Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạ
Luận án: Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án ts vật lý62 44 01 03. Xem tóm tắt và tải về tại LuanAn.net
Năm xuất bản
Số trang
145
Thời gian đọc
22 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- Tổng quan Hiệu ứng Hall lượng tử: Hố lượng tử & lý thuyết
- Số trang:
- 145 trang
- Trường:
- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
- Tác giả:
- Bùi Đình Hợi
- Năm:
- 2015
Tóm tắt nội dung luận án
I.Tổng quan Hiệu ứng Hall lượng tử Hố lượng tử lý thuyết
Luận án đi sâu vào lý thuyết lượng tử về hiệu ứng Hall, đặc biệt trong các cấu trúc vật liệu bán dẫn thấp chiều. Nghiên cứu tập trung vào hai loại cấu trúc chính: hố lượng tử và siêu mạng bán dẫn. Các cấu trúc này tạo điều kiện hình thành khí điện tử 2 chiều (2DEG), nơi các điện tử bị giam hãm trong không gian hạn chế. Điều này dẫn đến sự lượng tử hóa các mức năng lượng lượng tử, một hiện tượng cốt lõi trong cơ học lượng tử. Sự hiểu biết về hành vi của điện tử trong các hệ này dưới tác động của từ trường mạnh là yếu tố then chốt. Lý thuyết lượng tử cung cấp khuôn khổ để mô tả chính xác các tính chất dẫn điện Hall và điện trở Hall quan sát được. Các phương trình Schrödinger được áp dụng để xác định hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử, làm nền tảng cho việc phân tích hiệu ứng Hall lượng tử trong các điều kiện khác nhau. Nghiên cứu này đóng góp vào sự hiểu biết sâu sắc hơn về vật lý cơ bản của các hệ vật liệu nano và ứng dụng tiềm năng của chúng trong công nghệ điện tử.
1.1. Hệ hai chiều và khái niệm hố lượng tử.
Hệ hai chiều là môi trường quan trọng để nghiên cứu các hiện tượng lượng tử. Khí điện tử 2 chiều (2DEG) hình thành trong các cấu trúc bán dẫn như hố lượng tử. Hố lượng tử là vùng không gian hẹp, giới hạn chuyển động của điện tử về một chiều. Sự giam hãm này dẫn đến sự lượng tử hóa các mức năng lượng lượng tử theo chiều giam hãm. Các điện tử tự do di chuyển trong hai chiều còn lại. Cơ học lượng tử cung cấp các công cụ để tính toán các mức năng lượng và hàm sóng của điện tử trong hố. Điều này tạo ra một nền tảng vững chắc để phân tích các tính chất điện, đặc biệt khi có mặt từ trường mạnh. Hiệu ứng Hall lượng tử là một ví dụ nổi bật của các hiện tượng quan sát được trong 2DEG.
1.2. Lý thuyết lượng tử hiệu ứng Hall trong bán dẫn.
Hiệu ứng Hall là sự xuất hiện của điện áp ngang khi dòng điện chạy qua vật liệu trong từ trường vuông góc. Trong các vật liệu bán dẫn thấp chiều, hiệu ứng Hall có tính chất lượng tử rõ rệt. Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng Hall giải thích sự xuất hiện các bước nhảy điện trở Hall và dẫn điện Hall ở các giá trị chính xác. Điều này liên quan đến sự hình thành các mức Landau do từ trường mạnh. Việc phân tích lý thuyết đòi hỏi giải các phương trình Schrödinger cho điện tử trong hố lượng tử dưới tác động của từ trường. Các yếu tố như tương tác điện tử-phonon cũng ảnh hưởng đáng kể đến các đặc tính này, dẫn đến sự thay đổi điện trở Hall và độ dẫn điện Hall. Luận án nghiên cứu chi tiết những tương tác này để cung cấp một bức tranh toàn diện về hiện tượng.
II.Hiệu ứng Hall trong Hố lượng tử Parabol Phân tích
Nghiên cứu mở rộng vào hiệu ứng Hall trong hố lượng tử parabol (PQW), một cấu hình giam hãm điện tử đặc biệt. Hố lượng tử parabol mô phỏng thế năng dạng parabol, khác biệt so với hố vuông góc. Các điện tử trong PQW chịu ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh, kết hợp với từ trường mạnh. Các yếu tố này làm thay đổi đáng kể các mức năng lượng lượng tử và cơ chế vận chuyển điện tử. Phân tích tập trung vào cả hai trường hợp từ trường vuông góc và song song với mặt phẳng của hố. Tương tác điện tử với phonon quang và phonon âm được xem xét kỹ lưỡng. Những tương tác này là nguồn gây tán xạ chủ yếu, ảnh hưởng trực tiếp đến dẫn điện Hall và điện trở Hall. Việc tính toán và thảo luận kết quả số đóng vai trò quan trọng, cung cấp cái nhìn định lượng về ảnh hưởng của các thông số vật lý và trường ngoài lên hiệu ứng Hall trong PQW.
2.1. Ảnh hưởng từ trường và tương tác electron phonon.
Trong hố lượng tử parabol, hướng của từ trường mạnh quyết định các đặc tính lượng tử. Khi từ trường vuông góc, các mức Landau hình thành. Khi từ trường nằm trong mặt phẳng, thế giam hãm bị biến dạng, ảnh hưởng đến phổ năng lượng. Sự có mặt của sóng điện từ mạnh làm phức tạp thêm động học điện tử. Các tương tác electron-phonon, bao gồm cả phonon quang và phonon âm, đóng vai trò then chốt. Chúng gây ra tán xạ điện tử, làm thay đổi thời gian sống của trạng thái lượng tử và ảnh hưởng trực tiếp đến vận chuyển điện tích. Lý thuyết lượng tử được sử dụng để mô hình hóa những tương tác này, cung cấp cơ sở cho việc dự đoán các hiện tượng dẫn điện Hall và điện trở Hall trong PQW.
2.2. Mức năng lượng lượng tử và dẫn điện Hall.
Phổ năng lượng của điện tử trong hố lượng tử parabol dưới tác dụng từ trường và sóng điện từ mạnh được tính toán chi tiết. Các mức năng lượng lượng tử không chỉ phụ thuộc vào hình dạng thế năng mà còn bị điều chỉnh bởi các trường ngoài. Việc giải phương trình Schrödinger là bước cơ bản để xác định các trạng thái này. Dựa trên các mức năng lượng và hàm sóng, dẫn điện Hall và điện trở Hall được tính toán. Kết quả số cho thấy sự phụ thuộc phức tạp của các đại lượng này vào cường độ từ trường, tần số sóng điện từ và các thông số tương tác phonon. Những phân tích này giúp hiểu rõ hơn về hành vi lượng tử của điện tử trong môi trường giam hãm và tiềm năng ứng dụng của nó trong các thiết bị điện tử tốc độ cao.
III.Khám phá Hiệu ứng Hall Hố lượng tử Vuông góc chi tiết
Nghiên cứu chuyển sang phân tích hiệu ứng Hall trong hố lượng tử vuông góc (SQW) với thế cao vô hạn. Đây là một mô hình cơ học lượng tử cơ bản nhưng cung cấp cái nhìn sâu sắc về hành vi của khí điện tử 2 chiều. Khác với hố parabol, thế năng giam hãm trong SQW là một hàm bước. Các điện tử trong SQW cũng chịu ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh và từ trường mạnh, tạo ra một hệ thống phức tạp để nghiên cứu. Luận án xem xét các trường hợp từ trường vuông góc và song song với mặt phẳng tự do của điện tử. Mục tiêu là xác định cách các tương tác electron-phonon (quang và âm) ảnh hưởng đến dẫn điện Hall và điện trở Hall. Kết quả tính số và thảo luận đưa ra so sánh với hố parabol, làm nổi bật sự khác biệt do hình dạng thế năng giam hãm.
3.1. Phản ứng điện tử trong từ trường mạnh.
Trong hố lượng tử vuông góc, thế năng giam hãm có dạng hình hộp, dẫn đến các mức năng lượng lượng tử đặc trưng. Khi đặt trong từ trường mạnh, chuyển động của điện tử bị thay đổi đáng kể. Từ trường vuông góc tạo ra các mức Landau, trong khi từ trường song song làm biến dạng thế năng và thay đổi phổ năng lượng. Sự có mặt của sóng điện từ mạnh làm cộng hưởng với các chuyển dịch điện tử giữa các mức năng lượng, ảnh hưởng đến phản ứng điện tử của hệ. Lý thuyết lượng tử được áp dụng để giải thích những hiệu ứng này, xác định cách các yếu tố bên ngoài tác động đến các tính chất vật lý của khí điện tử 2 chiều trong SQW.
3.2. Ảnh hưởng phonon tới điện trở Hall.
Các tương tác giữa điện tử và phonon (cả phonon quang và phonon âm) là cơ chế tán xạ chính trong hố lượng tử vuông góc. Những tương tác này đóng vai trò quan trọng trong việc xác định điện trở Hall và dẫn điện Hall. Sự trao đổi năng lượng và động lượng giữa điện tử và phonon làm thay đổi trạng thái của điện tử, dẫn đến sự biến đổi trong các đặc tính vận chuyển. Việc nghiên cứu ảnh hưởng của các loại phonon khác nhau cung cấp thông tin chi tiết về cơ chế mất mát năng lượng trong hệ. Kết quả tính toán cho thấy sự phụ thuộc của điện trở Hall vào nhiệt độ, cường độ từ trường và loại phonon, góp phần làm sâu sắc thêm hiểu biết về hiệu ứng Hall lượng tử trong SQW.
IV.Hiệu ứng Hall lượng tử trong Siêu mạng Bán dẫn pha tạp
Luận án tiếp tục nghiên cứu hiệu ứng Hall lượng tử trong siêu mạng bán dẫn pha tạp (DSSL), một cấu trúc phức tạp hơn so với hố lượng tử đơn lẻ. Siêu mạng là chuỗi các hố lượng tử và hàng rào thế xen kẽ, tạo ra một cấu trúc dải năng lượng độc đáo. Sự pha tạp trong siêu mạng cung cấp thêm các hạt tải điện, hình thành khí điện tử 2 chiều trong mỗi hố. Tương tự như các hố lượng tử, siêu mạng pha tạp chịu ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh và từ trường mạnh. Việc phân tích lý thuyết lượng tử đòi hỏi phải xem xét cấu trúc dải năng lượng phức tạp và các cơ chế tán xạ. Nghiên cứu xem xét cả hai trường hợp từ trường vuông góc và song song với mặt phẳng siêu mạng. Kết quả tính số và thảo luận làm rõ vai trò của cấu trúc siêu mạng và tương tác điện tử-phonon đối với hiệu ứng Hall.
4.1. Cơ chế dẫn điện Hall trong siêu mạng.
Siêu mạng bán dẫn pha tạp tạo ra một môi trường độc đáo cho các điện tử. Cấu trúc lặp lại của hố lượng tử và hàng rào dẫn đến sự hình thành các dải con lượng tử (minibands). Khí điện tử 2 chiều trong mỗi hố lượng tử của siêu mạng thể hiện các tính chất vận chuyển đặc trưng. Cơ chế dẫn điện Hall trong siêu mạng pha tạp phức tạp hơn do sự tương tác giữa các hố lân cận và cấu trúc dải năng lượng. Lý thuyết lượng tử được sử dụng để mô tả phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử trong từ trường mạnh. Sự hiện diện của sóng điện từ mạnh có thể gây ra các chuyển dịch điện tử giữa các dải con, ảnh hưởng đến dẫn điện Hall tổng thể của hệ thống.
4.2. Tương tác điện tử và biến đổi điện trở Hall.
Các tương tác giữa điện tử và phonon (phonon quang, phonon âm) đóng vai trò quan trọng trong siêu mạng bán dẫn pha tạp. Chúng là nguyên nhân chính gây ra điện trở Hall. Các tương tác này làm tán xạ điện tử, phá vỡ động lượng và làm thay đổi các đặc tính vận chuyển. Nghiên cứu xem xét cách cường độ từ trường, tần số sóng điện từ và thông số cấu trúc siêu mạng ảnh hưởng đến các tương tác này. Kết quả phân tích lý thuyết lượng tử và tính số cho thấy sự biến đổi của điện trở Hall và dẫn điện Hall trong siêu mạng dưới các điều kiện khác nhau. Những hiểu biết này có ý nghĩa quan trọng trong việc thiết kế và tối ưu hóa các thiết bị điện tử dựa trên siêu mạng.
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (145 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ----------------------- BÙI ĐÌNH HỢI LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VÀ SIÊU MẠNG LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ HÀ NỘI, 2015 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ----------------------- BÙI ĐÌNH HỢI LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VÀ SIÊU MẠNG Chuyên ngành : Vật lí lí thuyết và vật lí toán Mã số: 62440103 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÍ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC GS. TRẦN CÔNG PHONG GS. NGUYỄN QUANG BÁU HÀ NỘI, 2015 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Các kết quả nghiên cứu được nêu trong luận án là trung thực và chưa từng được công bố trong bất kỳ công trình nào khác.
Tác giả luận án Bùi Đình Hợi i TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com LỜI CẢM ƠN Tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành và sâu sắc nhất đến GS. Trần Công Phong và GS. Nguyễn Quang Báu - những người thầy đã tận tình hướng dẫn, đóng góp những ý kiến quý báu cho tác giả trong suốt quá trình thực hiện luận án. Tác giả xin chân thành cám ơn Ban Giám hiệu, Khoa Vật lý và phòng Sau đại học của Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội, đã tạo điều kiện tốt nhất cho tác giả hoàn thành luận án này.
Tác giả cũng bày tỏ lòng biết ơn chân thành tới các thầy, cô và các bạn đồng nghiệp thuộc Bộ môn Vật lý lý thuyết, khoa Vật lý của Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội đã đóng góp ý kiến quý báu cho luận án. Tác giả xin chân thành cám ơn Ban Giám hiệu và các phòng, khoa chức năng của Trường Đại học Xây dựng đã tạo mọi điều kiện thuận lợi về thời gian và hỗ trợ kinh phí cho tác giả trong thời gian nghiên cứu và hoàn thành luận án. Cuối cùng, tác giả xin cám ơn sự giúp đỡ tận tình của các anh chị đồng nghiệp trong bộ môn Vật lý, Trường Đại học Xây dựng, bạn bè và những người thân trong gia đình đã động viên cho tác giả hoàn thành luận án này. Tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến mọi người.
Tác giả luận án ii TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com MỤC LỤC Mục lục. 1 Bảng đối chiếu thuật ngữ Anh - Việt và các chữ viết tắt. 4 Danh mục một số ký hiệu thường dùng. 5 Bảng giá trị các thông số cơ bản trong bán dẫn GaAs và GaN.
6 Danh mục các hình vẽ, đồ thị. TỔNG QUAN VỀ HỆ HAI CHIỀU VÀ LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HIỆU ỨNG HALL TRONG BÁN DẪN KHỐI. Tổng quan về hố lượng tử và siêu mạng. Phổ năng lượng và hàm sóng của electron trong hố lượng tử khi đặt trong từ trường và điện trường vuông góc với nhau.
Phổ năng lượng và hàm sóng của electron trong siêu mạng bán dẫn khi đặt trong từ trường và điện trường vuông góc với nhau. Phương pháp phương trình động lượng tử và lý thuyết lượng tử về hiệu ứng Hall trong bán dẫn khối. HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ PARABOL DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH. Trường hợp từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron.
Tương tác electron - phonon quang. Tương tác electron - phonon âm. Kết quả tính số và thảo luận. 42 1 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.
Trường hợp từ trường nằm trong mặt phẳng tự do của electron. Tương tác electron - phonon quang. Tương tác electron - phonon âm. Kết quả tính số và thảo luận.
Kết luận chương 2. HIỆU ỨNG HALL TRONG HỐ LƯỢNG TỬ VUÔNG GÓC VỚI THẾ CAO VÔ HẠN DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH. Trường hợp từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron. Tương tác electron - phonon quang.
Tương tác electron - phonon âm. Kết quả tính số và thảo luận. Trường hợp từ trường nằm trong mặt phẳng tự do của electron. Tương tác electron - phonon quang.
Tương tác electron - phonon âm. Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chương 3. HIỆU ỨNG HALL TRONG SIÊU MẠNG BÁN DẪN PHA TẠP DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH.
Trường hợp từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron. Tương tác electron - phonon quang. Tương tác electron - phonon âm. 89 2 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.
Kết quả tính số và thảo luận. Trường hợp từ trường nằm trong mặt phẳng tự do của electron. Tương tác electron - phonon quang. Tương tác electron - phonon âm.
Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chương 4. 107 CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN. 109 TÀI LIỆU THAM KHẢO.
122 3 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ ANH - VIỆT VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT Tiếng Anh Tiếng Việt Viết tắt Zero dimension Không chiều 0D One dimension Một chiều 1D Two dimensions Hai chiều 2D Three dimensions Ba chiều 3D Semiconductor superlattice Siêu mạng bán dẫn Compositional semiconductor Siêu mạng bán dẫn hợp phần superlattice CSSL Doped semiconductor superlattice Siêu mạng bán dẫn pha tạp DSSL Parabolic quantum well Hố lượng tử parabol PQW Quantum well Hố lượng tử QW Square quantum well Hố lượng tử vuông góc SQW Optical phonon Phonon quang Acoustic phonon Phonon âm Vacuum permittivity Độ cảm chân không Acoustic deformation potential Thế biến dạng âm Electron form factor Thừa số dạng electron Magnetoconductivity Độ dẫn từ Magnetoresistance Từ trở Hall conductivity Độ dẫn Hall Hall resistance Điện trở Hall Hall coefficient Hệ số Hall 4 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com DANH MỤC MỘT SỐ KÝ HIỆU THƯỜNG DÙNG Đại lượng Ký hiệu Bán kính cyclotron `B Độ rộng SQW Lz Chu kỳ siêu mạng d Tần số giam giữ đặc trưng của PQW ωz Tần số plasma đặc trưng cho DSSL ωp Tần số sóng điện từ ω Tần số phonon quang không tán sắc ω0 Tần số cyclotron ωc Chỉ số mức Landau N Chỉ số mini vùng n Từ trường B Điện trường không đổi E1 Biên độ sóng điện từ E0 Điện tích của electron e Hằng số Boltzmann kB Hằng số Planck rút gọn ~ = h/(2π) Độ thẩm điện môi cao tần/tĩnh χ∞ /χ0 Hằng số điện (độ cảm chân không) κ Khối lượng hiệu dụng/trạng thái tự do của electron me /m0 Vận tốc sóng âm vs Mật độ khối lượng vật liệu ρ Mật độ electron n0 Thế biến dạng âm Ed Năng lượng Fermi εF Năng lượng của photon ~ω Năng lượng của phonon ~ωq~ Độ dẫn từ σxx , σzz Độ dẫn Hall σyx , σzx Từ trở ρxx , ρzz Hệ số Hall RH 5 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Bảng giá trị các thông số cơ bản trong bán dẫn GaAs và GaN Thông số Ký hiệu GaAs (GaN) Độ thẩm điện môi cao tần χ∞ 10.47) Độ thẩm điện môi tĩnh χ0 13.4) Hằng số thế biến dạng Ed 13.2) eV Khối lượng của electron tự do m0 9.1 × 10−31 kg Khối lượng hiệu dụng của electron me 0.206m0 ) Mật độ tinh thể ρ 5320 (6150) kg.m−3 Năng lượng Fermi εF 0.187) eV Năng lượng của phonon quang (không tán sắc) ~ω0 36.57) meV Vận tốc sóng âm vs 5370 (6560) m.s−1 6 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com Danh sách hình vẽ 1.1 Dị cấu trúc hố lượng tử (a) và sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng tương ứng (b).2 (a) Cấu trúc đa hố lượng tử. Khi độ dày các lớp ngăn cách B đủ nhỏ thì cấu trúc là một siêu mạng. (b) Sơ đồ cấu trúc vùng năng lượng của siêu mạng.1 Sự phụ thuộc của từ trở ρxx vào từ trường B (hình trái) và nghịch đảo từ trường 1/B (hình phải) trong PQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon âm tại các giá trị khác nhau của nhiệt độ khi không có mặt sóng điện từ.2 Sự phụ thuộc của biên độ tương đối của từ trở vào nhiệt độ trong PQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon âm tại T0 = 1. Các ô vuông đậm là tính toán của chúng tôi, các hình tròn đậm là kết quả thực nghiệm trong đa hố lượng tử GaAs/Al0.68 As [3], đường gạch gạch là công thức lý thuyết (2.29) của các tác giả khác.
Các tham số khác được cho như trên hình 2.3 Sự phụ thuộc của từ trở vào từ trường tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ của hố parabol ωz khi không có mặt sóng điện từ (E0 = 0). 45 7 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.5 (bên phải) Sự phụ thuộc của từ trở vào tỷ số ω/ωc với ωc cố định tại các giá trị khác nhau của biên độ sóng điện từ.6 Sự phụ thuộc của hệ số Hall vào từ trường trong PQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon âm trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch gạch).7 Sự phụ thuộc của hệ số Hall vào từ trường tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ của hố thế.8 Sự phụ thuộc của độ dẫn σxx vào năng lượng cyclotron ~ωc trong PQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon quang trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch gạch).9 Sự phụ thuộc của độ dẫn σxx vào năng lượng cyclotron ~ωc tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ ωz khi không có sóng điện từ (E0 = 0).10 Sự phụ thuộc của từ trở ρxx vào nhiệt độ T tại các giá trị khác nhau của biên độ sóng điện từ E0. 51 8 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.11 Sự phụ thuộc của hệ số Hall RH vào từ trường B trong PQW khi từ trường vuông góc với mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon quang trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch gạch).12 Sự phụ thuộc của từ trở ρzz vào từ trường B trong PQW khi từ trường nằm trong mặt phẳng tự do của electron và xét tương tác electron - phonon quang trong hai trường hợp: không có sóng điện từ (đường liền nét) và có mặt sóng điện từ (đường gạch gạch).13 Sự phụ thuộc của từ trở ρzz vào từ trường B tại các giá trị khác nhau của tần số giam giữ khi không có sóng điện từ (E0 = 0).
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Bùi Đình Hợi (2015). Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/tai-lieu-khac/luan-an-tien-si-ly-thuyet-luong-tu-ve-hieu-ung-hall-trong-ho-luong-tu-va-sieu-mang-luan-an-ts-vat-ly62-44-01-03
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án: Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố lượng tử và siêu mạng luận án ts vật lý62 44 01 03. Xem tóm tắt và tải về tại LuanAn.net
Luận án "Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội. Năm bảo vệ: 2015.
Luận án "Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố" thuộc chuyên ngành Vật lí lí thuyết và vật lí toán. Danh mục: Tài liệu khác.
Luận án "Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố" có bao nhiêu trang?
Luận án "Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố" có 145 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Luận án tiến sĩ lý thuyết lượng tử về hiệu ứng hall trong hố" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.