Luận án tiến sĩ: Ảnh hưởng của điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong các hệ bán dẫn thấp chiều - TS. Nguyễn Thị Thanh Nhàn, ĐHQG Hà Nội
Nghiên cứu ảnh hưởng của điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong hệ bán dẫn thấp chiều, đề xuất mô hình lý thuyết mới.
Số trang
162
Thời gian đọc
25 phút
Lượt xem
0
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
50 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- Hiểu rõ giam cầm lượng tử trong bán dẫn thấp chiều
- Số trang:
- 162 trang
- Trường:
- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
- Tác giả:
- Nguyễn Thị Thanh Nhàn
Tóm tắt nội dung luận án
I.Hiểu rõ giam cầm lượng tử trong bán dẫn thấp chiều
Hiệu ứng giam cầm lượng tử là trọng tâm nghiên cứu bán dẫn thấp chiều. Hiệu ứng này mô tả sự hạn chế chuyển động của điện tử và phonon trong các cấu trúc có kích thước nano. Khi vật liệu bán dẫn bị thu nhỏ đến cấp độ nanomet, các tính chất vật lý của nó thay đổi đáng kể. Điều này tạo ra những đặc tính quang học mới lạ, không tồn tại trong vật liệu khối. Các hệ bán dẫn thấp chiều bao gồm hố lượng tử (2D), dây lượng tử (1D) và chấm lượng tử (0D). Việc nghiên cứu chuyên sâu giúp khai thác tối đa tiềm năng của các vật liệu này. Khoa học vật liệu và công nghệ nano dựa trên các nguyên lý giam cầm lượng tử. Sự hiểu biết về điện tử giam cầm và phonon giam cầm là cần thiết để thiết kế các thiết bị điện tử và quang điện tử tiên tiến.
1.1. Khái niệm bán dẫn thấp chiều và giam cầm
Bán dẫn thấp chiều là các vật liệu có ít nhất một chiều không gian bị giới hạn ở kích thước nanomet. Sự giới hạn này buộc các hạt mang điện phải tuân theo quy tắc cơ học lượng tử. Điện tử giam cầm xảy ra khi chuyển động của điện tử bị hạn chế trong một hoặc nhiều chiều. Phonon giam cầm xảy ra tương tự đối với các dao động mạng tinh thể, hay còn gọi là lượng tử sóng âm. Các cấu trúc nano bán dẫn thể hiện rõ ràng hiệu ứng giam cầm lượng tử. Kích thước lượng tử đóng vai trò quan trọng trong việc xác định năng lượng và động lực học của các hạt.
1.2. Các loại giam cầm Điện tử và phonon
Giam cầm điện tử liên quan đến sự thay đổi mật độ trạng thái của điện tử. Điều này dẫn đến sự phân tách các mức năng lượng thành các mức rời rạc. Vùng cấm bán dẫn thay đổi theo kích thước của cấu trúc. Hiệu ứng giam cầm lượng tử điện tử ảnh hưởng trực tiếp đến khả năng hấp thụ và phát xạ ánh sáng. Giam cầm phonon ảnh hưởng đến phổ dao động mạng. Phổ phonon thay đổi có thể làm thay đổi tương tác ghép cặp điện tử-phonon. Cả hai loại giam cầm đều là yếu tố then chốt quyết định tính chất quang trong bán dẫn thấp chiều.
1.3. Nền tảng lý thuyết của hiệu ứng lượng tử
Cơ học lượng tử cung cấp nền tảng để mô tả hiệu ứng giam cầm. Phương trình Schrödinger được sử dụng để tính toán các mức năng lượng của điện tử giam cầm. Mô hình này giúp dự đoán sự thay đổi của vùng cấm bán dẫn và vị trí các đỉnh hấp thụ. Đối với phonon, mô hình dao động mạng tinh thể được điều chỉnh. Các phương pháp tính toán bán định lượng và định lượng giúp xác định ảnh hưởng của giam cầm. Nền tảng lý thuyết hỗ trợ giải thích các kết quả thực nghiệm về tính chất quang bán dẫn. Hiểu biết này là cần thiết để phát triển vật liệu mới.
II.Ảnh hưởng điện tử giam cầm lên tính chất quang
Điện tử giam cầm là yếu tố chính định hình tính chất quang của bán dẫn thấp chiều. Hiệu ứng này làm thay đổi đáng kể vùng cấm năng lượng của vật liệu. Kích thước lượng tử của cấu trúc nano bán dẫn quyết định mức độ thay đổi này. Khi kích thước giảm, vùng cấm thường mở rộng. Điều này dịch chuyển phổ hấp thụ và phát xạ ánh sáng về phía năng lượng cao hơn. Sự giam cầm cũng ảnh hưởng đến các quasipartion như exciton. Năng lượng liên kết exciton thường tăng lên trong các hệ giam cầm. Điều này làm tăng hiệu suất phát quang của vật liệu. Nghiên cứu sâu về điện tử giam cầm giúp điều khiển chính xác các ứng dụng quang điện tử.
2.1. Thay đổi vùng cấm và năng lượng exciton
Giam cầm điện tử dẫn đến sự mở rộng của vùng cấm bán dẫn. Năng lượng các trạng thái điện tử và lỗ trống trở nên rời rạc hơn. Sự phân tách năng lượng này trực tiếp ảnh hưởng đến các quá trình hấp thụ photon. Exciton, một ghép cặp điện tử-lỗ trống, bị ảnh hưởng mạnh bởi giam cầm. Năng lượng liên kết của exciton tăng lên, đồng thời bán kính Bohr của exciton giảm. Điều này tăng cường mật độ trạng thái exciton, dẫn đến hiệu ứng quang học mạnh mẽ hơn. Việc điều khiển vùng cấm qua kích thước là kỹ thuật quan trọng trong công nghệ vật liệu.
2.2. Sự tăng cường hiệu suất hấp thụ ánh sáng
Các cấu trúc nano bán dẫn có hiệu suất hấp thụ ánh sáng cao. Điều này là do mật độ trạng thái điện tử giam cầm được điều chỉnh. Các đỉnh hấp thụ quang trở nên sắc nét hơn và dịch chuyển. Khả năng hấp thụ photon ở các bước sóng cụ thể được tăng cường. Hiệu ứng này rất quan trọng cho các ứng dụng pin mặt trời và cảm biến quang. Sự điều khiển kích thước cho phép tinh chỉnh phổ hấp thụ. Các vật liệu này có thể được tối ưu hóa cho các dải tần quang phổ khác nhau. Hiệu suất hấp thụ cao là một lợi thế của bán dẫn thấp chiều.
2.3. Dịch chuyển phổ quang và điều chỉnh màu sắc
Giam cầm lượng tử gây ra sự dịch chuyển phổ quang rõ rệt. Khi kích thước cấu trúc giảm, năng lượng phát xạ tăng lên. Điều này có nghĩa là màu sắc của ánh sáng phát ra có thể được điều chỉnh. Chấm lượng tử là một ví dụ điển hình, nơi màu sắc phát quang phụ thuộc vào kích thước. Sự kiểm soát chính xác kích thước lượng tử cho phép tạo ra các nguồn sáng có thể điều chỉnh màu. Khả năng này có ý nghĩa lớn trong các ứng dụng màn hình, đèn LED và y sinh. Phổ phát xạ được điều chỉnh thông qua việc điều khiển điện tử giam cầm.
III.Vai trò phonon giam cầm trong đáp ứng quang học
Phonon giam cầm đóng vai trò quan trọng trong việc điều hòa tương tác quang-vật chất. Các dao động mạng tinh thể, khi bị giam cầm trong cấu trúc nano, thay đổi phổ và động lực học của chúng. Sự thay đổi này ảnh hưởng đến ghép cặp điện tử-phonon, một cơ chế cơ bản ảnh hưởng đến tính chất quang của bán dẫn. Phonon giam cầm có thể ảnh hưởng đến quá trình giãn năng lượng và hiệu suất phát quang. Việc hiểu rõ ảnh hưởng của phonon giam cầm là cần thiết để tối ưu hóa hiệu suất của các thiết bị quang điện tử. Tương tác này phức tạp và đòi hỏi nghiên cứu chi tiết cả về lý thuyết lẫn thực nghiệm. Đáp ứng quang học cuối cùng là kết quả tổng hòa của cả điện tử giam cầm và phonon giam cầm.
3.1. Phân loại phonon và tương tác với điện tử
Phonon là lượng tử của dao động mạng tinh thể, có thể là âm thanh (acoustic) hoặc quang học (optical). Trong vật liệu khối, phổ phonon liên tục. Tuy nhiên, trong cấu trúc nano bán dẫn, phonon cũng bị giam cầm, tạo ra phổ rời rạc. Các phonon quang học thường tương tác mạnh với điện tử thông qua trường điện từ. Các phonon âm thanh tương tác yếu hơn. Tương tác ghép cặp điện tử-phonon là cơ chế chính cho sự truyền năng lượng giữa điện tử và mạng. Điều này ảnh hưởng đến thời gian sống của các trạng thái kích thích điện tử.
3.2. Ảnh hưởng lên ghép cặp điện tử phonon
Phonon giam cầm làm thay đổi cường độ và phổ của ghép cặp điện tử-phonon. Khi phonon bị giam cầm, các tần số dao động mạng thay đổi. Điều này có thể tăng cường hoặc giảm bớt hiệu quả của sự ghép cặp. Sự thay đổi trong ghép cặp điện tử-phonon ảnh hưởng trực tiếp đến tốc độ tái hợp điện tử-lỗ trống. Nó cũng ảnh hưởng đến sự dịch chuyển năng lượng và sự phân tán nhiệt. Sự giam cầm phonon cần được tính đến để dự đoán chính xác tính chất quang của vật liệu. Việc điều khiển ghép cặp này có thể tối ưu hóa hiệu suất thiết bị.
3.3. Tác động đến sự phát xạ và hấp thụ photon
Phonon đóng vai trò quan trọng trong các quá trình phát xạ và hấp thụ photon, đặc biệt trong các vật liệu bán dẫn có vùng cấm gián tiếp. Sự tham gia của phonon giúp bảo toàn động lượng trong các chuyển đổi quang học. Khi phonon bị giam cầm, các quy tắc chọn lựa cho các chuyển đổi này có thể thay đổi. Điều này ảnh hưởng đến hình dạng và cường độ của phổ phát quang và hấp thụ. Tác động của phonon giam cầm có thể làm tăng hoặc giảm hiệu suất phát quang. Nghiên cứu sâu giúp hiểu rõ cơ chế tương tác và tối ưu hóa vật liệu cho ứng dụng.
IV.Cấu trúc nano bán dẫn Điều khiển tính chất quang
Cấu trúc nano bán dẫn là nền tảng để khai thác hiệu ứng giam cầm lượng tử. Các hình thái như hố lượng tử, dây lượng tử và chấm lượng tử đều thể hiện các tính chất quang độc đáo. Kích thước và hình dạng của các cấu trúc này quyết định mức độ giam cầm của điện tử và phonon. Khả năng điều khiển chính xác kích thước lượng tử cho phép tinh chỉnh vùng cấm bán dẫn và năng lượng exciton. Điều này mang lại khả năng tùy biến tính chất quang theo yêu cầu cụ thể. Việc tổng hợp và đặc trưng các cấu trúc nano bán dẫn là bước quan trọng. Các kỹ thuật tổng hợp tiên tiến cho phép tạo ra các vật liệu có chất lượng cao và đồng nhất. Các nghiên cứu tiếp tục khám phá các cấu trúc mới và phức tạp hơn.
4.1. Hố lượng tử dây lượng tử chấm lượng tử
Hố lượng tử là cấu trúc 2D, nơi điện tử bị giam cầm theo một chiều. Dây lượng tử là cấu trúc 1D, giam cầm theo hai chiều. Chấm lượng tử là cấu trúc 0D, giam cầm theo cả ba chiều. Mỗi loại cấu trúc này có mật độ trạng thái và các mức năng lượng khác nhau. Hố lượng tử thường được sử dụng trong laser bán dẫn. Dây lượng tử có tiềm năng trong điện tử học siêu nhỏ. Chấm lượng tử nổi tiếng với khả năng điều chỉnh màu sắc phát quang. Sự đa dạng của các cấu trúc nano bán dẫn mở ra nhiều cơ hội nghiên cứu.
4.2. Khả năng điều chỉnh tính chất vật liệu
Kích thước lượng tử là thông số chính để điều chỉnh tính chất quang. Bằng cách thay đổi kích thước của cấu trúc nano, có thể thay đổi vùng cấm bán dẫn. Điều này cho phép điều chỉnh màu sắc phát xạ, cường độ hấp thụ, và thời gian sống của các trạng thái kích thích. Ngoài kích thước, vật liệu nền và phương pháp tổng hợp cũng ảnh hưởng đến tính chất cuối cùng. Khả năng điều khiển này là lợi thế lớn của vật liệu nano. Nó cho phép thiết kế vật liệu với các đặc tính quang học phù hợp cho các ứng dụng cụ thể.
4.3. Tổng hợp và đặc trưng cấu trúc nano
Nhiều phương pháp được sử dụng để tổng hợp cấu trúc nano bán dẫn. Các phương pháp hóa học như kết tủa keo hoặc epitaxy chùm phân tử (MBE) là phổ biến. Các kỹ thuật vật lý như khắc lithography cũng được dùng. Sau khi tổng hợp, các vật liệu cần được đặc trưng kỹ lưỡng. Các kỹ thuật như nhiễu xạ tia X, hiển vi điện tử truyền qua (TEM) và quang phổ quang phát quang (PL) được sử dụng. Việc đặc trưng giúp xác định kích thước, hình dạng, cấu trúc tinh thể và tính chất quang. Chất lượng tổng hợp ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất của hiệu ứng giam cầm lượng tử.
V.Ứng dụng tiên tiến của hiệu ứng giam cầm lượng tử
Hiệu ứng giam cầm lượng tử đã mở ra cánh cửa cho nhiều ứng dụng công nghệ đột phá. Các thiết bị quang điện tử đã và đang được hưởng lợi từ những tính chất quang độc đáo của bán dẫn thấp chiều. Từ các thiết bị chiếu sáng hiệu quả đến cảm biến nhạy bén, tiềm năng ứng dụng là rất lớn. Việc kiểm soát điện tử giam cầm và phonon giam cầm là chìa khóa để phát triển các thế hệ thiết bị mới. Các nhà khoa học không ngừng nghiên cứu để tối ưu hóa hiệu suất và giảm chi phí sản xuất. Lĩnh vực này hứa hẹn sẽ tiếp tục mang lại nhiều cải tiến đáng kể trong tương lai, đặc biệt trong các lĩnh vực như năng lượng, y tế và truyền thông. Sự phát triển này thúc đẩy sự tiến bộ của công nghệ vật liệu.
5.1. Thiết bị quang điện tử hiệu suất cao
Các diode phát quang (LED) và laser dựa trên hố lượng tử đã đạt hiệu suất cao. Chúng được sử dụng rộng rãi trong chiếu sáng và truyền thông quang. Pin mặt trời dựa trên cấu trúc nano có thể tăng cường hiệu quả chuyển đổi năng lượng. Các detektor quang điện tử nhạy hơn cũng được phát triển nhờ các tính chất giam cầm. Điện tử giam cầm giúp tinh chỉnh phổ hấp thụ và phát xạ, tối ưu hóa tương tác với ánh sáng. Các thiết bị này đang thay đổi cảnh quan công nghệ hiện đại, mang lại nhiều lợi ích.
5.2. Cảm biến laser và màn hình thế hệ mới
Cấu trúc nano bán dẫn được ứng dụng trong cảm biến sinh học và hóa học. Độ nhạy và tính chọn lọc của cảm biến được cải thiện đáng kể. Laser chấm lượng tử mang lại khả năng điều chỉnh bước sóng và giảm ngưỡng phát xạ. Công nghệ màn hình chấm lượng tử (QLED) cung cấp màu sắc sống động và tiết kiệm năng lượng hơn. Sự điều khiển kích thước lượng tử cho phép tùy chỉnh các đặc tính này. Những ứng dụng này đang định hình các sản phẩm điện tử tiêu dùng và công nghiệp.
5.3. Hướng nghiên cứu và phát triển tiềm năng
Nghiên cứu về ảnh hưởng giam cầm lượng tử vẫn tiếp tục phát triển. Các hướng nghiên cứu bao gồm vật liệu perovskite chấm lượng tử và cấu trúc nano bán dẫn 2D. Các nhà khoa học đang tìm kiếm cách kiểm soát tốt hơn ghép cặp điện tử-phonon. Mục tiêu là để giảm suy hao năng lượng và tăng cường hiệu suất thiết bị. Ứng dụng trong máy tính lượng tử và quang tử lượng tử là một lĩnh vực tiềm năng. Sự kết hợp giữa các vật liệu nano và các nguyên lý cơ học lượng tử sẽ tiếp tục thúc đẩy đổi mới. Tiềm năng của bán dẫn thấp chiều vẫn còn rất lớn để khai thác.
Mục lục chi tiết luận án
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (162 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Ễ Ị THANH NHÀN ẢNH HƯỞ ỦA ĐIỆ Ử ẦM VÀ PHONON ẦM LÊN MỘ Ố TÍNH CHẤ CÁC HỆ BÁN DẪ Ấ Ề LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com HÀ NỘ ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN Ễ Ị THANH NHÀN ẢNH HƯỞ ỦA ĐIỆ Ử ẦM VÀ PHONON ẦM LÊN MỘ Ố TÍNH CHẤ CÁC HỆ BÁN DẪ Ấ Ề Chuyên ngành ật lý Lý thuyết và Vật lý Toán Mã số LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC ỄN QUANG BÁU HÀ NỘ LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Các kết quả, số liệu, đồ thị,. được nêu trong luận án là trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kỳ các công trình nào khác. Tác giả luận án Nguyễn Thị Thanh Nhàn i LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com LỜI CẢM ƠN Tôi xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc nhất đến GS.
Nguyễn Quang Báu, người thầy đã hết lòng tận tụy giúp đỡ, hướng dẫn tôi trong quá trình học tập, nghiên cứu và hoàn thành luận án. Tôi xin chân thành cảm ơn sự giúp đỡ, hướng dẫn tận tình của các thầy, cô trong bộ môn Vật lý Lý thuyết, khoa Vật lý Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội. Tôi xin gửi lời cảm ơn đến Ban giám hiệu, Khoa Vật lý và Phòng Sau đại học, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội đã tạo mọi điều kiện cho tác giả hoàn thành luận án. Tác giả luận án Nguyễn Thị Thanh Nhàn ii LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com MỤC LỤC Danh mục hình vẽ Mở đầu.
Tổng quan về một số hệ bán dẫn hai chiều và một chiều. Hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn khối khi có mặt trƣờng bức xạ laser. Hệ bán dẫn hai chiều. Hố lượng tử.
Siêu mạng pha tạp. Siêu mạng hợp phần. Hệ bán dẫn một chiều .Dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn. Dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn.
Dây lượng tử hình trụ với hố thế parabol. Hấp thụ sóng điện từ yếu trong bán dẫn khối khi có mặt trường bức xạ laser. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong bán dẫn khối khi có mặt hai sóng điện từ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếukhi có mặt trường bức xạ laser trong bán dẫn khối.
Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hệ bán dẫn hai chiều khi có mặt trƣờng bức xạ laser. Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có mặt trường bức xạ laser. Trường hợp trường bức xạ laser không biến điệu biên độ. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong hố lượng tử khi có mặt hai sóng điện từ.
Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser không biến điệu biên độ trong hố lượng tử. Kết quả tính số và thảo luận .Trường hợp trường bức xạ laser biến điệu biên độ. 38 iii LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser biến điệu biên độ trong hố lượng tử.
Kết quả tính số và thảo luận. Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp khi có mặt trường bức xạ laser. Trường hợp trường bức xạ laser không biến điệu biên độ. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong siêu mạng pha tạp khi có mặt hai sóng điện từ.
Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser không biến điệu biên độ trong siêu mạng pha tạp. Kết quả tính số và thảo luận .Trường hợp trường bức xạ laser biến điệu biên độ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser biến điệu biên độ trong siêu mạng pha tạp. Kết quả tính số và thảo luận.
Kết luận chương 2. Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầmtrong hệ bán dẫn một chiều khi có mặt trƣờng bức xạ laser. Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khi có mặt trường bức xạ laser. Trường hợp trường bức xạ laser không biến điệu biên độ.
Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khi có mặt hai sóng điện từ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser không biến điệu biên độ trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn 64 3. Kết quả tính số và thảo luận .Trường hợp trường bức xạ laser biến điệu biên độ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser biến điệu biên độ trong dâylượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn.
73 iv LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail. Kết quả tính số và thảo luận. Hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn khi có mặt trường bức xạ laser. Trường hợp trường bức xạ laser không biến điệu biên độ.
Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn khi có mặt hai sóng điện từ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser không biến điệu biên độ trong dâylượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn. Kết quả tính số và thảo luận .Trường hợp trường bức xạ laser biến điệu biên độ. Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser biến điệu biên độ trong dâylượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn.
Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chương 3. Ảnh hƣởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hệ bán dẫn hai chiều và một chiều khi có mặt trƣờng bức xạ laser. Ảnh hưởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có mặt trường bức xạ laser.
Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong hố lượng tử khi có mặt hai sóng điện từ, có kể đến sự giam cầm phonon.Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser trong hố lượng tử, có kể đến sự giam cầm phonon. Kết quả tính số và thảo luận. Ảnh hưởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp khi có mặt trường bức xạ laser. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong siêu mạng pha tạp khi có mặt hai sóng điện từ, có kể đến sự giam cầm phonon .Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ v LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com laser trong siêu mạng pha tạp, có kể đến sự giam cầm phonon.
Kết quả tính số và thảo luận. Ảnh hưởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khi có mặt trường bức xạ laser. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn khi có mặt hai sóng điện từ, có kể đến sự giam cầm phonon.Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser trong dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn, có kể đến sự giam cầm phonon. Kết quả tính số và thảo luận.
Ảnh hưởng của sự giam cầm phonon lên hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn khi có mặt trường bức xạ laser. Phương trình động lượng tử và hàm phân bố của điện tử trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn khi có mặt hai sóng điện từ, có kể đến sự giam cầm phonon .Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm khi có mặt trường bức xạ laser trong dây lượng tử hình trụ hố thế cao vô hạn, có kể đến sự giam cầm phonon. Kết quả tính số và thảo luận. Kết luận chương 4.
128 Danh mục các công trình khoa học của tác giả đã công bố liên quan đến luận án. 129 Tài liệu tham khảo. 131 Phụ lục vi LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.com DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 2.1: Sự phụ thuộc của vào T Hình 2.2: Sự phụ thuộc của vào 1 Hình 2.3: Sự phụ thuộc của vào 2 Hình 2.4: Sự phụ thuộc của vào E01 Hình 2.5: Sự phụ thuộc của vào L Hình 2.6: Sự phụ thuộc của vào T Hình 2.7: Sự phụ thuộc của vào 1 Hình 2.8: Sự phụ thuộc của vào L Hình 2.9: Sự phụ thuộc của vào T Hình 2.10: Sự phụ thuộc của vào Hình 2.11: Sự phụ thuộc của vào Ω1 Hình 2.12: Sự phụ thuộc của vào Hình 2.13: Sự phụ thuộc của vào T Hình 2.14: Sự phụ thuộc của vào Hình 2.15: Sự phụ thuộc của vào Ω1 Hình 2.16: Sự phụ thuộc của vào F1 Hình 2.17: Sự phụ thuộc của vào T Hình 2.18: Sự phụ thuộc của vào Ω2 Hình 2.19: Sự phụ thuộc của vào nD Hình 2.20: Sự phụ thuộc của vào Nd Hình 2.21: Sự phụ thuộc của vào T Hình 2.22: Sự phụ thuộc của vào E01 Hình 2.23: Sự phụ thuộc của vào nD Hình 2.24: Sự phụ thuộc của vào Nd Hình 2.25: Sự phụ thuộc của vào Ω1 Hình 2.26: Sự phụ thuộc của vào nD vii LUAN VAN CHAT LUONG download : add luanvanchat@agmail.
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Nguyễn Thị Thanh Nhàn (n.d.). Ảnh hưởng điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong bán dẫn thấp chiều [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/tai-lieu-khac/luan-an-tien-si-hus-anh-huong-cua-dien-tu-giam-cam-va-phonon-giam-cam-len-mot-so-tinh-chat-quang-trong-cac-he-ban-dan-thap-chieu-luan-an-ts-vat-ly62-44-01-03
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Ảnh hưởng điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong bán dẫn thấp chiều" nghiên cứu về vấn đề gì?
Nghiên cứu ảnh hưởng của điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong hệ bán dẫn thấp chiều, đề xuất mô hình lý thuyết mới.
Luận án "Ảnh hưởng điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong bán dẫn thấp chiều" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội.
Luận án "Ảnh hưởng điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong bán dẫn thấp chiều" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Ảnh hưởng điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong bán dẫn thấp chiều" thuộc chuyên ngành Vật lý Lý thuyết và Vật lý Toán. Danh mục: Tài liệu khác.
Luận án "Ảnh hưởng điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong bán dẫn thấp chiều" có bao nhiêu trang?
Luận án "Ảnh hưởng điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong bán dẫn thấp chiều" có 162 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Ảnh hưởng điện tử giam cầm và phonon giam cầm đến tính chất quang trong bán dẫn thấp chiều" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.