Luận án tiến sĩ Vật lý: Ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều - Lê Thái Hưng
Luận án tiến sĩ nghiên cứu ảnh hưởng phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều.
Năm xuất bản
Số trang
136
Thời gian đọc
21 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- Khám phá phonon giam cầm trong bán dẫn thấp chiều
- Số trang:
- 136 trang
- Trường:
- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
- Tác giả:
- Lê Thái Hưng
- Năm:
- 2013
Tóm tắt nội dung luận án
I.Khám phá phonon giam cầm trong bán dẫn thấp chiều
Bán dẫn thấp chiều là lĩnh vực nghiên cứu trọng tâm. Các cấu trúc này có kích thước hạn chế, ảnh hưởng đến tính chất điện tử và phonon. Giam cầm điện tử tạo ra các mức năng lượng rời rạc. Giam cầm phonon cũng làm thay đổi phổ phonon. Điều này dẫn đến sự xuất hiện của các chế độ phonon giam cầm mới. Các vật liệu như giếng lượng tử, dây lượng tử, chấm lượng tử và vật liệu 2D đều thể hiện hiệu ứng này. Sự giam cầm ảnh hưởng trực tiếp đến tương tác điện tử-phonon. Nó tác động mạnh mẽ đến các hiệu ứng cao tần. Việc hiểu rõ cơ chế giam cầm phonon là chìa khóa. Điều này giúp tối ưu hóa hiệu suất của các thiết bị bán dẫn. Nghiên cứu này đi sâu vào tác động của phonon giam cầm. Tác động của chúng lên hiệu ứng cao tần được làm rõ.
1.1. Khái niệm giam cầm điện tử và phonon
Trong bán dẫn thấp chiều, điện tử và phonon bị hạn chế di chuyển. Giam cầm điện tử xảy ra khi kích thước vật liệu nhỏ hơn bước sóng de Broglie của điện tử. Điều này dẫn đến sự rời rạc hóa các mức năng lượng. Phổ năng lượng của điện tử thay đổi đáng kể. Tương tự, giam cầm phonon cũng xuất hiện. Phonon bị giới hạn trong không gian vật liệu. Điều này thay đổi các chế độ phonon tự nhiên. Các chế độ giam cầm này có tần số và đặc điểm phân tán khác với bán dẫn khối. Sự thay đổi này ảnh hưởng lớn đến tương tác điện tử-phonon. Đây là một cơ chế cơ bản chi phối vận chuyển điện tử. Hiệu ứng này đặc biệt quan trọng trong vật liệu 2D và các cấu trúc lượng tử. Việc kiểm soát giam cầm mở ra tiềm năng điều khiển tính chất vật lý.
1.2. Các loại bán dẫn thấp chiều và cấu trúc
Bán dẫn thấp chiều có nhiều dạng cấu trúc. Giếng lượng tử (2D) là vật liệu có một chiều bị giam cầm. Điện tử và phonon di chuyển tự do trong hai chiều. Dây lượng tử (1D) giam cầm theo hai chiều. Điện tử chỉ tự do trong một chiều. Chấm lượng tử (0D) giam cầm theo cả ba chiều. Điện tử bị localize hoàn toàn. Các vật liệu 2D, bao gồm graphene và dichalcogenide kim loại chuyển tiếp, cũng thuộc nhóm này. Mỗi loại cấu trúc có đặc điểm giam cầm riêng. Điều này ảnh hưởng đến phổ năng lượng điện tử và chế độ phonon. Sự khác biệt này là yếu tố quyết định đến hiệu ứng cao tần. Nó cũng tác động đến quá trình vận chuyển điện tử và tán xạ phonon. Việc nghiên cứu các cấu trúc này giúp thiết kế thiết bị hiệu quả.
1.3. Chế độ phonon trong không gian hạn chế
Trong các cấu trúc bán dẫn thấp chiều, phổ phonon thay đổi đáng kể. Các chế độ phonon giam cầm xuất hiện do sự hạn chế về không gian. Ví dụ, trong giếng lượng tử, phonon có thể có các chế độ quang học và âm học riêng biệt. Các chế độ này có năng lượng và sự phân tán khác với phonon trong vật liệu khối. Sự thay đổi này tác động đến tương tác phonon-phonon và tương tác điện tử-phonon. Nó ảnh hưởng trực tiếp đến các quá trình tán xạ. Hiểu rõ các chế độ phonon giam cầm là rất quan trọng. Điều này giúp giải thích các hiện tượng vật lý. Nó cũng cần thiết cho việc phân tích hiệu ứng cao tần. Nghiên cứu định lượng các chế độ này là trọng tâm để phát triển ứng dụng.
II.Tác động của phonon giam cầm lên hiệu ứng cao tần
Phonon giam cầm có tác động đáng kể lên hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều. Các chế độ phonon mới làm thay đổi cơ chế tán xạ điện tử. Điều này ảnh hưởng đến các quá trình quang học và điện tử. Đặc biệt, hấp thụ phi tuyến sóng điện từ bị điều chỉnh. Cộng hưởng tham số và biến đổi tham số giữa các loại phonon cũng thay đổi. Sự giam cầm làm thay đổi phổ năng lượng của cả điện tử và phonon. Nó dẫn đến các đáp ứng khác nhau với trường điện từ mạnh. Hiệu ứng này rất quan trọng trong việc thiết kế các thiết bị tần số cao. Việc nghiên cứu chi tiết tác động này giúp tối ưu hóa hiệu suất. Các kết quả chỉ ra sự khác biệt rõ rệt so với bán dẫn khối. Đây là yếu tố then chốt cho các ứng dụng công nghệ tương lai.
2.1. Hấp thụ sóng điện từ phi tuyến trong giếng lượng tử
Trong giếng lượng tử, điện tử bị giam cầm. Tương tác điện tử-phonon thay đổi do các chế độ phonon giam cầm. Hấp thụ sóng điện từ mạnh trở nên phi tuyến tính. Nghiên cứu khảo sát sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ. Các yếu tố như cường độ trường điện từ và nhiệt độ được xem xét. Phonon giam cầm điều chỉnh cơ chế tán xạ điện tử. Điều này dẫn đến sự thay đổi đáng kể trong hệ số hấp thụ. So sánh với trường hợp không giam cầm cho thấy sự khác biệt rõ rệt. Hiệu ứng này mở ra khả năng điều khiển các thiết bị quang điện tử. Nó có tiềm năng ứng dụng trong các bộ điều biến quang học. Việc hiểu rõ cơ chế này giúp tối ưu hóa thiết kế.
2.2. Ảnh hưởng lên siêu mạng pha tạp và hợp phần
Siêu mạng là cấu trúc định kỳ trong bán dẫn. Chúng bao gồm siêu mạng pha tạp và siêu mạng hợp phần. Trong cả hai loại, phonon giam cầm đóng vai trò quan trọng. Chúng tác động đến hiệu ứng cao tần, đặc biệt là hấp thụ phi tuyến sóng điện từ. Các chế độ phonon trong siêu mạng rất phức tạp. Chúng tương tác khác nhau với điện tử do cấu trúc giam cầm. Sự giam cầm thay đổi phổ năng lượng của cả điện tử và phonon. Điều này dẫn đến đáp ứng khác biệt với sóng điện từ. Hiệu suất của các thiết bị siêu mạng tần số cao bị ảnh hưởng. Việc tối ưu hóa cấu trúc siêu mạng đòi hỏi hiểu rõ tác động này. Điều này giúp thiết kế các thiết bị quang điện tử tiên tiến.
2.3. Biến đổi tham số giữa phonon âm và quang
Tương tác giữa các loại phonon cũng bị ảnh hưởng bởi giam cầm. Phonon giam cầm làm thay đổi điều kiện cộng hưởng tham số. Chúng cũng tác động đến hiệu quả biến đổi tham số. Đặc biệt, sự tương tác giữa phonon âm và phonon quang được khảo sát. Trong bán dẫn thấp chiều, các chế độ này giam cầm. Điều này có thể tăng cường hoặc ức chế tương tác giữa chúng. Hiện tượng này rất quan trọng cho các ứng dụng tần số cao. Ví dụ, trong khuếch đại tín hiệu và tạo sóng terahertz. Hiệu quả biến đổi tham số được nghiên cứu kỹ. Các yếu tố như hình dạng giam cầm và vật liệu được phân tích. Nghiên cứu cung cấp cái nhìn sâu sắc về các cơ chế vật lý cơ bản.
III.Vận chuyển điện tử tán xạ phonon trong vật liệu 2D
Vận chuyển điện tử trong bán dẫn thấp chiều bị chi phối bởi tán xạ phonon giam cầm. Đặc biệt, trong vật liệu 2D, các cơ chế tán xạ thay đổi đáng kể. Điều này ảnh hưởng trực tiếp đến độ linh động điện tử và hiệu suất thiết bị. Nghiên cứu này làm rõ vai trò của các chế độ phonon giam cầm trong quá trình tán xạ. Nó cũng xem xét ảnh hưởng của chúng lên vận chuyển điện tử trong các cấu trúc như dây lượng tử. Mục tiêu là tối ưu hóa hiệu suất của các thiết bị bán dẫn. Việc kiểm soát tán xạ phonon giúp giảm thiểu thất thoát năng lượng. Nó cũng giúp tăng cường tốc độ hoạt động của các linh kiện hiệu ứng cao tần. Hiểu biết sâu sắc này là nền tảng cho sự phát triển công nghệ.
3.1. Cơ chế tán xạ phonon trong vật liệu 2D
Vật liệu 2D như graphene và các dichalcogenide có đặc tính độc đáo. Giam cầm phonon rất rõ ràng trong các vật liệu này. Cơ chế tán xạ phonon thay đổi đáng kể so với vật liệu khối. Các đường tán xạ mới xuất hiện, ảnh hưởng trực tiếp đến vận chuyển điện tử. Tán xạ phonon là yếu tố chính hạn chế độ linh động điện tử trong vật liệu 2D. Việc kiểm soát các chế độ tán xạ phonon giúp cải thiện hiệu suất điện tử. Nghiên cứu này đi sâu vào các cơ chế tán xạ đặc trưng. Hiểu biết này cần thiết cho thiết kế các thiết bị điện tử. Đặc biệt là cho các ứng dụng hiệu ứng cao tần, nơi hiệu suất là cực kỳ quan trọng.
3.2. Ảnh hưởng đến vận chuyển điện tử trong dây lượng tử
Dây lượng tử là cấu trúc 1D, nơi điện tử và phonon bị giam cầm theo hai chiều. Vận chuyển điện tử trong dây lượng tử rất nhạy cảm với các cơ chế tán xạ. Phonon giam cầm đóng vai trò chính trong tán xạ điện tử. Chúng ảnh hưởng đến điện trở và độ dẫn của vật liệu. Việc kiểm soát các chế độ phonon trong dây lượng tử là một thách thức. Tuy nhiên, nó mang lại tiềm năng lớn cho phát triển thiết bị điện tử siêu nhỏ. Ứng dụng bao gồm cảm biến nhạy và transistor hiệu suất cao. Các mô hình lý thuyết được phát triển để giải thích hành vi vận chuyển điện tử. Chúng cung cấp cái nhìn sâu sắc về cơ chế tương tác trong cấu trúc này.
3.3. Tối ưu hóa hiệu suất thiết bị bán dẫn
Hiểu rõ về phonon giam cầm là yếu tố then chốt để tối ưu hóa thiết bị. Các thiết bị bán dẫn thấp chiều có thể đạt hiệu suất cao hơn. Điều khiển tương tác điện tử-phonon là mục tiêu chính. Nó giúp giảm thiểu thất thoát năng lượng trong quá trình vận chuyển. Đồng thời, nó tăng cường tốc độ hoạt động của các linh kiện hiệu ứng cao tần. Việc điều chỉnh cấu trúc giam cầm có thể thực hiện. Điều này bao gồm thay đổi kích thước, hình dạng hoặc vật liệu. Mục tiêu là đạt được các đặc tính quang và điện tử mong muốn. Các nghiên cứu này đóng góp vào mục tiêu đó. Chúng cung cấp kiến thức nền tảng cho phát triển công nghệ.
IV.Phương pháp lượng tử nghiên cứu chế độ phonon
Nghiên cứu này sử dụng phương pháp lượng tử để phân tích các hiệu ứng phức tạp. Phương trình động lượng tử được áp dụng để mô tả hành vi của điện tử. Đặc biệt là trong điều kiện có sóng điện từ mạnh. Lý thuyết tương tác và cộng hưởng tham số được phát triển. Nó giúp hiểu rõ hơn về các chế độ phonon giam cầm và tương tác của chúng. Các mô hình hóa chi tiết được xây dựng. Chúng dự đoán phản ứng của vật liệu bán dẫn thấp chiều với các kích thích bên ngoài. Phương pháp này cung cấp công cụ mạnh mẽ. Nó định lượng sự thay đổi trong hệ số hấp thụ và hiệu quả biến đổi tham số. Điều này là cần thiết để xác nhận các lý thuyết và thiết kế thiết bị.
4.1. Phương trình động lượng tử cho điện tử
Nghiên cứu sử dụng phương trình động lượng tử để mô tả điện tử. Phương pháp này áp dụng cho điện tử trong bán dẫn thấp chiều. Đặc biệt trong điều kiện có sóng điện từ mạnh. Phương trình động lượng tử cho phép tính toán đáp ứng phi tuyến tính của điện tử. Các thông số như cường độ trường và tần số sóng điện từ được tích hợp. Ảnh hưởng của phonon giam cầm cũng được đưa vào mô hình. Điều này cho phép phân tích chính xác sự thay đổi trong hệ số hấp thụ. Phương pháp này là nền tảng của nghiên cứu. Nó cung cấp công cụ mạnh mẽ để hiểu vật lý cơ bản. Việc giải quyết phương trình này là một phần cốt lõi của công trình.
4.2. Lý thuyết tương tác và cộng hưởng tham số
Phonon giam cầm làm thay đổi tương tác trong vật liệu. Đặc biệt là tương tác điện tử-phonon và phonon-phonon. Lý thuyết tương tác tham số được áp dụng để mô tả các hiện tượng cộng hưởng. Cộng hưởng tham số giữa các chế độ phonon được khảo sát chi tiết. Điều này rất quan trọng trong việc điều khiển năng lượng. Nó cũng ảnh hưởng đến truyền tải nhiệt trong vật liệu. Các điều kiện cộng hưởng được xác định rõ ràng. Mục tiêu là khai thác các hiệu ứng này. Chúng có thể ứng dụng trong việc tạo ra tín hiệu tần số cao. Hoặc trong các cảm biến nhạy và các thiết bị quang học mới. Lý thuyết này là chìa khóa để hiểu các quá trình động học.
4.3. Mô hình hóa phản ứng vật liệu với sóng mạnh
Nghiên cứu phát triển các mô hình lý thuyết toàn diện. Chúng mô tả phản ứng của bán dẫn thấp chiều. Đặc biệt khi vật liệu tiếp xúc với sóng điện từ mạnh. Các mô hình tính đến sự giam cầm phonon. Chúng dự đoán hành vi phi tuyến tính của vật liệu. Bao gồm hệ số hấp thụ và hiệu quả biến đổi tham số. Phản ứng này rất quan trọng cho các ứng dụng thực tế. Ví dụ, trong laser, bộ khuếch đại và thiết bị tần số cao. Mô hình hóa giúp hiểu rõ hơn về các cơ chế vật lý. Nó cũng hỗ trợ thiết kế các thiết bị mới với hiệu suất tối ưu. Khả năng dự đoán của mô hình là rất quan trọng cho tiến bộ công nghệ.
V.Ứng dụng tiềm năng của bán dẫn thấp chiều tiên tiến
Hiểu biết về phonon giam cầm trong bán dẫn thấp chiều mở ra nhiều ứng dụng. Đặc biệt là trong thiết bị quang điện tử và cảm biến. Việc kiểm soát các chế độ phonon cho phép tạo ra các thiết bị mới. Chúng có thể hoạt động ở tần số cao hơn và có hiệu suất tốt hơn. Công nghệ thông tin lượng tử và siêu tần cũng được hưởng lợi. Giam cầm điện tử và phonon tạo ra các trạng thái lượng tử. Điều này có thể ứng dụng trong tính toán và truyền thông lượng tử. Nghiên cứu này cung cấp cơ sở lý thuyết vững chắc. Nó định hướng phát triển vật liệu bán dẫn thế hệ mới. Mục tiêu là tạo ra các vật liệu với đặc tính quang và điện tử đặc biệt. Điều này thúc đẩy sự đổi mới trong nhiều ngành công nghiệp khác nhau.
5.1. Thiết bị quang điện tử và cảm biến
Phonon giam cầm trong bán dẫn thấp chiều mở ra tiềm năng lớn. Đặc biệt trong lĩnh vực quang điện tử và cảm biến. Việc điều khiển các chế độ phonon cho phép tạo ra thiết bị mới. Ví dụ, cảm biến nhạy hơn với nhiệt độ hoặc ánh sáng. Các thiết bị quang điện tử có thể hoạt động ở tần số cao hơn. Giếng lượng tử, dây lượng tử và chấm lượng tử là nền tảng. Các vật liệu 2D cũng hứa hẹn. Chúng cung cấp khả năng điều chỉnh linh hoạt các tính chất vật lý. Điều này có ý nghĩa lớn cho công nghệ hiện đại. Nghiên cứu đóng góp vào việc thiết kế các linh kiện hiệu suất cao.
5.2. Công nghệ thông tin lượng tử và siêu tần
Nghiên cứu về phonon giam cầm có liên quan đến công nghệ lượng tử. Giam cầm điện tử và phonon tạo ra các trạng thái lượng tử đặc biệt. Điều này có thể ứng dụng trong tính toán lượng tử và truyền thông lượng tử. Các hiệu ứng cao tần là trọng tâm của công nghệ siêu tần. Việc kiểm soát tương tác điện tử-phonon là cần thiết. Nó giúp phát triển các linh kiện siêu tần hiệu suất cao. Các kết quả nghiên cứu góp phần vào lĩnh vực này. Nó thúc đẩy sự đổi mới trong công nghệ thông tin. Việc khai thác các hiệu ứng lượng tử là chìa khóa cho tương lai.
5.3. Phát triển vật liệu bán dẫn thế hệ mới
Hiểu biết sâu sắc về phonon giam cầm là rất quan trọng. Nó định hướng phát triển vật liệu bán dẫn thế hệ mới. Các vật liệu 2D với cấu trúc tùy chỉnh có tiềm năng lớn. Chúng có thể có các đặc tính quang và điện tử đặc biệt. Mục tiêu là tạo ra vật liệu với hiệu suất cao hơn. Chúng phải bền hơn và tiết kiệm năng lượng hơn. Nghiên cứu này cung cấp cơ sở lý thuyết vững chắc. Nó giúp các nhà khoa học vật liệu thiết kế. Họ có thể tổng hợp các vật liệu tiên tiến cho các ứng dụng cụ thể. Điều này mở ra tương lai cho nhiều ngành công nghiệp. Từ điện tử tiêu dùng đến năng lượng tái tạo.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (136 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộπ ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ----------------------- LÊ THÁI HƯNG ẢNH HƯỞNG CỦA PHONON GIAM CẦM LÊN MỘT SỐ HIỆU ỨNG CAO TẦN TRONG BÁN DẪN THẤP CHIỀU LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội - 2013 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN ----------------------- LÊ THÁI HƯNG ẢNH HƯỞNG CỦA PHONON GIAM CẦM LÊN MỘT SỐ HIỆU ỨNG CAO TẦN TRONG BÁN DẪN THẤP CHIỀU Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và Vật lý toán Mã số: 62.01 LUẬN ÁN TIỄN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC GS. Nguyễn Quang Báu PGS. Nguyễn Vũ Nhân Hà Nội, 2013 Hà Nội - 20… LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Lêi cam ®oan T«i xin cam ®oan ®©y lµ c«ng tr×nh nghiªn cøu cña riªng t«i. C¸c kÕt qu¶, sè liÖu, ®å thÞ.
®îc nªu trong luËn ¸n lµ trung thùc vµ cha tõng ®îc ai c«ng bè trong bÊt kú c¸c c«ng tr×nh nµo kh¸c. Hµ Néi, th¸ng 09 n¨m 2013 T¸c gi¶ luËn ¸n Lê Thái Hưng LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com Lêi c¶m ¬n T«i xin bµy tá lßng biÕt ¬n s©u s¾c nhÊt ®Õn GS. NguyÔn Quang B¸u và PGS. Nguyễn Vũ Nhân, hai ngêi thÇy ®· hÕt lßng tËn tôy gióp ®ì, híng dẫn t«i trong qu¸ tr×nh häc tËp, nghiªn cøu vµ hoµn thµnh luËn ¸n.
T«i xin ch©n thµnh c¶m ¬n sù gióp ®ì, híng dÉn tËn t×nh cña các Thầy cô trong bộ môn Vật lý lý thuyết vµ c¸c ThÇy cô trong Khoa VËt lý, Trêng §¹i häc Khoa häc Tù nhiªn-Đại học Quốc gia Hà Nội. T«i xin göi lêi c¶m ¬n ®Õn BGH Trêng §¹i häc Khoa häc Tù nhiªn-Đại học Quốc gia Hà Nội, Phßng Sau §¹i häc vµ BCN Khoa VËt Lý ®· t¹o ®iÒu kiÖn cho t«i hoµn thµnh luËn ¸n. T«i xin göi lêi c¶m ¬n ®Õn Quü ph¸t triÓn khoa häc vµ c«ng nghÖ Quèc gia (đề tài 103.01 ®· tµi trî cho t«i trong viÖc tham dự hội thảo, c«ng bè c¸c c«ng tr×nh khoa häc. Tôi xin gửi lời cảm ơn tới Trường Đại học Giáo dục – nơi tôi công tác đã tạo điều kiện cho tôi trong quá trình học tập và hoàn thành luận án.
Xin ch©n thµnh c¶m ¬n ®Õn tÊt c¶ nh÷ng ngêi th©n, b¹n bÌ vµ ®ång nghiÖp ®· gióp ®ì, ®éng viªn t«i trong suèt qu¸ tr×nh nghiªn cøu. Tõ ®¸y lßng t«i xin göi lêi tri ©n s©u sắc ®Õn tÊt c¶ mäi ngêi. Hµ Néi, th¸ng 09 n¨m 2013 T¸c gi¶ luËn ¸n Lê Thái Hưng LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com MỤC LỤC Danh mục hình vẽ Mở đầu 1 Chương 1. Tổng quan về sự giam cầm điện tử, giam cầm phonon trong bán 8 dẫn thấp chiều và phương pháp phương trình động lượng tử 1.
Sự giam cầm điện tử và giam cầm phonon trong bán dẫn thấp chiều 8 1. Sự giam cầm điện tử và giam cầm phonon trong bán dẫn hai chiều 9 1. Sự giam cầm điện tử và giam cầm phonon trong bán dẫn một chiều 19 1. Phương trình động lượng tử cho điện tử trong lý thuyết hấp thụ phi tuyến 23 sóng điện từ mạnh trong bán dẫn khối 1.
Hấp thụ sóng điện từ trong bán dẫn khối 23 1. Phương trình động lượng tử cho điện tử và hệ số hấp thụ phi tuyến sóng 26 điện từ mạnh trong bán dẫn khối 1. Phương trình động lượng tử cho phonon trong lý thuyết tương tác tham 29 số và biến đối tham số trong bán dẫn khối 1. Cộng hưởng tham số và biến đổi tham số trong bán dẫn khối 29 1.
Phương trình động lượng tử cho phonon và biên độ trường ngưỡng, hệ số 30 biến đổi tham số trong bán dẫn khối Chương 2. Lý thuyết hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh trong bán thấp 35 chiều dưới ảnh hưởng của phonon giam cầm 2. Ảnh hưởng của phonon giam cầm lên sự hấp thụ phi tuyến sóng điện từ 36 mạnh trong siêu mạng pha tạp 2. Ảnh hưởng của phonon giam cầm lên sự hấp thụ phi tuyến sóng điện từ 52 mạnh trong siêu mạng hợp phần LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.
Ảnh hưởng của phonon giam cầm lên sự hấp thụ phi tuyến sóng điện từ 64 mạnh trong hố lượng tử 2. Kết luận chương 2 76 Chương 3. Lý thuyết cộng hưởng tham số và biến đổi tham số giữa phonon 78 âm và phonon quang trong bán dẫn thấp chiều dưới ảnh hưởng của phonon giam cầm 3. Ảnh hưởng của phonon giam cầm lên cộng hưởng tham số và biến đổi tham 78 số giữa phonon âm và phonon quang trong siêu mạng pha tạp 3.
Ảnh hưởng của phonon giam cầm lên cộng hưởng tham số và biến đổi tham 89 số giữa phonon âm và phonon quang trong dây lượng tử hình trụ hố thế Parabol 3. Kết luận chương 3 99 Kết luận 101 Danh mục các công trình khoa học của tác giả liên quan đến luận án 103 Tài liệu tham khảo 104 Phụ lục 116 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1. Mô hình cấu trúc của bán dẫn thấp chiều 3D, 2D, 1D và 0D 8 Hình 1. Giản đồ minh hoạ sắp xếp các lớp và vùng năng lượng không gian 12 thực của hai kiểu siêu mạng hợp phần (a, b) và siêu mạng pha tạp bán dẫn loại III-V (c) Hình 1.
Tương tác giữa vật chất và sóng điện từ 24 Hình 2. Khảo sát α theo Eo và T (phonon giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 48 Hình 2. Khảo sát α theo Eo và T (phonon không giam cầm, hấp thụ gần 48 ngưỡng) Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 49 Hình 2.
Khảo sát ! theo !! (phonon không giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 49 Hình 2. Khảo sát α theo Eo, T (phonon giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 49 Hình 2. Khảo sát α theo Eo,T (phonon không giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 49 Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 50 Hình 2.
Khảo sát α theo !! (không giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 50 Hình 2. Khảo sát α theo Eo (phonon giam cầm, có từ trường) 50 Hình 2. Sự phụ thuộc của α vào Eo (phonon không giam cầm, có từ trường) 50 Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon giam cầm, có từ trường) 51 Hình 2.
Khảo sát α theo !! (phonon không giam cầm, có từ trường) 51 Hình 2. Khảo sát α theo ! B (phonon giam cầm, có từ trường) 52 Hình 2. Khảo sát α theo ! B (phonon không giam cầm, có từ trường) 52 Hình 2. Khảo sát α theo Eo và T (phonon giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 59 Hình 2.
Khảo sát α theo Eo và T (phonon không giam, hấp thụ gần 59 ngưỡng) Hình 2. Khảo sát α theo !! ( phonon giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 60 Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon không giam cầm, hấp thụ gần 60 ngưỡng) Hình 2. Khảo sát α theo Eo và m (phonon giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 60 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.
Khảo sát α theo Eo (phonon không giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 60 Hình 2. Khảo sát α theo !! ( phonon giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 61 Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon không giam cầm, hấp thụ xa 61 ngưỡng) Hình 2. Khảo sát α theo dA (phonon giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 61 Hình 2.
Khảo sát α theo dA (phonon không giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 61 Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon giam cầm, có từ trường) 62 Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon không giam cầm, có từ trường) 62 Hình 2. Khảo sát α theo h!B (phonon giam cầm, có từ trường) 63 Hình 2.
Khảo sát α theo h!B (phonon không giam cầm, có từ trường) 63 Hình 2. Khảo sát α theo T và m (phonon giam cầm, có từ trường) 63 Hình 2. Khảo sát α theo vào T (phonon không giam cầm, có từ trường) 63 Hình 2. Khảo sát α theo Eo và m (phonon giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 71 Hình 2.
Khảo sát α theo Eo (phonon không giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 71 Hình 2. Khảo sát α theo T (phonon giam cầm hấp, thụ gần ngưỡng) 71 Hình 2. Khảo sát α theo T (phonon không giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 71 Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 72 Hình 2.
Khảo sát α theo !! (phonon không giam cầm, hấp thụ gần 72 ngưỡng) Hình 2. Khảo sát α theo L và m (phonon giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 72 Hình 2. Khảo sát α theo L (phonon không giam cầm, hấp thụ gần ngưỡng) 72 Hình 2. Khảo sát α theo Eo và m (phonon giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 73 Hình 2.
Khảo sát α theo T và m (phonon giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 73 Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 73 Hình 2. Khảo sát α theo L và m (phonon giam cầm, hấp thụ xa ngưỡng) 73 Hình 2. Khảo sát α theo !! (phonon giam cầm, có từ trường) 74 Hình 2.
Khảo sát α theo !! (phonon không giam cầm, có từ trường 74 Hình 2. Khảo sát α theo !! B (phonon giam cầm, có từ trường) 75 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. Khảo sát α theo !! B (phonon không giam cầm, có từ trường) 75 Hình 2. Khảo sát α theo L và m (phonon giam cầm, có từ trường) 75 Hình 3.
Sự phụ thuộc của trường ngưỡng vào nhiệt độ T 88 r Hình 3. Sự phụ thuộc của trường ngưỡng vào véc tơ sóng q! 88 Hình 3. Sự phụ thuộc của hệ số biến đổi tham số K1 vào nhiệt độ T trong 89 trường hợp không tính đến hiệu ứng giam cầm phonon Hình 3. Sự phụ thuộc của hệ số biến đổi tham số K1 vào nhiệt độ T trong 89 trường hợp tính đến hiệu ứng giam cầm phonon Hình 3.
Sự phụ thuộc của trường ngưỡng vào nhiệt độ T 97 ! Hình 3. Sự phụ thuộc của trường ngưỡng vào véc tơ sóng q z 97 Hình 3. Sự phụ thuộc của hệ số biến đổi tham số K1 vào bán kính R 98 Hình 3. Sự phụ thuộc của hệ số biến đổi tham số K1 vào nhiệt độ T 98 LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com MỞ ĐẦU 1.
Đặt vấn đề Việc ứng dụng rộng rãi các chất bán dẫn trong điện tử học và đặc biệt là sự phát triển nhanh chóng của ngành quang - điện tử học từ giữa những năm 60 đã dẫn đến sự cần thiết hình thành các phương pháp tạo ra các vật liệu bán dẫn mới có các tính chất đáp ứng được nhiều yêu cầu khác nhau.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Lê Thái Hưng (2013). Ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/tai-lieu-khac/luan-an-tien-si-hus-anh-huong-cua-phonon-giam-cam-len-mot-so-hieu-ung-cao-tan-trong-ban-dan-thap-chieu
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án tiến sĩ nghiên cứu ảnh hưởng phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều.
Luận án "Ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội. Năm bảo vệ: 2013.
Luận án "Ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều" thuộc chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán. Danh mục: Tài liệu khác.
Luận án "Ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều" có bao nhiêu trang?
Luận án "Ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều" có 136 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng cao tần trong bán dẫn thấp chiều" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.