆU. vi DANH MỤC BẢNG BIỂU.

xi DANH MỤC HÌNH VẼ. xii MỞ ĐẦU. Tính cấp thiết. Mục tiêu của luận án.

Đối tượng và phạm vi nghiên cứu của luận án .1 Đối tượng nghiên cứu .2 Phạm vi nghiên cứu. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án .1 Ý nghĩa khoa học .2 Ý nghĩa thực tiễn. Phương pháp nghiên cứu của luận án. Những đóng góp của luận án.

Bố cục của luận án. 4 Chương 1 TỔNG QUAN VỀ VI CHẤP HÀNH TĨNH ĐIỆN RĂNG LƯỢC VÀ ĐIỆN NHIỆT CHỮ V .1 Vi chấp hành MEMS và các ứng dụng .2 Vi chấp hành tĩnh điện răng lược.3 Vi chấp hành kiểu điện nhiệt .4 Thảo luận và đánh giá .5 Kết luận chương 1. 25 Chương 2 NGHIÊN CỨU ĐÁNH GIÁ CHẤT LƯỢNG LÀM VIỆC CỦA VI CHẤP HÀNH TĨNH ĐIỆN RĂNG LƯỢC .1 Lý thuyết tĩnh điện .1 Lực tĩnh điện pháp tuyến .2 Lực tĩnh điện tiếp tuyến. 28 iii luan an 2.2 Các tham số động lực học tương đương .1 Phương trình vi phân chuyển động tổng quát .2 Độ cứng tương đương .3 Khối lượng quy đổi .4 Cản quy đổi của không khí .3 Xác định đáp ứng của vi chấp hành tĩnh điện răng lược .1 Trường hợp điện áp dẫn có dạng xung vuông .2 Trường hợp điện áp dẫn có dạng xung hình sin.3 Ảnh hưởng của tần số dẫn đến chuyển vị .4 Ảnh hưởng của góc nghiêng bề mặt răng lược hình thang cân đến lực dẫn và chuyển vị và điều kiện ổn định .1 Ảnh hưởng của góc nghiêng bề mặt răng đến lực tĩnh điện .2 Ảnh hưởng của góc nghiêng bề mặt răng đến chuyển vị của vi chấp hành .3 Kết quả đo đạc thực nghiệm .4 Điều kiện ổn định của vi chấp hành răng lược hình thang cân .5 Ảnh hưởng của kích thước dầm đến hệ số phẩm chất Q .6 Kết luận chương 2.

61 Chương 3 NGHIÊN CỨU ĐÁNH GIÁ CHẤT LƯỢNG LÀM VIỆC CỦA VI CHẤP HÀNH ĐIỆN NHIỆT CHỮ V .1 Mô hình truyền nhiệt và phương trình vi phân chuyển động .1 Cấu trúc và nguyên lý làm việc.2 Mô hình truyền nhiệt dạng giải tích .3 Mô hình truyền nhiệt dạng sai phân hữu hạn .4 Lực dãn nở nhiệt của vi chấp hành điện nhiệt chữ V .5 Phương trình vi phân chuyển động .2 Khảo sát chuyển vị của vi chấp hành điện nhiệt dạng chữ V .1 Kiểm chứng kết quả tính toán chuyển vị tĩnh .2 Tần số tới hạn của vi chấp hành điện nhiệt chữ V .3 Ảnh hưởng của kích thước dầm đến tần số tới hạn .4 Ảnh hưởng của kích thước dầm đến hệ số phẩm chất Q. 82 iv luan an 3.5 Kết luận chương 3. 84 Chương 4 XÁC ĐỊNH KÍCH THƯỚC HỢP LÝ CỦA VI CHẤP HÀNH ĐIỆN NHIỆT CHỮ V ĐẢM BẢO ĐIỀU KIỆN LÀM VIỆC ỔN ĐỊNH VÀ AN TOÀN 86 4.1 Điều kiện bền nhiệt của dầm và điện áp dẫn giới hạn .2 Điều kiện ổn định dọc trục dầm và điện áp giới hạn .1 Điều kiện ổn định dọc trục dầm (ổn định cơ) .2 Điện áp giới hạn theo điều kiện “ổn định cơ” .3 Điều kiện đảm bảo an toàn cho vi chấp hành chữ V .4 Xác định kích thước tối ưu của dầm chữ V cho chuyển vị lớn nhất bằng thuật toán bầy đàn (PSO) .1 Ảnh hưởng của các thông số kích thước dầm đến chuyển vị .2 Bài toán tối ưu, kết quả tối ưu bằng thuật toán PSO.5 Kết luận chương 4. 106 KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ.

108 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN. 111 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO. 119 Phụ lục 1 Quy trình chế tạo vi chấp hành dựa trên công nghệ vi cơ khối MEMS. 119 Phụ lục 2 Hệ thống thiết bị đo.

125 Phụ lục 3 Chương trình thuật toán tối ưu bầy đàn. 126 v luan an DANH MỤC CÁC TỪ VIẾT TẮT VÀ KÝ HIỆU 1. Danh mục các từ viết tắt STT Từ viết Ý nghĩa tiếng Anh Ý nghĩa tiếng Việt tắt Công nghệ ăn mòn ion hoạt hóa 1 DRIE Deep Reactive Ion Etching sâu Electrostatic Comb-drive Bộ chấp hành răng lược tĩnh 2 ECA Actuator điện Electrothermal V-shape Bộ chấp hành điện nhiệt dạng 3 EVA Actuator chữ V 4 GA Gen Algorithm Thuật toán di truyền Micro-electro-mechanical 5 MEMS Hệ thống vi cơ điện tử System Particle Swarming 6 PSO Thuật toán tối ưu bầy đàn Optimation Rectangular Electrostatic Bộ chấp hành tĩnh điện răng 7 RECA Comb Actuator lược hình chữ nhật Scanning Electron 8 SEM Kính hiển vi điện tử quét Microscope 9 SMA Shape Memory Alloy Hợp kim nhớ hình 10 SOI Silicon-on-Insulator Phiến silic kép Trapezoidal Electrostatic Bộ chấp hành tĩnh điện răng 11 TECA Comb Actuator lược hình thang cân 2. Danh mục ký hiệu TT Ký hiệu Đơn vị Ý nghĩa 1 a µm Khoảng chồng giữa hai bản tụ 2 A µm2 Diện tích mặt cắt dầm Khoảng chồng ban đẩu của răng lược di động và răng lược 3 a0 µm cố định 4 Abt µm2 Diện tích mặt đáy của thanh đẩy 5 AC µm2 Diện tích bề mặt chịu cản nhớt 6 Ae µm Diện tích chồng nhau của hai bản tụ 7 Amb µm2 Diện tích mặt bên của thanh đẩy 8 At µm2 Diện tích mặt trên của thanh đẩy 9 b µm Chiều rộng của bản tụ Lần lượt là chiều dài đáy lớn, đáy nhỏ của răng lược hình 10 Bc, bc µm thang cân 11 Bi - Hệ số Biot 12 C µN.s/µm Hệ số cản không khí quy đổi vi luan an TT Ký hiệu Đơn vị Ý nghĩa 13 C1 µN.s/µm Hệ số cản nhớt không khí tại mặt đáy của thanh đẩy 14 C2 µN.s/µm Hệ số cản nhớt không khí tại bề mặt răng lược Hệ số cản nhớt không khí tại mặt bên và mặt trên của thanh 15 C3 µN.s/µm đẩy Hệ số cản trên diện tích của thanh đẩy vuông góc với 16 C4 µN.s/µm phương vận tốc Hệ số cản nhớt không khí tương đương tại mặt đáy của 17 C5 µN.s/µm một dầm đơn Hệ số cản trên diện tích của dầm đơn vuông góc với 18 C6 µN.s/µm phương Y 19 Cd µN.s/µm Hệ số cản nhớt không khí 20 Ce pF Điện dung của tụ điện 21 Cp pJ/kg.K Nhiệt dung riêng 22 CV µN.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Hoàng Trung Kiên (2021). Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Bách khoa Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/ky-thuat-dien-dien-tu/ky-thuat-dien-tu/nghien-cuu-anh-huong-thong-so-cau-tao-den-chat-luong-vi-chap-hanh-mems

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS" nghiên cứu về vấn đề gì?

Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS, phân tích tối ưu thiết kế micro actuator.

Luận án "Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Năm bảo vệ: 2021.

Luận án "Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS" thuộc chuyên ngành Kỹ thuật cơ khí. Danh mục: Kỹ Thuật Điện Tử.

Luận án "Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS" có bao nhiêu trang?

Luận án "Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS" có 144 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Nghiên cứu ảnh hưởng thông số cấu tạo đến chất lượng vi chấp hành MEMS" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter