Luận án tiến sĩ - Nghiên cứu cấu trúc hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic

Nghiên cứu cấu trúc và tính chất hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh. Phân tích đặc tính hóa học, quang học và khả năng ứng dụng trong vật liệu công nghệ.

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

148

Thời gian đọc

23 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

40 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
Giới thiệu nghiên cứu dị vòng S-Si ngưng tụ
Số trang:
148 trang
Trường:
Trường Đại học Sư phạm Hà Nội
Chuyên ngành:
Hóa lý thuyết và hóa lý
Tác giả:
Năm:

Tóm tắt nội dung luận án

I.Giới thiệu nghiên cứu dị vòng S Si ngưng tụ

Nghiên cứu tập trung vào cấu trúc và tính chất của các hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh và silic. Các hợp chất này có tiềm năng lớn trong ứng dụng vật liệu quang điện. Luận án đặt ra mục tiêu tổng hợp, phân tích và đánh giá các đặc tính hóa lý của chúng. Việc tìm hiểu sâu về liên kết silicon-lưu huỳnh trong hệ vòng là rất quan trọng. Nghiên cứu này góp phần vào hóa học cơ lưu huỳnh dị vòng và hóa học cơ silic dị vòng. Nó mở ra hướng mới trong phát triển vật liệu tiên tiến.

1.1. Bối cảnh và mục tiêu nghiên cứu

Vật liệu quang điện hữu cơ đang thu hút sự chú ý đặc biệt. Các hợp chất dị vòng S-Si ngưng tụ thể hiện nhiều tính chất độc đáo. Mục tiêu chính là làm rõ mối quan hệ giữa cấu trúc và tính chất quang điện. Nghiên cứu tìm kiếm các ứng dụng tiềm năng trong đi-ốt phát quang hữu cơ (OLED) và pin mặt trời (PV). Công việc này hướng đến việc thiết kế các vật liệu mang hiệu suất cao.

1.2. Phạm vi và ý nghĩa khoa học thực tiễn

Phạm vi nghiên cứu bao gồm tổng hợp và đặc trưng hóa một số hệ dị vòng S-Si cụ thể. Phân tích cấu trúc bằng các phương pháp thực nghiệm và lý thuyết là trọng tâm. Ý nghĩa khoa học nằm ở việc mở rộng hiểu biết về hóa học cơ dị vòng S-Si. Về mặt thực tiễn, nghiên cứu cung cấp cơ sở cho việc chế tạo vật liệu quang điện thế hệ mới. Các phát hiện có thể dẫn đến cải tiến hiệu suất thiết bị điện tử hữu cơ.

II.Tổng hợp hợp chất lưu huỳnh silic đa vòng

Quá trình tổng hợp hợp chất lưu huỳnh silic đa vòng là bước cơ bản. Nghiên cứu đề xuất các phương pháp hiệu quả để chế tạo các cấu trúc phức tạp. Việc kiểm soát các điều kiện phản ứng là thiết yếu. Các sản phẩm tổng hợp cần được kiểm tra độ tinh khiết. Điều này đảm bảo tính chính xác cho các phân tích tiếp theo. Quá trình này góp phần vào hóa học cơ lưu huỳnh dị vòng và hóa học cơ silic dị vòng, cung cấp các tiền chất quan trọng cho ứng dụng vật liệu.

2.1. Phương pháp tổng hợp thực nghiệm các hợp chất S Si

Nghiên cứu sử dụng các kỹ thuật tổng hợp hóa học hiện đại. Phản ứng Heck là một trong những phương pháp được áp dụng. Phương pháp này cho phép nối các mảnh phân tử với nhau. Việc lựa chọn chất xúc tác đóng vai trò then chốt trong hiệu suất phản ứng. Điều kiện nhiệt độ và dung môi cũng được tối ưu hóa. Các quy trình này tạo ra các tiền chất dị vòng S-Si ngưng tụ cần thiết.

2.2. Quy trình alkenyl hóa BDT với xúc tác đặc biệt

Một phần quan trọng là tổng hợp 2-Alkenylbenzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene. Phản ứng này sử dụng hệ xúc tác Pd/Cu/Ag. Hệ xúc tác này tối ưu hóa hiệu suất và chọn lọc sản phẩm. Sau phản ứng, các sản phẩm được tinh chế cẩn thận. Quy trình này là nền tảng để xây dựng các cấu trúc dị vòng S-Si lớn hơn. Nó chứng minh khả năng tổng hợp các hợp chất lưu huỳnh silic đa vòng có cấu trúc phức tạp.

III.Phân tích cấu trúc và tính chất hóa lý dị vòng Si S

Việc hiểu rõ cấu trúc và tính chất hóa lý của dị vòng Si-S là cực kỳ quan trọng. Các phương pháp phân tích tiên tiến được sử dụng để xác định cấu trúc chính xác. Điều này bao gồm việc làm rõ các liên kết silicon-lưu huỳnh trong hệ vòng. Tính chất quang điện và nhiệt của các hợp chất cũng được khảo sát. Dữ liệu này cung cấp thông tin cần thiết cho việc thiết kế và cải tiến vật liệu. Sự kết hợp giữa các kỹ thuật thực nghiệm và lý thuyết mang lại cái nhìn toàn diện.

3.1. Phân tích cấu trúc bằng nhiễu xạ tia X và phổ NMR S Si

Cấu trúc sản phẩm được xác định bằng nhiều phương pháp phổ thực nghiệm. Nhiễu xạ tia X (XRD) cung cấp thông tin chi tiết về cấu trúc tinh thể. Phổ cộng hưởng từ hạt nhân (NMR) hợp chất S-Si giúp xác định thành phần và liên kết hóa học. Các kỹ thuật khác như phổ khối (MS) và phổ hồng ngoại (IR) cũng được sử dụng. Phân tích cấu trúc bằng nhiễu xạ tia X (XRD) S-Si và Phổ cộng hưởng từ hạt nhân (NMR) hợp chất S-Si là trụ cột để khẳng định danh tính các hợp chất tổng hợp.

3.2. Khảo sát tính chất hóa lý của dị vòng Si S

Nghiên cứu đánh giá các tính chất hóa lý của dị vòng Si-S. Điều này bao gồm độ bền nhiệt, tính tan, và các đặc trưng quang học. Các tính chất điện hóa cũng được khảo sát. Mục tiêu là xác định sự phù hợp của chúng cho các ứng dụng quang điện. Việc hiểu rõ tính chất hóa lý cho phép điều chỉnh cấu trúc để đạt hiệu suất mong muốn. Dữ liệu này quan trọng cho việc phát triển các vật liệu hữu cơ mới.

IV.Tính toán hóa học lượng tử cấu trúc S Si

Phần này tập trung vào tính toán hóa học lượng tử cấu trúc S-Si. Các phương pháp lý thuyết hiện đại được áp dụng để mô tả hành vi của các hợp chất. Nó giúp dự đoán tính chất điện tử và hình học phân tử. Việc này bổ trợ cho các kết quả thực nghiệm và cung cấp cái nhìn sâu sắc. Các mô hình tính toán giúp hiểu rõ hơn về liên kết silicon-lưu huỳnh trong hệ vòng. Đây là công cụ mạnh mẽ trong hóa học cơ lưu huỳnh dị vòng và hóa học cơ silic dị vòng.

4.1. Áp dụng phương pháp phiếm hàm mật độ DFT

Phương pháp phiếm hàm mật độ (DFT) là công cụ chính. Nó được sử dụng để nghiên cứu cấu trúc điện tử và hình học phân tử. DFT giúp tính toán năng lượng HOMO và LUMO. Các tính toán này dự đoán khả năng truyền dẫn điện tích. Việc sử dụng các bộ hàm cơ sở phù hợp là rất quan trọng. TD-DFT (DFT phụ thuộc thời gian) được dùng để mô phỏng các quá trình quang học.

4.2. Nghiên cứu liên kết silicon lưu huỳnh và truyền tải điện tích

Các tính toán lý thuyết làm rõ bản chất của liên kết silicon-lưu huỳnh trong hệ vòng. Ảnh hưởng của cầu nối π đối với hệ chất hữu cơ dạng D-π-A cũng được phân tích. Mô hình hóa cho phép dự đoán hiệu quả truyền tải điện tích. Điều này trực tiếp liên quan đến tiềm năng ứng dụng vật liệu của hợp chất dị vòng S-Si trong các thiết bị quang điện. Việc hiểu rõ cơ chế truyền điện tích giúp tối ưu hóa thiết kế vật liệu.

V.Ứng dụng vật liệu của hợp chất dị vòng S Si

Hợp chất dị vòng S-Si ngưng tụ thể hiện tiềm năng lớn trong nhiều lĩnh vực công nghệ. Đặc biệt, chúng có khả năng ứng dụng trong vật liệu quang điện. Các tính chất điện tử và quang học độc đáo của chúng là nền tảng. Nghiên cứu tập trung vào việc chuyển đổi các phát hiện khoa học cơ bản thành ứng dụng thực tiễn. Việc này bao gồm cả việc thiết kế các vật liệu mới cho các thiết bị cụ thể. Các ứng dụng này có thể cải thiện hiệu suất và độ bền của thiết bị điện tử. Đây là bước tiến quan trọng cho ứng dụng vật liệu của hợp chất dị vòng S-Si.

5.1. Tiềm năng trong vật liệu quang điện hữu cơ OLED OPV

Hợp chất dị vòng S-Si được đánh giá cao cho OLED thế hệ thứ hai. Chúng có thể hoạt động như vật liệu chất mang hoặc lớp phát xạ. Việc thiết kế hệ chất bithiophene liên hợp chứa silole và các dị vòng năm cạnh rất triển vọng. Các vật liệu này cũng được xem xét cho pin mặt trời chất màu nhạy quang (DSSC) và pin mặt trời polymer. Khả năng điều chỉnh cấu trúc mang lại sự linh hoạt trong phát triển vật liệu.

5.2. Thiết kế vật liệu cho pin mặt trời polymer

Nghiên cứu lý thuyết xem xét ảnh hưởng của cầu nối π. Điều này quan trọng đối với hệ chất hữu cơ dạng D-π-A. Các thiết kế này có thể tối ưu hóa hiệu suất pin mặt trời polymer. Việc điều chỉnh cấu trúc dị vòng S-Si có thể tăng cường khả năng hấp thụ ánh sáng. Nó cũng cải thiện hiệu quả phân tách và truyền tải điện tích. Đây là hướng đi đầy hứa hẹn để phát triển pin mặt trời hiệu suất cao hơn.

Mục lục chi tiết luận án

LỜI CAM ĐOAN
LỜI CẢM ƠN
DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT
MỤC LỤC HÌNH ẢNH
MỤC LỤC BẢNG
Lý do chọn đề tài
Mục đích, nhiệm vụ nghiên cứu
Đối tượng và phạm vi nghiên cứu
Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án
Những điểm mới của luận án
1. CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN
1.1. Cơ sở lý thuyết về vật liệu quang điện hữu cơ
1.1.1. Cấu tạo và cơ chế hoạt động của đi-ốt phát quang hữu cơ
1.1.2. Cấu tạo và cơ chế hoạt động của pin mặt trời chất màu nhạy quang
1.2. Cơ sở lý thuyết hoá học lượng tử
1.3. Cơ sở lý thuyết phản ứng Heck
1.4. Hệ chất nghiên cứu
1.4.1. Hệ chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh
1.4.2. Hệ chất ngưng tụ chứa silic
1.5. Tình hình nghiên cứu các hợp chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh
1.6. Tình hình nghiên cứu các hợp chất ngưng tụ chứa silic
2. CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU
2.1. Phương pháp nghiên cứu lý thuyết
2.1.1. Phương pháp phiếm hàm mật độ
2.1.2. Phương pháp phiếm hàm mật độ phụ thuộc thời gian
2.1.3. Bộ hàm cơ sở
2.1.4. Khả năng truyền dẫn điện tích
2.1.5. Phương pháp tính toán hóa học lượng tử
2.2. Phương pháp nghiên cứu thực nghiệm
2.2.1. Dụng cụ và thiết bị
2.2.2. Quy trình phản ứng alkenyl hóa BDT
2.2.3. Phân tích cấu trúc sản phẩm
3. CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ THẢO LUẬN
3.1. Hệ chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh
3.1.1. Nghiên cứu cấu trúc và tính chất hợp chất lưỡng cực dựa trên dibenzothiophene ứng dụng làm vật liệu chất mang trong OLED thế hệ thứ hai
3.1.2. Tổng hợp 2-Alkenylbenzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene bằng hệ xúc tác Pd/Cu/Ag và nghiên cứu cấu trúc bằng các phương pháp phổ thực nghiệm và tính toán lý thuyết
3.1.3. Thiết kế hệ chất bithiophene liên hợp chứa silole và một số dị vòng năm cạnh cho vật liệu quang điện
3.2. Hệ ngưng tụ chứa silic
3.2.1. Nghiên cứu cấu trúc và tính chất quang điện của một số dẫn suất dithienosilole
3.2.2. Nghiên cứu lý thuyết ảnh hưởng của cầu nối π đối với hệ chất hữu cơ dạng D-π-A ứng dụng cho pin mặt trời polymer
KẾT LUẬN CHUNG
ĐỊNH HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO
DANH MỤC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ
TÀI LIỆU THAM KHẢO
Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tài liệu nghiên cứu cấu trúc và tính chất một số hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (148 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI --------------- TRẦN NGỌC DŨNG Nghiên cứu cấu trúc và tính chất một số hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh và silic ứng dụng trong chế tạo vật liệu quang điện LUẬN ÁN TIẾN SĨ Hà Nội - 2022 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI --------------- TRẦN NGỌC DŨNG Nghiên cứu cấu trúc và tính chất một số hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh và silic ứng dụng trong chế tạo vật liệu quang điện Chuyên ngành: Hóa lý thuyết và Hóa lý Mã số: 9440119 Người hướng dẫn khoa học : PGS. Nguyễn Thị Minh Huệ PGS. Nguyễn Hiển Hà Nội - 2022 i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan bản luận án này là kết quả nghiên cứu của cá nhân tôi. Các số liệu và tài liệu được trích dẫn trong luận án được thực hiện một cách trung thực.

Kết quả nghiên cứu này không trùng với bất cứ công trình nào đã được công bố trước đó. Tôi xin chịu trách nhiệm với lời cam đoan của mình. Hà Nội, tháng năm 2022 Nghiên cứu sinh Trần Ngọc Dũng ii LỜI CẢM ƠN ===**=== Trước tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc và trân trọng tới cô PGS. Nguyễn Thị Minh Huệ và thầy PGS.

Nguyễn Hiển đã chỉ bảo, hướng dẫn, động viên và giúp đỡ em tận tình trong suốt thời gian thực hiện và hoàn thành luận án. Em cũng xin chân thành cảm ơn sự hỗ trợ nhiệt tình của NCS. Nguyễn Văn Tráng, Viện Kỹ thuật nhiệt đới, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam trong suốt thời gian em hoàn thành luận án. Em xin tỏ lòng biết ơn sâu sắc và chân thành nhất đến toàn thể Thầy, Cô trong Bộ môn Hóa lý thuyết và Hóa lý và Bộ Môn Hoá học Hữu cơ cùng các Thầy, Cô, các anh chị làm việc tại Trung tâm Khoa học tính toán, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội đã tạo điều kiện cho em trong quá trình thực hiện đề tài của mình.

Cuối cùng, em xin gửi lời biết ơn sâu sắc tới những người thân trong gia đình luôn động viên và hỗ trợ em để em có thể tập trung trí lực hoàn thành luận án này. Xin trân trọng cảm ơn! Hà Nội, tháng năm 2022 Nghiên cứu sinh Trần Ngọc Dũng iii MỤC LỤC MỤC LỤC. iii DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT. v MỤC LỤC HÌNH ẢNH.

vii MỤC LỤC BẢNG. Lý do chọn đề tài. Mục đích, nhiệm vụ nghiên cứu. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu.

Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án. Những điểm mới của luận án. 4 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN. Cơ sở lý thuyết về vật liệu quang điện hữu cơ.

Cấu tạo và cơ chế hoạt động của đi-ốt phát quang hữu cơ. Cấu tạo và cơ chế hoạt động của pin mặt trời chất màu nhạy quang. Cơ sở lý thuyết hoá học lượng tử. Cơ sở lý thuyết phản ứng Heck.

Hệ chất nghiên cứu. Hệ chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh. Hệ chất ngưng tụ chứa silic. Tình hình nghiên cứu các hợp chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh.

Tình hình nghiên cứu các hợp chất ngưng tụ chứa silic. 36 CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU. Phương pháp nghiên cứu lý thuyết. Phương pháp phiếm hàm mật độ.

Phương pháp phiếm hàm mật độ phụ thuộc thời gian. Bộ hàm cơ sở. Khả năng truyền dẫn điện tích. Phương pháp tính toán hóa học lượng tử.

Phương pháp nghiên cứu thực nghiệm. Dụng cụ và thiết bị. Quy trình phản ứng alkenyl hóa BDT. Phân tích cấu trúc sản phẩm.

49 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ THẢO LUẬN. Hệ chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh. Nghiên cứu cấu trúc và tính chất hợp chất lưỡng cực dựa trên dibenzothiophene ứng dụng làm vật liệu chất mang trong OLED thế hệ thứ hai 50 3. Tổng hợp 2-Alkenylbenzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene bằng hệ xúc tác Pd/Cu/Ag và nghiên cứu cấu trúc bằng các phương pháp phổ thực nghiệm và tính toán lý thuyết.

Thiết kế hệ chất bithiophene liên hợp chứa silole và một số dị vòng năm cạnh cho vật liệu quang điện. Hệ ngưng tụ chứa silic. Nghiên cứu cấu trúc và tính chất quang điện của một số dẫn suất dithienosilole. Nghiên cứu lý thuyết ảnh hưởng của cầu nối π đối với hệ chất hữu cơ dạng D-π-A ứng dụng cho pin mặt trời polymer.

111 KẾT LUẬN CHUNG. 120 ĐỊNH HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO.121 DANH MỤC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ. 122 TÀI LIỆU THAM KHẢO. 123 v DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT Viết tắt Nguyên bản tiếng Anh Tạm dịch HOMO Highest occupied molecular Orbital phân tử bị chiếm cao nhất orbital LUMO Lowest unoccupied molecular Orbital phân tử không bị chiếm thấp orbital nhất OLED Organic light emitting diode Đi-ốt phát quang hữu cơ DSSC Dye sensitized solar cell Pin mặt trời chất màu nhạy quang OPV Organic photovoltaics Quang điện hữu cơ OFET Organic field effect transistor Transistor hiệu ứng trường hữu cơ OTFT Organic thin-film transistor Transistor màng mỏng hữu cơ OSC Organic semiconductors Chất bán dẫn hữu cơ AIE Aggregation induced emission Phát xạ do tập hợp ACQ Aggregation caused quench Dập tắt do tập hợp HBMC Heteronuclear Multiple Bond Phổ tương quan liên kết Correlation HSQC Heteronuclear Single Phổ tương quan lượng tử đơn nhân Quantum Coherence DFT Density functional theory Thuyết phiếm hàm mật độ TD-DFT Time-dependent density Thuyết phiếm hàm mật độ phụ thuộc functional theory thời gian TTA Triplet-triplet annihilation Triệt tiêu triplet-triplet HLCT Hybridized local and charge Lai hoá cục bộ và chuyển điện tích transfer TADF Thermally activated delayed Huỳnh quang trễ hoạt hóa nhiệt fluorescence IQE Internal quantum efficiency Hiệu suất lượng tử nội EQE External quantum efficiency Hiệu suất lượng tử ngoại vi PLQE Photoluminescence quantum Hiệu suất phát quang lượng tử efficiency SOMO Singly occupied molecular Orbital phân tử singlet bị chiếm orbital SUMO Singly unoccupied molecular Orbital phân tử singlet không bị orbital chiếm LDA Local density approximation Xấp xỉ mật độ địa phương GGA Generalized gradient Gradient tổng quát approximation EA Electron affinity Ái lực electron IP Ionization potential Thế oxi hoá EHOMO HOMO energy Năng lượng HOMO ELUMO LUMO energy Năng lượng LUMO Egap Band-gap energy Năng lượng HOMO-LUMO S0 Singlet ground state Trạng thái singlet cơ bản S1 First singlet excited state Trạng thái kích thích singlet thứ nhất T1 First triplet excited state Trạng thái kích thích triplet thứ nhất ES0 Singlet ground state energy Năng lượng trạng thái singlet cơ bản ES1 First singlet excited state Năng lượng trạng thái kích thích energy singlet thứ nhất ET1 First triplet excited state Năng lượng trạng thái kích thích energy triplet thứ nhất λh Hole reorganization energy Năng lượng tái tổ hợp cho electron λe Electron reorganization Năng lượng tái tổ hợp cho lỗ trống energy λabs Absortion wavelength Bước sóng hấp thụ λem Emission wavelength Bước sóng phát xạ vii MỤC LỤC HÌNH ẢNH Hình 1.1: Cấu tạo điốt phát quang hiện đại.2: Cơ chế phát huỳnh quang của vật liệu hữu cơ: a) Huỳnh quang thông thường; b) Triệt tiêu triplet-triplet; c) Lai hoá cục bộ và vận chuyển điện tích; d) Huỳnh quang trễ hoạt hoá nhiệt.3: Cấu hình spin của a) phân tử vỏ đóng và b) phân tử vỏ mở ở trạng thái kích thích.4: Sơ đồ cấu tạo pin mặt trời chất màu nhạy quang.5: Cấu trúc chất màu N3 (bên trái) và N719 (bên phải).6: Sơ đồ phản ứng Heck.7: Cơ chế phản ứng Heck được đề xuất bởi Carbi và Candiani.8: Cấu tạo phân tử thiophene.9: Một số cấu trúc ngưng tụ chứa thiophene.10: Cấu tạo hợp chất gốc M0.11: Cấu trúc của một chất màu nhạy quang chứa BDT.12: Cấu trúc một dẫn xuất của BDT sử dụng trong thiết bị quang điện.13: Cấu trúc hệ chất bithiophene.14: Cấu tạo phân tử silole.15: Cấu trúc hệ chất dị vòng ngưng tụ dithienosilole.16: Cấu trúc phân tử PBDTS-TZNT.17: Cấu trúc các hợp chất dithiophene và dibenzothiophene.18: Cấu trúc các polymer chứa thiophene.19: Cấu trúc các hợp chất dithiophene được ứng dụng trong DSSC.20: Một số hợp chất ngưng tụ chứa silic được ứng dụng làm vật liệu phát xạ …………………………………………………………………………………….21: Một số hợp chất ngưng tụ chứa silic được ứng dụng làm vật liệu truyền dẫn điện tích ……………………………………………………………………….1: Sơ đồ phản ứng alkenyl hóa BDT ………………………………………49 viii Hình 3.1: Cấu trúc các hợp chất được nghiên cứu dựa trên các nhóm Cz, DBTa và DBTb cùng cấu trúc các hợp chất tham khảo gồm CBP, Firpic, NPB và Bphen đóng vai trò chất mang, vật liệu phát xạ, vật liệu vận chuyển lỗ trống và vận chuyển electron.2: Hình ảnh mức năng lượng HOMO và LUMO của các hợp chất được nghiên cứu và các hợp chất tham chiếu (eV).

a) Đối với các hợp chất Cz1-Cz7; b) Đối với các hợp chất D1a-D7a; c) Đối với các hợp chất D1b-D7b.3: Đồ thị của IP và EA của các hợp chất được nghiên cứu được so sánh với các hợp chất tham chiếu (eV).4: Sơ đồ tổng hợp và hiệu suất.5: Cấu dạng của hai đồng phân 3a-A và 3a-B.6: Phổ HSQC (bên trái) và phổ HMBC (bên phải) của hợp chất 3a.7: Phổ NOESY của 3a.8: Hình ảnh HOMO và LUMO cùng với mức năng lượng HOMO, LUMO và Egap của các hợp chất (eV).9: Cấu trúc các hợp chất bithiophene được nghiên cứu.10: Góc nhị nhiện của các hợp chất DTSPh ở dạng trung hoà, anion và cation.11: Độ dài cầu nối trong các hợp chất DTSPh ở dạng trung hoà, anion và cation.12: Hình dạng và mức năng lượng HOMO, LUMO của các hợp chất (eV) a) CPDT; b) DTP; c) DTSH; d) DTSMe; e) DTT; f) DTSPh.13: Phổ hấp thụ được mô phỏng của các hợp chất bằng tính toán TD- B3LYP/6-31G(d, p) với mô hình PCM trong dung môi THF: a) CPDT; b) DTP; c) DTSH; d) DTSMe; e) DTT; f) DTSPh.14: Phổ phát xạ của các hợp chất thu được từ tính toán TD-DFT/B3LYP/6- 31G (d, p) với mô hình PCM trong dung môi THF. a) CPDT; b) DTP; c) DTSH; d) DTSMe; e) DTT; f) DTSPh.15: Cấu trúc các hợp chất trong hệ dithienosilole.16: Mức năng lượng HOMO và LUMO của các hợp chất CBP, DTS và các hợp chất 1-11.17:a) Phổ hấp thụ của các hợp chất DTS, 1 – 5; b) Phổ phát xạ của các hợp chất DTS, 1 – 5; c) Phổ hấp thụ của các hợp chất 6 – 11;d) Phổ phát xạ của các hợp chất 6 - 11.18: Cấu trúc các hợp chất 10a-10d.19: Hình ảnh HOMO và LUMO của các hợp chất 10a-10d.20: Hệ chất nghiên cứu PBDTS-TZNT.21: Phân bố HOMO và LUMO của các hợp chất được thiết kế.22: Phổ hấp thụ của các hợp chất được tính toán trong môi trường dung môi clobenzen. 119 x MỤC LỤC BẢNG Bảng 3.1: Một số thông số về moment lưỡng cực (Debye), độ dài liên kết (Å) và góc o nhị diện ( ) của các hợp chất được nghiên cứu ở trạng thái S0 và T1.2: Giá trị năng lượng HOMO, LUMO, năng lượng ion hoá (IP), ái lực electron (EA), năng lượng tái tổ hợp lỗ trống và electron và năng lượng triplet của các hợp chất được nghiên cứu (eV).3: Thông số quá trình tổng hợp.4: Bảng phân tích các tín hiệu giao trên phổ HMBC của 3a.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Trần Ngọc Dũng (2022). Nghiên cứu cấu trúc hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/hoa-hoc/hoa-huu-co/cau-truc-he-vong-ngung-tu-luu-huynh-silic

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Nghiên cứu cấu trúc hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic" nghiên cứu về vấn đề gì?

Nghiên cứu cấu trúc và tính chất hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh. Phân tích đặc tính hóa học, quang học và khả năng ứng dụng trong vật liệu công nghệ.

Luận án "Nghiên cứu cấu trúc hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Sư phạm Hà Nội. Năm bảo vệ: 2022.

Luận án "Nghiên cứu cấu trúc hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Nghiên cứu cấu trúc hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic" thuộc chuyên ngành Hóa lý thuyết và Hóa lý. Danh mục: Hóa Hữu Cơ.

Luận án "Nghiên cứu cấu trúc hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic" có bao nhiêu trang?

Luận án "Nghiên cứu cấu trúc hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic" có 148 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Nghiên cứu cấu trúc hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh silic" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter