Nghiên cứu băng và dây vô định hình nền Co làm cảm biến GMI đo từ trường yếu hạt nano từ

Nghiên cứu băng/dây vô định hình coban cho cảm biến từ gmi. Đo từ trường yếu hạt nano từ.

Tác giả

Luan An

Thể loại

Luận án tiến sĩ

Năm xuất bản

Số trang

162

Thời gian đọc

25 phút

Lượt xem

0

Lượt tải

0

Phí lưu trữ

50 Point

Tổng quan nhanh

Chủ đề:
Cảm biến GMI: Nguyên lý, Băng và Dây Co làm vật liệu
Số trang:
162 trang
Trường:
Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội
Chuyên ngành:
Vật Lý Chất Rắn
Tác giả:
Năm:

Tóm tắt nội dung luận án

I.Cảm biến GMI Nguyên lý Băng và Dây Co làm vật liệu

Cảm biến GMI khai thác hiệu ứng Từ tổng trở khổng lồ. Hiệu ứng này mô tả sự thay đổi đáng kể của tổng trở điện trong vật liệu từ khi có từ trường ngoài tác động. Băng và dây Co vô định hình là vật liệu lý tưởng cho cảm biến GMI. Chúng sở hữu các tính chất từ mềm vượt trội. Các vật liệu này hiển thị độ nhạy cao với từ trường yếu. Điều này giúp phát hiện chính xác các hạt nano từ. Nghiên cứu tập trung vào tối ưu hóa tính chất của băng và dây Co. Mục tiêu là tạo ra cảm biến GMI có hiệu suất cao. Việc ứng dụng công nghệ cảm biến GMI mở ra nhiều khả năng mới. Đặc biệt là trong lĩnh vực y sinh và chẩn đoán.

1.1. Hiệu ứng GMI Cơ chế và đặc điểm nổi bật

Hiệu ứng Giant Magnetoimpedance (GMI) xảy ra khi tổng trở của vật liệu từ thay đổi lớn dưới tác động của từ trường. Sự thay đổi này phụ thuộc vào tần số dòng điện xoay chiều. Nó còn chịu ảnh hưởng của cấu trúc từ tính vật liệu. GMI nhạy cảm với sự thay đổi của từ trường ngoài. Độ nhạy cao cho phép phát hiện những biến thiên từ trường rất nhỏ. Các vật liệu từ mềm vô định hình thường thể hiện hiệu ứng GMI mạnh mẽ. Đặc điểm này làm chúng phù hợp cho các ứng dụng cảm biến từ trường nhạy.

1.2. Tổng trở khổng lồ Tối ưu vật liệu Co cho cảm biến

Để đạt được tổng trở khổng lồ, cần vật liệu có từ tính siêu thuận. Vật liệu Co-based vô định hình đáp ứng yêu cầu này. Chúng có độ từ giảo thấp và độ từ thẩm cao. Điều này giúp tối ưu hóa hiệu ứng GMI. Dạng băng và dây của vật liệu Co mang lại ưu điểm. Chúng dễ dàng tích hợp vào cấu trúc cảm biến. Quá trình chế tạo và xử lý nhiệt ảnh hưởng lớn đến hiệu suất GMI. Việc điều chỉnh cấu trúc và thành phần vật liệu là cần thiết. Mục tiêu là nâng cao độ nhạy của cảm biến GMI.

1.3. Ưu điểm băng và dây Co trong cảm biến GMI

Băng Co và dây Co vô định hình có nhiều ưu điểm. Chúng có kích thước nhỏ gọn. Vật liệu này thể hiện tính linh hoạt trong thiết kế. Chúng sở hữu độ bền cơ học tốt. Đặc biệt, chúng có khả năng phản ứng nhanh với sự thay đổi từ trường. Những ưu điểm này giúp cảm biến GMI từ băng và dây Co trở thành lựa chọn hàng đầu. Chúng phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu độ chính xác cao. Ví dụ như trong biosensor từ hoặc cảm biến từ trường yếu.

II.Đo Hạt Nano Từ Cảm biến GMI nền Co cho sinh học

Phát hiện hạt nano từ là trọng tâm của nhiều ứng dụng y sinh. Cảm biến GMI nền Co cung cấp giải pháp hiệu quả. Hạt nano từ, đặc biệt là Fe3O4, tạo ra từ trường yếu. Từ trường này có thể được cảm biến GMI phát hiện. Nghiên cứu tập trung vào phát triển cảm biến GMI có độ nhạy cao. Mục tiêu là đo chính xác từ trường do các hạt nano tạo ra. Ứng dụng của cảm biến GMI mở rộng vào chẩn đoán y tế. Chúng hỗ trợ việc phát hiện sớm các bệnh lý. Công nghệ này có tiềm năng lớn trong lĩnh vực biosensor từ.

2.1. Hạt nano từ Tính chất và ứng dụng biosensor

Hạt nano từ có kích thước siêu nhỏ, thường dưới 100 nm. Chúng thể hiện tính chất từ tính siêu thuận. Điều này có nghĩa là chúng không có từ hóa dư khi không có từ trường ngoài. Hạt nano từ được ứng dụng rộng rãi trong y sinh. Chúng dùng làm chất tương phản trong MRI. Chúng còn được sử dụng trong vận chuyển thuốc đích. Đặc biệt, chúng đóng vai trò quan trọng trong biosensor. Hạt nano từ giúp gắn kết với các phân tử sinh học cụ thể. Chúng tạo ra tín hiệu từ có thể đo được.

2.2. Phát hiện hạt nano Thách thức và giải pháp GMI

Phát hiện từ trường yếu của hạt nano từ là một thách thức lớn. Các cảm biến truyền thống thường thiếu độ nhạy. Cảm biến GMI cung cấp giải pháp tối ưu. Nó có khả năng phát hiện từ trường cực yếu. Từ trường này phát ra từ một lượng nhỏ hạt nano. Điều này quan trọng trong các ứng dụng chẩn đoán sớm. Độ nhạy cao của GMI giúp tăng cường giới hạn phát hiện. Nó cải thiện độ tin cậy của các hệ thống biosensor dựa trên hạt nano từ.

2.3. Cảm biến GMI Co Vai trò trong y sinh và chẩn đoán

Cảm biến GMI sử dụng vật liệu Co-based có vai trò quan trọng trong y sinh. Chúng dùng để phát hiện mầm bệnh. Chúng còn nhận diện các dấu ấn sinh học. Khả năng đo lường không tiếp xúc là một lợi thế. Nó giúp bảo toàn mẫu vật và tăng tính an toàn. Cảm biến GMI có thể tích hợp vào các thiết bị chẩn đoán cầm tay. Điều này mang lại hiệu quả cao trong chăm sóc sức khỏe. Nó giúp kiểm tra sức khỏe cộng đồng và cá nhân.

III.Vật liệu Từ mềm Vô định hình Co Tối ưu cảm biến GMI

Vật liệu từ mềm vô định hình nền Coban là chìa khóa. Chúng quyết định hiệu suất của cảm biến GMI. Các vật liệu này có cấu trúc không tinh thể. Điều này mang lại tính chất từ mềm vượt trội. Chúng có độ từ thẩm cao và tổn hao thấp. Điều này tối ưu hóa hiệu ứng Giant Magnetoimpedance. Nghiên cứu tập trung vào việc hiểu và kiểm soát các tính chất này. Mục tiêu là phát triển vật liệu Co có độ nhạy GMI tối đa. Quá trình chế tạo và xử lý nhiệt đóng vai trò then chốt. Chúng ảnh hưởng đến cấu trúc và tính chất từ của vật liệu.

3.1. Đặc tính vật liệu Co based Từ tính siêu thuận

Vật liệu Co-based vô định hình thể hiện từ tính siêu thuận. Điều này có nghĩa là chúng dễ dàng từ hóa và khử từ. Chúng có độ từ giảo (magnetostriction) rất nhỏ hoặc bằng không. Đặc tính này ngăn chặn sự hình thành ứng suất từ. Điều này giúp duy trì độ từ thẩm cao. Từ tính siêu thuận là yếu tố cần thiết. Nó giúp đạt được hiệu ứng GMI lớn. Vật liệu này giảm thiểu tổn hao năng lượng trong từ trường xoay chiều.

3.2. Băng và dây vô định hình Quy trình chế tạo cơ bản

Băng vô định hình thường được chế tạo bằng phương pháp làm nguội nhanh. Ví dụ, phương pháp phun kim loại nóng chảy lên bánh xe quay. Dây vô định hình thường được sản xuất bằng phương pháp kéo từ nóng chảy. Các phương pháp này tạo ra cấu trúc vô định hình. Cấu trúc này không có biên hạt. Điều này giúp giảm các khuyết tật từ. Kiểm soát tốc độ làm nguội rất quan trọng. Nó ảnh hưởng đến cấu trúc và tính chất cuối cùng của vật liệu.

3.3. Tầm quan trọng của tính chất từ mềm cho GMI

Tính chất từ mềm là yếu tố then chốt cho hiệu ứng GMI. Vật liệu từ mềm có độ từ thẩm ban đầu cao. Chúng có độ từ trường cưỡng bức thấp. Điều này cho phép từ hóa dễ dàng. Khi có dòng điện xoay chiều, từ trường này thay đổi nhanh chóng. Nó tạo ra sự biến đổi lớn trong tổng trở. Tính chất từ mềm giúp cảm biến GMI đạt độ nhạy cao. Nó giúp phản ứng hiệu quả với từ trường yếu. Đặc biệt là từ trường của các hạt nano từ.

IV.Nghiên cứu Cải thiện Tính chất Băng Co cho Cảm biến GMI

Việc cải thiện tính chất của băng và dây Co là ưu tiên hàng đầu. Mục tiêu là nâng cao hiệu suất cảm biến GMI. Các phương pháp xử lý nhiệt là cần thiết. Chúng giúp tối ưu hóa cấu trúc vi mô và tính chất từ. Ủ nhiệt thông thường hoặc ủ trong từ trường có thể được áp dụng. Điều này làm tăng độ nhạy và ổn định của cảm biến. Nghiên cứu này đánh giá ảnh hưởng của các thông số xử lý. Việc này giúp tìm ra điều kiện tối ưu. Nó đảm bảo cảm biến GMI có thể phát hiện từ trường yếu của hạt nano từ với độ chính xác cao.

4.1. Ảnh hưởng của ủ nhiệt đến hiệu ứng GMI

Ủ nhiệt là một phương pháp quan trọng. Nó giúp cải thiện hiệu ứng GMI trong vật liệu vô định hình. Quá trình này giúp thư giãn ứng suất bên trong. Nó còn giúp điều chỉnh cấu trúc từ học. Ủ nhiệt ở nhiệt độ và thời gian thích hợp có thể tăng độ từ thẩm. Nó còn giảm độ từ trường cưỡng bức. Điều này dẫn đến sự gia tăng đáng kể trong tỷ lệ GMI. Kết quả là cảm biến GMI có độ nhạy cao hơn nhiều. Việc này rất cần thiết cho ứng dụng phát hiện hạt nano từ.

4.2. Tối ưu cấu trúc vật liệu Tăng độ nhạy cảm biến

Cấu trúc vi mô của vật liệu ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu ứng GMI. Việc tối ưu hóa cấu trúc là rất quan trọng. Nó giúp tăng cường độ nhạy của cảm biến. Các yếu tố như độ đồng nhất của cấu trúc vô định hình. Kích thước miền từ, và dị hướng từ trường cần được kiểm soát. Nghiên cứu tập trung vào việc tạo ra vật liệu có cấu trúc tối ưu. Mục tiêu là đạt được phản ứng GMI mạnh nhất. Điều này cho phép phát hiện tín hiệu từ trường yếu hiệu quả hơn.

4.3. Từ trường yếu Phát hiện tín hiệu từ hạt nano

Khả năng phát hiện từ trường yếu là yếu tố then chốt. Nó quyết định thành công của cảm biến GMI trong ứng dụng hạt nano từ. Hạt nano từ tạo ra từ trường rất nhỏ. Các cảm biến cần độ nhạy cực cao để phân biệt. Độ nhạy này cho phép tách biệt tín hiệu mục tiêu khỏi nhiễu. Việc cải thiện tính chất của băng Co giúp tăng cường khả năng này. Nó mở rộng phạm vi ứng dụng của cảm biến trong các lĩnh vực yêu cầu độ chính xác cao.

V.Tiềm năng Cảm biến Từ tổng trở GMI Y sinh và Công nghiệp

Cảm biến từ tổng trở GMI có tiềm năng ứng dụng rộng rãi. Chúng không chỉ giới hạn trong phòng thí nghiệm. Trong y sinh, chúng được dùng làm biosensor từ nhạy. Chúng giúp chẩn đoán bệnh sớm và chính xác. Ngoài ra, GMI còn có thể ứng dụng trong giám sát môi trường. Chúng phát hiện các chất ô nhiễm dựa trên hạt nano từ. Trong công nghiệp, GMI được dùng làm cảm biến từ trường. Chúng phục vụ việc kiểm soát chất lượng và an ninh. Sự phát triển của vật liệu Co-based tăng cường tiềm năng này. Nó mở ra nhiều hướng nghiên cứu và ứng dụng mới.

5.1. Ứng dụng GMI trong biosensor và chẩn đoán y tế

Cảm biến GMI rất hứa hẹn trong lĩnh vực biosensor. Chúng có thể phát hiện các dấu ấn sinh học. Chúng còn nhận diện virus và tế bào ung thư. Điều này thực hiện thông qua liên kết với hạt nano từ. Độ nhạy cao của GMI cho phép phát hiện nồng độ thấp. Điều này quan trọng trong chẩn đoán sớm và theo dõi bệnh. Công nghệ GMI mang lại các thiết bị chẩn đoán nhanh chóng. Chúng có chi phí hiệu quả, không xâm lấn. Cảm biến này tạo ra bước tiến lớn trong y tế dự phòng.

5.2. Giám sát môi trường Phát hiện chất độc hại

Cảm biến GMI có thể được sử dụng trong giám sát môi trường. Chúng phát hiện các kim loại nặng. Chúng còn nhận diện các chất ô nhiễm hữu cơ. Việc này thực hiện thông qua các phản ứng hóa học tạo hạt nano từ. Hoặc thông qua việc gắn hạt nano vào các chất mục tiêu. Độ nhạy và khả năng phản ứng nhanh giúp theo dõi chất lượng nước và không khí. Công nghệ GMI đóng góp vào việc bảo vệ môi trường. Nó cung cấp dữ liệu chính xác và kịp thời.

5.3. Công nghiệp và an ninh Cảm biến từ trường đa năng

Trong công nghiệp, cảm biến GMI được dùng để đo từ trường. Chúng giám sát các thiết bị điện từ. Chúng còn kiểm tra vật liệu không phá hủy. Độ chính xác cao giúp đảm bảo chất lượng sản phẩm. Trong lĩnh vực an ninh, GMI có thể phát hiện vật thể kim loại. Chúng còn nhận diện các mối đe dọa tiềm ẩn. Cảm biến GMI cung cấp một công cụ đa năng. Nó ứng dụng rộng rãi từ tự động hóa đến hệ thống bảo mật.

Xem trước tài liệu
Tải đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Luận án tiến sĩ nghiên cứu tính chất của băng và dây vô định hình từ mềm nền coban nhằm ứng dụng làm cảm biến từ tổng trở gmi đo từ trường yếu của các hạt nano từ

Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung

Tải đầy đủ (162 trang)

Trích đoạn nội dung luận án

Tải xuống để đọc toàn bộ

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN _______________________ ĐÀO SƠN LÂM NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT CỦA BĂNG VÀ DÂY VÔ ĐỊNH HÌNH TỪ MỀM NỀN COBAN NHẰM ỨNG DỤNG LÀM CẢM BIẾN TỪ TỔNG TRỞ (GMI) ĐO TỪ TRƯỜNG YẾU CỦA CÁC HẠT NANO TỪ LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội - 2018 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN _______________________ ĐÀO SƠN LÂM NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT CỦA BĂNG VÀ DÂY VÔ ĐỊNH HÌNH TỪ MỀM NỀN COBAN NHẰM ỨNG DỤNG LÀM CẢM BIẾN TỪ TỔNG TRỞ (GMI) ĐO TỪ TRƯỜNG YẾU CỦA CÁC HẠT NANO TỪ Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 62440104 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Người hướng dẫn khoa học: PGS. Ngô Thu Hương PGS. Phan Mạnh Hưởng Xác nhận của Chủ tịch Hội đồng Xác nhận của đại diện tập thể chấm Luận án Tiến sĩ cấp ĐHQG Cán bộ hướng dẫn GS. Bạch Thành Công PGS.

Ngô Thu Hương Hà Nội - 2018 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu khoa học độc lập của riêng tôi. Các số liệu sử dụng phân tích trong luận án có nguồn gốc rõ ràng, đã công bố theo đúng quy định. Các kết quả nghiên cứu trong luận án do tôi tự tìm hiểu, phân tích một cách trung thực, khách quan và phù hợp với thực tiễn của Việt Nam. Các kết quả này chưa từng được công bố trong bất kỳ nghiên cứu nào khác.

Nghiên cứu sinh Đào Sơn Lâm TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, tôi xin bày tỏ lòng kính trọng và lòng biết ơn sâu sắc nhất của mình tới thầy cô hướng dẫn đã ân cần giúp đỡ, động viên, tạo điều kiện thuận lợi và định hướng tốt nhất để tôi thực hiện Luận án này. Tôi xin được gửi lời cảm ơn sâu sắc tới Giáo sư Hariharan Srikanth đã tạo điều kiện và giúp đỡ để tôi thực hiện được phần thực nghiệm quan trọng của luận án tại Khoa Vật lý, trường Đại học Nam Florida, Hoa Kì. Đặc biệt tôi xin chân thành cảm ơn Giáo sư Nguyễn Châu đã đóng góp ý kiến quý báu và giúp đỡ tận tình để tôi hoàn thành được luận án của mình. Tôi xin cảm ơn sự giúp đỡ của các thầy các cô, các anh các chị là nhân viên đang công tác tại Khoa Vật lý, Trung tâm Khoa học Vật Liệu, Trường ĐHKHTN- ĐHQGHN đã cho tôi những ý kiến đóng góp quý báu để tôi hoàn thành luận án của mình.

Đặc biệt, tôi xin được gửi lời cảm ơn chân thành tới Khoa Hóa học Trường ĐHKHTN-ĐHQGHN, Viện Vật liệu tiên tiến và Công nghệ (AIST) thuộc Trường ĐH Bách khoa Hà Nội, Trung tâm Khoa học vật liệu - ĐHKHTN, ĐHQGHN đã giúp tôi thực hiện các phép đo này. Tôi cũng xin bày tỏ lòng biết ơn của mình tới các thành viên thuộc Trung tâm nghiên cứu LABVIEW (Jagannath Devkota, C. Albrecht, Tatiana Eggers, O. Thiabgoh, Kristen Stojak) cùng các cán bộ, nhân viên thuộc Khoa Vật Lý trường Đại học Nam Florida vì sự giúp đỡ nhiệt tình thực hiện các phép đo và sự quan tâm động viên hết sức quý báu với tôi trong quá trình thực hiện Luận án.

Tôi cũng xin được cảm ơn Quỹ Phát triển Khoa học và Công nghệ NAFOTED; Khoa Vật lý, Đại học Nam Florida; Viện Công nghệ Harbin, Trung Quốc đã tạo điều kiện cho tôi về kinh phí và thời gian, cung cấp mẫu băng và dây từ vô định hình nền Co để tôi thực hiện phần thực nghiệm của luận án này. Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Sở Giáo dục và Đào tạo Tỉnh Bắc Giang, các thầy giáo cô giáo Trường THPT Lục Nam đã tạo điều kiện về thời gian và động viên tôi rất nhiều trong khi học tập và thực hiện luận án này. Cuối cùng, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn đến những người thân trong gia đình và bạn bè đã động viên tinh thần và là hậu phương vững chắc giúp tôi yên tâm hoàn thành luận án. Hà Nội, tháng năm 2018 Tác giả TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com MỤC LỤC MỞ ĐẦU.

HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỔ (HIỆU ỨNG GMI). Hiệu ứng từ trở khổng lồ (hiệu ứng GMI). Tổng trở của vật dẫn. Hiệu ứng từ trở khổng lồ phụ thuộc theo tần số của dòng điện xoay chiều.

Hiệu ứng từ trở khổng lồ phụ thuộc theo cường độ dòng điện xoay chiều. Hiệu ứng từ trở khổng lồ phụ thuộc theo từ trường một chiều. Hiệu ứng từ trở khổng lồ phụ thuộc theo nhiệt độ đo. Hiệu ứng từ trở khổng lồ phụ thuộc theo cấu hình vật liệu dạng băng và dây.

Hiệu ứng từ trở khổng lồ phụ thuộc theo độ từ giảo. Hiệu ứng từ trở khổng lồ phụ thuộc theo quá trình ủ trong từ trường và ủ nhiệt. Ứng dụng của hiệu ứng từ trở khổng lồ. VẬT LIỆU BĂNG VÀ DÂY TỪ MỀM VÔ ĐỊNH HÌNH.

Tính chất từ. Tính chất điện. VẬT LIỆU HẠT NANO ÔXIT SẮT TỪ Fe3O4. Cấu trúc tinh thể.

Tính chất từ. Các yếu tố ảnh hưởng đến tính chất từ của hạt nano Fe3O4. 59 1 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail. Tương tác giữa các hạt nano Fe3O4.

Các ứng dụng của hạt nano Fe3O4. Các phương pháp chế tạo hạt nano Fe3O4. 69 KẾT LUẬN CHƯƠNG 1. PHƯƠNG PHÁP CHẾ TẠO VẬT LIỆU VÔ ĐỊNH HÌNH DẠNG BĂNG VÀ DÂY.

Phương pháp chế tạo vật liệu dạng băng vô định hình. Phương pháp chế tạo vật liệu dạng dây vô định hình. NGHIÊN CỨU CẢI THIỆN TÍNH CHẤT TỪ CỦA VẬT LIỆU BĂNG VÀ DÂY VÔ ĐỊNH HÌNH NỀN Co. Ủ nhiệt thông thường.

Khảo sát hiệu ứng GMI trên vật liệu dạng băng và dây vô định hình. CHẾ TẠO HẠT NANO ÔXIT SẮT TỪ Fe3O4 BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÂN HỦY TỪ TIỀN CHẤT HỮU CƠ. KHẢO SÁT ĐỘ NHẠY TỪ TRƯỜNG CỦA VẬT LIỆU DẠNG BĂNG (DÂY) NỀN Co XÁC ĐỊNH TỪ TRƯỜNG YẾU CỦA HỆ HẠT NANO Fe3O4. CÁC PHÉP ĐO SỬ DỤNG NGHIÊN CỨU CÁC HỆ MẪU BĂNG, DÂY TỪ VÔ ĐỊNH HÌNH VÀ HỆ HẠT NANO TỪ TÍNH Fe3O4.

Nhiễu xạ tia X. Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM). Phép đo phổ EDS. Hệ đo các tính chất vật lý.

Từ kế mẫu rung. Kính hiển vi lực nguyên tử (AFM). 88 KẾT LUẬN CHƯƠNG 2. 90 2 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com CHƯƠNG 3.

CẢI THIỆN TÍNH CHẤT TỪ CHO VẬT LIỆU VÔ ĐỊNH HÌNH DẠNG BĂNG DÂY NỀN Co BẰNG PHƯƠNG PHÁP Ủ NHIỆT91 3. CẢI THIỆN TÍNH CHẤT TỪ MỀM CỦA VẬT LIỆU VÔ ĐỊNH HÌNH DẠNG BĂNG CHỨA COBAN BẰNG PHƯƠNG PHÁP Ủ NHIỆT. Tính chất cấu trúc, thành phần, hình thái học bề mặt băng vô định hình nền Co. Tính chất từ băng vô định hình nền Co.

Tính chất từ tổng trở của băng vô định hình nền Co. CẢI THIỆN TÍNH CHẤT TỪ MỀM CỦA DÂY TỪ NỀN COBAN BẰNG PHƯƠNG PHÁP Ủ NHIỆT. Tính chất cấu trúc, thành phần và hình thái bề mặt. Tính chất từ.

Tính chất từ tổng trở. PHÁT HIỆN TỪ TRƯỜNG YẾU TẠO RA BỞI HỆ HẠT NANO TỪ TÍNH Fe3O4 BẰNG CẢM BIẾN TỪ GMI SỬ DỤNG BĂNG VÀ DÂY TỪ NỀN Co LÀM THÀNH PHẦN CHÍNH. NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT HẠT NANO TỪ TÍNH Fe3O4. Tính chất cấu trúc.

Tính chất từ. PHÁT HIỆN TỪ TRƯỜNG YẾU CỦA HẠT NANO Ô XÍT SẮT TỪ BẰNG CẢM BIẾN TỪ TỔNG TRỞ SỬ DỤNG BĂNG TỪ NỀN Co LÀM THÀNH PHẦN CHÍNH. PHÁT HIỆN TỪ TRƯỜNG YẾU CỦA HẠT NANO Ô XÍT SẮT TỪ BẰNG CẢM BIẾN TỪ SỬ DỤNG DÂY TỪ NỀN Co LÀM THÀNH PHẦN CHÍNH. XÁC ĐỊNH TỪ TRƯỜNG YẾU CỦA HỆ HẠT NANO TỪ TÍNH BẰNG PHƯƠNG PHÁP HỒI QUI TUYẾN TÍNH.

133 3 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com KẾT LUẬN CHƯƠNG 4. 142 KẾT LUẬN CHUNG. 143 DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ. 144 LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN.

144 4 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com DANH MỤC CÁC BẢNG Bảng 1.1: Bảng giá trị cực đại gần đúng của độ biến thiên ΔR/R (%), ΔX/X (%) , ΔZ/Z (%) theo từ trường của dây từ Co69,25Fe4,25Si13B13,5 chưa ủ và đã ủ nhiệt trong 20 phút ở các tần số 20 MHz (a-c), 100 MHz (d-e) và 300 MHz (g-i).2: Bảng giá trị của độ biến thiên cực đại R (ΔR/R(%)); X (ΔX/X(%)) và Z (ΔZ/Z(%)) của mẫu băng từ vô định hình nền Fe trong dải tần số cao ở tần số 100, 400, 900 MHz. Bảng giá trị độ từ giảo bão hòa (λS) và giá trị tỉ số [Z/Z]max(%) ở tần số đo f  100KHz và cường độ dòng điện I  5mA đối với mẫu (Co1-xFex)70Si12B18. Bảng so sánh các loại cảm biến .5: Độ lớn khoảng cách giữa các ion kim loại, hằng số mạng a (Å), tham số ôxi u (u=3/8, đặc trưng cho độ dịch chuyển của ion ôxi khỏi mạng lý tưởng ). Bảng giá trị tham số đặc trưng tính chất từ của MFe2O4 (M= Fe, Co, Ni) .7: Bảng thống kê sự phụ thuộc kích thước hạt nano ôxit săt từ theo lượng chất hoạt động bề mặt (mmol) và thể tích dung môi Benzyl ether (ml).

Xác định độ biến thiên giá trị R (hay  R ) và giá trị từ trường yếu (Hstray) ứng với các khối lượng hạt nano từ tính khác nhau.139 5 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ ĐỒ THỊ Hình 1. Sơ đồ đo từ tổng trở của vật dẫn. Sự phụ thuộc của độ thấm sâu (δm) và độ từ thẩm tròn (ngang)µT (a) vào từ trường ngoài (HDC) của mẫu dây từ (b) và băng từ (c). Sự phụ thuộc của độ biến thiên ΔR/R(%), ΔX/X(%) , ΔZ/Z(%) theo từ trường của dây từ Co69,25Fe4,25Si13B13,5 chưa ủ và đã ủ nhiệt trong 20 phút ở các tần số 20 MHz (a-c), 100 MHz (d-e) và 300 MHz (g-i) .4: Sự phụ thuộc của tỉ số ΔR/R (a), ΔX/X (b), và ΔZ/Z (c) theo từ trường kích thích HDC tại các tần số 100 MHz, 400 MHz, 900 MHz và giá trị cực đại của tỉ số ΔR/R(d) , ΔX/X (e), và ΔZ/Z (f) trong dải tần số từ 100 - 1000 MHz của mẫu không phủ (không tô đậm) và đã được phủ Co (tô đậm) của vật liệu (Fe50Ni50)81Nb7B12 được phủ lớp Co .5: Sự phụ thuộc của từ trường dị hướng Hk theo tần số đo được xác định dựa vào đỉnh của các đường cong ΔR/R (a), ΔX/X (b), ΔZ/Z (c) theo từ trường một chiều HDC.6: Ảnh minh họa ứng dụng cảm biến từ tổng trở trong phát hiện tế bào ung thư dạ dày thông qua các hạt từ tính.

Mô phỏng cấu trúc đômen ngang của băng từ vô định hình nền Co. Cấu trúc đômen băng từ Co69Fe4Ni1Mo2B12Si12. Cấu trúc đômen của dây vô định hình nền Co.

Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ

Trích dẫn luận án này

Đào Sơn Lâm (2018). Băng và dây Co: Cảm biến từ tổng trở GMI đo hạt nano từ [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/tai-lieu-khac/luan-an-tien-si-nghien-cuu-tinh-chat-cua-bang-va-day-vo-dinh-hinh-tu-mem-nen-coban-nham-ung-dung-lam-cam-bien-tu-tong-tro-gmi-do-tu-truong-yeu-cua-cac-hat-nano-tu

Câu hỏi thường gặp

Luận án "Băng và dây Co: Cảm biến từ tổng trở GMI đo hạt nano từ" nghiên cứu về vấn đề gì?

Nghiên cứu băng/dây vô định hình coban cho cảm biến từ gmi. Đo từ trường yếu hạt nano từ.

Luận án "Băng và dây Co: Cảm biến từ tổng trở GMI đo hạt nano từ" được bảo vệ tại trường nào?

Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội. Năm bảo vệ: 2018.

Luận án "Băng và dây Co: Cảm biến từ tổng trở GMI đo hạt nano từ" thuộc chuyên ngành gì?

Luận án "Băng và dây Co: Cảm biến từ tổng trở GMI đo hạt nano từ" thuộc chuyên ngành Vật lý chất rắn. Danh mục: Tài liệu khác.

Luận án "Băng và dây Co: Cảm biến từ tổng trở GMI đo hạt nano từ" có bao nhiêu trang?

Luận án "Băng và dây Co: Cảm biến từ tổng trở GMI đo hạt nano từ" có 162 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.

Cách tải luận án "Băng và dây Co: Cảm biến từ tổng trở GMI đo hạt nano từ" về máy như thế nào?

Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.

Luận án liên quan

Chia sẻ tài liệu: Facebook Twitter