Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên tử ba mức khi có mặt

Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên tử. Phân tích cơ chế tương tác ánh sáng-vật chất, mở ra ứng dụng trong quang học lượng tử.

Chuyên ngành
Quang học
Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

108

Thời gian đọc

17 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

40 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
Lan truyền xung laser: Môi trường nguyên tử ba mức
Số trang:
108 trang
Trường:
Trường Đại học Vinh
Chuyên ngành:
Quang học
Tác giả:
Năm:

Tóm tắt nội dung luận án

I.Lan truyền xung laser Môi trường nguyên tử ba mức

Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên tử ba mức là một lĩnh vực quan trọng. Luận án này khám phá sâu sắc các cơ chế vật lý phức tạp. Tương tác giữa xung laser và nguyên tử quyết định đặc tính truyền dẫn. Việc hiểu rõ những tương tác này giúp kiểm soát hiệu quả xung laser. Các hiệu ứng phi tuyến đóng vai trò trung tâm trong quá trình này. Môi trường nguyên tử ba mức cung cấp nền tảng độc đáo để điều khiển ánh sáng. Đặc biệt, hiệu ứng EIT mang lại khả năng biến đổi chiết suất và hấp thụ. Nghiên cứu này mở ra tiềm năng lớn cho các ứng dụng công nghệ quang học. Việc tối ưu hóa sự lan truyền là mục tiêu chính. Kết quả có thể ứng dụng trong lưu trữ ánh sáng và xử lý thông tin lượng tử.

1.1. Khái niệm cơ bản về lan truyền xung laser

Lan truyền xung laser mô tả cách ánh sáng truyền qua vật liệu. Xung laser cực ngắn có cường độ cao, gây ra phản ứng phi tuyến. Tốc độ, cường độ, và hình dạng xung thay đổi khi truyền. Môi trường nguyên tử có thể làm biến dạng hoặc bảo toàn xung. Sự hấp thụ và tán sắc ảnh hưởng trực tiếp đến lan truyền. Hiểu biết cơ bản giúp dự đoán và kiểm soát hành vi xung. Các ứng dụng hiện đại đòi hỏi sự kiểm soát chính xác. Tương tác laser-nguyên tử là trọng tâm của mọi nghiên cứu.

1.2. Môi trường nguyên tử ba mức Cấu hình và tương tác

Môi trường nguyên tử ba mức là hệ thống vật lý lý tưởng. Nguyên tử có ba mức năng lượng riêng biệt. Các cấu hình phổ biến bao gồm bậc thang, lambda và V. Trường laser điều khiển và trường thăm dò tương tác với nguyên tử. Tương tác này tạo ra các hiệu ứng quang học đặc biệt. Việc thiết kế cấu hình mức năng lượng rất quan trọng. Nó ảnh hưởng đến các chuyển tiếp giữa các trạng thái. Nghiên cứu này sử dụng cấu hình cụ thể để khai thác hiệu ứng EIT.

1.3. Hiệu ứng EIT và tầm quan trọng trong lan truyền

Hiệu ứng EIT (Electromagnetically Induced Transparency) là hiện tượng then chốt. EIT tạo ra một cửa sổ trong suốt cho ánh sáng. Điều này xảy ra do giao thoa lượng tử giữa các con đường kích thích. EIT làm giảm đáng kể sự hấp thụ của môi trường. Đồng thời, nó tạo ra tán sắc bất thường. Khả năng điều khiển chiết suất giúp làm chậm xung laser. EIT là công cụ mạnh mẽ để thao tác và kiểm soát lan truyền xung laser.

II.Tối ưu tương tác laser nguyên tử qua hiệu ứng EIT

Hiệu ứng EIT là chìa khóa để tối ưu tương tác laser-nguyên tử. Nó cho phép điều khiển chính xác các đặc tính của môi trường. Mục tiêu là đạt được sự lan truyền xung laser hiệu quả. EIT giúp giảm thiểu mất mát năng lượng do hấp thụ. Đồng thời, EIT cho phép định hình xung và làm chậm ánh sáng. Nghiên cứu tập trung vào việc ứng dụng EIT để kiểm soát xung laser cực ngắn. Các thông số của trường laser và môi trường được điều chỉnh. Việc tối ưu hóa này có ý nghĩa lớn cho công nghệ quang học tiên tiến. Nó mở ra những khả năng mới trong xử lý thông tin lượng tử. Tương tác laser-nguyên tử có thể được khai thác triệt để.

2.1. Cơ chế trong suốt cảm ứng điện từ EIT

EIT hoạt động dựa trên giao thoa phá hủy lượng tử. Một trường laser mạnh (trường điều khiển) tác dụng lên nguyên tử. Nó tạo ra một con đường chuyển tiếp phụ. Con đường này giao thoa với con đường kích thích trực tiếp. Kết quả là sự triệt tiêu hấp thụ ở một dải tần số hẹp. Nguyên tử trở nên trong suốt với trường laser thăm dò. Cơ chế này khác biệt hoàn toàn so với hấp thụ thông thường. EIT là một hiện tượng quang học phi tuyến.

2.2. Điều khiển chiết suất và hấp thụ xung laser

EIT cho phép thay đổi đáng kể chiết suất của môi trường. Chiết suất biến đổi nhanh chóng trong cửa sổ trong suốt. Điều này dẫn đến hiệu ứng tán sắc dị thường. Sự hấp thụ xung laser được giảm đến mức tối thiểu. Chiết suất có thể được điều chỉnh để làm chậm tốc độ ánh sáng. Nó cũng giúp lưu trữ thông tin lượng tử dưới dạng kích thích nguyên tử. Khả năng điều khiển này là cốt lõi của nhiều ứng dụng EIT.

2.3. Tối ưu hóa lan truyền xung laser cực ngắn

Việc tối ưu hóa lan truyền xung laser cực ngắn là rất quan trọng. EIT giúp duy trì hình dạng xung và giảm biến dạng. Xung laser có thể truyền đi xa hơn mà không bị suy yếu. Điều này đặc biệt có lợi cho các xung có thời gian tồn tại ngắn. EIT giảm thiểu tán sắc vận tốc nhóm (GVD) và tự điều biến pha (SPM). Khả năng này hỗ trợ cho các ứng dụng yêu cầu xung nguyên vẹn. Nó là yếu tố quyết định hiệu quả của tương tác laser-nguyên tử.

III.Hiệu ứng phi tuyến Kiểm soát xung laser cực ngắn

Các hiệu ứng phi tuyến đóng vai trò trung tâm khi xung laser cường độ cao tương tác với môi trường. Chúng gây ra những thay đổi đáng kể cho đặc tính của xung. Quang học phi tuyến nghiên cứu các hiện tượng này. Tự điều biến pha (SPM) là một hiệu ứng phi tuyến phổ biến. SPM ảnh hưởng đến phổ và pha của xung laser. Việc kiểm soát các hiệu ứng phi tuyến là cần thiết. Nó giúp định hình và tối ưu hóa lan truyền xung laser cực ngắn. Hiểu rõ cơ chế này mở ra khả năng tạo ra các nguồn sáng mới. Nghiên cứu này tập trung vào các yếu tố ảnh hưởng đến chúng. Mục tiêu là kiểm soát được các hiệu ứng này để phục vụ ứng dụng.

3.1. Quang học phi tuyến và sự điều biến pha xung laser

Quang học phi tuyến mô tả phản ứng của vật liệu với ánh sáng cường độ cao. Hệ số chiết suất của môi trường phụ thuộc vào cường độ ánh sáng. Xung laser cực ngắn thường có cường độ rất cao. Điều này dẫn đến sự biến đổi chiết suất trong suốt xung. Tự điều biến pha (Self-Phase Modulation - SPM) là kết quả trực tiếp. SPM gây ra sự thay đổi tức thời trong pha của xung. Sự thay đổi pha này dẫn đến sự giãn rộng phổ của xung laser.

3.2. Ảnh hưởng của tự điều biến pha SPM đến xung

SPM làm mở rộng băng thông phổ của xung laser. Điều này có thể được sử dụng để tạo ra các xung ngắn hơn. SPM cũng có thể gây ra hiện tượng chirp trong xung. Chirp là sự thay đổi tần số theo thời gian bên trong xung. Nó ảnh hưởng đến khả năng nén xung. Trong một số trường hợp, SPM kết hợp với tán sắc có thể dẫn đến tự hội tụ laser. SPM là một hiệu ứng quan trọng trong xử lý xung laser.

3.3. Các yếu tố tác động lên hiệu ứng phi tuyến

Nhiều yếu tố ảnh hưởng đến cường độ của hiệu ứng phi tuyến. Cường độ đỉnh của xung laser là yếu tố chính. Thời lượng xung laser cũng rất quan trọng. Các tính chất của môi trường, như mật độ và hệ số phi tuyến, cũng đóng vai trò. Wavelength của laser cũng có ảnh hưởng đáng kể. Trong môi trường khí, áp suất và nhiệt độ là các tham số quan trọng. Việc điều chỉnh các yếu tố này cho phép kiểm soát hiệu ứng phi tuyến.

IV.Phân tích tự hội tụ và tạo filamentation laser

Tự hội tụ laser và tạo filamentation là những hiện tượng phi tuyến phức tạp. Chúng xảy ra khi xung laser cường độ cao truyền trong môi trường. Tự hội tụ làm tăng mật độ năng lượng của xung. Filamentation cho phép xung truyền đi xa hơn trong dạng sợi ổn định. Cả hai quá trình đều liên quan đến tương tác mạnh mẽ giữa ánh sáng và vật chất. Việc nghiên cứu chúng giúp hiểu rõ hơn về quang học phi tuyến. Điều này có ý nghĩa quan trọng trong các ứng dụng như vi gia công vật liệu. Nó cũng liên quan đến dẫn đường sét và khí quyển. Mục tiêu là phân tích cơ chế và đặc điểm của các hiện tượng này.

4.1. Cơ chế tự hội tụ xung laser trong môi trường

Tự hội tụ xảy ra do hiệu ứng Kerr quang học. Cường độ laser cao làm thay đổi chiết suất của môi trường. Chiết suất tăng ở những vùng có cường độ cao. Phần trung tâm của xung laser tập trung mạnh hơn. Điều này dẫn đến việc xung tự hội tụ. Nó làm tăng cường độ của xung lên mức rất cao. Quá trình này có thể dẫn đến ion hóa nguyên tử. Tự hội tụ là bước khởi đầu cho nhiều hiện tượng phi tuyến khác.

4.2. Quá trình tạo filament laser Đặc điểm và ứng dụng

Filamentation laser là sự cân bằng giữa hai quá trình. Đó là tự hội tụ và sự làm lệch pha do plasma. Xung laser tạo ra một kênh plasma hẹp và dài. Kênh này hoạt động như một ống dẫn sóng. Nó cho phép xung laser cường độ cao truyền đi rất xa. Các filament duy trì cường độ đỉnh xấp xỉ không đổi. Ứng dụng bao gồm cảm biến từ xa và tạo đường dẫn cho dòng điện. Filamentation là một phương pháp hiệu quả để truyền năng lượng laser.

4.3. Vai trò của ion hóa nguyên tử trong filamentation

Ion hóa nguyên tử là một yếu tố không thể thiếu trong filamentation. Cường độ laser cực đại gây ra sự ion hóa của nguyên tử. Điều này tạo ra các electron tự do và plasma. Plasma có chiết suất âm, gây ra hiện tượng làm lệch pha. Sự làm lệch pha này chống lại tự hội tụ. Nó giúp ổn định filament laser. Ion hóa ngăn chặn sự sụp đổ cường độ của xung. Đồng thời nó duy trì sự lan truyền ổn định của sợi laser.

V.Môi trường khí Ion hóa nguyên tử và plasma laser

Môi trường khí đóng vai trò quan trọng trong nghiên cứu lan truyền xung laser cường độ cao. Tương tác mạnh mẽ giữa laser và nguyên tử khí dẫn đến nhiều hiện tượng. Trong đó, ion hóa nguyên tử và hình thành plasma là các quá trình chủ yếu. Plasma do laser có ảnh hưởng sâu sắc đến đặc tính truyền của xung. Việc hiểu rõ cơ chế này là cần thiết để kiểm soát hiệu quả xung laser. Luận án này phân tích chi tiết cách ion hóa và plasma tác động. Nó cũng xem xét cách các yếu tố môi trường ảnh hưởng đến những hiện tượng này. Các kết quả này giúp tối ưu hóa ứng dụng của laser cường độ cao.

5.1. Ion hóa nguyên tử do xung laser cường độ cao

Ion hóa nguyên tử là quá trình nguyên tử mất đi electron. Xung laser cường độ cao cung cấp đủ năng lượng để bứt electron. Có hai cơ chế chính: ion hóa đa photon và ion hóa đường hầm. Ion hóa đa photon xảy ra khi nguyên tử hấp thụ nhiều photon đồng thời. Ion hóa đường hầm xảy ra ở cường độ laser rất cao. Quá trình này tạo ra các ion và electron tự do. Sự ion hóa là bước đầu tiên để hình thành plasma. Ion hóa ảnh hưởng trực tiếp đến mật độ hạt trong môi trường.

5.2. Hình thành và đặc tính của plasma do laser

Plasma là một trạng thái vật chất ion hóa. Nó chứa các ion, electron tự do và nguyên tử trung hòa. Plasma được tạo ra tức thì khi laser ion hóa môi trường khí. Đặc tính của plasma phụ thuộc vào cường độ laser và loại khí. Mật độ electron và nhiệt độ plasma là các thông số quan trọng. Plasma có khả năng hấp thụ năng lượng laser. Nó cũng có thể khúc xạ và phản xạ ánh sáng. Sự hiểu biết về plasma là cần thiết cho các ứng dụng laser.

5.3. Ảnh hưởng của plasma đến lan truyền xung laser

Plasma có chiết suất nhỏ hơn một. Điều này gây ra hiện tượng làm lệch pha (defocusing) xung laser. Plasma hoạt động như một thấu kính phân kỳ. Nó chống lại hiệu ứng tự hội tụ do hiệu ứng Kerr. Plasma cũng hấp thụ năng lượng của xung laser. Điều này dẫn đến sự suy giảm cường độ xung. Ảnh hưởng của plasma là một yếu tố then chốt. Nó quyết định sự ổn định và phạm vi lan truyền của xung laser.

Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên tử ba mức khi có mặt hiệu ứng eit la tiến sĩ

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (108 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC VINH HOANG MINH DONG NGHIEN CUU SU LAN TRUYEN XUNG LASER TRONG MOI TRUONG NGUYEN TU BA MUC KHI CO MAT HIEU UNG EIT LUAN AN TIEN SI VAT Li NGHE AN - 2017 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC VINH HOANG MINH DONG NGHIEN CUU SU LAN TRUYEN XUNG LASER TRONG MOI TRUONG NGUYEN TU BA MUC KHI CO MAT HIEU UNG EIT LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ Chuyên ngành: QUANG HỌC Mã số: 62.09 Người hướng dẫn khoa học: GS. Đình Xuân Khoa NGHỆ AN - 2017 ii LOI CAM DOAN Tôi xin cam đoan nội dung của bản luận án này là công trình nghiên cứu của riêng tôi dưới sự hướng dẫn khoa học của GS. Đinh Xuân Khoa. Các kết quả trong luận án là trung thực và được công bố trên các tạp chí chuyên ngành ở trong nước và quốc tê.

Túc gia luận án Hoàng Minh Đồng iil LỜI CÁM ƠN Luận án được hoàn thành đưới sự hướng dẫn khoa học của GS. Đinh Xuân Khoa. Tôi xin được bày tỏ lòng biết ơn chân thành nhất đến thay giáo hướng dẫn - người đã đặt đề tài, giúp đỡ. hướng dẫn tận tình và động viên tôi trong suốt quá trình nghiên cứu.

Tôi xin chân thành cảm ơn đến quý thầy cô giáo, các nhà khoa học, các bạn đồng nghiệp và các NCS của khoa Vật lý & Công nghệ Trường Đại học Vinh về những ý kiến đóng góp khoa học bổ ích cho nội dung luận án, tạo điều kiện tốt nhất trong thời gian tôi học tập và nghiên cứu khoa học tại trường. Tôi cũng xin được cảm ơn Ban giám hiệu trường Cao đẳng giao thông vận tải Miền Trung đã giúp đỡ và tạo mọi điều kiện thuận lợi nhất cho việc học tập và nghiên cứu của tôi trong những năm qua. Cuối cùng, tôi xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến gia đình, người thân và bạn bè đã quan tâm, động viên và giúp đỡ đề tôi hoàn thành bản luận án này. Xin trân trọng cảm ơn ! Túc gia luận án IV DANH MỤC CÁC TỪ VIET TAT TIENG ANH DÙNG TRONG LUẬN ÁN | Từ viết tắt Nghĩa EIT CPT LWI .S§PM _GVD SGC Re Im RWA .SVEA j Electromagnetically Induced Transparency — Sự trong suốt cảm ứng điện từ.

Coherence Population Trapping — Bay d6 cu trú kết hợp. | Lasing Without Inversion — Phát laser không có đảo lộn độ cư trú. ị Self-phase modulation — Tự biến điệu pha ị group-velocity dispersion — Tán sắc vận tốc nhóm ị Spontaneously generated coherence — Độ kết hợp được tạo bởi phát ị | xa tu phat Real part — Phan thực Imaginary part — Phần ảo Rotating wave approximation — Gần đúng sóng quay ị Slowly-varying envelope approximation ~ Gần đúng hàm bao biến. thiên chậm DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU DÙNG TRONG LUẬN ÁN nn Pri —_______4.

Ky hiéu Gia tri Nghia c 2,998 x 108 m/s_ | Van téc ánh sáng trong chân không dim Mômen lưỡng cực điện của dịch chuyền |n) |) Ec Cưởng độ điện trường chùm laser điều khiển E, Cường độ điện trường chùm laser En Năng lượng riêng của trạng thái |n) | F Xung lượng góc toàn phần của nguyên tử ị H Hamtilton toan phan 1h Hamilton của nguyên tử tự do ị A Hamilton tuong tác giữa hệ nguyên tử và trường anh sang | kp 138 10 J/K ˆ Hằng số Boltzmann mb 144 x102 kg | Khối lượng xắn nguyên Rb n Chiết suất hiệu dụng N ị Mật độ nguyên tử ị P ị Độ lớn vectơ phân cực điện (vĩ mô) ị cr Nhiệt độ tuyệt đối | Ho 1,26 x 105 H/m_. Độ từ thấm của chân không | & Ì gssa 10'2E/m. Độ điện (hẳn cùa chầm không SỐ é | Hằng số điện môi tý đối Tần số góc của dịch chuyển nguyên tử vi Tần số góc của chùm laser điều khiển Tần số góc của chùm laser | Tốc độ phan ra tu phat | Tốc độ suy giảm tự phát độ kết hợp | _ | Tốc độ suy giảm độ kết hợp do va chạm | Ma trận mật độ Tần số Rabi Tần số Rabi suy rộng Tần số Rabi gây bởi trường laser điều khiên Tần số Rabi gây bởi trường laser Độ lệch giữa tần số laser với tần số dịch chuyên | nguyên tử (viết tắt: đồ lệch tần số) Độ lệch giữa tần số của laser điều khiển với tần số dịch chuyên nguyên tử Độ lệch giữa tần số của laser với tần số dịch chuyền nguyên tử | | Khoảng cách giữa các mức năng lượng | Độ rộng xung Độ rộng Doppler Tham số liên kết nguyên tử với trường Tham số liên kết nguyên tử với trường laser Tham số liên kết nguyên tử với trường laser điều khiển vii - Độ sâu quang học Tốc độ bơm không kết hợp Pha của trường laser | Pha của trường laser điều khiển Độ lệch pha của trường laser và trường laser điều khiên Góc giữa hai mô men lưỡng cực điện viii DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỎ THỊ Hình Nội dung 1.1 Sơ đồ kích thích hệ nguyên tử hai mức.2 | Dao động của độ cư trú trong trạng thái kích thích. Ị F——————— 13 - Xung Gaussian với độ rộng xung to = l và diện tich xung Qot = 27.4 | Sơ đồ kích thích hệ nguyên tử ba mức cấu hình bậc thang tương tác với | ' trường laser và trường laser điều khiển.5 Sơ đồ kích thích nguyên tử ba mức năng lượng cấu hình: (a) bậc thang, (b) lambda va (c) chir V [9].

146 | Nguyén tir ba mite duge kich thich bởi hai trường laser theo cấu hình bậc | thang: (a) sự mô ta trạng thái nguyên tử trần và (b) sự mô tả trạng thái : nguyên tử mặc [66].7 Hai nhánh kích thích nguyên tử tử trạng thái cơ bản |Ì) tới trạng thái |2): “nhánh 1, kích thích trực tiếp |—>|2) và nhánh 2, kích thích gián tiếp. Các mức năng lượng siêu tỉnh tế của nguyên tử Ÿ“Rb [33, 67], thường được sử dụng trong cấu hình bậc thang. ị Sơ đồ hệ nguyên tử ba mức câu hình bậc thang được kích thích bởi trường : laser và trường laser điêu khiên. Sự biến thiên theo thời gian của hàm bao xung laser O;(£,t) khi cố định độ rộng xung to = 25 ps, tại các độ sâu quang học khác nhau: /„é = 0 (màu I _ - 5 | Ix.

xanh liền nét), mẽ =5ng1 (màu đỏ đứt nét), ,„é = 10 ns"! (mau den cham | ị chấm). Cường độ đỉnh và diện tích xung của xung laser điều khiển được cho - như trên hình. Sự biến thiên theo thời gian của hàm bao xung laser Q,(E,t) khi cố định độ rộng xung 1o = 25 ns, tại các độ sâu quang học khác nhau: „ế = 0 (màu xanh liền nét), ;„„ế = 5 ns1 (màu đỏ đứt nét), ;„é = 10 ns (mau den cham chấm). Cường độ đỉnh và diện tích xung của xung laser điều khiển được cho như trên hình.

i Sự biến thiên theo thời gian của các độ cư trú tại các độ sâu quang học khác nhau kyŠ = 0 (đường liền nét) và pp = 10 ns (đường đứt nét). Cường độ đỉnh và diện tích xung của xung laser điều khiến tương ứng là Qa = 10 GHz va San 250. Sự biến thiên theo thời gian của hàm bao xung laser Sức Dk khi cố định độ ị Tộng xung rọ = 0,25 Hs, tại các độ sâu quang học khác nhau: ;„é = 0 (màu xanh liền nét), ;„é = 5 ns! (màu đỏ đứt nét), ;„¿ = 10 ns! (mau den cham - chấm). Cường độ đỉnh và diện tích xung của xung laser điều khiển được cho - như trên hình.

'(a) Sự biến thiên dạng hàm bao của xung laser theo thời gian ro tại độ sâu quang học kyŠ = 5 ns"; (b) Sự biến thiên của biên độ đỉnh của xung laser theo độ sâu quang học tại các độ rộng Doppler khác nhau với độ rộng xung to = Ins a tote = 10 GHz. a) So đồ hệ nguyên tử ba mức cấu hình bậc line được kích thích bởi trường laser và trường laser điều khiến. b) Sự định hướng giữa hai mômen lưỡng cực dụ va dos khi không trực giao. ến n không-thời gia ng laser Q,(E,t | nhau của p= 0 (a), 0,3 (0), 0,7 (c) va 1 (d).

Các tham số khác được sử dụng giá trị khác | 1a: 6 = 0, v1 = 1,2y2 va R=1,2y2. Sự biến thiên của biên độ đỉnh trường laser theo độ sâu quang. học đối với các giác | trị khác nhau của tham số p. Các tham khác được chọn: ÿ = 0 vaR =y1 = 1,2;p.

: Sự tiến triển theo thời gian của xung laser O;(É,r) theo độ lệch pha ở, được ` | biểu diễn dạng ba chiều (a) và hai chiều (b) khi p = 0,7 và uyŠ = 5ns† và R| Ị | = = 1,29. | - Sự biến thiên của Im(pa¡) và Re(pai) theo độ lệch pha khi tham số p=_ 0,7 vaR= TC = 1/22. Sự tiến triển thời gian của xung laser One; +) theo tốc độ bơm kết hợp # tại độ sâu quang học tyŠ = 5ns'!, tham số = 0,7 và độ lệch ingha 6 =0 (a), r (b). xi DANH MUC CAC BANG BIEU Bang Nội dung Pl Chuyén déi cdc đại lượng điện từ giữa hệ don vi SI va Gaussian [2].

P2 Các hằng số vật lí trong hệ đơn vị SI và hệ đơn vị Gaussian [2]. xii MỤC LỤC TONG S0. 1 Chuong 1: LAN TRUYEN XUNG TRONG MOI TRUONG CONG HUONG. Tương tác giữa ánh sáng với nguyên tử hai mức 1:1.

Hình thức luận ma trận mậ Lỗ: cong s2 1103 0660144443261 6166 1. Tiến triển nguyên tử trong gần đúng sóng quay. Dao động Rabi và diện tích xung. Các phương trình Maxwell và phương trình sóng.

Phương trình sóng trong gần đúng hàm bao biến thiên chậm. Sự mở rộng không đồng nhắt. Tương tác giữa ánh sáng với nguyên tử ba mức. Haminton tương tác trong gần đúng sóng quay 1.

Hệ phương trình lan truyền cặp xung laser trong gần đúng hàm bao biên thiên chậm. -- --- 2< S2 S2 S23 SE 2E 2E ££E£#EvEevsevevevcee re 1. Sự bẫy độ cư trú kết hợp. Sự trong suốt cảm ứng điện từ.

Các tính chất vật lý của hệ nguyên tử ba mức .1; Nguyên ttt RD ác 0660602566661646661561645155646545165136518314351585502588688 35 1. Cầu trúc tỉnh tẾ. Cấu trúc siêu tỉnh tẾ. Kết luận chương .--ssessve+tzvvsetsvvsettrrvsetesrrassorre 40 Chuong 2: SU LAN TRUYEN XUNG TRONG MOI TRUONG EIT MO RỘNG KHÔNG ĐỎNG NHẤTT.

Hệ phương trình Maxwell-Bloch cho sự lan truyền xung. 42 9:2: NTũ phống Sổ suannaanggtostniiGiStd5iG1TQGAN0 8801888000013 030030001880 381gưggggog 46 2. Thuật toán Runge-KUlA:. Phương pháp sai phân hữu hạn.

Lan truyền xung trong môi trường mở rộng không đồng nhắt. Xung lan truyền trong miễn pico giây. Xung lan truyền trong miền nano giây. Xung lan truyền trong miền micro giây.

Ảnh hưởng của sự mở rộng Doppler.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Hoàng Minh Đồng (2017). Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Vinh]. LuanAn.net. https://luanan.net/tai-lieu-khac/su-lan-truyen-xung-laser-trong-moi-truong-nguyen-tu-ba-muc-khi-co-mat-hieu-ung

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên" nghiên cứu về vấn đề gì?

Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên tử. Phân tích cơ chế tương tác ánh sáng-vật chất, mở ra ứng dụng trong quang học lượng tử.

Luận án "Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Vinh. Năm bảo vệ: 2017.

Luận án "Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên" thuộc chuyên ngành Quang học. Danh mục: Tài liệu khác.

Luận án "Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên" có bao nhiêu trang?

Luận án "Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên" có 108 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Nghiên cứu sự lan truyền xung laser trong môi trường nguyên" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter