Luận án tiến sĩ: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần - Nghiên cứu tại Đại học Bách khoa Hà Nội
Nghiên cứu phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần để nâng cao hiệu suất và ứng dụng trong truyền thông hiện đại.
Luan An
Luận án tiến sĩ
Năm xuất bản
Số trang
145
Thời gian đọc
22 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- 1. Tổng quan bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần hiện đại
- Số trang:
- 145 trang
- Trường:
- Đại học Bách khoa Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Kỹ thuật Viễn thông
- Tác giả:
- Trần Thị Thu Hường
- Năm:
- 2021
Tóm tắt nội dung luận án
I. Tổng quan bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần hiện đại
Bộ lọc vi ba hốc cộng hưởng đóng vai trò cốt lõi trong các hệ thống thông tin vô tuyến. Thiết bị đảm nhiệm xử lý tín hiệu băng tần siêu cao. Các trạm thu phát sóng di động hiện đại đòi hỏi độ chọn lọc tần số khắt khe. Cấu trúc hốc cộng hưởng đồng trục coaxial cavity mang lại nhiều lợi thế vượt trội. Dạng phần tử này vừa đảm bảo kích thước vật lý nhỏ gọn vừa đáp ứng hiệu năng truyền dẫn cao. Tùy thuộc vào yêu cầu hệ thống, kỹ sư có thể kết hợp hốc cộng hưởng điện môi dielectric resonator để giảm tổn thất vi ba. Quá trình thiết kế cần cân bằng giữa kích thước, suy hao chèn và độ ổn định nhiệt độ. Nghiên cứu cung cấp nền tảng toàn diện về cấu trúc khoang cộng hưởng. Các giải pháp kỹ thuật hướng tới tối ưu hóa băng thông và triệt tiêu can nhiễu.
1.1. Đặc tính kỹ thuật và tiêu chuẩn suy hao chèn
Hệ số phẩm chất Q cao là tiêu chí quan trọng hàng đầu của bộ lọc vi ba. Chỉ số Q unloaded lớn giúp giảm thiểu tối đa suy hao chèn trong băng thông công tác. Nhờ đó, máy phát tiết kiệm công suất tiêu thụ và máy thu tăng độ nhạy. Bộ lọc cần duy trì độ suy hao phản xạ tốt trên toàn dải thông. Kích thước hình học của hốc cộng hưởng quy định trực tiếp tần số cộng hưởng riêng. Bề mặt kim loại dẫn điện được mạ bạc để giảm suy hao do hiệu ứng bề mặt. Độ nhám thành vách kim loại cũng ảnh hưởng lớn đến tổn hao truyền dẫn. Ngoài ra, thiết kế cơ khí phải đảm bảo ổn định nhiệt độ môi trường từ âm bốn mươi đến tám mươi lăm độ C.
1.2. Phân loại cấu trúc và vật liệu cộng hưởng vi ba
Công nghệ bộ lọc siêu cao tần phát triển với nhiều cấu hình đa dạng. Hốc cộng hưởng đồng trục sử dụng chất điện môi không khí mang lại độ suy hao rất thấp. Trong khi đó, hốc cộng hưởng điện môi dielectric resonator giúp thu nhỏ đáng kể kích thước bộ lọc. Sự xuất hiện của bộ lọc hốc ống dẫn sóng tích hợp nền SIW tạo ra giải pháp tích hợp mạch phẳng hiệu quả. Cấu trúc SIW dễ dàng chế tạo trên bo mạch in chuẩn. Tuy nhiên, cấu trúc hốc kim loại đồng trục vẫn giữ ưu thế vượt trội về khả năng chịu công suất lớn. Việc lựa chọn vật liệu và dạng hình học hốc quyết định trực tiếp hiệu năng bộ lọc. Các kỹ sư cần cân nhắc kỹ các chỉ tiêu cơ điện để chọn dạng hốc phù hợp.
1.3. Phương pháp tổng hợp từ bộ lọc thông thấp mẫu
Quy trình thiết kế khởi đầu từ mạch thông thấp nguyên mẫu chuẩn hóa. Các hàm truyền kinh điển cung cấp đáp ứng lọc Chebyshev và Quasi-elliptic với các bậc lọc khác nhau. Đáp ứng Chebyshev đảm bảo độ gợn sóng đều trong dải thông và độ dốc suy hao tốt. Đáp ứng Quasi-elliptic tạo ra các điểm triệt tiêu vô hạn gần biên dải lọc. Sau đó, phép biến đổi tần số chuyển đổi mạch mẫu sang dải thông siêu cao tần mục tiêu. Các phần tử dung kháng và cảm kháng quy đổi thành các nghịch đảo trở kháng k-inverter. Từ sơ đồ khối tập trung, kỹ sư tính toán các hệ số ghép nối không thứ nguyên. Bước này tạo tiền đề vững chắc cho việc ánh xạ vào cấu trúc vật lý 3D.
II. Mô hình hóa bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần chuẩn xác
Mô hình hóa chính xác là bước then chốt trong chế tạo bộ lọc vi ba. Các phương pháp giải tích kết hợp ma trận ghép nối coupling matrix giúp định lượng mối tương tác điện từ. Mô hình mạch tương đương phản ánh chính xác hành vi của các hốc cộng hưởng và khe ghép. Việc tính toán chính xác giảm thiểu số lần hiệu chỉnh thử nghiệm tốn kém. Công cụ mô phỏng trường điện từ 3D HFSS CST hỗ trợ kiểm chứng trực quan phân bố trường. Nhờ đó, nhà thiết kế dễ dàng phát hiện các mode cộng hưởng ký sinh ngoài mong muốn. Quy trình mô hình hóa đa bước bảo đảm độ tin cậy từ sơ đồ lý thuyết đến phần cứng thực tế.
2.1. Tổng hợp ma trận ghép nối coupling matrix
Ma trận ghép nối coupling matrix biểu diễn toàn diện tương tác giữa các mode cộng hưởng. Mỗi phần tử trong ma trận đại diện cho hệ số ghép giữa hai hốc hoặc giữa hốc với cổng vào ra. Phương pháp khử Gauss và xoay ma trận Givens giúp đưa ma trận về cấu trúc topo mong muốn. Kỹ thuật này cho phép loại bỏ các đường ghép không khả thi về mặt cơ khí. Hệ số ghép ngoài quy định mức độ phối hợp trở kháng giữa bộ lọc và đường truyền 50 Ohm. Ma trận trích xuất trực tiếp thông số tán xạ S-parameters lý thuyết. Độ chính xác của ma trận quyết định trực tiếp chất lượng đáp ứng tần số. Kỹ thuật viên căn cứ vào ma trận để thiết lập kích thước ban đầu của linh kiện.
2.2. Tạo điểm không truyền dẫn transmission zeros
Điểm không truyền dẫn transmission zeros giúp tăng độ dốc suy hao biên dải một cách vượt trội. Kỹ thuật ghép chéo cross-coupling giữa các hốc không kề nhau tạo ra nhiều đường truyền tín hiệu. Sự giao thoa ngược pha giữa các đường truyền này triệt tiêu hoàn toàn tín hiệu tại tần số chỉ định. Nhờ đó, bộ lọc triệt can nhiễu lân cận cực kỳ hiệu quả mà không cần tăng bậc lọc. Số lượng điểm không truyền dẫn phụ thuộc vào số lượng đường ghép chéo được thiết lập. Vị trí điểm không có thể bố trí linh hoạt ở dải chặn dưới hoặc dải chặn trên. Kỹ thuật này đặc biệt hữu ích trong các hệ thống đa băng tần đòi hỏi độ cách ly cao.
2.3. Mô phỏng trường điện từ 3D HFSS CST đa chiều
Phần mềm mô phỏng trường điện từ 3D HFSS CST giải hệ phương trình Maxwell trên lưới phần tử hữu hạn. Công cụ trích xuất chính xác hệ số tán xạ, phân bố điện trường và từ trường 3D. Mô hình mô phỏng bao gồm đầy đủ chi tiết vỏ kim loại, vít tinh chỉnh và cổng kết nối đồng trục. Kỹ sư tối ưu hóa từng khe ghép và chiều dài thanh cộng hưởng thông qua các vòng quét tham số. Mô phỏng trường điện từ cũng phát hiện sớm các hiện tượng rò rỉ sóng và suy giảm hệ số phẩm chất. Kết quả mô phỏng 3D tiệm cận sát với thiết bị thực tế sau gia công cơ khí. Đây là bước kiểm tra bắt buộc trước khi đưa vào dây chuyền chế tạo.
III. Giải pháp ghép nối bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần mới
Cấu trúc ghép nối quyết định trực tiếp độ rộng băng thông và độ chọn lọc của bộ lọc. Các liên kết điện từ giữa các khoang hốc cộng hưởng đồng trục coaxial cavity cần được kiểm soát chặt chẽ. Nghiên cứu đề xuất nhiều giải pháp cải tiến cấu trúc ghép nhằm nâng cao tính linh hoạt khi gia công. Các đường ghép cải tiến giúp mở rộng phạm vi điều chỉnh hệ số ghép mà không làm tăng kích thước tổng thể. Cấu trúc mới hỗ trợ triển khai kỹ thuật ghép chéo cross-coupling thuận tiện hơn. Nhờ đó, việc tạo ra đáp ứng lọc Chebyshev và Quasi-elliptic trở nên đơn giản và chính xác. Giải pháp này giúp tối ưu hóa không gian bên trong trạm thu phát viễn thông.
3.1. Cải tiến ghép từ và ghép điện giữa các hốc liền kề
Ghép giữa hai hốc liền kề thực hiện thông qua cửa sổ mở trên vách ngăn kim loại chung. Ghép từ xuất hiện tại vị trí có mật độ dòng điện bề mặt cao gần đáy hốc. Ngược lại, ghép điện chiếm ưu thế tại khu vực điện trường cực đại ở đỉnh thanh cộng hưởng. Việc điều chỉnh hình dạng và kích thước cửa sổ ghép cho phép kiểm soát chính xác độ lớn hệ số ghép. Nghiên cứu đề xuất cấu trúc cửa sổ cải tiến kết hợp rãnh phụ. Thiết kế này giúp mở rộng dải biến thiên của hệ số ghép mà không làm suy giảm độ bền cơ học. Quá trình gia công phay CNC nhờ đó trở nên thuận tiện và hạn chế sai số tích lũy.
3.2. Cấu trúc đường ghép chéo kiểu C cho trạm thu phát
Đường ghép chéo kiểu C là giải pháp hiệu quả để tạo ghép điện dung giữa hai hốc không liền kề. Cấu trúc bao gồm một thanh kim loại uốn cong đặt xuyên qua các vách ngăn trung gian. Đầu thanh ghép đặt gần đỉnh trụ cộng hưởng để thu nhận điện trường. Giải pháp cải tiến sử dụng cơ cấu cố định bằng vật liệu điện môi có tổn thất cực thấp. Thiết kế này loại bỏ hiện tượng rung lắc cơ khí và biến dạng nhiệt trong quá trình vận hành. Bộ lọc LTE-A ứng dụng hai đường ghép chéo kiểu C tạo ra bốn điểm không truyền dẫn đối xứng. Kết quả đo đạc thực tế khẳng định độ suy hao chọn lọc vượt trội tại biên dải.
3.3. Tinh chỉnh bộ lọc bằng phương pháp độ trễ nhóm
Quá trình tinh chỉnh cơ khí sau chế tạo là công đoạn bắt buộc đối với bộ lọc hốc cộng hưởng. Sai số gia công cơ khí dù rất nhỏ cũng làm lệch tần số tâm và biến dạng dải thông. Phương pháp tinh chỉnh theo độ trễ nhóm từng bước đơn giản hóa quy trình căn chỉnh phức tạp. Kỹ thuật viên lần lượt điều chỉnh từng vít cộng hưởng dựa trên đồ thị trễ nhóm của sóng phản xạ S11. Phương pháp cực trị điện nạp bổ trợ việc xác định chính xác vị trí lỗi của từng hốc. Kỹ thuật này rút ngắn đáng kể thời gian cân chỉnh trên máy phân tích mạng véc-tơ VNA. Độ chính xác tinh chỉnh đạt mức tối ưu chỉ sau vài bước thao tác.
IV. Nâng công suất bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần tối ưu
Khả năng chịu đựng công suất lớn là yêu cầu sống còn của bộ lọc trong trạm gốc di động. Máy phát công suất cao dễ gây ra hiện tượng phóng điện hồ quang hoặc đánh thủng điện môi. Nghiên cứu tập trung phân tích và cải tiến hình học hốc cộng hưởng để giảm thiểu mật độ điện trường đỉnh. Các vùng tiếp xúc kim loại và khe hở hẹp được tái cấu trúc nhằm hạn chế phát sinh nhiệt cục bộ. Sự kết hợp giữa vật liệu tản nhiệt tốt và cấu trúc hốc tối ưu giúp duy trì hệ số phẩm chất Q cao khi hoạt động ở mức công suất hàng trăm Watt. Thiết bị bảo đảm độ tin cậy vận hành liên tục trong môi trường khắc nghiệt.
4.1. Phân tích giới hạn đánh thủng trường điện từ cực đại
Hiện tượng đánh thủng không khí xảy ra khi cường độ điện trường cục bộ vượt quá ngưỡng cách điện. Trong hốc cộng hưởng, điện trường tập trung mạnh nhất tại khe hẹp giữa đỉnh trụ và nắp trên. Điện trường đỉnh quá cao gây ra phóng điện vầng quang corona hoặc hiện tượng phát xạ thứ cấp multipactor. Việc xác định chính xác ngưỡng công suất đánh thủng đòi hỏi mô phỏng trường điện từ 3D HFSS CST chuyên sâu. Công thức giải tích tính toán công suất chịu đựng tối đa dựa trên khoảng cách khe hở và áp suất khí quyển. Thiết kế cần giữ hệ số an toàn tối thiểu ba decibel so với công suất đỉnh của máy phát.
4.2. Cải tiến hình học hốc cộng hưởng lục giác nâng cao công suất
Nghiên cứu đề xuất cấu trúc hốc cộng hưởng dạng lục giác và trụ cộng hưởng bậc bo tròn. Hình học lục giác tối ưu hóa việc sắp xếp không gian trong khối bộ song công duplexer. Các góc nhọn kim loại được loại bỏ hoàn toàn bằng các bán kính lượn mềm mại. Giải pháp này phân tán đều mật độ điện tích bề mặt và hạ thấp cường độ điện trường đỉnh. Khe hở giữa nắp và trụ cộng hưởng được nới rộng có tính toán mà không làm giảm hệ số phẩm chất Q cao. Cấu trúc mới tăng cường khả năng chịu công suất lên hơn ba mươi phần trăm so với cấu trúc trụ truyền thống. Khả năng truyền nhiệt ra vỏ máy cũng cải thiện rõ rệt.
4.3. Đánh giá thử nghiệm duplexer trong trạm gốc LTE A
Bộ song công duplexer hoàn chỉnh được chế tạo thử nghiệm bằng hợp kim nhôm chất lượng cao và mạ bạc bề mặt. Thiết bị trải qua quy trình đo kiểm khắt khe trên máy phân tích mạng véc-tơ và hệ thống phát xung công suất lớn. Kết quả thực nghiệm cho thấy suy hao chèn trong dải thông thu phát đạt dưới một decibel. Độ cách ly giữa cổng thu và cổng phát vượt mức năm mươi lăm decibel. Thiết bị hoạt động ổn định ở mức công suất phát danh định liên tục mà không suy giảm phẩm chất. Sai lệch giữa kết quả đo đạc thực tế và mô phỏng 3D nằm trong giới hạn cho phép. Thiết kế chứng minh tính khả thi cao trong triển khai thương mại trạm gốc LTE-A.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (145 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộBỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI TRẦN THỊ THU HƯỜNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT VIỄN THÔNG Hà Nội - 2021 luan an BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI TRẦN THỊ THU HƯỜNG NGHIÊN CỨU PHÁT TRIỂN BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN Ngành: Kỹ thuật Viễn thông Mã số: 9520208 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KỸ THUẬT VIỄN THÔNG NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: GS.TS VŨ VĂN YÊM luan an LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan rằng, các kết quả khoa học được trình bày trong quyển luận án này là kết quả nghiên cứu của bản thân tôi trong suốt thời gian làm nghiên cứu sinh và chưa từng xuất hiện trong công bố của các tác giả khác. Các kết quả nghiên cứu trong luận án là chính xác và trung thực. Hà Nội, ngày tháng năm 2021 Giảng viên hướng dẫn Tác giả luận án i luan an LỜI CẢM ƠN Đầu tiên, tác giả xin bày tỏ lời cảm ơn sâu sắc và kính trọng đến thầy GS.TS Vũ Văn Yêm đã hướng dẫn và định hướng khoa học cho tôi trong suốt khóa học. Tác giả xin gửi lời cảm ơn chân thành nhất đến thầy PGS.
Nguyễn Xuân Quyền cùng các thành viên của RF Lab đã hỗ trợ và cùng tôi thực hiện một số công việc thiết kế trong luận án này. Tác giả xin trân trọng cảm ơn Ban Lãnh đạo, quý thầy cô và cán bộ trong Bộ môn Hệ thống Viễn thông, Viện Điện tử - Viễn thông và Phòng Đào tạo đã tạo các điều kiện thuận lợi về nơi học tập, nghiên cứu, các thủ tục hành chính và góp ý chuyên môn cho tôi trong suốt quá trình học tập và nghiên cứu tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Tác giả trân trọng cảm ơn Ban Giám hiệu Trường Đại học, Ban Lãnh đạo và các đồng nghiệp Khoa Điện tử - Trường Đại học Kinh tế Kỹ thuật Công nghiệp đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tác giả được tập trung nghiên cứu trong thời gian qua. Xin chân thành cảm ơn sự quan tâm, giúp đỡ, động viên của các đồng nghiệp, nhóm Nghiên cứu sinh – Viện Điện tử Viễn thông – Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội đã dành cho tôi.
Cuối cùng, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến các thành viên trong gia đình của tôi. Những người đã luôn động viên tinh thần và giúp đỡ tôi trong suốt thời gian vừa qua. Đây cũng là động lực lớn nhất giúp tôi vượt qua những khó khăn và hoàn thành kết quả của luận án này. Tác giả luận án ii luan an MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN.
ii MỤC LỤC. iii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT. vi DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ. TỔNG QUAN VỀ BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN.
Tổng quan về đặc tính của bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần. 10 Bộ tham số đặc tuyến của bộ lọc. 10 Khảo sát các tham số về cơ khí và điều kiện môi trường. Phương pháp xây dựng bộ lọc thông dải từ bộ lọc thông thấp mẫu.
13 Định nghĩa chung. 13 Xây dựng bộ lọc thông dải từ bộ lọc thông thấp mẫu. 14 Nguyên tắc tổng hợp bộ lọc. Quy trình thiết kế, mô phỏng bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần.
Phương pháp tinh chỉnh, tối ưu bộ lọc hốc cộng hưởng. 26 Phương pháp tinh chỉnh bằng lý thuyết về độ trễ nhóm. 26 Phương pháp tinh chỉnh dựa vào tham số cực trị điện nạp. Kết luận chương 1.
MÔ HÌNH HÓA VÀ CẤU TRÚC BỘ LỌC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN. Mô hình hóa hốc cộng hưởng. 30 Hốc cộng hưởng đơn. 30 Ghép giữa hai hốc cộng hưởng.
32 Ghép chéo giữa hai hốc cộng hưởng không liền kề. 39 Tiếp điện cho bộ lọc hốc cộng hưởng (ghép vào/ra của bộ lọc). 41 Mô hình tương đương của bộ lọc hốc cộng hưởng. Mô hình hóa và thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng không khí ứng dụng trong máy thu phát LTE-A sử dụng hai đường ghép chéo kiểu C.
43 Tổng hợp bộ lọc hốc cộng hưởng LTE. 43 Thiết kế, mô phỏng và đánh giá. 45 iii luan an 2. Thiết kế bộ Duplexer có hốc cộng hưởng lục giác ứng dụng trong trạm thu phát gốc LTE-A.
50 Phân tích, lựa chọn topo của bộ lọc. 51 Phân tích thuộc tính và tính toán kích thước hốc cộng hưởng đơn. 53 Mô phỏng bộ lọc LTE-A và duplexer. 54 Thiết kế bộ lọc thông thấp đồng trục Band3.
Chế tạo thử nghiệm bộ Duplexer, đo đạc và đánh giá. 63 Chế tạo thử nghiệm, kết quả đo đạc. 63 Đánh giá kết quả và thảo luận. Kết luận chương 2.
MỘT SỐ GIẢI PHÁP CẢI TIẾN CẤU TRÚC GHÉP GIỮA HAI HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN. Nghiên cứu đề xuất cải tiến cấu trúc ghép giữa hai hốc kề nhau. 70 Phân tích đánh giá ảnh hưởng của cấu trúc ghép điện từ. 70 Đề xuất cải tiến cấu trúc ghép giữa hai hốc cộng hưởng liền kề.
72 Áp dụng trong thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng. 74 Đánh giá đề xuất. Nghiên cứu đề xuất cải tiến cấu trúc đường ghép kiểu C. 79 Đề xuất cấu trúc ghép cải tiến.
80 Áp dụng trong thiết kế bộ lọc hốc cộng hưởng. 83 Nhận xét, đánh giá. Kết luận chương 3. CẢI TIẾN CẤU TRÚC HỐC CỘNG HƯỞNG ĐỒNG TRỤC SIÊU CAO TẦN CÔNG SUẤT LỚN.
Phân tích về đặc tính chịu đựng công suất của bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần. 92 Đặc điểm về khả năng chịu đựng công suất của đường truyền đồng trục. 92 Đánh giá yêu cầu về độ chịu đựng công suất trong máy thu phát sóng vô tuyến. 93 Phân tích, tính toán thông số về khả năng chịu đựng công suất của bộ lọc (PH).
95 Tổng quan về các phương pháp thiết kế tăng độ chịu đựng công suất của bộ lọc. Đề xuất cấu trúc cải tiến đặc tính PH của bộ lọc. 97 Cấu trúc đề xuất. 97 iv luan an Quy trình thiết kế bộ lọc đạt PH mong muốn.
99 Áp dụng cấu trúc đề xuất trong thiết kế bộ lọc hốc eNodeB. 100 Áp dụng cấu trúc đề xuất vào thiết kế bộ lọc hốc gNodeB. Kết luận chương 4. 113 DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO.
116 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN. 124 PHỤ LỤC CÁC PHẦN TỬ TRONG BỘ DUPLEXER CHẾ TẠO THỬ. 125 v luan an DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT Từ viết tắt Nghĩa tiếng Anh Nghĩa tiếng Việt BNC British Naval Connector Đầu nối BNC BW Bandwidth Băng thông CBW Coupling Bandwidth Băng thông ghép EM Electromagnetic Điện từ FBW Fractional Bandwidth Băng thông tương đối IL Insertion Loss Tổn hao do chèn LTE-A Long Term Evolution Advanced Mạng di động thế hệ 4.5 MEMS Microelectromechanical systems Hệ thống vi cơ điện tử MIMO Multi Input Multi Output Nhiều đầu vào nhiều đầu ra PH Power Handling Độ chịu đựng công suất RL Return Loss Suy hao phản xạ SMA SubMiniature version A Rắc nối loại nhỏ TNC Threaded Neill–Concelman Rắc nối có khía ren TZ Transimission Zero Điểm không của hàm truyền VNA Vector Network Analyzer Máy phân tích mạng vector vi luan an DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU a Chiều cao của đường kim loại nối giữa hai hốc cộng hưởng b Chiều dài của đường kim loại nối giữa hai hốc cộng hưởng d Đường kính của trụ cộng hưởng đồng trục ds Đường kính vít tinh chỉnh D Đường kính trong của hốc cộng hưởng (cavity) 𝐸⃗ Cường độ điện trường f0 Tần số trung tâm gi Điện kháng của phần tử cộng hưởng thứ i trong bộ lọc thông thấp mẫu ⃗ 𝐻 Cường độ từ trường h Chiều cao của trụ cộng hưởng đồng trục H Chiều cao của hốc cộng hưởng kE Hệ số ghép kiểu điện dung kM Hệ số ghép kiểu điện cảm K Ma trận biến đổi trở kháng J Ma trận biến đổi dẫn nạp LA Hệ số tổn hao do truyền sóng LAS Hệ số tổn hao trong dải chắn LAR Độ gợn trong dải thông M Ma trận hệ số ghép giữa các hốc n Bậc của bộ lọc N Số sóng mang vii luan an Pbr Công suất chịu đựng được của hốc cộng hưởng Qu Hệ số phẩm chất không tải Qe Hệ số phẩm chất ngoài RL Hệ số suy hao phản xạ Sij Các hệ số của ma trận tán xạ Td Độ trễ nhóm VSWR Tỷ số sóng đứng điện áp w Độ rộng cửa sổ ghép giữa hai hốc liền kề WEM Năng lượng điện trường Wr es Năng lượng điện trường chứa trong hốc cộng hưởng Zin Trở kháng vào của hốc cộng hưởng Z0 Trở kháng đặc trưng Hằng số truyền sóng θ Góc nghiêng khối nón cụt Ф Góc pha r Hằng số điện môi tương đối λ Bước sóng 0 Tần số góc trung tâm viii luan an DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1-1: Độ trễ nhóm của S11 tại tần số trung tâm f 0. 27 Bảng 2-1: Độ rộng băng tần ghép giữa hai hốc cộng hưởng.
47 Bảng 2-2: Các kích thước thiết kế của bộ lọc TX. 48 Bảng 2-3: Yêu cầu kỹ thuật của bộ Duplexer trong hệ thống eNodeB Band 3. 51 Bảng 2-4: Bộ tham số kích thước chi tiết của bộ cộng hưởng đơn. 54 Bảng 2-5: Kích thước chi tiết ốc tinh chỉnh sau tối ưu.
55 Bảng 2-6: Giá trị L,C của bộ lọc thông thấp siêu cao tần. 60 Bảng 2-7: Kích thước của các phần tử đồng trục trong bộ lọc thông thấp. 61 Bảng 2-8: Tổng hợp kết quả đo đạc bộ Duplexer. 68 Bảng 3-1: So sánh đặc điểm của 2 loại topo.
75 Bảng 3-2: Hệ số ghép giữa các hốc cộng hưởng. 76 Bảng 3-3: So sánh chỉ tiêu kỹ thuật của các bộ lọc. 79 Bảng 3-4: Độ rộng băng tần ghép. 85 Bảng 3-5: Bộ tham số chính của bộ lọc.
85 Bảng 4-1: Các yêu cầu kỹ thuật bộ lọc. 100 Bảng 4-2: Kết quả tổng hợp ma trận ghép [M-] và tần số cộng hưởng. 101 Bảng 4-3: So sánh đặc điểm đặc tuyến sau mô phỏng. 105 Bảng 4-4: Các yêu cầu kỹ thuật bộ lọc.
105 Bảng 4-5: Kết quả tổng hợp ma trận ghép [M-] và tần số cộng hưởng (gNB). 106 Bảng 4-6: Bảng giá trị các phần tử LC của sơ đồ mạch nguyên lý. 106 Bảng 4-7: Kích thước cơ bản của bộ lọc hốc cộng hưởng gNodeB. 109 Bảng 4-8: So sánh đặc điểm đặc tuyến sau mô phỏng .
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Trần Thị Thu Hường (2021). Luận án tiến sĩ: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần [Luận án tiến sĩ, trường đại học bách khoa hà nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/ky-thuat-dien-dien-tu/ky-thuat-dien-tu/luan-an-tien-si-bo-loc-hoc-cong-huong-sieu-cao-tan
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Luận án tiến sĩ: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" nghiên cứu về vấn đề gì?
Nghiên cứu phát triển bộ lọc hốc cộng hưởng đồng trục siêu cao tần để nâng cao hiệu suất và ứng dụng trong truyền thông hiện đại.
Luận án "Luận án tiến sĩ: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại trường đại học bách khoa hà nội. Năm bảo vệ: 2021.
Luận án "Luận án tiến sĩ: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Luận án tiến sĩ: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" thuộc chuyên ngành Kỹ thuật Viễn thông. Danh mục: Kỹ Thuật Điện Tử.
Luận án "Luận án tiến sĩ: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" có bao nhiêu trang?
Luận án "Luận án tiến sĩ: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" có 145 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Luận án tiến sĩ: Bộ lọc hốc cộng hưởng siêu cao tần" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.