Luận án tiến sĩ: Nghiên cứu một số hiệu ứng động trong các hệ bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh bức xạ laser - Nguyễn Đình Nam
Nghiên cứu hiệu ứng động trong hệ bán dẫn thấp chiều dưới tác động của sóng điện từ mạnh bức xạ laser, đề xuất mô hình và giải pháp ứng dụng.
Năm xuất bản
Số trang
138
Thời gian đọc
21 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- Tổng quan về Bán dẫn Thấp chiều và Hiệu ứng Động
- Số trang:
- 138 trang
- Trường:
- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
- Tác giả:
- Nguyễn Đình Nam
- Năm:
- 2019
Tóm tắt nội dung luận án
I.Tổng quan về Bán dẫn Thấp chiều và Hiệu ứng Động
Nghiên cứu tập trung vào các hệ bán dẫn thấp chiều. Những hệ này thể hiện các hiệu ứng lượng tử độc đáo. Điện tử bị giam hãm trong không gian hạn chế. Điều này tạo ra phổ năng lượng rời rạc. Giếng lượng tử, dây lượng tử và chấm lượng tử là các ví dụ điển hình. Chúng hình thành nên vật liệu 2D và các cấu trúc khác. Hiểu biết sâu sắc về chúng rất quan trọng. Đặc biệt là khi có mặt sóng điện từ mạnh. Bức xạ laser tác động đáng kể lên tính chất vật liệu. Nghiên cứu này khám phá cách laser thay đổi các đặc tính vận chuyển. Mục tiêu là làm rõ cơ chế tương tác ánh sáng-vật chất. Điều này mở ra nhiều ứng dụng tiềm năng. Ví dụ trong quang điện tử và thiết bị lượng tử. Đây là lĩnh vực vật lý chất rắn đang phát triển nhanh chóng.
1.1. Khái niệm Hệ Bán dẫn Thấp chiều
Hệ bán dẫn thấp chiều có kích thước hạn chế. Điện tử chỉ có thể di chuyển trong một hoặc hai chiều. Giếng lượng tử (QW) là cấu trúc 2D. Dây lượng tử là 1D, chấm lượng tử là 0D. Các vật liệu này có tính chất điện và quang khác biệt. Chúng không giống với bán dẫn khối thông thường. Sự giam hãm lượng tử làm thay đổi đáng kể phổ năng lượng của điện tử. Các vật liệu 2D như graphene và các dichalcogenide kim loại chuyển tiếp cũng thuộc nhóm này. Nghiên cứu này tập trung vào giếng lượng tử và siêu mạng. Các cấu trúc siêu mạng bao gồm siêu mạng hợp phần và siêu mạng pha tạp. Việc hiểu rõ cấu trúc năng lượng là nền tảng. Điều này giúp phân tích hiệu ứng động sau này. Đặc biệt khi hệ bị kích thích bởi sóng điện từ mạnh. Các hệ này là cốt lõi cho công nghệ nano hiện đại.
1.2. Phương pháp Lý thuyết cho Hiệu ứng Động
Luận án sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử. Đây là công cụ mạnh mẽ để mô tả động học điện tử. Phương pháp này áp dụng cho các hệ bán dẫn thấp chiều. Nghiên cứu giải thích các hiệu ứng động. Bao gồm từ trở, hiệu ứng Hall và hiệu ứng âm-điện-từ. Những hiệu ứng này được khảo sát trong điều kiện đặc biệt. Đó là khi có sóng điện từ mạnh. Bức xạ laser cung cấp năng lượng lớn. Năng lượng này tương tác với điện tử. Nó làm thay đổi đáng kể quá trình tán xạ. Phương pháp lý thuyết giúp tính toán các đại lượng vật lý. Ví dụ như độ dẫn điện và hệ số vận chuyển. Phân tích tương tác ánh sáng-vật chất là trọng tâm. Hiểu rõ các tương tác này là chìa khóa. Điều này giúp dự đoán hành vi của vật liệu. Nhằm thiết kế thiết bị quang điện tử tiên tiến.
II.Từ trở trong Bán dẫn Thấp chiều với Bức xạ Laser
Hiệu ứng từ trở là sự thay đổi điện trở suất. Điều này xảy ra khi có từ trường ngoài. Luận án nghiên cứu từ trở trong bán dẫn thấp chiều. Đặc biệt là khi có bức xạ laser mạnh. Laser làm thay đổi đường đi của điện tử. Nó cũng ảnh hưởng đến các quá trình tán xạ. Sự hiện diện của sóng điện từ mạnh tạo ra một trường hiệu dụng. Trường này ảnh hưởng đến sự vận chuyển của điện tử. Việc này dẫn đến những thay đổi phức tạp trong từ trở. Nghiên cứu xem xét nhiều loại cấu trúc bán dẫn thấp chiều. Ví dụ như giếng lượng tử và các loại siêu mạng. Mục tiêu là định lượng tác động của laser. Đồng thời, tìm hiểu cơ chế vật lý đằng sau các biến đổi này. Kết quả có ý nghĩa trong việc phát triển cảm biến từ và linh kiện điện tử.
2.1. Từ trở trong Giếng Lượng tử và Siêu mạng Hợp phần
Phần này tập trung vào từ trở trong giếng lượng tử. Giếng lượng tử với hố thế parabol được khảo sát chi tiết. Bức xạ laser mạnh tác động lên các giếng này. Nó làm thay đổi đáng kể đặc tính vận chuyển. Các biểu thức từ trở được thiết lập. Từ đó, tiến hành tính toán số. Kết quả cho thấy sự phụ thuộc phức tạp vào cường độ laser. Sự hiện diện của sóng điện từ cũng ảnh hưởng đến giam hãm lượng tử. Tiếp theo là nghiên cứu từ trở trong siêu mạng hợp phần. Cấu trúc siêu mạng này có tiềm năng ứng dụng cao. Sự biến đổi của từ trở dưới tác động laser được phân tích. So sánh kết quả lý thuyết với các dữ liệu thực nghiệm tiềm năng. Điều này giúp xác nhận mô hình và hiểu rõ hơn quang phi tuyến trong hệ.
2.2. Từ trở trong Siêu mạng Pha tạp dưới Laser Mạnh
Nghiên cứu mở rộng sang siêu mạng pha tạp. Đây là loại siêu mạng có các nguyên tử pha tạp. Các nguyên tử này ảnh hưởng đến nồng độ và tính chất điện tử. Từ trở trong siêu mạng pha tạp được xem xét. Đặc biệt khi có mặt bức xạ laser mạnh. Laser có thể tạo ra các hiệu ứng quang phi tuyến. Các hiệu ứng này thay đổi động học điện tử. Các biểu thức từ trở được xây dựng cụ thể cho hệ này. Sau đó, tiến hành tính toán số để đánh giá. Kết quả phân tích chỉ ra sự ảnh hưởng của pha tạp. Nó cũng làm rõ tác động của cường độ và tần số laser. Việc này giúp hiểu sâu hơn về tương tác ánh sáng-vật chất. Đồng thời, cung cấp cơ sở cho việc điều khiển tính chất từ-điện. Đặc biệt là trong các thiết bị bán dẫn thấp chiều.
III.Phân tích Hiệu ứng Hall trong Bán dẫn Thấp chiều
Hiệu ứng Hall là một hiện tượng quan trọng. Nó cho phép xác định dấu và nồng độ hạt tải điện. Luận án nghiên cứu hệ số Hall trong bán dẫn thấp chiều. Đặc biệt là khi có sóng điện từ mạnh. Bức xạ laser mạnh làm thay đổi tương tác điện tử. Nó ảnh hưởng đến động lực của hạt tải điện. Điều này dẫn đến sự thay đổi của hệ số Hall. Nghiên cứu tập trung vào siêu mạng hợp phần. Các tương tác điện tử-phonon cũng được xem xét kỹ lưỡng. Chúng đóng vai trò cốt yếu trong quá trình tán xạ. Việc hiểu rõ hiệu ứng Hall trong môi trường này. Điều này rất cần thiết cho việc phát triển cảm biến từ. Nó cũng quan trọng trong việc thiết kế các thiết bị điện tử. Đặc biệt là những thiết bị hoạt động dưới điều kiện ánh sáng cường độ cao.
3.1. Hệ số Hall trong Siêu mạng Hợp phần
Luận án tính toán hệ số Hall trong siêu mạng hợp phần. Việc này được thực hiện khi có sóng điện từ mạnh. Sóng điện từ mạnh từ laser làm biến đổi đáng kể phổ năng lượng. Nó cũng ảnh hưởng đến động lượng của điện tử. Biểu thức cho hệ số Hall được xây dựng từ phương trình động lượng tử. Phân tích chi tiết sự phụ thuộc của hệ số Hall. Nó phụ thuộc vào cường độ và tần số laser. Đồng thời, xem xét ảnh hưởng của từ trường ngoài. Các kết quả tính toán số cung cấp cái nhìn định lượng. Nó chỉ ra cách mà bức xạ laser có thể điều khiển tính chất Hall. Phát hiện này có ý nghĩa quan trọng. Nó mở đường cho các ứng dụng mới. Ví dụ như trong linh kiện quang điện tử và cảm biến. Việc này tăng cường hiểu biết về hiệu ứng động.
3.2. Tương tác Điện tử Phonon với Sóng Điện từ
Tương tác điện tử-phonon đóng vai trò trung tâm. Nó ảnh hưởng đến các quá trình vận chuyển trong bán dẫn. Luận án phân tích hai loại tương tác chính. Đó là tương tác điện tử - phonon âm và điện tử - phonon quang. Cả hai đều bị ảnh hưởng bởi sóng điện từ mạnh. Bức xạ laser làm thay đổi cường độ và hình dạng của các tương tác này. Các kết quả tính toán số được trình bày. Chúng cho thấy sự khác biệt trong hành vi của hệ số Hall. Sự khác biệt này tùy thuộc vào loại tương tác phonon. Tương tác ánh sáng-vật chất phức tạp hơn khi có phonon. Phân tích này giúp làm rõ các cơ chế tán xạ chính. Nó giải thích những thay đổi được quan sát trong hiệu ứng Hall. Đây là bước tiến quan trọng trong việc hiểu quang phi tuyến. Đặc biệt là trong các hệ bán dẫn thấp chiều.
IV.Hiệu ứng Âm điện từ trong Bán dẫn Thấp chiều Mạnh
Hiệu ứng âm-điện-từ (AME) là một hiện tượng thú vị. Nó xuất hiện khi sóng âm truyền qua vật liệu. Đồng thời có mặt từ trường và sóng điện từ mạnh. Nghiên cứu này khám phá hiệu ứng AME trong bán dẫn thấp chiều. Đặc biệt là trong siêu mạng pha tạp. Bức xạ laser mạnh đóng vai trò chủ động. Nó làm thay đổi đáng kể cường độ và hướng của trường AME. Sự kết hợp của sóng âm, từ trường và laser tạo ra các hiệu ứng động phức tạp. Việc này có tiềm năng ứng dụng trong các thiết bị cảm biến. Ví dụ như cảm biến sóng âm hoặc thiết bị chuyển đổi năng lượng. Nắm bắt được cơ chế của hiệu ứng AME là rất quan trọng. Điều này giúp tối ưu hóa thiết kế các linh kiện nano. Nó cũng góp phần vào việc phát triển công nghệ mới.
4.1. Biểu thức Trường Âm điện từ dưới Bức xạ Laser
Luận án phát triển biểu thức lý thuyết. Đây là biểu thức cho trường âm-điện-từ. Nó áp dụng cho siêu mạng pha tạp. Điều kiện là khi có sóng điện từ mạnh (bức xạ laser). Biểu thức này tính đến sự tương tác giữa điện tử, phonon âm, từ trường và laser. Sự có mặt của laser không chỉ làm thay đổi phổ điện tử. Nó còn ảnh hưởng đến các quá trình tán xạ điện tử-phonon. Các tính toán phức tạp đã được thực hiện. Chúng đưa ra một công thức rõ ràng cho trường AME. Công thức này cho phép dự đoán hành vi của hệ thống. Nó cũng giúp hiểu rõ hơn về các điều kiện vật lý. Điều kiện để tối đa hóa hoặc giảm thiểu hiệu ứng. Đây là bước quan trọng trong nghiên cứu các hiệu ứng động trong bán dẫn thấp chiều.
4.2. Thảo luận Kết quả Định lượng Hiệu ứng Âm điện từ
Sau khi thiết lập biểu thức, tiến hành tính toán số. Kết quả định lượng của trường AME được phân tích. Các yếu tố như cường độ laser, tần số và tham số vật liệu được khảo sát. Ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường cũng được xem xét. Kết quả cho thấy sự phụ thuộc phức tạp của hiệu ứng AME. Nó phụ thuộc vào các thông số bên ngoài và cấu trúc vật liệu. Luận án thảo luận về những điểm tương đồng và khác biệt. So sánh với các nghiên cứu trước đây. Đặc biệt là những nghiên cứu không có mặt laser. Điều này làm nổi bật vai trò của sóng điện từ mạnh. Nó giúp điều khiển các hiệu ứng quang phi tuyến. Việc này có tiềm năng ứng dụng trong kỹ thuật chuyển đổi năng lượng. Đồng thời, nó mở ra hướng nghiên cứu mới về tương tác ánh sáng-vật chất.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (138 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN -------------------------------- Nguyễn Đình Nam NGHIÊN CỨU MỘT SỐ HIỆU ỨNG ĐỘNG TRONG CÁC HỆ BÁN DẪN THẤP CHIỀU KHI CÓ MẶT CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH (BỨC XẠ LASER) LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội - 2019 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN -------------------------------- Nguyễn Đình Nam NGHIÊN CỨU MỘT SỐ HIỆU ỨNG ĐỘNG TRONG CÁC HỆ BÁN DẪN THẤP CHIỀU KHI CÓ MẶT CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH (BỨC XẠ LASER) Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và vật lý toán Mã số: 62 44 01 01 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: GS. NGUYỄN QUANG BÁU Hà Nội - 2019 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Các số liệu, kết quả nêu trong luận án là trung thực và chƣa từng đƣợc ai công bố trong bất kỳ công trình nào khác. Tác giả luận án Nguyễn Đình Nam LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com LỜI CẢM ƠN Tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn chân thành và sâu sắc nhất đến GS.TS Nguyễn Quang Báu, ngƣời thầy luôn tận tình hƣớng dẫn, giúp đỡ tôi trong quá trình học tập, nghiên cứu, luôn đƣa ra những ý kiến đóng góp quý báu để tác giả hoàn thành luận án này.
Tác giả xin chân thành cảm ơn sự giúp đỡ của các thầy cô trong tổ Vật lý lý thuyết, các thầy cô trong Khoa Vật lý, trƣờng Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội đã đóng góp ý kiến quý báu cho luận án. Tác giả xin chân thành cảm ơn Ban giám hiệu, Phòng Sau đại học đã tạo điều kiện tốt nhất cho tác giả hoàn thành luận án này. Tác giả xin cảm ơn Quỹ phát triển Khoa học và Công nghệ quốc gia (Đề tài Nafosted 103. Cuối cùng, tác giả xin cảm ơn đến tất cả những ngƣời thân, đồng nghiệp, bạn bè đã giúp đỡ tôi trong suốt quá trình nghiên cứu và hoàn thành luận án.
Tác giả luận án Nguyễn Đình Nam LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com MỤC LỤC LỜI CAM ĐOAN LỜI CẢM ƠN MỤC LỤC. 1 BẢNG ĐỐI CHIỀU THUẬT NGỮ ANH - VIỆT VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT. 3 DANH MỤC HÌNH VẼ. TỔNG QUAN VỀ MỘT SỐ HỆ BÁN DẪN THẤP CHIỀU VÀ LÝ THUYẾT LƢỢNG TỬ VỀ MỘT SỐ HIỆU ỨNG ĐỘNG TRONG BÁN DẪN KHỐI KHI CÓ MẶT CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH ( BỨC XẠ LASER).
Tổng quan về một số hệ bán dẫn thấp chiều. Phổ năng lƣợng và hàm sóng của điện tử trong hố lƣợng tử. Phổ năng lƣợng và hàm sóng của điện tử trong siêu mạng hợp phần. Phổ năng lƣợng và hàm sóng của điện tử trong siêu mạng pha tạp.
Phƣơng pháp phƣơng trình động lƣợng tử và lý thuyết lƣợng tử về một số hiệu ứng động trong bán dẫn khối. Phƣơng pháp phƣơng trình động lƣợng tử và lý thuyết lƣợng tử về hiệu ứng từ trở trong bán dẫn khối. Phƣơng pháp phƣơng trình động lƣợng tử và lý thuyết lƣợng tử về hiệu ứng Hall trong bán dẫn khối. Phƣơng pháp phƣơng trình động lƣợng tử và lý thuyết lƣợng tử về hiệu ứng âm-điện-từ trong bán dẫn khối.
TỪ TRỞ TRONG CÁC BÁN DẪN THẤP CHIỀU KHI CÓ MẶT CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH (BỨC XẠ LASER). Từ trở trong hố lƣợng tử với hố thế parabol khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser). Biểu thức từ trở trong hố lƣợng tử với hố thế parabol. Kết quả tính số và thảo luận.
43 1 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. Từ trở trong siêu mạng hợp phần khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser). Biểu thức từ trở trong siêu mạng hợp phần. Kết quả tính số và thảo luận.
Từ trở trong siêu mạng pha tạp khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser). Biểu thức của từ trở trong siêu mạng pha tạp. Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chƣơng 2.
HIỆU ỨNG HALL TRONG CÁC BÁN DẪN THẤP CHIỀU KHI CÓ MẶT CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH (BỨC XẠ LASER). Biểu thức hệ số Hall trong siêu mạng hợp phần khi có mặt của sóng điện từ mạnh. Tƣơng tác điện tử - phonon âm. Tƣơng tác điện tử - phonon quang.
Kết quả tính số và thảo luận. Tƣơng tác điện tử - phonon âm. Tƣơng tác điện tử - phonon quang. Kết luận chƣơng 3.
HIỆU ỨNG ÂM-ĐIỆN-TỪ TRONG CÁC BÁN DẪN THẤP CHIỀU KHI CÓ MẶT CỦA SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH (BỨC XẠ LASER). Biểu thức trƣờng âm-điện-từ trong siêu mạng pha tạp khi có mặt của sóng điện từ mạnh (bức xạ laser). Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chƣơng 4.
83 DANH MỤC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC CỦA TÁC GIẢ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN ÁN. 85 TÀI LIỆU THAM KHẢO. 94 2 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com BẢNG ĐỐI CHIẾU THUẬT NGỮ ANH - VIỆT VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT Tiếng Anh Tiếng Việt Viết Tắt Magnetoresistance Từ trở Magnetoconductivity Độ dẫn từ Hall conductivity Độ dẫn Hall Hall resistance Điện trở Hall Hall coefficient Hệ số Hall Acoustomagnetoelectric Âm-điện-từ AME Electromagnetic wave Sóng điện từ EMW Optical phonon Phonon quang Acoustic phonon Phonon âm Quantum well Hố lƣợng tử QW Semiconductor superlattice Siêu mạng bán dẫn Doped semiconductor superlattice Siêu mạng bán dẫn pha tạp DSSL Compositional semiconductor superlattice Siêu mạng bán dẫn hợp phần CSSL Quantum wire Dây lƣợng tử QW Bulk semiconductor Bán dẫn khối Zero dimension Không chiều 0D One dimension Một chiều 1D Two dimension Hai Chiều 2D Three dimension Ba Chiều 3D 3 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1: Hiệu ứng Hall trong bán dẫn khối .1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở tƣơng đối vào nhiệt độ trong hố lƣợng tử với hố thế parabol và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm .2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở tƣơng đối vào biên độ sóng điện từ trong hố lƣợng tử với hố thế parabol và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm .3: Đồ thị sự phụ thuộc của từ trở vào từ trƣờng tại các giá trị khác nhau của nhiệt độ trong siêu mạng hợp phần GaN / Al0.75 N và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm với E1 5 103 V / m , E0 0 , d I 15 nm , d II 10 nm .4: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở xx vào nghịch đảo của từ trƣờng 1/B tại các giá trị khác nhau của nhiệt độ trong siêu mạng hợp phần GaN / Al0.75 N và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm với E1 5 103 V / m , E0 0 , d I 15 nm , d II 10 nm .5: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của biên độ tƣơng đối A T , Bn / A T0 , Bn của từ trở vào nhiệt độ trong siêu mạng GaN / Al0. Các ô vuông đậm là kết quả tính toán của chúng tôi, đƣờng chấm tròn là kết quả thực nghiệm trong dị cấu trúc Al0.75 N / AlN / GaN từ [68] và đƣờng nét đứt là lý thuyết trong [40] .6: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở vào tỉ số / c với các giá trị xác định trong siêu mạng hợp phần GaN / Al0.75 N và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm trong hai trƣờng hợp: có mặt của sóng điện từ (đƣờng nét liền) và không có mặt của sóng điện từ (đƣờng nét đứt) với E1 5 103 V / m , d I 15 nm , d II 10 nm , T 4.7: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở vào tỉ số / c với B 4T ( c 3.42 1012 Hz ) tại các giá trị khác nhau của chu kỳ siêu mạng hợp phần GaN / Al0.75 N và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm với E1 5 103 V / m , E0 7 106V / m , T 4.
54 4 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.8: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở vào từ trƣờng tại các giá trị khác nhau của độ dày lớp GaN (các hố lƣợng tử) trong siêu mạng hợp phần GaN / Al0.75 N và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm với E1 5 103 V / m , E0 7 106V / m , T 4.2K và độ dày lớp Al0.9: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở vào từ trƣờng tại các giá trị khác nhau của hàm lƣợng Al trong siêu mạng hợp phần GaN / AlcGa1c N và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm với E1 5 103 V / m , E0 7 106V / m , d I 15nm , d II 10nm và T 4.10: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở tƣơng đối vào biên độ sóng điện từ .1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số Hall vào từ trƣờng trong hai trƣờng hợp, có mặt và không có mặt của sóng điện từ trong siêu mạng hợp phần GaAs/Al0.7As và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm với E1 5 102V / m , d 25 nm , và T = 4 K .2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số Hall vào tần số sóng điện từ tại các giá trị khác nhau của biên độ sóng điện từ trong siêu mạng hợp phần GaAs/Al0.7As và xét tƣơng tác điện tử - phonon âm với E1 5 102V / m , B 3 T , d 25 nm , và T = 4 K .3: Đồ thị biểu diễn hệ số Hall phụ thuộc vào nhiệt độ và tần số sóng điện từ trong siêu mạng hợp phần GaN / Al0.4: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số Hall vào nhiệt độ tại các giá trị khác nhau của biên độ sóng điện từ trong siêu mạng hợp phần GaN / Al0.5: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của từ trở vào nhiệt độ tại các giá trị khác nhau của biên độ sóng điện từ trong siêu mạng hợp phần GaN / Al0.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trƣờng âm-điện-từ vào tần số sóng âm với các giá trị khác nhau của từ trƣờng B=0. 79 5 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trƣờng âm-điện-từ vào tần số của sóng âm với các giá trị khác nhau của tần số sóng điện từ =51014(s-1) (đƣờng liền), =4.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Nguyễn Đình Nam (2019). Nghiên cứu hiệu ứng động trong bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh bức xạ laser [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/tai-lieu-khac/luan-an-tien-si-hus-nghien-cuu-mot-so-hieu-ung-dong-trong-cac-he-ban-dan-thap-chieu-khi-co-mat-cua-song-dien-tu-manh-buc-xa-laser
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Nghiên cứu hiệu ứng động trong bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh bức xạ laser" nghiên cứu về vấn đề gì?
Nghiên cứu hiệu ứng động trong hệ bán dẫn thấp chiều dưới tác động của sóng điện từ mạnh bức xạ laser, đề xuất mô hình và giải pháp ứng dụng.
Luận án "Nghiên cứu hiệu ứng động trong bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh bức xạ laser" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội. Năm bảo vệ: 2019.
Luận án "Nghiên cứu hiệu ứng động trong bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh bức xạ laser" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Nghiên cứu hiệu ứng động trong bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh bức xạ laser" thuộc chuyên ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán. Danh mục: Tài liệu khác.
Luận án "Nghiên cứu hiệu ứng động trong bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh bức xạ laser" có bao nhiêu trang?
Luận án "Nghiên cứu hiệu ứng động trong bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh bức xạ laser" có 138 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Nghiên cứu hiệu ứng động trong bán dẫn thấp chiều khi có mặt của sóng điện từ mạnh bức xạ laser" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.