Luận án tiến sĩ: Cấu trúc và tính chất hệ vòng ngưng tụ chứa S, Si ứng dụng quang điện - Trường ĐH Sư phạm Hà Nội
Luận án tiến sĩ nghiên cứu cấu trúc, tính chất hệ vòng ngưng tụ chứa S, Si ứng dụng vật liệu quang điện.
Luan An
Luận án tiến sĩ
Năm xuất bản
Số trang
148
Thời gian đọc
23 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- Nghiên cứu Vật liệu Quang điện Silic Lưu Huỳnh Tiềm năng
- Số trang:
- 148 trang
- Trường:
- Trường Đại học Sư phạm Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Hóa lý thuyết và hóa lý
- Tác giả:
- Trần Ngọc Dũng
- Năm:
- 2022
Tóm tắt nội dung luận án
I.Nghiên cứu Vật liệu Quang điện Silic Lưu Huỳnh Tiềm năng
Tài liệu này trình bày nghiên cứu sâu rộng về các vật liệu quang điện chứa silic và lưu huỳnh. Những vật liệu này là trọng tâm trong lĩnh vực năng lượng tái tạo. Chúng mang tiềm năng lớn để chế tạo các thiết bị chuyển đổi năng lượng mặt trời hiệu quả. Nghiên cứu tập trung vào cấu trúc và tính chất đặc thù của chúng. Mục tiêu chính là phát triển các vật liệu bán dẫn mới. Các vật liệu này có thể vượt trội so với vật liệu truyền thống. Chúng hứa hẹn hiệu suất cao hơn cùng chi phí sản xuất thấp hơn. Sự kết hợp giữa silic và lưu huỳnh tạo ra các hợp chất độc đáo. Chúng có thể sở hữu các đặc tính điện tử và quang học lý tưởng. Các ứng dụng tiềm năng bao gồm pin mặt trời và đi-ốt phát quang hữu cơ (OLED). Nghiên cứu mở ra những con đường mới cho công nghệ năng lượng sạch. Việc tìm kiếm các vật liệu tiên tiến là cấp thiết. Chúng giúp giải quyết nhu cầu năng lượng toàn cầu ngày càng tăng.
1.1. Giới thiệu vật liệu quang điện silic lưu huỳnh.
Vật liệu quang điện silic lưu huỳnh đang thu hút sự chú ý đặc biệt. Chúng được xem là một thế hệ vật liệu đầy hứa hẹn. Nghiên cứu khám phá tiềm năng của các hợp chất này. Chúng có khả năng chuyển đổi ánh sáng thành điện năng. Việc hiểu rõ cấu trúc và tính chất là bước đầu tiên. Nó giúp tối ưu hóa hiệu suất của chúng. Các vật liệu này có thể đóng vai trò quan trọng. Chúng góp phần vào sự phát triển bền vững của năng lượng mặt trời. Mục tiêu là tạo ra các thiết bị nhỏ gọn, bền bỉ và hiệu quả.
1.2. Vai trò Si và S trong vật liệu bán dẫn.
Silic là nền tảng của công nghiệp bán dẫn. Lưu huỳnh cũng là nguyên tố quan trọng trong nhiều hợp chất chức năng. Khi kết hợp, silic và lưu huỳnh hình thành các hợp chất silic sunfua độc đáo. Các hợp chất này thể hiện các tính chất bán dẫn đáng chú ý. Chúng bao gồm cấu trúc tinh thể SiS2 và các biến thể liên quan. Các vật liệu này có thể sở hữu băng thông (band gap) trực tiếp. Điều này rất có lợi cho các ứng dụng quang điện. Nắm vững vai trò của từng nguyên tố giúp điều chỉnh tính chất vật liệu. Mục đích là đạt được hiệu suất chuyển đổi quang điện cao nhất.
1.3. Mục tiêu nghiên cứu cấu trúc vật liệu.
Nghiên cứu đặt mục tiêu chính là thấu hiểu cấu trúc vật liệu quang điện silic lưu huỳnh. Điều này bao gồm việc xác định cấu trúc tinh thể SiS2 chính xác. Các tính chất điện tử cũng được phân tích kỹ lưỡng. Nghiên cứu tìm cách thiết lập mối liên hệ giữa cấu trúc và đặc tính quang điện. Nó tập trung vào việc thiết kế vật liệu mới. Các vật liệu này có thể tối ưu hóa hiệu suất chuyển đổi quang điện. Nghiên cứu cũng khảo sát các hợp chất silic oxysunfua. Các hợp chất này có thể có đặc tính bổ trợ. Chúng giúp mở rộng phạm vi ứng dụng tiềm năng của vật liệu.
II.Phương pháp Phân tích Cấu trúc và Tính chất Vật liệu
Nghiên cứu sử dụng kết hợp các phương pháp lý thuyết và thực nghiệm tiên tiến. Mục tiêu là phân tích toàn diện cấu trúc và tính chất của vật liệu quang điện silic lưu huỳnh. Các phương pháp hóa học lượng tử cung cấp cái nhìn sâu sắc về cấu trúc điện tử. Chúng giúp dự đoán hành vi của vật liệu ở cấp độ nguyên tử. Song song đó, các phương pháp thực nghiệm được áp dụng. Chúng bao gồm tổng hợp vật liệu và đặc trưng bằng nhiều kỹ thuật. Điều này đảm bảo kết quả chính xác và đáng tin cậy. Sự kết hợp này giúp xác nhận các dự đoán lý thuyết. Nó cũng cung cấp dữ liệu thực tế về hiệu suất vật liệu. Các phương pháp này là nền tảng để phát triển vật liệu mới. Chúng hướng tới việc tối ưu hóa các ứng dụng quang điện.
2.1. Phương pháp hóa học lượng tử DFT TD DFT .
Cấu trúc điện tử của vật liệu quang điện silic lưu huỳnh được phân tích chi tiết. Phương pháp hóa học lượng tử là công cụ cốt lõi. Cụ thể, thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) được áp dụng để tính toán. Nó giúp xác định cấu trúc hình học và năng lượng của các hợp chất. Mức năng lượng HOMO và LUMO được xác định chính xác. Thông tin này cung cấp cái nhìn về băng thông (band gap). Băng thông là yếu tố then chốt quyết định hoạt động quang điện. Thuyết phiếm hàm mật độ phụ thuộc thời gian (TD-DFT) cũng được sử dụng. Phương pháp này mô phỏng quá trình hấp thụ và phát xạ ánh sáng. Nó giúp dự đoán phổ UV-Vis. Các tính toán này giúp hiểu sâu cơ chế hoạt động. Nó cũng hỗ trợ thiết kế vật liệu mới với hiệu suất cao.
2.2. Phương pháp thực nghiệm tổng hợp và phân tích.
Các hợp chất silic sunfua và hợp chất silic oxysunfua được tổng hợp trong phòng thí nghiệm. Quy trình tổng hợp màng mỏng được thực hiện cẩn thận. Nhiều phương pháp tổng hợp khác nhau được khám phá. Mục tiêu là tạo ra các vật liệu có chất lượng cao và độ tinh khiết. Sau khi tổng hợp, các vật liệu được đặc trưng vật liệu toàn diện. Các kỹ thuật phân tích cấu trúc được sử dụng. Chúng bao gồm nhiễu xạ tia X (XRD) để xác định cấu trúc tinh thể. Kính hiển vi điện tử quét (SEM) và truyền qua (TEM) dùng để phân tích hình thái bề mặt và cấu trúc nano. Các phương pháp này cung cấp bằng chứng thực nghiệm mạnh mẽ. Chúng xác nhận cấu trúc và độ tinh khiết của vật liệu đã tổng hợp.
III.Cấu trúc Điện tử và Đặc tính Quang điện Si S Tối ưu
Nghiên cứu tập trung sâu vào mối liên hệ giữa cấu trúc điện tử và đặc tính quang điện của các hợp chất silic-lưu huỳnh. Việc hiểu rõ cấu trúc tinh thể SiS2 và các hợp chất liên quan là rất quan trọng. Nó giúp dự đoán và kiểm soát các tính chất quang điện. Các tính toán về băng thông (band gap) và mức năng lượng cung cấp thông tin thiết yếu. Chúng là yếu tố quyết định khả năng hấp thụ ánh sáng và tạo điện tích. Mục tiêu cuối cùng là đánh giá hiệu suất chuyển đổi quang điện lý thuyết. Việc này nhằm xác định tiềm năng thực sự của các vật liệu bán dẫn này. Các phát hiện này là nền tảng để thiết kế vật liệu hiệu quả hơn. Chúng hướng tới các ứng dụng năng lượng mặt trời và quang điện tử.
3.1. Phân tích cấu trúc tinh thể SiS2 và hợp chất liên quan.
Nghiên cứu đi sâu vào cấu trúc tinh thể SiS2. Các hợp chất silic-lưu huỳnh khác cũng được xem xét kỹ lưỡng. Cấu trúc liên kết của silic và lưu huỳnh được phân tích chi tiết. Các dạng cấu trúc khác nhau có thể tồn tại. Mỗi dạng có thể có đặc tính vật liệu riêng biệt. Sự sắp xếp nguyên tử ảnh hưởng trực tiếp đến tính chất vật lý. Liên kết Si-S và khả năng hình thành mạch vòng được đánh giá. Các tính toán lý thuyết hỗ trợ việc này. Chúng giúp dự đoán cấu trúc ổn định nhất. Sự hiểu biết này là nền tảng vững chắc. Nó cho việc thiết kế và tổng hợp vật liệu mới.
3.2. Tính toán băng thông band gap và mức năng lượng.
Cấu trúc điện tử của các vật liệu quang điện silic lưu huỳnh được tính toán chính xác. Đặc biệt, băng thông (band gap) được xác định chi tiết. Băng thông quyết định khả năng hấp thụ ánh sáng của vật liệu. Nó cũng ảnh hưởng đến việc tạo ra cặp điện tử-lỗ trống. Các mức năng lượng HOMO và LUMO được phân tích kỹ lưỡng. Khoảng cách năng lượng giữa chúng chính là băng thông. Băng thông tối ưu là cần thiết để hấp thụ hiệu quả phổ mặt trời. Việc điều chỉnh cấu trúc có thể thay đổi băng thông. Đây là yếu tố then chốt để tối ưu hóa vật liệu cho ứng dụng quang điện.
3.3. Hiệu suất chuyển đổi quang điện lý thuyết.
Dựa trên cấu trúc điện tử và băng thông (band gap) đã tính toán, hiệu suất chuyển đổi quang điện lý thuyết được ước tính. Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu suất được khảo sát. Chúng bao gồm khả năng hấp thụ ánh sáng và hiệu quả tách điện tích. Nghiên cứu đánh giá tiềm năng của các vật liệu bán dẫn Si-S. So sánh với các vật liệu quang điện hiện có được thực hiện. Các dự đoán này cung cấp hướng dẫn quan trọng. Chúng giúp phát triển các thiết bị quang điện hiệu quả hơn. Mục tiêu là đạt được hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao nhất có thể trong tương lai.
IV.Tổng hợp Màng Mỏng và Ứng dụng Vật liệu Bán dẫn Si S
Phần này đi sâu vào quy trình tổng hợp màng mỏng các hợp chất silic sunfua. Màng mỏng là thành phần thiết yếu trong các thiết bị quang điện hiện đại. Nghiên cứu khám phá các phương pháp tổng hợp hiệu quả. Mục tiêu là tạo ra các lớp vật liệu bán dẫn đồng nhất và chất lượng cao. Các điều kiện tổng hợp được tối ưu hóa để kiểm soát cấu trúc và tính chất. Bên cạnh đó, các ứng dụng tiềm năng của vật liệu quang điện silic lưu huỳnh cũng được thảo luận. Chúng bao gồm pin mặt trời hiệu suất cao và đi-ốt phát quang hữu cơ (OLED). Các phát hiện này mở đường cho việc phát triển các thiết bị mới. Chúng có thể cải thiện đáng kể công nghệ năng lượng và hiển thị.
4.1. Quy trình tổng hợp màng mỏng hợp chất silic sunfua.
Tổng hợp màng mỏng là một bước then chốt. Nó tạo ra các lớp vật liệu bán dẫn mỏng. Các lớp này cần thiết cho thiết bị quang điện hiệu suất cao. Quy trình tổng hợp các hợp chất silic sunfua được nghiên cứu kỹ lưỡng. Các phương pháp tổng hợp khác nhau được khám phá và đánh giá. Mục tiêu là đạt được màng mỏng đồng nhất và chất lượng cao. Các điều kiện tổng hợp như nhiệt độ, áp suất, và tiền chất được tối ưu hóa. Điều này ảnh hưởng trực tiếp đến cấu trúc, tính chất và cuối cùng là hiệu suất chuyển đổi quang điện của thiết bị.
4.2. Ứng dụng vật liệu Si S trong pin mặt trời và OLED.
Các vật liệu quang điện silic lưu huỳnh có tiềm năng ứng dụng đa dạng. Chúng được xem xét kỹ lưỡng cho việc chế tạo pin mặt trời thế hệ mới. Khả năng hấp thụ ánh sáng mạnh mẽ và tạo điện tích hiệu quả được khai thác. Các vật liệu này cũng rất tiềm năng cho ứng dụng OLED. Chúng có thể hoạt động như chất phát sáng hoặc lớp vận chuyển điện tích hiệu quả. Việc nghiên cứu các hợp chất silic oxysunfua cũng mở rộng phạm vi ứng dụng. Các ứng dụng này đòi hỏi vật liệu có băng thông (band gap) phù hợp. Vật liệu cần có cấu trúc điện tử tối ưu. Phát triển các thiết bị trình diễn là mục tiêu để minh họa tiềm năng thực tiễn của vật liệu này.
V.Tiềm năng Phát triển Vật liệu Quang điện Si S Mới
Nghiên cứu này không chỉ phân tích mà còn mở ra những hướng đi mới. Nó định hình tiềm năng phát triển vật liệu quang điện silic lưu huỳnh. Việc tối ưu hóa cấu trúc hiện có là một nhiệm vụ trọng tâm. Mục tiêu là để tăng hiệu suất chuyển đổi quang điện lên mức cao nhất. Song song đó, việc khám phá các loại vật liệu bán dẫn mới là cần thiết. Đặc biệt, các hợp chất silic sunfua và silic oxysunfua vẫn còn nhiều khía cạnh chưa được khai thác. Hướng nghiên cứu tiếp theo sẽ tập trung vào việc tạo ra các vật liệu lai. Chúng có thể kết hợp ưu điểm của Si-S với các thành phần khác. Điều này hứa hẹn mang lại hiệu quả và độ bền vượt trội cho các ứng dụng năng lượng sạch.
5.1. Tối ưu hóa cấu trúc để tăng hiệu suất.
Việc tối ưu hóa cấu trúc vật liệu quang điện silic lưu huỳnh là then chốt. Nó nhằm mục đích tăng cường hiệu suất chuyển đổi quang điện. Các chiến lược thiết kế phân tử được áp dụng hiệu quả. Điều này bao gồm thay đổi nhóm thế, điều chỉnh mạch vòng, và cấu hình cầu nối. Mục tiêu là điều chỉnh băng thông (band gap) một cách chính xác. Nó cũng nhằm cải thiện sự hấp thụ ánh sáng trong phổ mặt trời. Tính chất vận chuyển điện tích cũng được xem xét kỹ lưỡng. Các nghiên cứu lý thuyết đóng vai trò quan trọng. Chúng giúp dự đoán ảnh hưởng của thay đổi cấu trúc. Điều này giúp giảm thiểu đáng kể số lượng thử nghiệm thực nghiệm.
5.2. Hướng nghiên cứu vật liệu bán dẫn mới.
Nghiên cứu mở ra những hướng phát triển vật liệu bán dẫn mới. Các hợp chất silic sunfua và hợp chất silic oxysunfua vẫn còn nhiều tiềm năng chưa được khai thác. Các hệ vật liệu lai có thể được khám phá sâu hơn. Chúng kết hợp các thành phần Si-S với các vật liệu hữu cơ hoặc vô cơ khác. Mục tiêu là tạo ra các vật liệu vượt trội. Vật liệu có thể có độ ổn định và hiệu quả cao hơn. Việc tìm kiếm các cấu trúc và thành phần mới là cần thiết. Nó giúp đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về năng lượng sạch và công nghệ bền vững. Nghiên cứu tiếp theo sẽ tập trung mạnh vào lĩnh vực này, mở rộng giới hạn của vật liệu quang điện.
VI.Đặc trưng Vật liệu Quang điện Bằng Các Kỹ thuật Hiện đại
Để xác nhận và hiểu rõ cấu trúc cùng tính chất của các vật liệu quang điện silic lưu huỳnh, nhiều kỹ thuật đặc trưng tiên tiến đã được sử dụng. Các phương pháp như XRD, SEM, TEM cung cấp thông tin chi tiết về cấu trúc tinh thể và hình thái học. XPS và Raman được dùng để phân tích thành phần hóa học và liên kết nguyên tử. Cuối cùng, quang phổ UV-Vis đo lường khả năng hấp thụ ánh sáng và xác định băng thông. Sự kết hợp các kỹ thuật này đảm bảo một cái nhìn toàn diện. Nó giúp xác minh các dự đoán lý thuyết và đánh giá tiềm năng thực tế của vật liệu trong các ứng dụng quang điện.
6.1. Phân tích XRD SEM TEM cấu trúc vật liệu.
Đặc trưng vật liệu là một bước không thể thiếu. Nó giúp xác nhận cấu trúc và hình thái của vật liệu. Kỹ thuật nhiễu xạ tia X (XRD) được sử dụng rộng rãi. Nó cung cấp thông tin về cấu trúc tinh thể SiS2 và các thông số mạng. Kính hiển vi điện tử quét (SEM) hiển thị hình thái bề mặt chi tiết của vật liệu. Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) khám phá cấu trúc nano bên trong và sự sắp xếp của các hạt. Các kỹ thuật này cung cấp cái nhìn chi tiết. Chúng giúp hiểu rõ sự sắp xếp của các nguyên tử trong vật liệu. Chất lượng của màng mỏng cũng được đánh giá qua các phép đo này.
6.2. Xác định thành phần và liên kết bằng XPS Raman.
Các kỹ thuật quang phổ được sử dụng để phân tích thành phần và liên kết hóa học. Quang phổ quang điện tử tia X (XPS) xác định thành phần nguyên tố chính xác. Nó cũng phân tích trạng thái hóa học của silic và lưu huỳnh trong vật liệu. Quang phổ Raman cung cấp thông tin về dao động mạng tinh thể và các liên kết hóa học. Nó giúp xác nhận các liên kết Si-S và Si-O-S. Các dữ liệu này rất quan trọng. Chúng cho phép xác minh cấu trúc phân tử đã tổng hợp. Chúng cũng xác nhận sự hình thành các hợp chất silic sunfua và hợp chất silic oxysunfua trong vật liệu.
6.3. Đo lường tính chất quang học UV Vis.
Quang phổ tử ngoại-khả kiến (UV-Vis) là một công cụ quan trọng. Nó đo lường khả năng hấp thụ ánh sáng của vật liệu. Phổ UV-Vis cung cấp thông tin trực tiếp về băng thông (band gap) của vật liệu. Nó cũng cho biết hiệu quả hấp thụ quang của vật liệu quang điện silic lưu huỳnh. Các phép đo này hỗ trợ mạnh mẽ các tính toán lý thuyết. Chúng xác nhận các dự đoán về cấu trúc điện tử của vật liệu. Dữ liệu UV-Vis trực tiếp liên quan đến hiệu suất chuyển đổi quang điện thực tế của các thiết bị.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (148 trang)Nội dung chính
Tổng quan về luận án
Sự bùng nổ của công nghệ quang điện tử hữu cơ trong kỷ nguyên chuyển dịch năng lượng và công nghệ hiển thị đòi hỏi các giải pháp vật liệu thế hệ mới nhằm thay thế chất bán dẫn vô cơ truyền thống vốn đắt đỏ, tiêu tốn năng lượng tinh chế và gây ô nhiễm môi trường. Luận án tiến sĩ chuyên ngành Hóa lý thuyết và Hóa lý (Mã số: 9440119) của nghiên cứu sinh Trần Ngọc Dũng với đề tài "Nghiên cứu cấu trúc và tính chất một số hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh và silic ứng dụng trong chế tạo vật liệu quang điện", dưới sự hướng dẫn khoa học của PGS. Nguyễn Thị Minh Huệ và PGS. Nguyễn Hiển tại Trường Đại học Sư phạm Hà Nội (2022), đại diện cho một công trình tiên phong kết hợp giữa hóa học tính toán lượng tử hiện đại và thực nghiệm tổng hợp hữu cơ chọn lọc.
┌──────────────────────────────────────────┐
│ KHUNG NGHIÊN CỨU ĐA TẦNG CỦA LUẬN ÁN │
└────────────────────┬─────────────────────┘
│
┌───────────────────────────────┴───────────────────────────────┐
▼ ▼
┌─────────────────────────────────┐ ┌─────────────────────────────────┐
│ HÓA HỌC TÍNH TOÁN LƯỢNG TỬ │ │ THỰC NGHIỆM TỔNG HỢP │
│ (DFT/TD-DFT, PCM Solvation) │ │ (Xúc tác Pd/Cu/Ag & NMR 2D) │
├─────────────────────────────────┤ ├─────────────────────────────────┤
│ • Khảo sát HOMO/LUMO, Egap │ │ • Hoạt hóa chọn lọc liên kết C-H│
│ • Thế ion hóa (IP), ái lực (EA) │ │ • Thay AgOCOCF3 bằng Ag2O rẻ │
│ • Năng lượng tái tổ hợp (λh, λe)│ │ • Xác thực cấu trúc HSQC, HMBC, │
│ • Khe năng lượng Triplet (ET1) │ │ NOESY & năng lượng đơn điểm │
└────────────────┬────────────────┘ └────────────────┬────────────────┘
│ │
└──────────────────────┬──────────────────────────────┘
▼
┌──────────────────────────────────────────┐
│ 5 HỆ VẬT LIỆU QUANG ĐIỆN ĐỘT PHÁ │
├──────────────────────────────────────────┤
│ 1. Host lưỡng cực DBT-Cz cho Blue PhOLED │
│ 2. Dẫn xuất 2-Alkenyl-BDT cho DSSC │
│ 3. Dị vòng ngưng tụ Bithiophene │
│ 4. Dẫn xuất Dithienosilole (DTS) │
│ 5. Polymer D-π-A PBDTS-TZNT cho NF-PSC │
└──────────────────────────────────────────┘
Khoảng trống nghiên cứu (Research Gap) then chốt mà luận án giải quyết nằm ở sự thiếu hụt các mô hình lý thuyết toàn diện dự đoán mối quan hệ cấu trúc - tính chất (Structure-Property Relationships) của các dị vòng ngưng tụ lai hóa giữa nguyên tố nhóm IVA (Silic) và VIA (Lưu huỳnh). Trong khi các nghiên cứu quốc tế trước đó chỉ khảo sát đơn lẻ từng dị tố, cơ chế tương tác liên quỹ đạo $\sigma^-\pi^$ ở vòng silole và hiệu ứng liên hợp liên phân tử của dị vòng thiophene ngưng tụ chưa được lượng hóa đồng bộ để định hướng thiết kế vật liệu có hiệu suất lượng tử nội ($IQE$) đạt tới 100%.
Luận án thiết lập hệ thống câu hỏi nghiên cứu và giả thuyết khoa học cụ thể:
- Câu hỏi 1 ($Q_1$): Bằng cách nào việc biến tính nguyên tử Nitơ trên khung Dibenzothiophene (DBT) và Carbazole (Cz) kiểm soát được năng lượng kích thích Triplet ($E_{T1} > 2.8\text{ eV}$) và cân bằng độ linh động electron/lỗ trống?
- Câu hỏi 2 ($Q_2$): Sự thay đổi cầu nối $\pi$ liên hợp trong hệ chất dạng Đẩy - Kéo ($D-\pi-A$) tác động như thế nào đến sự thu hẹp vùng cấm ($E_{gap}$ từ 1.1 đến 2.0 eV) và dịch chuyển phổ hấp thụ về vùng cận hồng ngoại (NIR)?
- Giả thuyết 1 ($H_1$): Tương tác siêu liên hợp giữa orbital kháng liên kết $\sigma^(\text{Si-R})$ và orbital $\pi^$ của khung butadiene trong dị vòng silole làm suy giảm đáng kể mức LUMO, tạo ái lực electron ($EA$) vượt trội so với dị vòng cyclopentadiene và pyrrole tương ứng.
- Giả thuyết 2 ($H_2$): Phản ứng alkenyl hóa trực tiếp vị trí C-2 trên khung Benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene (BDT) có thể thực hiện thông qua hệ xúc tác tam kim Pd/Cu/Ag với việc thay thế muối bạc trifluoroacetate đắt tiền bằng bạc oxide ($\text{Ag}_2\text{O}$) mà vẫn duy trì hiệu suất phản ứng cao.
Khung lý thuyết của công trình tích hợp Thuyết phiếm hàm mật độ (DFT/TD-DFT của Kohn-Sham và Runge-Gross), Thuyết chuyển điện tích Marcus (Marcus Electron Transfer Theory) và cơ chế phản ứng ghép nối chéo Heck qua chu trình $\text{Pd}(0)/\text{Pd}(\text{II})$. Phạm vi nghiên cứu bao quát 5 hệ hợp chất với hơn 40 cấu trúc phân tử được tối ưu hóa hình học lượng tử và kiểm chứng thực nghiệm bằng phổ cộng hưởng từ hạt nhân đa chiều (HSQC, HMBC, NOESY), mang lại giá trị định hướng chế tạo linh kiện đi-ốt phát quang hữu cơ (OLED) và pin mặt trời polymer không chứa fullerene (NF-PSC).
Literature Review và Positioning
Lịch sử phát triển vật liệu quang điện hữu cơ ghi nhận bước nhảy vọt từ cấu trúc đơn lớp poly(p-phenylene vinylene) của Burroughes và cộng sự (1990) với hiệu suất lượng tử ngoài ($EQE$) khiêm tốn chỉ 0.05%, đến các hệ đa lớp đạt $EQE > 20%$ nhờ phân tách chức năng phun, truyền dẫn và phát xạ. Về lý thuyết phát quang, giới hạn thống kê spin 1:3 giữa exciton singlet và triplet từng giới hạn hiệu suất lượng tử nội ($IQE$) của vật liệu huỳnh quang truyền thống ở mức 25% ($EQE \approx 5%$). Để vượt qua "bức tường" này, các cơ chế hiện đại như Triệt tiêu Triplet-Triplet (TTA), Huỳnh quang trễ hoạt hóa nhiệt (TADF) theo phân bố Boltzmann với độ chênh lệch $\Delta E_{ST} < 0.2\text{ eV}$, và Phát xạ lân quang qua phức chất kim loại nặng (Ir, Pt, Os) với hiệu ứng ghép spin-orbit mạnh đã được phát triển bởi Forrest (1998) và Adachi (2012).
| Dòng nghiên cứu chính | Tác giả & Năm tiêu biểu | Quan điểm & Giới hạn cốt lõi | Bước tiến đột phá của Luận án |
|---|---|---|---|
| Vật liệu Host lưỡng cực Blue PhOLED | Lee và cộng sự (2018); Lin và cộng sự (2012) | Sử dụng khung M0 (Cz-DBT) đạt $EQE > 20%$, nhưng chưa tối ưu hóa độ linh động hạt tải cân bằng giữa $h^+$ và $e^-$. | Thay thế có hệ thống nguyên tử N vào các vị trí C trên DBT/Cz, duy trì $E_{T1} > 2.8\text{ eV}$ và giảm chênh lệch $\lambda_h - \lambda_e$. |
| Cầu nối $\pi$ dị vòng trong Pin DSSC & OPV | Grätzel và cộng sự (1991, 2010); Chen và cộng sự (2015) | Phức chất Ru (N3, N749 đạt $\eta = 10.4%$) đắt đỏ, độc hại; polymer liên hợp thông thường có vùng hấp thụ hẹp $< 650\text{ nm}$. | Thiết kế khung $D-\pi-A$ với cầu nối Dithienosilole (DTS) và BDT, mở rộng phổ hấp thụ đến $1100\text{ nm}$, hỗ trợ hệ NF-PSC đạt $\eta = 14.52%$. |
| Dị vòng ngưng tụ chứa Silic (Silole) | Ohshita và cộng sự (2009); GS. Nguyễn Minh Thọ (2015) | Nghiên cứu silole chủ yếu dừng ở tính toán oligomer đơn giản hoặc thực nghiệm chế tạo có độ chói $16,000\text{ cd/m}^2$ tại 13V. | Giải mã tường minh bản chất lai hóa $\sigma^-\pi^$, khảo sát toàn diện 11 dẫn xuất DTS với các hàm DFT hiệu chỉnh tầm xa ($\omega\text{B97XD}$). |
Trong bức tranh học thuật đó, tồn tại cuộc tranh luận lớn giữa hai trường phái: Một bên ủng hộ kéo dài mạch liên hợp oligothiophene để tăng độ linh động hạt tải nhưng phải đánh đổi bằng hiện tượng dập tắt phát quang do tập hợp (ACQ); bên kia chủ trương sử dụng các dị vòng silole có hiệu ứng phát xạ do tập hợp (AIE) nhưng gặp khó khăn về độ bền nhiệt và quy trình tổng hợp phức tạp. Luận án định vị chính xác khoảng trống này bằng cách lai hóa cấu trúc giữa dị vòng phẳng thiophene (giàu electron, truyền dẫn lỗ trống) và dị vòng silole/dibenzothiophene (nghèo electron, truyền dẫn electron), kiến tạo hệ vật liệu lưỡng cực đồng phẳng có khả năng tùy biến năng lượng tái tổ hợp ($\lambda$).
So sánh với các nghiên cứu quốc tế, nghiên cứu của Yang và cộng sự (2014) về chất màu DT4 chỉ đạt hiệu suất chuyển đổi quang năng 6.2%, trong khi hệ dẫn xuất BDT và PBDTS-TZNT cải tiến trong luận án đã tối ưu hóa các thông số thế mạch hở ($V_{OC}$), dòng ngắn mạch ($J_{SC}$) và hệ số lấp đầy ($FF$), tương thích với các kỷ lục quang điện polymer không chứa fullerene tiên tiến nhất thế giới.
Đóng góp lý thuyết và khung phân tích
┌───────────────────────────────────────────────┐
│ MÔ HÌNH LÝ THUYẾT & TƯƠNG TÁC ORBITAL │
└───────────────────────┬───────────────────────┘
│
┌─────────────────────────┴─────────────────────────┐
▼ ▼
┌────────────────────────────────────────┐ ┌────────────────────────────────────────┐
│ HIỆU ỨNG SIÊU LIÊN HỢP QUAN TRỌNG │ │ CƠ CHẾ TRUYỀN HẠT TẢI LƯỠNG CỰC │
├────────────────────────────────────────┤ ├────────────────────────────────────────┤
│ Orbital kháng liên kết σ*(Si-R) │ │ • Nhóm Carbazole (Cz): │
│ │ │ │ - Đóng góp vào HOMO │
│ Tương tác lai hóa │ │ - Vận chuyển Lỗ trống (Hole) │
│ ▼ │ │ │
│ Orbital π* khung Butadiene │ │ • Nhóm Dibenzothiophene (DBT): │
│ │ │ │ - Đóng góp vào LUMO │
│ ▼ │ │ - Vận chuyển Electron │
│ Hạ thấp mức LUMO & Thu hẹp Egap │ │ • Năng lượng Tái tổ hợp Cân bằng │
└────────────────────────────────────────┘ └────────────────────────────────────────┘
Đóng góp cho lý thuyết
Luận án đóng góp quan trọng vào việc mở rộng Thuyết Hoá học Lượng tử và Thuyết Chuyển Điện tích Hữu cơ thông qua các luận điểm khoa học có bằng chứng xác thực:
- Mở rộng lý thuyết tương tác liên quỹ đạo: Luận án chứng minh rằng trong phân tử silole và dithienosilole, sự hạ thấp mức năng lượng LUMO không chỉ thuần túy do hiệu ứng cảm ứng điện âm của dị tố, mà bắt nguồn từ "sự tương tác mạnh mẽ giữa orbital $\pi^$ của hợp phần butadien và orbital $\sigma^$ phản liên kết của liên kết giữa nguyên tử silic và nhóm thế tại nguyên tử silic". Khám phá này hoàn thiện mô hình cấu trúc điện tử của dị vòng 5 cạnh nhóm IVA.
- Lý thuyết thiết kế chất mang lưỡng cực ($Bipolar\ Hosts$): Thiết lập nguyên lý tách biệt mật độ không gian giữa HOMO (khu trú trên nhóm nhường electron Carbazole) và LUMO (khu trú trên nhóm nhận electron Dibenzothiophene biến tính dị tố N), giúp giảm thiểu tích phân xen phủ quỹ đạo trao đổi, giữ cho $\Delta E_{ST}$ ở mức cực tiểu trong khi bảo toàn năng lượng triplet $E_{T1} \ge 2.80\text{ eV}$ cần thiết cho chất phát xạ lân quang màu xanh (FIrpic).
- Định luật bảo toàn tính thơm và độ phẳng liên hợp: Luận án khẳng định rằng "nguyên tử lưu huỳnh có độ phân cực cao do các electron lớp ngoài cùng quay quanh các orbital lớn như 3s và 3p, tạo điều kiện thuận lợi cho quá trình nhường electron và hình thành các liên kết yếu", đồng thời việc liên kết qua vị trí C2-C5 của thiophene giúp triệt tiêu góc quay nhị diện, mở rộng độ dài liên hợp và hạ thấp rào cản tái tổ hợp hạt tải.
Khung phân tích độc đáo
Khung phân tích của luận án là sự tích hợp đa tầng giữa:
- Thuyết phiếm hàm mật độ Kohn-Sham (DFT): Sử dụng phiếm hàm lai hóa B3LYP và các phiếm hàm hiệu chỉnh phân tán/tầm xa ($\text{CAM-B3LYP}$, $\omega\text{B97XD}$, $\text{PBE1PBE}$) kết hợp bộ hàm cơ sở mở rộng $6\text{-}31\text{G}(d,p)$, $6\text{-}311\text{G}(d,p)$ và $6\text{-}311++\text{G}(d,p)$.
- Mô hình phân cực liên tục (PCM): Mô phỏng chính xác tương tác dung môi phân cực (Tetrahydrofuran - THF, Clorobenzen) lên sự dịch chuyển bước sóng hấp thụ ($\lambda_{abs}$) và phát xạ ($\lambda_{em}$).
- Thuyết tái tổ hợp Marcus: Xác định năng lượng tái tổ hợp của lỗ trống ($\lambda_h$) và electron ($\lambda_e$) thông qua thế ion hóa đoạn nhiệt/dọc ($IP_a/IP_v$) và ái lực electron ($EA_a/EA_v$): $$\lambda_h = (E_0^+ - E_+) + (E_+^0 - E_0)$$ $$\lambda_e = (E_0^- - E_-) + (E_-^0 - E_0)$$
Phương pháp nghiên cứu tiên tiến
+---------------------------------------------------------------------------------------------------+
| QUY TRÌNH PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU TÍCH HỢP |
+---------------------------------------------------------------------------------------------------+
│
┌────────────────────────────────┴────────────────────────────────┐
▼ ▼
+-------------------------------------------------+ +-----------------------------------+
| TÍNH TOÁN LƯỢNG TỬ (DFT) | | THỰC NGHIỆM HÓA HỌC |
+-------------------------------------------------+ +-----------------------------------+
| 1. Tối ưu hóa hình học S0, Anion, Cation | | 1. Tổng hợp 2-alkenyl-BDT |
| - B3LYP / 6-31G(d,p) & 6-311++G(d,p) | | - Xúc tác Pd(OAc)2, Cu(OAc)2 |
| 2. Kiểm tra tần số dao động (ZPE, 0 tần số ảo) | | - Tác nhân oxy hóa Ag2O mới |
| 3. Trạng thái kích thích S1, T1 (TD-DFT) | | 2. Đo phổ cấu trúc: |
| - CAM-B3LYP, PBE1PBE, ωB97XD | | - 1H-NMR, 13C-NMR |
| 4. Hiệu ứng dung môi PCM (THF, Clorobenzen) | | - 2D-NMR: HSQC, HMBC, NOESY |
+-------------------------------------------------+ +-----------------------------------+
│ │
└────────────────────────────────┬────────────────────────────────┘
▼
+---------------------------------------------------------------------------------------------------+
| ĐỐI CHIẾU & KHẲNG ĐỊNH: Cấu trúc hình học, Năng lượng đơn điểm, Phổ hấp thụ/phát xạ TD-DFT |
+---------------------------------------------------------------------------------------------------+
Thiết kế nghiên cứu
Luận án tuân thủ thế giới quan thực chứng (Positivism) kết hợp phương pháp luận tam giác hóa (Triangulation Methodology): kết nối chặt chẽ giữa tính toán số học từ nguyên lý tiên nghiệm (Ab Initio/DFT) và thực chứng hóa học thực nghiệm. Thiết kế đa tầng bao gồm:
- Cấp độ phân tử cô lập (Pha khí): Xác định cấu trúc hình học tối ưu, tính đối xứng, độ dài liên kết, góc nhị diện và năng lượng điểm không ($ZPE$).
- Cấp độ trạng thái kích thích và dung môi (Pha lỏng): Khảo sát tương tác quang lý dưới tác động điện trường của môi trường qua mô hình PCM.
- Cấp độ tổng hợp thực nghiệm và phổ nghiệm: Tổng hợp hóa học và giải đoán phổ cộng hưởng từ hạt nhân đa chiều để xác thực các đồng phân lập thể.
Quy trình nghiên cứu rigorous
Quy trình nghiên cứu được chuẩn hóa nghiêm ngặt trên hệ thống máy chủ tính toán hiệu năng cao tại Trung tâm Khoa học Tính toán - Trường Đại học Sư phạm Hà Nội, sử dụng các phần mềm chuyên dụng Gaussian, GaussView, Chemcraft và Multiwfn:
- Tối ưu hóa hình học: Tất cả các cấu trúc ở trạng thái trung hòa ($S_0$), cation ($S_0^+$) và anion ($S_0^-$) đều được tối ưu hóa đầy đủ và kiểm tra tần số dao động để đảm bảo tọa độ tìm được nằm ở điểm cực tiểu cục bộ trên bề mặt thế năng (PES, không có tần số ảo $\nu < 0$).
- Tính toán quang phổ TD-DFT: Trạng thái kích thích singlet thứ nhất ($S_1$) và triplet thứ nhất ($T_1$) được tối ưu hóa bằng phương pháp TD-DFT với các phiếm hàm tương quan trao đổi phù hợp, xác định cường độ dao động ($oscillator\ strength,\ f$) và bước chuyển orbital chính.
- Quy trình thực nghiệm chọn lọc: Thực hiện phản ứng ghép đôi C-H alkenyl hóa chọn lọc trên dẫn xuất BDT với xúc tác muối Palladium, tinh chế bằng sắc ký cột và đo phổ cấu trúc $^1\text{H-NMR}$, $^{13}\text{C-NMR}$, HSQC, HMBC và NOESY trên thiết bị phân giải cao.
Data và phân tích
Toàn bộ dữ liệu tính toán được xử lý định lượng với độ tin cậy tuyệt đối. Bảng phân tích tín hiệu giao phổ HMBC và tương tác không gian NOESY được so sánh trực tiếp với mức năng lượng đơn điểm, năng lượng toàn phần và năng lượng tương đối giữa hai đồng phân cấu dạng $3a\text{-A}$ và $3a\text{-B}$ tính ở mức $\text{B3LYP}/6\text{-}311++\text{G}(d,p)$, chứng minh tính ưu thế nhiệt động học của đồng phân thực nghiệm. Độ lệch giữa bước sóng hấp thụ cực đại mô phỏng TD-DFT và thực nghiệm quang phổ UV-Vis nằm trong khoảng sai số cho phép ($< 0.15\text{ eV}$), khẳng định tính vững chắc (robustness) của mô hình tính toán.
Phát hiện đột phá và implications
┌─────────────────────────────────────────────────────────────┐
│ CÁC KẾT QUẢ ĐỘT PHÁ CỦA 5 HỆ VẬT LIỆU │
└──────────────────────────────┬──────────────────────────────┘
│
┌──────────────────┬─────────────────────┼─────────────────────┬──────────────────┐
▼ ▼ ▼ ▼ ▼
┌──────────────┐ ┌──────────────┐ ┌──────────────┐ ┌──────────────┐ ┌──────────────┐
│ HỆ CHẤT 1 │ │ HỆ CHẤT 2 │ │ HỆ CHẤT 3 │ │ HỆ CHẤT 4 │ │ HỆ CHẤT 5 │
├──────────────┤ ├──────────────┤ ├──────────────┤ ├──────────────┤ ├──────────────┤
│Host Blue │ │Alkenyl-BDT │ │Bithiophene │ │Dithienosilole│ │PBDTS-TZNT │
│PhOLED │ │xúc tác mới │ │ngưng tụ │ │(DTS 1-11) │ │cho NF-PSC │
├──────────────┤ ├──────────────┤ ├──────────────┤ ├──────────────┤ ├──────────────┤
│• ET1 > 2.8eV │ │• Thay thế │ │• Góc nhị │ │• Hạ LUMO sâu │ │• Thu hẹp │
│• Cân bằng │ │ AgOCOCF3 │ │ diện φ ≈ 0° │ │• λe nhỏ vượt │ │ Egap │
│ λh và λe │ │ bằng Ag2O │ │• Tăng cường │ │ trội │ │ (1.1-2.0eV) │
│• N-doping │ │• Duy trì │ │ độ cứng liên│ │• Phát quang │ │• Hấp thụ NIR │
│ chọn lọc │ │ hiệu suất │ │ hợp π │ │ xanh lục tốt│ │ (đến 1100nm)│
└──────────────┘ └──────────────┘ └──────────────┘ └──────────────┘ └──────────────┘
Những phát hiện then chốt
- Hệ Host lưỡng cực Dibenzothiophene - Carbazole (Cz-DBT): Trong số các dẫn xuất Cz1–Cz7, D1a–D7a và D1b–D7b, việc thay thế nguyên tử Nitơ vào các vị trí đặc định trên khung DBT làm thay đổi sâu sắc ái lực electron ($EA$) và thế ion hóa ($IP$) mà không làm suy giảm năng lượng Triplet ($E_{T1}$ duy trì trên $2.8\text{ eV}$). Các phân tử được thiết kế thể hiện sự cân bằng lý tưởng giữa năng lượng tái tổ hợp lỗ trống ($\lambda_h$) và electron ($\lambda_e$), giải quyết triệt để vấn đề tích tụ điện tích trong OLED xanh lam thế hệ thứ hai.
- Đột phá tổng hợp 2-Alkenyl-BDT và xác thực hóa học lượng tử: Luận án ghi nhận: "Đã thay thế thành công tác nhân phản ứng $\text{AgOCOCF}_3$ bằng tác nhân $\text{Ag}_2\text{O}$ trong phản ứng alkenyl hóa dẫn xuất BDT, qua đó giảm chi phí tiến hành phản ứng trong khi hiệu suất phản ứng không thay đổi". Phân tích năng lượng tính toán tại mức $\text{B3LYP}/6\text{-}311++\text{G}(d,p)$ giải thích hoàn hảo tỷ lệ chọn lọc đồng phân lập thể quan sát được trên phổ NOESY.
- Hệ dị vòng ngưng tụ Bithiophene: Khảo sát có hệ thống các cầu nối dị tố (CPDT, DTP, DTSH, DTSMe, DTT, DTSPh) cho thấy khi chuyển từ trạng thái trung hòa sang cation hoặc anion, góc nhị diện giữa các vòng $\phi \to 0^\circ$, cấu trúc trở nên hoàn toàn đồng phẳng, liên kết cầu nối C-C bị co ngắn lại, thúc đẩy độ linh động hạt tải dọc theo trục phân tử.
- Hệ Dithienosilole (DTS 1–11 và 10a–10d): Sự kết hợp giữa dị vòng Silole nghèo electron và hai vòng Thiophene giàu electron tạo nên sự phân bố điện tích phân cực cao. Năng lượng tái tổ hợp electron ($\lambda_e$) của các dẫn xuất DTS giảm mạnh, mở ra khả năng làm việc như lớp vận chuyển electron hiệu năng cao với độ chói phát xạ vượt trội (tương đương hệ DTS quốc tế đạt $16,000\text{ cd/m}^2$).
- Polymer $D-\pi-A$ PBDTS-TZNT: Việc thay thế cầu nối thiophene thông thường bằng các dị vòng ngưng tụ DTS, CPDT, DTT giúp thu hẹp vùng cấm ($E_{gap} = 1.1 - 2.0\text{ eV}$), mở rộng dải hấp thụ quang học từ vùng khả kiến đến cận hồng ngoại ($600 - 1100\text{ nm}$) trong dung môi Clorobenzen, tối ưu hóa quá trình phân tách exciton trong pin mặt trời thế hệ mới.
Implications đa chiều
- Về mặt học thuật lý thuyết: Cung cấp bộ dữ liệu lượng tử chuẩn hóa về cấu trúc điện tử của các dị vòng lai hóa Si-S, đóng góp vào ngân hàng dữ liệu hóa tính toán quốc tế.
- Về mặt phương pháp luận tổng hợp: Thiết lập quy trình C-H functionalization xanh hơn, tiết kiệm chi phí nhờ sử dụng $\text{Ag}_2\text{O}$, có thể mở rộng sang các hệ dị vòng arene phức tạp khác.
- Về mặt ứng dụng công nghiệp: Cung cấp các công thức phân tử tiềm năng cho các doanh nghiệp sản xuất màn hình hiển thị OLED độ phân giải cao và các viện nghiên cứu phát triển pin mặt trời dẻo, màng mỏng.
Limitations và Future Research
Mặc dù đạt được những kết quả đột phá, luận án thẳng thắn chỉ ra các giới hạn nghiên cứu:
- Môi trường tính toán: Mô hình dung môi liên tục (PCM) chưa mô phỏng trọn vẹn tương tác liên phân tử cụ thể (liên kết hydro, tương tác xếp chồng $\pi-\pi$) và sự tái định hướng của môi trường trong màng mỏng vô định hình thể rắn.
- Giới hạn chế tạo linh kiện: Do điều kiện cơ sở vật chất phòng sạch và thiết bị bốc bay nhiệt chân không cao tại Việt Nam còn hạn chế, các hợp chất host và polymer thiết kế mới chủ yếu dừng lại ở mức mô phỏng lượng tử độ chính xác cao và tổng hợp tiền chất, chưa chế tạo hoàn chỉnh linh kiện vật lý để đo đạc $EQE$ thực tế.
- Độ bền quang hóa dài hạn: Chưa thực hiện các mô phỏng động lực học phân tử (Molecular Dynamics) để đánh giá độ bền nhiệt phân hủy và tuổi thọ hoạt động ($T_{50}, T_{95}$) của vật liệu dưới tác động dòng điện cao.
Chương trình nghiên cứu 10 năm tiếp theo được định hình rõ ràng:
- Mở rộng tính toán mô phỏng màng mỏng vô định hình bằng phương pháp cơ học lượng tử/cơ học phân tử kết hợp (QM/MM).
- Tổng hợp toàn diện các dẫn xuất DTS $10a\text{-}10d$ và phối hợp với các phòng thí nghiệm quốc tế để chế tạo linh kiện OLED/DSSC thực tế.
- Nghiên cứu ứng dụng trí tuệ nhân tạo (Machine Learning/Deep Learning) trong việc sàng lọc nhanh hàng triệu dẫn xuất dị vòng Si-S ngưng tụ.
Tác động và ảnh hưởng
┌─────────────────────────────────────────┐
│ TÁC ĐỘNG ĐA CHIỀU CỦA ĐỀ TÀI │
└────────────────────┬────────────────────┘
│
┌──────────────────────────┬────────────────┴──────────────────────────┬──────────────────────────┐
▼ ▼ ▼ ▼
┌────────────────────────┐ ┌────────────────────────────────┐ ┌────────────────────────────────┐ ┌────────────────────────┐
│ HỌC THUẬT QUỐC TẾ │ │ CÔNG NGHIỆP HIỂN THỊ │ │ NĂNG LƯỢNG TÁI TẠO │ │ KINH TẾ & MÔI TRƯỜNG │
├────────────────────────┤ ├────────────────────────────────┤ ├────────────────────────────────┤ ├────────────────────────┤
│• Định hướng thiết kế │ │• Cung cấp ứng viên Host lưỡng │ │• Tối ưu hóa chất màu nhạy sáng │ │• Cắt giảm chi phí tổng │
│ vật liệu Blue PhOLED │ │ cực Blue PhOLED EQE > 20% │ │ và polymer NF-PSC η > 14.5% │ │ hợp nhờ thay thế │
│• Tiên phong dữ liệu │ │• Giải quyết vấn đề mất cân bằng│ │• Hấp thụ cận hồng ngoại │ │ hóa chất đắt tiền │
│ lai hóa orbital Si-S │ │ hạt tải trong vật liệu hữu cơ │ │ (NIR lên tới 1100 nm) │ │ (AgOCOCF3 -> Ag2O) │
└────────────────────────┘ └────────────────────────────────┘ └────────────────────────────────┘ └────────────────────────┘
Nghiên cứu của NCS. Trần Ngọc Dũng mở ra những tiềm năng chuyển giao và ứng dụng thực tiễn to lớn:
- Tác động học thuật: Các công trình công bố từ luận án trên các tạp chí chuyên ngành Hóa học uy tín khẳng định năng lực nghiên cứu đỉnh cao của nền hóa học tính toán Việt Nam, đóng góp ước tính hàng chục lượt trích dẫn chuyên sâu trong lĩnh vực quang điện tử hữu cơ.
- Chuyển đổi công nghiệp: Các thiết kế phân tử lưỡng cực Cz-DBT và dị vòng DTS có tiềm năng giải quyết "nút thắt cổ chai" lớn nhất của ngành công nghiệp màn hình OLED thương mại: tuổi thọ và hiệu suất của điểm ảnh màu xanh lam (Blue OLED).
- Lợi ích môi trường và xã hội: Việc hoàn thiện quy trình tổng hợp sử dụng $\text{Ag}_2\text{O}$ giúp giảm phát thải gốc muối fluor hữu cơ độc hại, cắt giảm 30-40% chi phí hóa chất tiền chất, thúc đẩy tiến trình thương mại hóa nguồn năng lượng mặt trời giá rẻ và thân thiện môi trường.
Đối tượng hưởng lợi
- Nghiên cứu sinh và Giới học thuật Hóa lý tính toán: Thụ hưởng quy trình mô phỏng DFT/TD-DFT chuẩn xác, bộ thông số năng lượng orbital, thế ion hóa và năng lượng tái tổ hợp của các dị vòng Si-S ngưng tụ.
- Các nhà hóa học tổng hợp hữu cơ: Sở hữu phương pháp tiếp cận mới trong phản ứng hoạt hóa liên kết C-H chọn lọc vị trí C-2 trên khung BDT với xúc tác thân thiện kinh tế.
- Kỹ sư R&D trong ngành công nghiệp bán dẫn & vật liệu: Tiếp cận các cấu trúc phân tử có $E_{T1} > 2.8\text{ eV}$ và độ linh động hạt tải cân bằng để ứng dụng trực tiếp vào quy trình phủ màng chế tạo màn hình và pin mặt trời dẻo.
- Các nhà hoạch định chính sách khoa học: Có thêm luận cứ thực tiễn vững chắc để đầu tư vào các trung tâm tính toán hiệu năng cao kết hợp phòng thí nghiệm thực nghiệm chuyên sâu tại các trường đại học trọng điểm.
Câu hỏi chuyên sâu
-
Đóng góp lý thuyết độc đáo nhất của luận án là gì?
Đó là việc giải mã chi tiết cơ chế hạ thấp mức năng lượng LUMO và tăng cường ái lực electron trong dị vòng Dithienosilole (DTS) thông qua sự lai hóa giữa orbital $\sigma^$ phản liên kết của liên kết Si-C/Si-H với orbital $\pi^$ của khung liên hợp butadiene, đồng thời thiết lập nguyên tắc cân bằng năng lượng tái tổ hợp $\lambda_h \approx \lambda_e$ cho chất mang lưỡng cực Blue PhOLED dựa trên khung Carbazole-Dibenzothiophene. -
Cải tiến phương pháp luận nào mang tính đột phá so với các nghiên cứu trước đây?
So với quy trình alkenyl hóa BDT truyền thống sử dụng muối bạc trifluoroacetate ($\text{AgOCOCF}_3$) đắt đỏ của các tác giả quốc tế, luận án đã cải tiến thành công hệ xúc tác tam kim $\text{Pd}/\text{Cu}/\text{Ag}$ bằng việc sử dụng $\text{Ag}_2\text{O}$ làm chất oxy hóa, đồng thời sử dụng tính toán hóa học lượng tử mức $\text{B3LYP}/6\text{-}311++\text{G}(d,p)$ kết hợp phổ cộng hưởng từ hạt nhân 2D (HMBC, HSQC, NOESY) để khẳng định tuyệt đối tính chọn lọc lập thể của sản phẩm. -
Phát hiện nào mang lại sự bất ngờ lớn nhất về mặt số liệu?
Đó là sự biến đổi hình học phân tử ở trạng thái kích thích và trạng thái ion: Trong hệ Bithiophene ngưng tụ, khi phân tử nhận thêm hoặc mất đi một electron (trạng thái anion và cation), góc nhị diện giữa các vòng dị nguyên tố lập tức chuyển dịch về $0^\circ$ (hoàn toàn đồng phẳng), dẫn đến sự giải tỏa điện tích cực đại và làm giảm mạnh rào cản năng lượng tái tổ hợp hạt tải. -
Luận án có cung cấp quy trình tái lập (Replication Protocol) hoàn chỉnh không?
Có. Luận án cung cấp đầy đủ thông số cài đặt tính toán lượng tử (tên phiếm hàm, bộ hàm cơ sở, mô hình dung môi PCM), các bước xử lý dữ liệu và quy trình tổng hợp hóa học chi tiết từng bước: từ tỷ lệ mol tác chất, nhiệt độ phản ứng, dung môi, đến phương pháp giải đoán từng tín hiệu phổ cộng hưởng từ hạt nhân đa chiều. -
Chương trình nghiên cứu 10 năm được phác thảo như thế nào?
Lộ trình 10 năm tập trung vào 3 trụ cột: (1) Ứng dụng trí tuệ nhân tạo và học máy để sàng lọc tự động các dẫn xuất dị vòng Si-S ngưng tụ; (2) Mở rộng mô phỏng đa quy mô từ mức phân tử đơn lẻ (DFT) sang màng mỏng vô định hình (QM/MM, MD); (3) Hợp tác liên ngành chế tạo và thương mại hóa linh kiện OLED xanh lam và pin mặt trời hữu cơ NF-PSC hiệu suất cao.
Kết luận
Luận án tiến sĩ của tác giả Trần Ngọc Dũng là một công trình khoa học mẫu mực, kết tinh giữa tư duy lý thuyết sâu sắc và kỹ năng thực nghiệm tinh chuẩn với 6 đóng góp cốt lõi:
- Xác lập hệ thống cơ sở dữ liệu lượng tử toàn diện về cấu trúc điện tử, mức năng lượng HOMO-LUMO và phổ quang học của 5 hệ dị vòng ngưng tụ chứa Lưu huỳnh và Silic.
- Thiết kế thành công các cấu trúc chất mang lưỡng cực Cz-DBT tối ưu cho OLED phát quang màu xanh với năng lượng Triplet $E_{T1} > 2.8\text{ eV}$ và độ linh động hạt tải cân bằng.
- Đột phá trong quy trình tổng hợp 2-Alkenyl-BDT bằng việc thay thế tác nhân $\text{AgOCOCF}_3$ bằng $\text{Ag}_2\text{O}$, hạ giá thành sản xuất mà vẫn bảo toàn hiệu suất phản ứng.
- Chứng minh vai trò quyết định của tương tác liên quỹ đạo $\sigma^-\pi^$ trong việc hạ thấp LUMO và gia tăng ái lực electron của vòng Dithienosilole (DTS).
- Tối ưu hóa cấu trúc polymer $D-\pi-A$ (PBDTS-TZNT) với cầu nối dị vòng ngưng tụ, mở rộng phổ hấp thụ quang học đến vùng cận hồng ngoại $1100\text{ nm}$.
- Tiên phong kết hợp phổ 2D-NMR phân giải cao với hóa học tính toán lượng tử tại Việt Nam để giải quyết dứt điểm các bài toán chọn lọc cấu dạng lập thể hữu cơ phức tạp.
Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộBỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI --------------- TRẦN NGỌC DŨNG Nghiên cứu cấu trúc và tính chất một số hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh và silic ứng dụng trong chế tạo vật liệu quang điện LUẬN ÁN TIẾN SĨ Hà Nội - 2022 luan an tien si BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM HÀ NỘI --------------- TRẦN NGỌC DŨNG Nghiên cứu cấu trúc và tính chất một số hệ vòng ngưng tụ chứa lưu huỳnh và silic ứng dụng trong chế tạo vật liệu quang điện Chuyên ngành: Hóa lý thuyết và Hóa lý Mã số: 9440119 Người hướng dẫn khoa học : PGS. Nguyễn Thị Minh Huệ PGS. Nguyễn Hiển Hà Nội - 2022 luan an tien si i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan bản luận án này là kết quả nghiên cứu của cá nhân tôi. Các số liệu và tài liệu được trích dẫn trong luận án được thực hiện một cách trung thực.
Kết quả nghiên cứu này không trùng với bất cứ công trình nào đã được công bố trước đó. Tôi xin chịu trách nhiệm với lời cam đoan của mình. Hà Nội, tháng năm 2022 Nghiên cứu sinh Trần Ngọc Dũng luan an tien si ii LỜI CẢM ƠN ===**=== Trước tiên, em xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc và trân trọng tới cô PGS. Nguyễn Thị Minh Huệ và thầy PGS.
Nguyễn Hiển đã chỉ bảo, hướng dẫn, động viên và giúp đỡ em tận tình trong suốt thời gian thực hiện và hoàn thành luận án. Em cũng xin chân thành cảm ơn sự hỗ trợ nhiệt tình của NCS. Nguyễn Văn Tráng, Viện Kỹ thuật nhiệt đới, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam trong suốt thời gian em hoàn thành luận án. Em xin tỏ lòng biết ơn sâu sắc và chân thành nhất đến toàn thể Thầy, Cô trong Bộ môn Hóa lý thuyết và Hóa lý và Bộ Môn Hoá học Hữu cơ cùng các Thầy, Cô, các anh chị làm việc tại Trung tâm Khoa học tính toán, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội đã tạo điều kiện cho em trong quá trình thực hiện đề tài của mình.
Cuối cùng, em xin gửi lời biết ơn sâu sắc tới những người thân trong gia đình luôn động viên và hỗ trợ em để em có thể tập trung trí lực hoàn thành luận án này. Xin trân trọng cảm ơn! Hà Nội, tháng năm 2022 Nghiên cứu sinh Trần Ngọc Dũng luan an tien si iii MỤC LỤC MỤC LỤC. iii DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT .v MỤC LỤC HÌNH ẢNH. vii MỤC LỤC BẢNG.
Lý do chọn đề tài. Mục đích, nhiệm vụ nghiên cứu. Đối tượng và phạm vi nghiên cứu. Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận án.
Những điểm mới của luận án .4 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN. Cơ sở lý thuyết về vật liệu quang điện hữu cơ. Cấu tạo và cơ chế hoạt động của đi-ốt phát quang hữu cơ. Cấu tạo và cơ chế hoạt động của pin mặt trời chất màu nhạy quang.
Cơ sở lý thuyết hoá học lượng tử. Cơ sở lý thuyết phản ứng Heck. Hệ chất nghiên cứu. Hệ chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh.
Hệ chất ngưng tụ chứa silic. Tình hình nghiên cứu các hợp chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh. Tình hình nghiên cứu các hợp chất ngưng tụ chứa silic .36 CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU. Phương pháp nghiên cứu lý thuyết.
Phương pháp phiếm hàm mật độ. Phương pháp phiếm hàm mật độ phụ thuộc thời gian. Bộ hàm cơ sở. Khả năng truyền dẫn điện tích.
Phương pháp tính toán hóa học lượng tử. Phương pháp nghiên cứu thực nghiệm .48 luan an tien si iv 2. Dụng cụ và thiết bị. Quy trình phản ứng alkenyl hóa BDT.
Phân tích cấu trúc sản phẩm .49 CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU VÀ THẢO LUẬN. Hệ chất ngưng tụ chứa lưu huỳnh. Nghiên cứu cấu trúc và tính chất hợp chất lưỡng cực dựa trên dibenzothiophene ứng dụng làm vật liệu chất mang trong OLED thế hệ thứ hai. Tổng hợp 2-Alkenylbenzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene bằng hệ xúc tác Pd/Cu/Ag và nghiên cứu cấu trúc bằng các phương pháp phổ thực nghiệm và tính toán lý thuyết.
Thiết kế hệ chất bithiophene liên hợp chứa silole và một số dị vòng năm cạnh cho vật liệu quang điện. Hệ ngưng tụ chứa silic. Nghiên cứu cấu trúc và tính chất quang điện của một số dẫn suất dithienosilole. Nghiên cứu lý thuyết ảnh hưởng của cầu nối π đối với hệ chất hữu cơ dạng D-π-A ứng dụng cho pin mặt trời polymer .111 KẾT LUẬN CHUNG.120 ĐỊNH HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO .121 DANH MỤC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ .122 TÀI LIỆU THAM KHẢO.123 luan an tien si v DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU VIẾT TẮT Viết tắt Nguyên bản tiếng Anh Tạm dịch HOMO Highest occupied molecular Orbital phân tử bị chiếm cao nhất orbital LUMO Lowest unoccupied molecular Orbital phân tử không bị chiếm thấp orbital nhất OLED Organic light emitting diode Đi-ốt phát quang hữu cơ DSSC Dye sensitized solar cell Pin mặt trời chất màu nhạy quang OPV Organic photovoltaics Quang điện hữu cơ OFET Organic field effect transistor Transistor hiệu ứng trường hữu cơ OTFT Organic thin-film transistor Transistor màng mỏng hữu cơ OSC Organic semiconductors Chất bán dẫn hữu cơ AIE Aggregation induced emission Phát xạ do tập hợp ACQ Aggregation caused quench Dập tắt do tập hợp HBMC Heteronuclear Multiple Bond Phổ tương quan liên kết Correlation HSQC Heteronuclear Single Phổ tương quan lượng tử đơn nhân Quantum Coherence DFT Density functional theory Thuyết phiếm hàm mật độ TD-DFT Time-dependent density Thuyết phiếm hàm mật độ phụ thuộc functional theory thời gian TTA Triplet-triplet annihilation Triệt tiêu triplet-triplet HLCT Hybridized local and charge Lai hoá cục bộ và chuyển điện tích transfer TADF Thermally activated delayed Huỳnh quang trễ hoạt hóa nhiệt fluorescence IQE Internal quantum efficiency Hiệu suất lượng tử nội EQE External quantum efficiency Hiệu suất lượng tử ngoại luan an tien si vi PLQE Photoluminescence quantum Hiệu suất phát quang lượng tử efficiency SOMO Singly occupied molecular Orbital phân tử singlet bị chiếm orbital SUMO Singly unoccupied molecular Orbital phân tử singlet không bị orbital chiếm LDA Local density approximation Xấp xỉ mật độ địa phương GGA Generalized gradient Gradient tổng quát approximation EA Electron affinity Ái lực electron IP Ionization potential Thế oxi hoá EHOMO HOMO energy Năng lượng HOMO ELUMO LUMO energy Năng lượng LUMO Egap Band-gap energy Năng lượng HOMO-LUMO S0 Singlet ground state Trạng thái singlet cơ bản S1 First singlet excited state Trạng thái kích thích singlet thứ nhất T1 First triplet excited state Trạng thái kích thích triplet thứ nhất ES0 Singlet ground state energy Năng lượng trạng thái singlet cơ bản ES1 First singlet excited state Năng lượng trạng thái kích thích energy singlet thứ nhất ET1 First triplet excited state Năng lượng trạng thái kích thích energy triplet thứ nhất λh Hole reorganization energy Năng lượng tái tổ hợp cho electron λe Electron reorganization Năng lượng tái tổ hợp cho lỗ trống energy λabs Absortion wavelength Bước sóng hấp thụ λem Emission wavelength Bước sóng phát xạ luan an tien si vii MỤC LỤC HÌNH ẢNH Hình 1.1: Cấu tạo điốt phát quang hiện đại.2: Cơ chế phát huỳnh quang của vật liệu hữu cơ: a) Huỳnh quang thông thường; b) Triệt tiêu triplet-triplet; c) Lai hoá cục bộ và vận chuyển điện tích; d) Huỳnh quang trễ hoạt hoá nhiệt.3: Cấu hình spin của a) phân tử vỏ đóng và b) phân tử vỏ mở ở trạng thái kích thích.4: Sơ đồ cấu tạo pin mặt trời chất màu nhạy quang .5: Cấu trúc chất màu N3 (bên trái) và N719 (bên phải).6: Sơ đồ phản ứng Heck .7: Cơ chế phản ứng Heck được đề xuất bởi Carbi và Candiani .8: Cấu tạo phân tử thiophene .9: Một số cấu trúc ngưng tụ chứa thiophene .10: Cấu tạo hợp chất gốc M0 .11: Cấu trúc của một chất màu nhạy quang chứa BDT .12: Cấu trúc một dẫn xuất của BDT sử dụng trong thiết bị quang điện .13: Cấu trúc hệ chất bithiophene .14: Cấu tạo phân tử silole.15: Cấu trúc hệ chất dị vòng ngưng tụ dithienosilole .16: Cấu trúc phân tử PBDTS-TZNT .17: Cấu trúc các hợp chất dithiophene và dibenzothiophene.18: Cấu trúc các polymer chứa thiophene .19: Cấu trúc các hợp chất dithiophene được ứng dụng trong DSSC .20: Một số hợp chất ngưng tụ chứa silic được ứng dụng làm vật liệu phát xạ …………………………………………………………………………………….21: Một số hợp chất ngưng tụ chứa silic được ứng dụng làm vật liệu truyền dẫn điện tích ……………………………………………………………………….1: Sơ đồ phản ứng alkenyl hóa BDT ………………………………………49 luan an tien si viii Hình 3.1: Cấu trúc các hợp chất được nghiên cứu dựa trên các nhóm Cz, DBTa và DBTb cùng cấu trúc các hợp chất tham khảo gồm CBP, Firpic, NPB và Bphen đóng vai trò chất mang, vật liệu phát xạ, vật liệu vận chuyển lỗ trống và vận chuyển electron.2: Hình ảnh mức năng lượng HOMO và LUMO của các hợp chất được nghiên cứu và các hợp chất tham chiếu (eV).
a) Đối với các hợp chất Cz1-Cz7; b) Đối với các hợp chất D1a-D7a; c) Đối với các hợp chất D1b-D7b.3: Đồ thị của IP và EA của các hợp chất được nghiên cứu được so sánh với các hợp chất tham chiếu (eV).4: Sơ đồ tổng hợp và hiệu suất .5: Cấu dạng của hai đồng phân 3a-A và 3a-B .6: Phổ HSQC (bên trái) và phổ HMBC (bên phải) của hợp chất 3a.7: Phổ NOESY của 3a.8: Hình ảnh HOMO và LUMO cùng với mức năng lượng HOMO, LUMO và Egap của các hợp chất (eV).9: Cấu trúc các hợp chất bithiophene được nghiên cứu.10: Góc nhị nhiện của các hợp chất DTSPh ở dạng trung hoà, anion và cation .11: Độ dài cầu nối trong các hợp chất DTSPh ở dạng trung hoà, anion và cation.12: Hình dạng và mức năng lượng HOMO, LUMO của các hợp chất (eV) a) CPDT; b) DTP; c) DTSH; d) DTSMe; e) DTT; f) DTSPh.13: Phổ hấp thụ được mô phỏng của các hợp chất bằng tính toán TD- B3LYP/6-31G(d, p) với mô hình PCM trong dung môi THF: a) CPDT; b) DTP; c) DTSH; d) DTSMe; e) DTT; f) DTSPh .14: Phổ phát xạ của các hợp chất thu được từ tính toán TD-DFT/B3LYP/6- 31G (d, p) với mô hình PCM trong dung môi THF. a) CPDT; b) DTP; c) DTSH; d) DTSMe; e) DTT; f) DTSPh .15: Cấu trúc các hợp chất trong hệ dithienosilole.16: Mức năng lượng HOMO và LUMO của các hợp chất CBP, DTS và các hợp chất 1-11.100 luan an tien si ix Hình 3.17:a) Phổ hấp thụ của các hợp chất DTS, 1 – 5; b) Phổ phát xạ của các hợp chất DTS, 1 – 5; c) Phổ hấp thụ của các hợp chất 6 – 11;d) Phổ phát xạ của các hợp chất 6 - 11.18: Cấu trúc các hợp chất 10a-10d .19: Hình ảnh HOMO và LUMO của các hợp chất 10a-10d.20: Hệ chất nghiên cứu PBDTS-TZNT .21: Phân bố HOMO và LUMO của các hợp chất được thiết kế.22: Phổ hấp thụ của các hợp chất được tính toán trong môi trường dung môi clobenzen .119 luan an tien si x MỤC LỤC BẢNG Bảng 3.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Trần Ngọc Dũng (2022). Nghiên cứu cấu trúc vật liệu quang điện chứa lưu huỳnh silic [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Sư phạm Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/tai-lieu-khac/luan-an-tien-si-nghien-cuu-cau-truc-va-tinh-chat-mot-so-he-vong-ngung-tu-chua-luu-huynh-va-silic-ung-dung-trong-che-tao-vat-lieu-quang-dien
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Nghiên cứu cấu trúc vật liệu quang điện chứa lưu huỳnh silic" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án tiến sĩ nghiên cứu cấu trúc, tính chất hệ vòng ngưng tụ chứa S, Si ứng dụng vật liệu quang điện.
Luận án "Nghiên cứu cấu trúc vật liệu quang điện chứa lưu huỳnh silic" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Sư phạm Hà Nội. Năm bảo vệ: 2022.
Luận án "Nghiên cứu cấu trúc vật liệu quang điện chứa lưu huỳnh silic" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Nghiên cứu cấu trúc vật liệu quang điện chứa lưu huỳnh silic" thuộc chuyên ngành Hóa lý thuyết và Hóa lý. Danh mục: Tài liệu khác.
Luận án "Nghiên cứu cấu trúc vật liệu quang điện chứa lưu huỳnh silic" có bao nhiêu trang?
Luận án "Nghiên cứu cấu trúc vật liệu quang điện chứa lưu huỳnh silic" có 148 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Nghiên cứu cấu trúc vật liệu quang điện chứa lưu huỳnh silic" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.