Luận án tiến sĩ: Xử lý DDT và γ-HCH trên g-C3N4 biến tính bằng phương pháp DFT - Trường ĐH Sư phạm Hà Nội
Luận án tiến sĩ nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng phương pháp phiếm hàm mật độ trên vật liệu g-C3N4 mang kim loại oxide.
Luan An
Luận án tiến sĩ
Năm xuất bản
Số trang
159
Thời gian đọc
24 phút
Lượt xem
1
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
50 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- 1. Nghiên cứu mô phỏng DFT g-C3N4 xử lý ô nhiễm OCPs
- Số trang:
- 159 trang
- Trường:
- Trường Đại học Sư phạm Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Hóa lý thuyết và hóa lý
- Tác giả:
- Phạm Thị Bé
- Năm:
- 2022
Tóm tắt nội dung luận án
I. Nghiên cứu mô phỏng DFT g C3N4 xử lý ô nhiễm OCPs
Nghiên cứu ứng dụng mô phỏng DFT g-C3N4 nhằm giải quyết bài toán xử lý các hợp chất độc hại tồn lưu lâu năm trong môi trường. Các chất ô nhiễm này thuộc nhóm thuốc bảo vệ thực vật clo hữu cơ (OCPs) và chất ô nhiễm hữu cơ khó phân hủy (POPs). Chúng có độ bền hóa học cao và gây độc sinh thái nghiêm trọng. Luận án tập trung khảo sát khả năng biến tính vật liệu quang xúc tác g-C3N4 để nâng cao hiệu quả phân hủy. Phương pháp thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) kết hợp GFN-xTB giúp làm sáng tỏ cấu trúc hình học, tính chất điện tử và hoạt tính quang học ở cấp độ nguyên tử. Kết quả tính toán cung cấp cơ sở định lượng quan trọng. Nghiên cứu mở ra hướng phát triển vật liệu mới thân thiện với môi trường. Phương pháp tính toán lượng tử giúp tiết kiệm chi phí thử nghiệm thực nghiệm và hỗ trợ định hướng tổng hợp vật liệu xúc tác tối ưu.
1.1. Đặc tính nguy hại của chất ô nhiễm hữu cơ POPs
DDT và Lindane là các hóa chất bảo vệ thực vật độc hại điển hình. Chúng thuộc nhóm chất ô nhiễm hữu cơ khó phân hủy (POPs). Hợp chất chứa liên kết C-Cl rất bền vững. Chúng khó bị phân hủy trong điều kiện tự nhiên. Các chất này tích tụ sinh học qua chuỗi thức ăn. Chúng gây nguy cơ ung thư và rối loạn nội tiết ở người và động vật. Việc xử lý triệt để tàn dư thuốc bảo vệ thực vật clo hữu cơ (OCPs) là thách thức lớn. Các phương pháp truyền thống như đốt hay chôn lấp tồn tại nhiều nhược điểm. Chúng dễ phát sinh sản phẩm phụ độc hại hoặc gây ô nhiễm thứ cấp. Do đó, công nghệ oxy hóa nâng cao trở thành giải pháp cấp thiết. Công nghệ quang xúc tác bán dẫn mở ra tiềm năng xử lý sạch và hiệu quả cao.
1.2. Ứng dụng thuyết phiếm hàm mật độ trong nghiên cứu
Thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) là công cụ tính toán lượng tử mạnh mẽ. Phương pháp giúp xác định trạng thái dừng của hệ electron đa hạt. Nghiên cứu sử dụng gần đúng GGA kết hợp phiếm hàm PBE. Hiệu chỉnh tương tác phân tán DFT-D3 bảo đảm độ chính xác của tương tác van der Waals. Bên cạnh đó, phương pháp GFN-xTB được áp dụng cho các hệ phân tử kích thước lớn. Cách tiếp cận này giúp tối ưu hóa cấu trúc không gian nhanh chóng. Các thông số như mật độ trạng thái (PDOS), orbital phân tử HOMO-LUMO và năng lượng vùng cấm (Eg) được xác định chi tiết. Kết quả mô phỏng lượng tử làm rõ bản chất tương tác hóa lý giữa chất xúc tác và chất bị hấp phụ.
1.3. Tiềm năng của vật liệu quang xúc tác g C3N4 gốc
Vật liệu quang xúc tác g-C3N4 (graphitic carbon nitride) sở hữu cấu trúc lớp 2D tương tự graphene. Vật liệu gồm các đơn vị tri-s-triazine liên kết qua cầu nối nitơ. Vật liệu có độ bền nhiệt và độ bền hóa học xuất sắc. Năng lượng vùng cấm của g-C3N4 nguyên bản khoảng 2.7 eV. Mức năng lượng này cho phép hấp thụ ánh sáng trong vùng tử ngoại và một phần vùng ánh sáng nhìn thấy. Tuy nhiên, g-C3N4 đơn thuần có tốc độ tái kết hợp electron-lỗ trống khá nhanh. Bề mặt vật liệu nguyên bản có lực hấp phụ phân tử hữu cơ còn yếu. Vì vậy, việc biến tính mạng lưới cấu trúc là yêu cầu bắt buộc để nâng cao hiệu năng phân hủy quang hóa.
II. Biến tính graphitic carbon nitride kim loại và oxit
Biến tính cấu trúc là giải pháp trọng tâm để cải thiện hoạt tính xúc tác. Graphitic carbon nitride biến tính giúp thu hẹp vùng cấm và kéo dài thời gian sống của hạt mang điện. Nghiên cứu khảo sát quá trình gắn các nguyên tử kim loại (K, Ca, Ga, Fe, Ni, Cu) và cụm oxide kim loại (TiO2, ZnO) lên khung g-C3N4. Mô phỏng DFT g-C3N4 xác định chính xác vị trí tâm gắn bền vững nhất trong khoang rỗng tri-s-triazine. Sự xuất hiện của dị nguyên tố làm thay đổi phân bố mật độ electron cục bộ. Cấu trúc sau biến tính thể hiện khả năng hấp thụ ánh sáng khả kiến vượt trội. Hiệu suất chuyển dịch điện tích tăng đáng kể nhờ các mức năng lượng trung gian mới tạo thành.
2.1. Biến tính g C3N4 bằng kim loại chuyển tiếp Fe và Ni
Các kim loại chuyển tiếp Fe và Ni có orbital d chưa lấp đầy. Khi pha tạp lên g-C3N4, nguyên tử kim loại liên kết phối trí bền với các nguyên tử nitơ pyridinic. Phân tích bậc liên kết Mayer và mật độ spin khẳng định độ ổn định nhiệt động của hệ Fe/g-C3N4 và Ni/g-C3N4. Năng lượng vùng cấm của vật liệu giảm mạnh sau khi gắn kim loại. Sự thu hẹp dải cấm tạo điều kiện cho quang electron dễ dàng kích hoạt dưới ánh sáng mặt trời. Các nguyên tử kim loại đóng vai trò bẫy giữ electron hiệu quả. Hiện tượng này ngăn chặn sự tái kết hợp giữa electron và lỗ trống quang sinh, nâng cao hoạt tính oxy hóa khử.
2.2. Ghép cụm oxide kim loại TiO2 lên nền g C3N4
Nghiên cứu mô phỏng tương tác giữa cụm phân tử TiO2 và bề mặt g-C3N4 hai chiều. Cụm TiO2 neo giữ chắc chắn lên khung mạng thông qua liên kết Ti-N và Ti-O. Hệ dị thể TiO2/g-C3N4 tạo ra cấu trúc vùng năng lượng so le thuận lợi. Cấu trúc dị thể thúc đẩy sự phân tách điện tích quang sinh tại mặt phân giới. Electron chuyển dịch từ vùng dẫn của g-C3N4 sang TiO2. Đồng thời, lỗ trống quang sinh di chuyển ngược lại về vùng hóa trị của g-C3N4. Sự phân tách này làm tăng mật độ các gốc tự do có hoạt tính cao trên bề mặt. Vật liệu lai thể hiện độ bền cơ học và hoạt tính quang hóa vượt trội so với các đơn chất thành phần.
III. Năng lượng hấp phụ DDT và gamma HCH trên g C3N4 DFT
Hấp phụ là bước khởi đầu quyết định tốc độ của phản ứng quang xúc tác bề mặt. Nghiên cứu sử dụng thuyết phiếm hàm mật độ để tính toán năng lượng hấp phụ (Adsorption energy) của DDT và γ-HCH. Các cấu hình định hướng không gian khác nhau của phân tử độc chất được khảo sát toàn diện. Kết quả chỉ ra rằng g-C3N4 biến tính kim loại và oxide làm tăng vượt bậc lực liên kết hấp phụ so với vật liệu gốc. Tương tác hóa học hình thành thông qua các liên kết phối trí giữa nguyên tử clo và tâm kim loại hoạt tính. Sự biến dạng hình học của chất ô nhiễm sau hấp phụ làm suy yếu các liên kết C-Cl nội tại, tạo điều kiện thuận lợi cho phản ứng phân hủy tiếp theo.
3.1. Đặc trưng hấp phụ của phân tử DDT trên xúc tác
Phân tử DDT (Dichlorodiphenyltrichloroethane) có kích thước lớn với hai vòng benzen và nhóm trichloromethyl (-CCl3). Trên bề mặt g-C3N4 nguyên bản, DDT chỉ tương tác yếu qua lực van der Waals với giá trị năng lượng hấp phụ (Adsorption energy) thấp. Khi gắn Ni, Fe hoặc cụm TiO2, năng lượng hấp phụ tăng mạnh theo chiều âm. Các nguyên tử clo trong nhóm -CCl3 hướng trực tiếp về phía tâm kim loại để tạo liên kết phối trí. Độ dài liên kết C-Cl trong phân tử DDT bị kéo dãn đáng kể từ 1.78 Å lên trên 1.85 Å. Mật độ điện tích dịch chuyển từ bề mặt xúc tác sang orbital phản liên kết của DDT. Quá trình này kích hoạt hóa học phân tử DDT một cách rõ rệt.
3.2. Quá trình xử lý gamma HCH Lindane trên vật liệu
Nhiệm vụ xử lý gamma-HCH Lindane đòi hỏi khắc phục cấu trúc vòng cyclohexane đối xứng bền vững với 6 nguyên tử clo. Mô phỏng DFT g-C3N4 chỉ rõ cấu hình hấp phụ tối ưu khi phân tử γ-HCH tiếp cận tâm Fe/g-C3N4 hoặc Ni/g-C3N4. Tương tác đa tâm Cl...Me làm biến dạng khung vòng carbon. Năng lượng hấp phụ của γ-HCH trên vật liệu biến tính đạt giá trị âm lớn, khẳng định quá trình hấp phụ diễn ra tự phát và bền vững. Mật độ trạng thái riêng PDOS cho thấy sự lai hóa mạnh giữa orbital d của kim loại và orbital p của nguyên tử clo. Sự suy yếu của các liên kết C-Cl giúp hạ thấp hàng rào năng lượng phân hủy tiếp theo trong môi trường phản ứng.
IV. Cơ chế phân hủy quang xúc tác DDT và gamma HCH mới
Luận án đã đề xuất cơ chế mới giải thích tiến trình phân hủy quang xúc tác DDT và γ-HCH. Dưới bức xạ ánh sáng, vật liệu sản sinh các cặp electron-lỗ trống tự do. Cơ chế chuyển dịch điện tích diễn ra nhanh chóng tại ranh giới dị pha giữa chất hấp phụ và chất mang g-C3N4. Electron quang sinh khử trực tiếp các liên kết C-Cl bị hoạt hóa, kích hoạt chuỗi phản ứng tách clo (dechlorination). Đồng thời, các gốc tự do hoạt động mạnh như hydroxyl (•OH) và superoxide (•O2-) tấn công bẻ gãy khung carbon. Quá trình chuyển hóa phân tử độc hại thành các hợp chất trung gian ít độc hơn và cuối cùng khoáng hóa thành CO2, H2O và ion Cl-.
4.1. Cơ chế chuyển dịch điện tích dưới ánh sáng
Cơ chế chuyển dịch điện tích quyết định trực tiếp hiệu suất tạo gốc oxy hóa khử. Khi chiếu sáng khả kiến, electron từ vùng hóa trị của g-C3N4 nhảy lên vùng dẫn. Các tâm kim loại Fe và Ni đóng vai trò trạm trung chuyển điện tích. Chúng hút electron quang sinh và chuyển nhanh tới các orbital trống của DDT hoặc γ-HCH đang hấp phụ. Sự truyền điện tích một chiều này ngăn chặn triệt để hiện tượng tái kết hợp hạt tải điện. Lỗ trống còn lại ở vùng hóa trị oxy hóa phân tử nước để tạo gốc tự do hydroxyl. Mô hình tính toán thế hóa học cho thấy các mức năng lượng hoàn toàn tương thích với thế oxy hóa khử tiêu chuẩn.
4.2. Con đường bẻ gãy liên kết clo và khoáng hóa
Quá trình phân hủy quang xúc tác DDT khởi đầu bằng phản ứng khử clo liên tiếp. Nhóm -CCl3 nhận electron quang sinh để đứt gãy liên kết C-Cl đầu tiên, tạo thành dẫn xuất DDD hoặc DDE. Tiếp theo, các gốc tự do •OH tấn công vòng thơm, gây mở vòng và cắt đứt liên kết liên kết cầu nối carbon. Đối với phân tử Lindane, phản ứng tách hydro-clo hóa diễn ra tuần tự tạo thành các dẫn xuất chlorobenzene trước khi bị oxy hóa hoàn toàn. Dữ liệu mô phỏng lượng tử xác nhận trạng thái chuyển tiếp có năng lượng hoạt hóa thấp. Sản phẩm cuối cùng của chuỗi phản ứng là các ion khoáng vô hại, loại bỏ hoàn toàn độc tính môi trường.
V. Hiệu quả xử lý thuốc bảo vệ thực vật clo hữu cơ DFT
Kết quả nghiên cứu khẳng định tiềm năng ứng dụng to lớn của hệ xúc tác graphitic carbon nitride biến tính. Việc kết hợp tính toán lượng tử và mô phỏng động lực học phân tử (MD) cung cấp bức tranh toàn diện về độ ổn định nhiệt động và cơ chế phản ứng. Công nghệ xử lý thuốc bảo vệ thực vật clo hữu cơ (OCPs) bằng xúc tác quang nano giúp giải quyết triệt để vấn đề ô nhiễm đất và nước ngầm. Phương pháp tiếp cận từ lý thuyết phiếm hàm mật độ rút ngắn thời gian thử nghiệm và tối ưu hóa thành phần vật liệu. Đây là tiền đề khoa học vững chắc để phát triển các hệ thống xử lý nước thải công nghiệp và phục hồi môi trường nông nghiệp ô nhiễm.
5.1. Đánh giá độ bền nhiệt động và khả năng tái sử dụng
Độ bền cấu trúc của vật liệu được kiểm chứng qua mô phỏng động lực học phân tử (MD) ở nhiệt độ phòng. Hệ vật liệu Me/g-C3N4 và TiO2/g-C3N4 duy trì cấu trúc ổn định mà không xảy ra hiện tượng tách pha hay kết tụ hạt kim loại. Năng lượng liên kết giữa tâm biến tính và bề mặt nền đủ lớn để chống lại sự rửa trôi trong môi trường nước. Tính chất này đảm bảo khả năng tái sử dụng nhiều chu kỳ của vật liệu xúc tác. Việc duy trì hoạt tính quang hóa sau nhiều lần phản ứng là yếu tố then chốt cho các ứng dụng thực tế quy mô lớn.
5.2. Định hướng ứng dụng công nghệ xử lý môi trường
Nghiên cứu cung cấp cơ sở dữ liệu định lượng phục vụ chế tạo thực tế các tấm lọc quang xúc tác. Vật liệu có thể tích hợp vào các trạm xử lý nước thải tồn dư hóa chất bảo vệ thực vật hoặc lớp phủ xử lý ô nhiễm bề mặt. Nhờ khả năng hoạt động tốt dưới ánh sáng mặt trời tự nhiên, hệ thống vận hành tiết kiệm năng lượng và chi phí. Công trình mở ra hướng đi mới kết hợp tính toán hóa học lượng tử và khoa học vật liệu môi trường, góp phần bảo vệ hệ sinh thái và sức khỏe cộng đồng.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (159 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộBỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI PHẠM THỊ BÉ NGHIÊN CỨU KHẢ NĂNG XỬ LÝ DDT VÀ γ-HCH TRÊN MỘT SỐ KIM LOẠI VÀ OXIDE KIM LOẠI MANG TRÊN g-C3N4 BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ LIÊN KẾT CHẶT LUẬN ÁN TIẾN SĨ HÓA HỌC HÀ NỘI - 2022 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI PHẠM THỊ BÉ NGHIÊN CỨU KHẢ NĂNG XỬ LÝ DDT VÀ γ-HCH TRÊN MỘT SỐ KIM LOẠI VÀ OXIDE KIM LOẠI MANG TRÊN g-C3N4 BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ LIÊN KẾT CHẶT Chuyên ngành: Hóa lí thuyết và hóa lí Mã số: 9440119 LUẬN ÁN TIẾN SĨ HÓA HỌC Người hướng dẫn khoa học: 1. Nguyễn Ngọc Hà 2. Nguyễn Thị Thu Hà HÀ NỘI – 2022 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi dưới sự hướng dẫn của GS. Nguyễn Ngọc Hà và TS.
Nguyễn Thị Thu Hà. Các kết quả của luận án là trung thực và chưa từng được công bố trong bất kì công trình nào khác. Hà Nội, tháng 12 năm 2022 Tác giả Phạm Thị Bé LỜI CẢM ƠN Trong quá trình hoàn thành luận án, tôi đã nhận được sự giúp đỡ vô cùng quý báu của các tập thể và cá nhân. Tôi xin bày tỏ lòng cảm ơn sâu sắc đến GS.
Nguyễn Ngọc Hà và TS. Nguyễn Thị Thu Hà, những người đã nhiệt tình hướng dẫn và giúp đỡ tôi trong quá trình thực hiện và hoàn thành luận án. Tôi xin chân thành cảm ơn Ban Giám hiệu, Phòng Sau đại học, Khoa Hóa học, Bộ môn Hóa lí thuyết và hóa lí – Trường Đại học Sư phạm Hà Nội, Bộ môn hóa học – Khoa khoa học tự nhiên và công nghệ – Trường Đại học Tây Nguyên đã tạo điều kiện giúp đỡ tôi hoàn thành luận án này. Xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến gia đình, đồng nghiệp, bạn bè tôi đã động viên, khuyến khích và hỗ trợ tôi trong quá trình học tập và nghiên cứu.
Hà Nội, tháng 12 năm 2022 Tác giả Phạm Thị Bé MỤC LỤC Trang MỞ ĐẦU. Lý do chọn đề tài. Mục tiêu và nhiệm vụ nghiên cứu. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu.
Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án. Những điểm mới của luận án. Bố cục của luận án. Lý thuyết phiếm hàm mật độ.
Cơ sở của lý thuyết phiếm hàm mật độ. Hiệu chỉnh tương tác phân tán trong các tính toán DFT – phương pháp DFT-D. Lý thuyết phiếm hàm mật độ phụ thuộc thời gian (TD - DFT). Phương pháp phiếm hàm mật độ liên kết chặt GFN-xTB.
Tổng quan về phương pháp GFN-xTB. Cơ sở lý thuyết của phương pháp GFN-xTB. Phương pháp động lực học phân tử Moleculer Dynamic (MD). Thế năng tương tác giữa các hạt trong hệ.
Tích phân phương trình chuyển động, thuật toán Verlet. TỔNG QUAN VỀ HỆ CHẤT NGHIÊN CỨU VÀ PHƯƠNG PHÁP TÍNH TOÁN. Graphitic carbon nitride (g-C3N4). Vật liệu quang xúc tác.
Tình hình nghiên cứu trong và ngoài nước. Phương pháp tính toán. KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ THẢO LUẬN. CẤU TRÚC HÌNH HỌC, TÍNH CHẤT ELECTRON VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA g-C3N4.
Cấu trúc hình học của g-C3N4. Tính chất electron và tính chất quang của g-C3N4. BIẾN TÍNH g-C3N4 BẰNG NGUYÊN TỬ KIM LOẠI (Me) VÀ CLUSTER OXIDE KIM LOẠI (MexOy). Biến tính g-C3N4 bởi các kim loại Me (K, Ca, Ga, Fe, Ni, và Cu).
Biến tính g-C3N4 bởi các oxide kim loại MexOy (ZnO, TiO2). TÍNH CHẤT ELECTRON VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC HỆ VẬT LIỆU Me (Me = Ni, Fe)/g-C3N4, TiO2/g-C3N4. KHẢ NĂNG HẤP PHỤ CỦA DDT VÀ HCH TRÊN g-C3N4, Me/g- C3N4 (Me = Fe, Ni) VÀ TiO2/g-C3N4. Cấu trúc hình học và tính chất electron của DDT, HCH.
Khả năng hấp phụ của DDT và HCH trên g-C3N4, Me/g-C3N4 (Me = Fe, Ni) và TiO2/g-C3N4. ĐỀ XUẤT CƠ CHẾ MỚI VỀ SỰ PHÂN HỦY DDT VÀ HCH DƯỚI TÁC DỤNG XÚC TÁC QUANG .125 KIẾN NGHỊ NHỮNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO .128 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH CÔNG BỐ CỦA TÁC GIẢ .129 TÀI LIỆU THAM KHẢO .130 DANH MỤC KÝ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT Viết tắt Nguyên bản tiếng anh Tạm dịch AO Atomic Orbital Orbital nguyên tử AOP Advanced Oxydation Process Phương pháp oxy hóa nâng cao BO Bond Order Bậc liên kết BVTV Bảo vệ thực vật CB Conduction Band Vùng dẫn DDT Dichlorodiphenyltrichloroethane DFT Density Functional Theory Lý thuyết phiếm hàm mật độ e Electron Electron EA Electron Affinity Ái lực electron Eads Adsorption Energy Năng lượng hấp phụ Eg Band gap Năng lượng vùng cấm Erel Relative Energy Năng lượng tương đối FOD Fractional Occupation Density Mật độ bị chiếm từng phần Fourier Transformed Infrared Phổ hồng ngoại biến đổi FTIR Spectroscopy Fourier g-C3N4 Graphitic carbon nitride Generalized Gradient GGA Sự gần đúng gradient suy rộng Approxymation GEI Global Electrophilicity Indexes Chỉ số electronphile toàn phần HCH Hexachlorocyclohexane Orbital phân tử bị chiếm có HOMO Highest Occupied Molecular Orbital mức năng lượng cao nhất IP Ionization Potential Thế ion hóa Lowest Unoccupied molecular Orbital phân tử chưa bị chiếm LUMO Orbital có mức năng lượng thấp nhất Phiếm hàm tương quan trao đổi PBE Perdew – Burke - Ernzerhof PBE PDOS Partial Density of State Mật độ trạng thái riêng POP Persistent Organic Pollutants Hợp chất hữu cơ khó phân hủy SC Semiconductor Chất bán dẫn SCF Self-Consistent Field Trường tự hợp UV-Vis Ultraviolet-Visible Tử ngoại-khả kiến VB Valence Band Vùng hóa trị vdW van der Waals van der Waals VOC Volatile Organic Compounds Chất hữu cơ dễ bay hơi WFT Wave Functional Theory Lý thuyết hàm sóng XRD X-Ray Diffraction Nhiễu xạ tia X DANH MỤC CÁC BẢNG Trang Bảng 1. Mô tả các bộ cơ sở AO loại Slater. Tham số thực nghiệm toàn phần trong phương pháp GFN-xTB.
Các thông số cấu trúc của cGN và pGN. Các thông số IP, EA và GEI của cGN và pGN. Các thành phần đóng góp vào kích thích đầu tiên của g-C3N4. Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu của Me (K, Ca, Ga, Fe, Ni và Cu) trên g-C3N4.
Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu. Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu của TiO2. Các giá trị IP, EA và GEI của g-C3N4, Me/g-C3N4 (Me = (Fe, Ni), TiO2/g-C3N4. Năng lượng band gap (Eg), các giá trị EVB và ECB của g-C3N4, Me/g-C3N4 (Me = Ni, Fe), TiO2/g-C3N4.
Các thành phần đóng góp vào kích thích đầu tiên của Ni/g-C3N4. Các thành phần đóng góp vào kích thích đầu tiên của Fe/g-C3N4. Các thành phần đóng góp vào kích thích đầu tiên của TiO2/g-C3N4. Độ dài liên kết (d) và góc liên kết (<) và các tính chất electron (IP, EA, GEI) của DDT.
Độ dài liên kết (d) và góc liên kết (<) và các tính chất electron (IP, EA, GEI) của HCH. Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu của DDT và HCH trên cGN và pGN. Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu của DDT và HCH trên cGN và pGN trong các dung môi khác nhau. Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu của DDT và HCH trên Fe/cGN và Fe/pGN.
Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành DDT-Fe/cGN (kJ mol1). Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành DDT-Fe/pGN (kJ mol1). Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học HCH thành HCH-Fe/cGN (kJ mol1). Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành HCH-Fe/pGN (kJ mol1).
Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu của DDT và HCH trên Fe/cGN và Fe/pGN trong các dung môi khác nhau. Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu của DDT và HCH trên Ni/cGN và Ni/pGN. Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành DDT-Ni/cGN (kJ mol1). Năng lượng tương đối (Erel) và đồ thị tương ứng biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành DDT-Ni/pGN (kJ mol1).
Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành HCH-Ni/cGN (kJ mol1). Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành HCH-Ni/pGN (kJ mol1). Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu của DDT và HCH trên Ni/cGN và Ni/pGN trong các dung môi khác nhau. Các thông số tính toán cho cấu hình tương tác tối ưu của DDT và HCH trên TiO2/cGN và TiO2/pGN.
Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành DDT-TiO2/cGN (kJ mol1). Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành DDT-TiO2/pGN (kJ mol1). Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học DDT thành HCH-TiO2/cGN (kJ mol1). Năng lượng tương đối (Erel) (a) và đồ thị tương ứng (b) biểu diễn 14 điểm ảnh trên đường hấp phụ hóa học HCH thành HCH-TiO2/pGN (kJ mol1).
Điện tích của các nguyên tử Cl trong phân tử DDT. Điện tích của các nguyên tử Cl trong phân tử HCH. Điện tích của các nguyên tử Cl trong phân tử DDT. Điện tích của các nguyên tử Cl trong phân tử HCH.
Điện tích của các nguyên tử Cl trong phân tử DDT. Điện tích của các nguyên tử Cl trong phân tử HCH. Năng lượng liên kết và độ dài liên kết giữa các nguyên tử .124 DANH MỤC CÁC HÌNH ẢNH, ĐỒ THỊ Trang Hình 2. Cấu trúc phân tử DDT.
Cấu trúc phân tử HCH. Cấu trúc g-C3N4 với cấu hình (a) s-triazine và (b) tri-s-triazine (heptazine) [126]. Cơ chế xúc tác quang của g-C3N4 [109]. Cấu trúc tối ưu của cGN.
Cấu trúc tối ưu của pGN. HOMO và LUMO của cGN tại đẳng giá trị 0,03 e Å-3. HOMO và LUMO của pGN tại đẳng giá trị 0,03 e Å-3. Hình ảnh các MO tham gia vào kích thích đầu tiên cGN.
Hình ảnh các MO tham gia vào kích thích đầu tiên pGN .46 tại đẳng giá trị 0,03 e Å-3. Hình ảnh FOD của cGN tại đẳng giá trị 0,03 e Å-3. Hình ảnh FOD của pGN tại đẳng giá trị 0,03 e Å-3 .
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Phạm Thị Bé (2022). Nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng g-C3N4 biến tính DFT [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/hoa-hoc/hoa-moi-truong/c3n4-bang-phuong-phap-phiem-ham-mat-do-lien-ket-chat
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng g-C3N4 biến tính DFT" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án tiến sĩ nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng phương pháp phiếm hàm mật độ trên vật liệu g-C3N4 mang kim loại oxide.
Luận án "Nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng g-C3N4 biến tính DFT" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Sư phạm Hà Nội. Năm bảo vệ: 2022.
Luận án "Nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng g-C3N4 biến tính DFT" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng g-C3N4 biến tính DFT" thuộc chuyên ngành Hóa lí thuyết và hóa lí. Danh mục: Hóa Môi Trường.
Luận án "Nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng g-C3N4 biến tính DFT" có bao nhiêu trang?
Luận án "Nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng g-C3N4 biến tính DFT" có 159 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Nghiên cứu xử lý DDT và γ-HCH bằng g-C3N4 biến tính DFT" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.