Tổng hợp và nghiên cứu tính chất quang của chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS nhằm ứng dụng trong cảm biến sinh học tại Việt Nam

Nghiên cứu tính chất quang của chấm lượng tử CdSe và CdSe/ZnS cho cảm biến sinh học, tổng hợp và đánh giá tiềm năng ứng dụng.

Chuyên ngành
Quang học
Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

180

Thời gian đọc

27 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

50 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
1. Khám phá Chấm lượng tử CdSe: Cấu trúc & Ứng dụng tiềm năng
Số trang:
180 trang
Trường:
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh
Chuyên ngành:
Quang học
Năm:

Tóm tắt nội dung luận án

I. Khám phá Chấm lượng tử CdSe Cấu trúc Ứng dụng tiềm năng

Tài liệu này tập trung vào nghiên cứu chấm lượng tử CdSe, một loại nanomaterial bán dẫn. Chấm lượng tử CdSe có kích thước siêu nhỏ, thường chỉ vài nanomet. Đặc điểm kích thước này tạo ra hiệu ứng giam giữ lượng tử độc đáo. Điện tử và lỗ trống bị giới hạn, dẫn đến sự thay đổi đáng kể về tính chất quang. Năng lượng vùng cấm của CdSe quantum dots tăng lên khi kích thước giảm. Điều này cho phép điều chỉnh phổ hấp thụ và phát xạ. Cấu trúc tinh thể của CdSe, như zinc blend hoặc wurtzite, cũng ảnh hưởng đến các tính chất vật lý. Tính chất quang học nổi bật của CdSe bao gồm khả năng phát huỳnh quang mạnh. Phổ phát xạ có thể điều chỉnh linh hoạt bằng cách thay đổi kích thước. Độ rộng phổ phát xạ thường hẹp, giảm nhiễu. Độ bền quang học cao, ít bị quang tẩy trắng, là yếu tố then chốt cho các ứng dụng dài hạn. Các đặc tính này làm cho chấm lượng tử CdSe trở thành ứng cử viên sáng giá cho nhiều lĩnh vực, đặc biệt là cảm biến sinh học và hình ảnh y tế.

1.1. Chấm lượng tử CdSe Cấu trúc và hiệu ứng lượng tử

Chấm lượng tử CdSe là vật liệu bán dẫn kích thước nano. Kích thước chúng thường nằm trong khoảng 2-10 nanomet. Đặc điểm này mang lại hiệu ứng giam giữ lượng tử độc đáo. Điện tử và lỗ trống trong chấm lượng tử bị giới hạn trong không gian nhỏ. Điều này dẫn đến việc thay đổi năng lượng và tính chất quang. CdSe quantum dots thể hiện phổ hấp thụ và phát xạ rõ rệt. Năng lượng vùng cấm của chúng tăng lên khi kích thước giảm. Đây là một đặc tính quan trọng của nanomaterials. Khả năng điều chỉnh tính chất bằng kích thước mở ra nhiều ứng dụng. Cấu trúc tinh thể của CdSe thường là zinc blend hoặc wurtzite. Cấu trúc này ảnh hưởng đến tính chất vật lý của chấm lượng tử. Hiểu rõ cấu trúc là nền tảng để kiểm soát tổng hợp.

1.2. Đặc tính quang học nổi bật của CdSe

Chấm lượng tử CdSe sở hữu tính chất quang vượt trội. Khả năng phát huỳnh quang mạnh mẽ là một ưu điểm lớn. Phổ phát xạ của CdSe có thể điều chỉnh linh hoạt. Điều này thực hiện được bằng cách thay đổi kích thước của chấm. Phát xạ có thể dao động từ vùng khả kiến đến cận hồng ngoại. Độ rộng phổ phát xạ thường hẹp. Điều này giúp tránh nhiễu tín hiệu trong các ứng dụng. Độ bền quang học của CdSe cũng được đánh giá cao. Chúng ít bị phai màu dưới tác động của ánh sáng. Đây là yếu tố then chốt cho cảm biến sinh học dài hạn. Tính chất huỳnh quang của CdSe là công cụ mạnh mẽ. Chúng được dùng trong hình ảnh sinh học và chẩn đoán. Khả năng phát quang hiệu quả làm CdSe trở thành ứng viên sáng giá.

II. Ưu điểm Chấm lượng tử CdSe ZnS lõi vỏ cho cảm biến

Chấm lượng tử CdSe-ZnS đại diện cho cấu trúc lõi-vỏ tiên tiến. Lõi CdSe được bao bọc bởi một lớp vỏ ZnS. Lớp vỏ ZnS có vùng cấm rộng hơn, đóng vai trò bảo vệ lõi CdSe. Nó ngăn chặn quá trình oxy hóa lõi và giảm tiếp xúc của CdSe với môi trường. Điều này giúp giảm độc tính của chấm lượng tử, tăng cường độ an toàn sinh học. Sự passiv hóa bề mặt lõi CdSe bằng ZnS còn làm tăng hiệu suất lượng tử huỳnh quang. Cấu trúc lõi-vỏ cũng cải thiện đáng kể độ bền quang học. CdSe-ZnS trở nên ổn định hơn trong môi trường sinh học. Tính ổn định và khả năng phát huỳnh quang bền vững là ưu điểm chính. Chúng ít bị quang tẩy trắng hơn so với thuốc nhuộm truyền thống. Điều này cho phép theo dõi các quá trình sinh học liên tục. Độ sáng huỳnh quang cao và phổ phát xạ hẹp của CdSe-ZnS nâng cao độ nhạy và độ chính xác của cảm biến. Chúng lý tưởng cho việc phát hiện và định lượng các chất phân tích sinh học.

2.1. Cấu trúc lõi vỏ CdSe ZnS Nâng cao hiệu suất

Chấm lượng tử CdSe-ZnS là cấu trúc lõi-vỏ tiên tiến. Lõi CdSe được bao bọc bởi lớp vỏ ZnS. Lớp vỏ ZnS là vật liệu bán dẫn có năng lượng vùng cấm rộng hơn. Nó đóng vai trò bảo vệ lõi CdSe. Lớp vỏ này ngăn chặn quá trình oxy hóa lõi. Nó cũng làm giảm sự tiếp xúc của CdSe với môi trường bên ngoài. Điều này giúp giảm độc tính của chấm lượng tử. Sự passiv hóa bề mặt lõi CdSe bởi ZnS là quan trọng. Nó làm tăng hiệu suất lượng tử huỳnh quang. Đồng thời, cấu trúc lõi-vỏ cải thiện độ bền quang học. Chấm lượng tử CdSe-ZnS trở nên ổn định hơn trong môi trường sinh học. Tính ổn định này rất cần thiết cho các ứng dụng cảm biến sinh học. Các nanomaterials có cấu trúc lõi-vỏ thể hiện tiềm năng lớn.

2.2. Huỳnh quang bền vững Chìa khóa cho cảm biến sinh học

Khả năng phát huỳnh quang bền vững là ưu điểm chính. Chấm lượng tử CdSe-ZnS duy trì tín hiệu phát quang trong thời gian dài. Điều này vượt trội so với các thuốc nhuộm huỳnh quang truyền thống. Chúng ít bị quang tẩy trắng (photobleaching). Tính chất này cho phép theo dõi các quá trình sinh học liên tục. Độ sáng huỳnh quang cao giúp tăng độ nhạy của cảm biến. Phổ phát xạ hẹp và đối xứng cũng là lợi thế. Điều này giảm thiểu sự chồng chéo phổ khi sử dụng nhiều loại chấm khác nhau. Khả năng điều chỉnh bước sóng phát xạ qua kích thước vẫn được duy trì. Sự ổn định và hiệu suất huỳnh quang cao làm CdSe-ZnS lý tưởng. Chúng là vật liệu chính cho các ứng dụng cảm biến sinh học. Việc phát hiện và định lượng các chất phân tích sinh học trở nên chính xác hơn.

III. Phương pháp Tổng hợp Chấm lượng tử Đột phá công nghệ

Các phương pháp tổng hợp chấm lượng tử đóng vai trò quan trọng trong việc kiểm soát tính chất. Để chế tạo CdSe quantum dots, các nhà khoa học sử dụng phương pháp dung môi nước. Phương pháp này đơn giản, thân thiện với môi trường. Nó phù hợp cho việc sản xuất quy mô nhỏ. Tuy nhiên, hiệu suất lượng tử và độ ổn định của sản phẩm thường không cao. Phương pháp phun nhiệt dung môi (hot injection) mang lại hiệu quả cao hơn. Nó tạo ra các hạt đồng đều, chất lượng quang học vượt trội. Đối với cấu trúc CdSe-ZnS lõi-vỏ, quá trình tổng hợp bắt đầu với lõi CdSe, sau đó lớp vỏ ZnS được phát triển. Bước biến tính bề mặt là cần thiết. Các chất như MPA và MSA được sử dụng để tạo nhóm chức năng. Chúng giúp chấm lượng tử tương thích sinh học, tăng khả năng phân tán trong nước và sẵn sàng gắn kết với các phân tử sinh học. Những đột phá trong phương pháp tổng hợp giúp tạo ra nanomaterials tối ưu cho cảm biến sinh học.

3.1. Tổng hợp CdSe Phương pháp dung môi nước và phun nhiệt

Tổng hợp chấm lượng tử CdSe sử dụng nhiều phương pháp. Phương pháp dung môi nước là một lựa chọn. Nó thân thiện với môi trường và đơn giản trong thực hiện. Trong môi trường nước, các tiền chất cadmium và selen phản ứng. Điều kiện phản ứng được kiểm soát chặt chẽ. Kích thước chấm lượng tử được điều chỉnh qua thời gian phản ứng và nhiệt độ. Tuy nhiên, chấm lượng tử tổng hợp trong nước thường có hiệu suất lượng tử thấp hơn. Chúng cũng kém ổn định hơn so với các phương pháp khác. Phương pháp phun nhiệt dung môi (hot injection) mang lại hiệu suất cao hơn. Tiền chất được phun vào dung môi nóng ở nhiệt độ cao. Quá trình này tạo ra các hạt đồng đều về kích thước. Nó cũng mang lại tính chất quang vượt trội. Các nanomaterials chất lượng cao được tạo ra bằng phương pháp này. Việc lựa chọn phương pháp tổng hợp phụ thuộc vào mục đích sử dụng.

3.2. Chế tạo CdSe ZnS lõi vỏ và biến tính bề mặt

Quy trình chế tạo chấm lượng tử CdSe-ZnS bắt đầu bằng tổng hợp lõi CdSe. Sau đó, lớp vỏ ZnS được phát triển trên bề mặt lõi. Điều này thường thực hiện bằng cách thêm tiền chất Zn và S. Quá trình diễn ra ở nhiệt độ cao. Lớp vỏ ZnS được tạo ra giúp bảo vệ lõi. Nó còn cải thiện tính chất quang của chấm lượng tử. Sau khi có cấu trúc lõi-vỏ, biến tính bề mặt là bước tiếp theo. Biến tính bề mặt giúp chấm lượng tử tương thích với môi trường sinh học. Các chất như MPA (axit 3-mercaptopropionic) hoặc MSA (axit mercaptosuccinic) được sử dụng. Chúng tạo ra các nhóm chức năng trên bề mặt. Các nhóm này có thể liên kết với các phân tử sinh học. Ví dụ, chúng có thể gắn kháng thể hoặc protein. Quá trình biến tính bề mặt cũng giúp tăng khả năng phân tán trong nước.

IV. Tính chất quang của Chấm lượng tử Nền tảng cảm biến

Tính chất quang của chấm lượng tử là nền tảng cốt lõi cho ứng dụng cảm biến sinh học. Khả năng phát quang mạnh mẽ cho phép phát hiện tín hiệu với độ nhạy cao. Chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS thể hiện phổ phát xạ đặc trưng, thường đối xứng và có độ rộng nửa cường độ tối thiểu (FWHM) hẹp. Điều này rất quan trọng để giảm nhiễu trong phân tích đa kênh. Hiệu suất lượng tử huỳnh quang là một thước đo hiệu quả chuyển đổi năng lượng. Cấu trúc lõi-vỏ CdSe-ZnS thường có hiệu suất cao hơn nhờ lớp vỏ ZnS bảo vệ. Độ bền quang học là yếu tố then chốt, đảm bảo chấm lượng tử duy trì khả năng phát quang dưới tác động kéo dài, tăng độ tin cậy của cảm biến. Kích thước của chấm lượng tử ảnh hưởng trực tiếp đến phổ hấp thụ và phát xạ. Hiện tượng giam giữ lượng tử khiến năng lượng vùng cấm tăng khi kích thước giảm, làm dịch chuyển phổ về bước sóng ngắn hơn. Khả năng điều chỉnh màu sắc phát xạ bằng cách kiểm soát kích thước là ưu điểm nổi bật, cho phép thiết kế các cảm biến đa màu sắc, phân biệt nhiều chất phân tích khác nhau trong một mẫu. Kiểm soát chính xác kích thước trong tổng hợp là tối quan trọng.

4.1. Khả năng phát quang và độ bền quang học

Tính chất quang của chấm lượng tử là cơ sở cho cảm biến. Khả năng phát quang mạnh mẽ cho phép phát hiện tín hiệu nhạy. Chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS thể hiện phổ phát xạ đặc trưng. Phổ phát xạ của chúng thường đối xứng và có độ rộng nửa cường độ tối thiểu (FWHM) hẹp. Điều này giúp giảm nhiễu khi phân tích đa kênh. Hiệu suất lượng tử huỳnh quang là một chỉ số quan trọng. Nó đánh giá hiệu quả chuyển đổi năng lượng hấp thụ thành ánh sáng phát ra. Cấu trúc lõi-vỏ CdSe-ZnS thường có hiệu suất lượng tử cao hơn. Độ bền quang học cũng là yếu tố then chốt. Chấm lượng tử phải duy trì khả năng phát quang dưới tác động kéo dài. Độ bền này đảm bảo độ tin cậy của cảm biến trong các ứng dụng thực tế.

4.2. Ảnh hưởng kích thước đến phổ hấp thụ và phát xạ

Kích thước của chấm lượng tử ảnh hưởng trực tiếp đến tính chất quang. Hiện tượng này gọi là hiệu ứng giam giữ lượng tử. Khi kích thước chấm lượng tử giảm, năng lượng vùng cấm tăng lên. Điều này dẫn đến sự dịch chuyển của phổ hấp thụ và phát xạ. Phổ dịch chuyển về phía bước sóng ngắn hơn (màu xanh). Ngược lại, kích thước lớn hơn dẫn đến dịch chuyển về phía bước sóng dài hơn (màu đỏ). Khả năng điều chỉnh màu sắc phát xạ bằng cách kiểm soát kích thước là ưu điểm. Nó cho phép thiết kế các cảm biến đa màu sắc. Các chấm lượng tử với các kích thước khác nhau có thể được sử dụng đồng thời. Điều này giúp phân biệt nhiều chất phân tích khác nhau trong một mẫu. Việc kiểm soát chính xác kích thước trong quá trình tổng hợp là rất quan trọng.

V. Tối ưu Chấm lượng tử cho Cảm biến sinh học hiệu quả

Việc tối ưu hóa chấm lượng tử là thiết yếu cho các ứng dụng cảm biến sinh học. Tính tương thích sinh học cao là yêu cầu hàng đầu. Chấm lượng tử cần hoạt động hiệu quả mà không gây hại cho môi trường sinh học. Độc tính, đặc biệt là từ Cadmium, là mối lo ngại. Lớp vỏ ZnS trong cấu trúc CdSe-ZnS giúp giảm đáng kể độc tính bằng cách ngăn chặn ion Cd thoát ra. Biến tính bề mặt bằng MPA và MSA tạo ra các nhóm chức năng, tăng khả năng phân tán trong nước và khả năng gắn kết sinh học. Các thử nghiệm độc tính nghiêm ngặt được thực hiện để đảm bảo an toàn. Chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS có nhiều ứng dụng trong phát hiện sinh học. Khả năng phát huỳnh quang mạnh và ổn định của chúng lý tưởng để tạo ra các 'probe' huỳnh quang. Ví dụ, việc gắn kháng thể E. Coli O157:H7 lên chấm lượng tử cho phép nhận diện và định lượng mục tiêu cụ thể. Ứng dụng này mở ra tiềm năng lớn cho chẩn đoán bệnh sớm, hình ảnh tế bào và theo dõi thuốc, mang lại độ nhạy và độ đặc hiệu cao cho các cảm biến sinh học dựa trên quantum dots.

5.1. Tương thích sinh học và giảm độc tính của chấm lượng tử

Ứng dụng chấm lượng tử trong sinh học đòi hỏi tương thích cao. Tính tương thích sinh học là khả năng chấm lượng tử hoạt động hiệu quả. Chúng không gây hại cho môi trường sinh học. Độc tính là một mối lo ngại lớn, đặc biệt với các vật liệu chứa Cadmium. Lớp vỏ ZnS trong CdSe-ZnS giúp giảm đáng kể độc tính. Lớp vỏ này ngăn chặn ion Cd thoát ra môi trường. Biến tính bề mặt bằng các phân tử hữu cơ như MPA và MSA cũng quan trọng. Chúng giúp tăng khả năng phân tán trong nước. Các chất này còn tạo ra một lớp phủ bảo vệ. Kiểm tra độc tính được thực hiện nghiêm ngặt. Điều này nhằm đảm bảo an toàn cho các ứng dụng y sinh. Mục tiêu là phát triển các nanomaterials an toàn cho con người.

5.2. Ứng dụng Chấm lượng tử trong phát hiện sinh học

Chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS có nhiều ứng dụng trong cảm biến sinh học. Khả năng phát huỳnh quang mạnh và ổn định của chúng lý tưởng cho việc phát hiện. Chúng có thể được sử dụng để gắn kết với các phân tử sinh học cụ thể. Ví dụ, kháng thể E. Coli O157:H7 có thể được gắn lên chấm lượng tử. Sự gắn kết này tạo ra một "probe" huỳnh quang. Probe này có khả năng nhận diện và gắn vào mục tiêu. Khi gắn kết xảy ra, tín hiệu huỳnh quang thay đổi. Sự thay đổi này được phát hiện và định lượng. Ứng dụng này mở ra tiềm năng lớn cho chẩn đoán bệnh sớm. Chấm lượng tử còn được dùng trong hình ảnh tế bào và theo dõi thuốc. Chúng cung cấp công cụ mạnh mẽ cho nghiên cứu khoa học sự sống. Các cảm biến dựa trên quantum dots hứa hẹn mang lại độ nhạy và độ đặc hiệu cao.

Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tổng hợp và nghiên cứu tính chất quang của chấm lượng tử ddse và cdse zns nhằm ứng dụng trong cảm biến sinh học

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (180 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

„I HÅC QUÈC GIA TP. HCM TR×ÍNG „I HÅC KHOA HÅC TÜ NHI–N Và THÀ NGÅC THÕY TÊNG HÑP V€ NGHI–N CÙU TNH CH‡T QUANG CÕA CH‡M L×ÑNG TÛ CdSe V€ CdSe-ZnS NHŒM ÙNG DÖNG TRONG CƒM BI˜N SINH HÅC LUŠN N TI˜N Sž VŠT LÞ TP. Hç Ch½ Minh  2019 „I HÅC QUÈC GIA TP. HCM TR×ÍNG „I HÅC KHOA HÅC TÜ NHI–N Và THÀ NGÅC THÕY TÊNG HÑP V€ NGHI–N CÙU TNH CH‡T QUANG CÕA CH‡M L×ÑNG TÛ CdSe V€ CdSe-ZnS NHŒM ÙNG DÖNG TRONG CƒM BI˜N SINH HÅC Ng nh: Quang håc M¢ sè ng nh: 62 44 11 01 Ph£n bi»n 1: PGS.

Vô Thà B½ch Ph£n bi»n 2: PGS. Tr÷ìng Thà Ngåc Li¶n Ph£n bi»n 3: PGS. Tr¦n Ho ng H£i Ph£n bi»n ëc lªp 1: PGS. Tr÷ìng Thà Ngåc Li¶n Ph£n bi»n ëc lªp 2: PGS.

Ph¤m Thu Nga NG×ÍI H×ÎNG DˆN KHOA HÅC: 1. D÷ìng i Ph÷ìng TP. Hç Ch½ Minh  2019 LÍI CAM OAN Tæi xin cam oan luªn ¡n n y l cæng tr¼nh nghi¶n cùu khoa håc cõa ri¶ng tæi v c¡c cëng sü l m vi»c chung trong nhâm d÷îi sü h÷îng d¨n cõa PGS. L¥m Quang Vinh v PGS.

D÷ìng i Ph÷ìng. C¡c k¸t qu£ trong luªn ¡n ho n to n trung thüc, kh¡ch quan v ¢ cæng bè theo óng quy ành. Nëi dung nghi¶n cùu khæng tròng l°p vîi b§t ký nghi¶n cùu n o trong n÷îc cho ¸n thíi iºm n y. Th nh phè Hç Ch½ Minh  N«m 2019 Nghi¶n cùu sinh Vã Thà Ngåc Thõy i LÍI CƒM ÌN Quyºn luªn ¡n n y s³ khæng thº ho n th nh n¸u nh÷ khæng câ sü gióp ï tªn t¼nh cõa nhúng ng÷íi m tæi væ còng bi¸t ìn v y¶u m¸n.

¦u ti¶n, tæi xin b y tä láng k½nh trång v bi¸t ìn s¥u s­c èi vîi Th¦y h÷îng d¨n cõa tæi l PGS. TS L¥m Quang Vinh v PGS. TS D÷ìng i Ph÷ìng v¼ n¸u nh÷ khæng câ sü ành h÷îng v h÷îng d¨n tªn t¼nh cõa Th¦y d nh cho tæi trong suèt qu¡ tr¼nh thüc hi»n luªn ¡n th¼ khæng câ tæi ng y hæm nay. C£m ìn Th¦y thªt nhi·u v¼ ¢ luæn èc thóc, t¤o i·u ki»n thuªn lñi, hé trñ cho em mët c¡ch tèt nh§t º ho n th nh luªn ¡n.

Tæi công xin b y tä láng bi¸t ìn ch¥n th nh ¸n Th¦y - PGS. L¶ Vô Tu§n Hòng ¢ t¤o i·u ki»n, hé trñ cho tæi v· thíi gian công nh÷ nhúng líi ëng vi¶n, gâp þ gióp tæi ho n thi»n quyºn luªn ¡n. Líi c£m ìn ti¸p theo tæi xin gûi ¸n Quþ c§p L¢nh ¤o ¤i håc Quèc gia TPHCM v Tr÷íng ¤i håc Khoa håc Tü nhi¶n Tp. Hç Ch½ Minh ¢ t¤o i·u ki»n thuªn lñi cho tæi thüc hi»n tèt luªn ¡n nghi¶n cùu sinh.

C£m ìn c¡c b¤n Th¡i H¬ng, Ph÷ìng H¤, Chà L» Thu, Chà Ph÷ìng Ti¶n v c¡c b¤n çng nghi»p th¥n th÷ìng cæng t¡c t¤i bë mæn Vªt lþ Ùng döng ¢ chia s´ cæng vi»c, ëng vi¶n, gióp ï tæi r§t nhi·u trong qu¡ tr¼nh håc tªp v nghi¶n cùu. Hìn h¸t Con xin gûi líi c£m ìn s¥u s­c ¸n Ba, Mµ luæn bao dung cho con nhúng lóc m¢i m¶ l m m lì l trong nh công nh÷ luæn õng hë con tø tinh th¦n ¸n vªt ch§t º con chuy¶n t¥m v ho n thi»n gi§c mì cõa con. Con c£m ìn Ba Mµ thªt nhi·u. C£m ìn Con trai b² nhä cõa Mµ.

C£m ìn Con v¼ Con l ëng l÷c º mµ cè g­ng v l ni·m vui gióp mµ v÷ñt qua nhúng lóc m»t mäi v ho n th nh luªn ¡n n y. Cuèi còng, Em xin gûi líi c¡m ìn tr¼u m¸n ¸n Anh. C£m ìn Anh thªt ii nhi·u v¼ Anh luæn l iºm tüa cho em tüa v o méi khi em ch¡n ch÷íng m»t mäi. C£m ìn Anh thªt nhi·u khi vøa l ng÷íi Th¦y, ng÷íi anh, ng÷íi b¤n cõa em, luæn an õi, ëng vi¶n, hé trñ v còng s¡t c¡nh b¶n em trong suèt qu¡ tr¼nh thüc hi»n ÷îc mì cõa em.

C£m ìn Anh- bí vai cõa em. M°c dò tæi ¢ cè g­ng ho n thi»n luªn ¡n b¬ng n«ng lüc cõa m¼nh, tuy nhi¶n khæng thº tr¡nh khäi nhúng thi¸u sât. R§t mong nhªn ÷ñc nhúng þ ki¸n âng gâp cõa Quþ Th¦y Cæ v c¡c b¤n º luªn ¡n ÷ñc ho n thi»n hìn. Tæi xin ch¥n th nh c£m ìn! Th nh phè Hç Ch½ Minh  N«m 2019 T¡c gi£ luªn ¡n Vã Thà Ngåc Thõy iii MÖC LÖC Líi cam oan.

iv Danh möc c¡c kþ hi»u, c¡c chú vi¸t t­t. ix Danh möc c¡c b£ng. xi Danh möc c¡c h¼nh v³, ç thà. TÊNG QUAN V— CH‡M L×ÑNG TÛ BN DˆN V€ KHƒ N‹NG ÙNG DÖNG CÕA CH‡M L×ÑNG TÛ TRONG SINH HÅC.

Vªt li»u b¡n d¨n v ch§m l÷ñng tû b¡n d¨n. Ch§m l÷ñng tû b¡n d¨n. C§u tróc i»n tû cì b£n cõa ch§m l÷ñng tû. Ch§m l÷ñng tû CdSe.

Ch§m l÷ñng tû c§u tróc lãi-vä CdSe-ZnS. Mët sè hi»u ùng °c bi»t cõa ch§m l÷ñng tû. Hi»u ùng giam giú l÷ñng tû. Mæ h¼nh h¼nh c¦u.

C§u tróc d£i v ph²p t½nh g¦n óng khèi l÷ñng hi»u döng theo mæ h¼nh nhi·u d£i trong tinh thº nano b¡n d¨n. C¡c t½nh ch§t quang cõa ch§m l÷ñng tû. T½nh ph¡t quang. °c iºm cõa ch§m l÷ñng tû khi ùng döng trong sinh håc.

Kh£ n«ng ph¥n t¡n trong n÷îc. Kh£ n«ng nhªn di»n sinh håc. ëc t½nh cõa ch§m l÷ñng tû. Ùng döng cõa ch§m l÷ñng tû.

Ùng döng trong l¾nh vüc sinh håc. Ùng döng trong l¾nh vüc quang i»n. C¡c ùng döng kh¡c. PH×ÌNG PHP TÊNG HÑP CH‡M L×ÑNG TÛ V€ PH×ÌNG PHP PH N TCH.

C¡c ph÷ìng ph¡p thüc nghi»m. Ph÷ìng ph¡p têng hñp ch§m l÷ñng tû CdSe. Ph÷ìng ph¡p têng hñp ch§m l÷ñng tû c§u tróc lãi-vä. Ph÷ìng ph¡p bi¸n t½nh b· m°t ch§m l÷ñng tû nh¬m ùng döng trong sinh håc.

Kiºm tra ëc t½nh cõa ch§m l÷ñng tû. C¡ch g­n protein l¶n ch§m l÷ñng tû. Ph¦n thüc nghi»m. Qu¡ tr¼nh têng hñp ch§m l÷ñng tû CdSe trong mæi tr÷íng n÷îc.

Qu¡ tr¼nh têng hñp ch§m l÷ñng tû CdSe b¬ng ph÷ìng ph¡p phun nâng dung mæi nhi»t ë cao v ch§m l÷ñng tû c§u tróc lãi-vä CdSe-ZnS. Qu¡ tr¼nh chùc n«ng hâa b· m°t ch§m l÷ñng tû c§u tróc lãi-vä CdSe-ZnS vîi MPA v MSA. Kiºm tra ëc t½nh cõa ch§m l÷ñng tû. G­n kh¡ng thº E.

Coli O157:H7 l¶n ch§m l÷ñng tû CdSe- ZnS-MPA. G­n protein BSA v kh£o s¡t i·u ki»n tèi ÷u º g­n protein l¶n ch§m l÷ñng tû. Kiºm tra ë b·n li¶n k¸t giúa ch§m l÷ñng tû v protein. Kh£o s¡t hi»u su§t g­n k¸t ch§m l÷ñng tû - BSA vîi c¡c nçng ë BSA kh¡c nhau.

G­n protein A/G l¶n ch§m l÷ñng tû. C¡c ph÷ìng ph¡p v kÿ thuªt ph¥n t½ch. Ph÷ìng ph¡p o phê h§p thö tû ngo¤i  kh£ ki¸n. Ph÷ìng ph¡p o quang ph¡t quang.

Ph÷ìng ph¡p chöp £nh b¬ng k½nh hiºn vi i»n tû truy·n qua 65 2. Ph÷ìng ph¡p o nhi¹u x¤ tia X. Ph÷ìng ph¡p o phê h§p thö hçng ngo¤i bi¸n êi Fourier. Ph÷ìng ph¡p o th¸ i»n ëng Z¶ta.

Ph÷ìng ph¡p o mªt ë quang. K˜T QUƒ NGHI–N CÙU C‡U TRÓC V€ TNH CH‡T QUANG CÕA CH‡M L×ÑNG TÛ CdSe V€ CdSe-ZnS. K¸t qu£ nghi¶n cùu ch§m l÷ñng tû CdSe ÷ñc têng hñp b¬ng ph÷ìng ph¡p têng hñp Qds trong mæi tr÷íng n÷îc. Kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa ë pH cõa dung dàch ti·n ch§t ¸n k½ch th÷îc v t½nh ch§t quang cõa ch§m l÷ñng tû CdSe.

Kh£o s¡t sü £nh h÷ðng cõa thíi gian ph£n ùng ¸n k½ch th÷îc v t½nh ch§t quang cõa ch§m l÷ñng tû CdSe. Kh£o s¡t sü £nh h÷ðng cõa nhi»t ë ph£n ùng ¸n k½ch th÷îc v t½nh ch§t quang cõa c¡c h¤t ch§m l÷ñng tû CdSe. K¸t qu£ nghi¶n cùu ch§m l÷ñng tû CdSe ÷ñc têng hñp b¬ng ph÷ìng ph¡p phun nâng dung mæi nhi»t ë cao. Kh£o s¡t t½nh ch§t quang cõa ch§m l÷ñng tû CdSe.

Kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa nhi»t ë ph£n ùng. Kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa thíi gian ph¡t triºn tinh thº 84 3. Kh£o s¡t h¼nh th¡i, c§u tróc cõa ch§m l÷ñng tû CdSe. K¸t qu£ nghi¶n cùu ch§m l÷ñng tû c§u tróc lãi-vä CdSe-ZnS.

Kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa l÷ñng ti·n ch§t Zn v S. Kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa nhi»t ë ti¸n h nh båc vä l¶n sü h¼nh th nh lîp vä ZnS. Chùc n«ng hâa b· m°t ch§m l÷ñng tû c§u tróc lãi-vä CdSe-ZnS vîi MPA v MSA. C§u tróc ph¥n tû MPA, MSA v cì ch¸ thay th¸ ligand.

Phê h§p thö cõa ch§m l÷ñng tû CdSe-ZnS sau khi thay th¸ ligand. Phê FTIR cõa ch§m l÷ñng tû tr÷îc v sau khi thay ligand. Phê quang ph¡t quang cõa ch§m l÷ñng tû sau khi thay ligand107 3. Th¸ Z¶ta cõa ch§m l÷ñng tû sau khi thay ligand.

K˜T QUƒ KHƒO ST C TNH CÕA CH‡M L×ÑNG TÛ KHI GN K˜T VÎI CC PH†N TÛ SINH HÅC. Kiºm tra ëc t½nh cõa ch§m l÷ñng tû. G­n k¸t ch§m l÷ñng tû CdSe-ZnSMPA vîi kh¡ng thº E. Kh£o s¡t sü g­n k¸t cõa ch§m l÷ñng tû vîi kh¡ng thº E.

Coli O157: H7 b¬ng phê FTIR. Kh£o s¡t sü g­n k¸t cõa ch§m l÷ñng tû vîi kh¡ng thº E. Coli O157: H7 b¬ng k½nh hiºn vi i»n tû truy·n qua. Kh£o s¡t sü g­n k¸t cõa ch§m l÷ñng tû vîi kh¡ng thº E.

Coli O157:H7 b¬ng th¸ Z¶ta. Kh£o s¡t sü g­n k¸t cõa ch§m l÷ñng tû vîi kh¡ng thº E. Coli b¬ng phê quang ph¡t quang. G­n protein BSA l¶n ch§m l÷ñng tû v kh£o s¡t i·u ki»n tèi ÷u º g­n protein l¶n ch§m l÷ñng tû.

Kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa dung dàch »m v ch§t t¤o li¶n k¸t ngang EDC/NHS. Kiºm tra ë b·n li¶n k¸t giúa ch§m l÷ñng tû v protein nh¬m x¡c ành cì ch¸ g­n k¸t giúa ch§m l÷ñng tû -protein. Kh£o s¡t £nh h÷ðng cõa nçng ë BSA ¸n hi»u su§t g­n k¸t giúa ch§m l÷ñng tû v BSA. G­n protein A/G l¶n ch§m l÷ñng tû v kiºm tra hi»u qu£ cõa ch§m l÷ñng tû - Protein A/G  kh¡ng thº.

G­n protein A/G l¶n ch§m l÷ñng tû. Kiºm tra hi»u qu£ cõa ch§m l÷ñng tû - Protein A/G èi vîi vi»c b­t kh¡ng thº. Phê quang ph¡t quang cõa ch§m l÷ñng tû g­n vîi kh¡ng thº CD3. Kiºm tra sü b­t c°p cõa ch§m tû sau khi g­n k¸t kh¡ng thº vîi kh¡ng nguy¶n cõa t¸ b o Jurkat T.

140 K˜T LUŠN V€ KI˜N NGHÀ. 143 DANH MÖC CÆNG TRœNH. 146 T€I LI›U THAM KHƒO. 148 viii DANH MÖC CC KÞ HI›U, CC CHÚ VI˜T TT Kþ hi»u Chó th½ch a.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Vũ Thị Ngọc Thúy (2019). Tổng hợp chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS cho cảm biến sinh học [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia TP.HCM]. LuanAn.net. https://luanan.net/tai-lieu-khac/tong-hop-va-nghien-cuu-tinh-chat-quang-cua-cham-luong-tu

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Tổng hợp chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS cho cảm biến sinh học" nghiên cứu về vấn đề gì?

Nghiên cứu tính chất quang của chấm lượng tử CdSe và CdSe/ZnS cho cảm biến sinh học, tổng hợp và đánh giá tiềm năng ứng dụng.

Luận án "Tổng hợp chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS cho cảm biến sinh học" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia TP.HCM. Năm bảo vệ: 2019.

Luận án "Tổng hợp chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS cho cảm biến sinh học" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Tổng hợp chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS cho cảm biến sinh học" thuộc chuyên ngành Quang học. Danh mục: Tài liệu khác.

Luận án "Tổng hợp chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS cho cảm biến sinh học" có bao nhiêu trang?

Luận án "Tổng hợp chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS cho cảm biến sinh học" có 180 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Tổng hợp chấm lượng tử CdSe và CdSe-ZnS cho cảm biến sinh học" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter