Luận án tiến sĩ hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo sát một số tính chất
Luận án TS: Mô phỏng và khảo sát oxit phức hệ thấp chiều. Phân tích cấu trúc, tính chất, ứng dụng, và đề xuất phương pháp mới.
Năm xuất bản
Số trang
146
Thời gian đọc
22 phút
Lượt xem
1
Lượt tải
0
Phí lưu trữ
40 Point
Tổng quan nhanh
- Chủ đề:
- Tổng quan hệ thấp chiều oxit phức hợp & mục tiêu nghiên cứu
- Số trang:
- 146 trang
- Trường:
- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội
- Chuyên ngành:
- Vật Lý Chất Rắn
- Tác giả:
- Nguyễn Thùy Trang
- Năm:
- 2017
Tóm tắt nội dung luận án
I.Tổng quan hệ thấp chiều oxit phức hợp mục tiêu nghiên cứu
Luận án tiến sĩ này tập trung vào các hệ vật liệu thấp chiều oxit phức hợp. Nghiên cứu kết hợp mô phỏng lý thuyết và khảo sát thực nghiệm các tính chất đặc trưng. Mục tiêu là hiểu sâu sắc cấu trúc điện tử, tính chất điện tử, tính chất từ và tính chất quang. Các vật liệu này có tiềm năng ứng dụng lớn trong công nghệ hiện đại. Việc tìm hiểu mối liên hệ giữa cấu trúc và tính chất là trọng tâm chính.
1.1. Khái niệm hệ vật liệu thấp chiều oxit
Hệ vật liệu thấp chiều oxit bao gồm các cấu trúc đặc biệt. Chúng có thể là màng mỏng, siêu mạng, hoặc dây nano. Sự hạn chế về kích thước trong một hoặc nhiều chiều tạo ra các hiệu ứng lượng tử độc đáo. Những hiệu ứng này dẫn đến các tính chất vật lý khác biệt. Nghiên cứu tập trung vào các hệ 1D và 2D.
1.2. Tầm quan trọng nghiên cứu vật liệu oxit phức hợp
Vật liệu oxit phức hợp sở hữu dải tính chất đa dạng. Chúng có thể là siêu dẫn, bán dẫn, sắt từ, hoặc sắt điện. Tiềm năng ứng dụng rộng rãi trong spintronics, linh kiện điện tử, cảm biến và quang điện tử. Việc nghiên cứu cơ bản giúp mở đường cho phát triển công nghệ mới.
1.3. Mục tiêu chính của luận án tiến sĩ
Luận án hướng đến việc mô phỏng và khảo sát chi tiết. Mục tiêu là làm rõ các tính chất điện tử, từ, và quang của các hệ vật liệu thấp chiều oxit phức hợp. Từ đó, đưa ra các giải thích khoa học cho các hiện tượng quan sát được. Góp phần vào việc thiết kế vật liệu với tính năng mong muốn.
II.Phương pháp mô phỏng vật liệu oxit phức hợp hiện đại
Nghiên cứu sử dụng các phương pháp mô phỏng vật liệu tiên tiến. Tính toán từ nguyên lý là công cụ chính. Các kỹ thuật này cho phép dự đoán và giải thích các tính chất vật lý ở cấp độ nguyên tử. Đây là cách tiếp cận hiệu quả để khám phá vật liệu mới mà không cần thực hiện thí nghiệm tốn kém. Phương pháp này đóng vai trò quan trọng trong việc xây dựng mô hình lý thuyết vững chắc.
2.1. Giới thiệu lý thuyết hàm mật độ DFT
Lý thuyết hàm mật độ (DFT) là trụ cột của các tính toán. DFT là phương pháp phổ biến và mạnh mẽ trong vật lý chất rắn. Nó cho phép tính toán cấu trúc điện tử của vật liệu. DFT dựa trên nguyên lý Hohenberg-Kohn và Kohn-Sham. Việc này giúp xác định năng lượng hệ thống và các thuộc tính khác từ mật độ điện tử.
2.2. Kỹ thuật tính toán từ nguyên lý trong mô phỏng
Tính toán từ nguyên lý không sử dụng các tham số thực nghiệm. Chúng được xây dựng dựa trên các định luật cơ bản của cơ học lượng tử. Kỹ thuật này cung cấp cái nhìn sâu sắc về tương tác giữa các nguyên tử và điện tử. Nó hỗ trợ giải thích các hiện tượng phức tạp và dự đoán hành vi vật liệu.
2.3. Quy trình mô phỏng cấu trúc điện tử
Quy trình mô phỏng bao gồm nhiều bước. Đầu tiên là tối ưu hóa cấu trúc tinh thể. Sau đó, tiến hành tính toán phổ vùng năng lượng và mật độ trạng thái (DOS). Từ đó, xác định các cấu trúc điện tử cơ bản. Các phép gần đúng như GGA và LDA được áp dụng trong tính toán DFT.
III.Khảo sát tính chất điện tử và từ của hệ oxit phức hợp
Phần này của luận án đi sâu vào việc khảo sát tính chất điện tử và từ. Đây là hai thuộc tính cơ bản quyết định nhiều ứng dụng công nghệ. Nghiên cứu phân tích cách cấu trúc thấp chiều ảnh hưởng đến các tính chất này. Việc hiểu rõ giúp tối ưu hóa vật liệu cho các thiết bị điện tử và spintronics thế hệ mới.
3.1. Phân tích cấu trúc điện tử và dải năng lượng
Cấu trúc điện tử của các vật liệu oxit phức hợp được phân tích kỹ lưỡng. Phổ vùng dẫn và vùng hóa trị được xác định. Mật độ trạng thái (DOS) cung cấp thông tin về sự phân bố điện tử. Việc này giúp giải thích tính chất bán dẫn, cách điện hoặc dẫn điện của vật liệu. Kết quả tính toán so sánh với các mô hình lý thuyết.
3.2. Đánh giá tính chất từ vật liệu oxit phức hợp
Tính chất từ của các hệ vật liệu thấp chiều oxit phức hợp được khảo sát. Nghiên cứu đánh giá các trạng thái từ như sắt từ (FM) và phản sắt từ (AFM). Momen từ của các nguyên tử riêng lẻ và tổng cộng được tính toán. Độ chênh lệch năng lượng giữa các trạng thái từ cũng được phân tích kỹ càng.
3.3. Ảnh hưởng liên kết từ điện trong siêu mạng
Sự liên kết từ-điện trong các hệ siêu mạng được khám phá. Nghiên cứu tập trung vào cách độ phân cực điện ảnh hưởng đến tính chất từ. Hệ số liên kết từ-điện được xác định. Hiệu ứng này mở ra tiềm năng phát triển các thiết bị đa chức năng. Ví dụ điển hình là các tiếp xúc chui ngầm sắt từ (MTJ) và sắt điện (FTJ).
IV.Phân tích tính chất quang ứng dụng tiềm năng vật liệu
Luận án mở rộng nghiên cứu sang tính chất quang của các hệ oxit phức hợp. Đây là khía cạnh quan trọng cho các ứng dụng quang điện tử. Phân tích bao gồm cả kết quả mô phỏng và so sánh với dữ liệu nghiên cứu thực nghiệm. Hiểu biết về tính chất quang giúp đánh giá tiềm năng của vật liệu trong các thiết bị như diode phát sáng hữu cơ (OLED) và cảm biến.
4.1. Nghiên cứu tính chất quang của oxit phức hợp
Tính chất quang của vật liệu oxit phức hợp được nghiên cứu chuyên sâu. Các phổ hấp thụ và phát xạ quang được phân tích. Các mode hoạt động quang được xác định thông qua tính toán lý thuyết. Sự tương tác của vật liệu với ánh sáng là yếu tố quan trọng. Các kết quả này hỗ trợ thiết kế các linh kiện quang học hiệu suất cao.
4.2. Khảo sát các mode hoạt động quang thực nghiệm
Luận án tổng kết các mode hoạt động quang quan sát được từ thực nghiệm. Các hệ vật liệu như Ca2-xSrxCuO3 và Ca2CuO3:Ux được khảo sát. Vị trí các đỉnh hoạt động quang được ghi nhận và so sánh. Việc so sánh giữa kết quả tính toán và thực nghiệm giúp kiểm chứng mô hình và lý thuyết.
4.3. Tiềm năng ứng dụng của vật liệu oxit tiên tiến
Hệ vật liệu thấp chiều oxit phức hợp có tiềm năng ứng dụng rộng lớn. Chúng có thể được sử dụng trong OLED, cảm biến quang, và các linh kiện spintronics. Việc khai thác các tính chất điện tử, từ, quang đặc biệt sẽ thúc đẩy sự phát triển của công nghệ vật liệu. Nghiên cứu này góp phần định hướng các ứng dụng trong tương lai.
Tải xuống file đầy đủ để xem toàn bộ nội dung
Tải đầy đủ (146 trang)Trích đoạn nội dung luận án
Tải xuống để đọc toàn bộĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN _______________________ Nguyễn Thùy Trang HỆ THẤP CHIỀU OXIT PHỨC HỢP: MÔ PHỎNG VÀ KHẢO SÁT MỘT SỐ TÍNH CHẤT LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ CHẤT RẮN Hà Nội – 2017 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN _______________________ Nguyễn Thùy Trang HỆ THẤP CHIỀU OXIDE PHỨC HỢP: MÔ PHỎNG VÀ KHẢO SÁT MỘT SỐ TÍNH CHẤT Chuyên ngành: Vật lý chất rắn Mã số: 62440104 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ CHẤT RẮN NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS. HOÀNG NAM NHẬT Hà Nội – 2017 TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Các số liệu, kết quả nêu trong luận án này là trung thực và chưa từng được ai công bố trong bất kì công trình nào khác. Tác giả luận án Nguyễn Thuỳ Trang TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com LỜI CẢM ƠN Luận văn này được thực hiện tại Bộ môn Vật lý Chất rắn và Phòng thí nghiệm Tính toán trong Khoa học Vật liệu - Khoa Vật lý - Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội trong chương trình đào tạo tiến sĩ của Nhà trường, dưới sự hướng dẫn khoa học trực tiếp của PGS.
Hoàng Nam Nhật. Trước hết, tôi xin gửi lời biết ơn sâu sắc tới PGS. Hoàng Nam Nhật, người thầy đã trực tiếp hướng dẫn tận tình và tạo mọi điều kiện thuận lợi để tôi có thể hoàn thành luận án này. Tôi cũng xin gửi lời cảm ơn chân thành đến GS.
Bạch Thành Công và các bạn đồng nghiệp trong Phòng thí nghiệm Tính toán trong Khoa học Vật liệu đã giúp đỡ và cho phép tôi sử dụng máy chủ và hệ thống máy tính của Phòng thí nghiệm để tôi có thể thực hiện các tính toán phục vụ luận án. Tôi xin gửi lời cảm ơn chân thành tới tới các thầy cô và các anh chị cán bộ Khoa Vật lý – Trường Đại học Khoa học tự nhiên, đặc biệt là các thầy cô trong Bộ môn Vật lý Chất rắn đã cung cấp cho tôi những kiến thức quý báu trong thời gian rèn luyện, học tập, nghiên cứu tại khoa Vật lý. Cảm ơn sự quan tâm, chăm sóc, động viên tận tình của gia đình, bạn bè trong suốt quá trình học tập và thực hiện luận án này. Hà Nội, tháng 08 năm 2017 Tác giả Nguyễn Thùy Trang TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com DANH MỤC CÁC THUẬT NGỮ VIẾT TẮT 1(2,3)D: Một (hai, ba) chiều (One (two, three) dimensional) AFM: Phản sắt từ (Antiferromagnetic) BIS: Phổ đẳng sắc Bremsstrahlung (Bremsstrahling isochromat spectroscopy) CI: Tương tác cấu hình (Configuration interaction) CMR: Từ điện trở khổng lồ (Colossal magnetoresistance) DE: Trao đổi kép (Double exchange) DFT: Lý thuyết phiếm hàm mật độ (Density functional theory) DOS: Mật độ trạng thái (Density of states) DSC: Phép đo nhiệt lượng quét vi sai (Differential scanning calorimetry) DTA: Phân tích nhiệt vi sai (Differential thermal analysis) EDX hoặc EDS: Phân tích phổ tia X tán sắc năng lượng (Energy dispersive X-ray spectroscopy) EELS: Phổ mất mát năng lượng điện tử (Electron energy loss spectroscopy) FM: sắt từ (Ferromagnetic) FTJ: tiếp xúc chui ngầm sắt điện (Ferroelectric tunneling junction) GGA: Phép gần đúng gradient suy rộng (Generalize gradient approximation) HEMT: Transitor có độ linh động điện tử cao (High electron mobility transitor) LDA: Phép gần đúng mật độ địa phương (Local density approximation) MO: Orbital phân tử (Molecular orbital) MTJ: tiếp xúc chui ngầm sắt từ (Ferromagnetic tunneling junction) SCF: Trường tự hợp (Self-consistent field) SE: Siêu trao đổi (Super exchange) SEM: Hiển vi điện tử quét (Scanning electron microscope) TER: sắt điện trở chui ngầm (Tunneling electroresistance) TGA: Phân tích nhiệt trọng lượng (Thermal gravitation analysis) TMR: từ điện trở chui ngầm (Tunneling magnetoresistance) TSFZ: Vùng nổi dung môi dịch chuyển (Traveling-solvent floating-zone) TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com UPS: Phổ phát quang vùng tử ngoài (Ultraviolet photoemission spectroscopy) XPS: Phổ phát quang tia X (X-ray photoemission spectroscopy) XRD: Xray diffraction (Nhiễu xạ tia X) SR: Phục hồi spin muon (Muon spin relaxation) OLED: Organic light emiting diode TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU Bảng 1.1 Tổng kết các kết quả tham số hóa phổ vùng dẫn và vùng hóa trị của các vật liệu từ một chiều (A2CuO3), hai chiều (La2CuO4) đến ba chiều (CuO) dựa trên mô hình tương tác đa cực trong cluster CuO4.
Không xem xét đến hiệu ứng độ rộng của vùng O 2p. Xem xét đến hiệu ứng độ rộng của vùng O 2p.2 Tổng kết các mode hoạt động quang quan sát từ thực nghiệm cũng như các kết quả tính toán lý thuyết của các nhóm khác nhau trên hệ Ca2-xSrxCuO3 và hệ Ca2CuO3:Ux ở đạng đơn tinh thể và đa tinh thể. Vị trí các đỉnh hoạt động quang được tính theo đơn vị cm-1.1 Các quá trình tương tác của chùm điện tử với mẫu Bảng 3.1 Độ chênh lệch giữa mô men từ Mn ở 2 bề mặt IF1 và IF2, mMn, độ thay đổi tổng cộng của mô men từ M khi độ phân cực điện P của BTO đổi chiều và hệ số liên kết từ - điện S.2 Sự chênh lệch năng lượng giữa các trạng thái phản sắt từ so với trạng thái FM E (meV) của hệ siêu mạng LSMO/BTO.3 Kết quả tính hằng số mạng của vật liệu Ca2CuO3 bằng các phương pháp khác nhau Bảng 3.4 Các đỉnh EDX và các chuyển mức tương ứng được gán dựa vào dữ liệu trong [92] Bảng 3.5 Thông số mạng của các mẫu Ca2CuO3:Ux thu được từ phép phân tích phổ nhiễu xạ tia X dựa trên phương pháp Rietveld với sự hỗ trợ của chương trình tính toán WinMProf Bảng 3.6 Các vị trí Wyckoff và chỉ số dao động nhiệt của các nguyên tử trong ô mạng Immm của Ca2CuO3:Ux. Các tọa độ x, y và z được tính theo đơn vị hằng số mạng a, b và c tương ứng.
TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ Hình 1.1 (a) Mạng tinh thể perovskite đặc trưng bao gồm các bát diện BO6 (màu tím) chung nhau các nguyên tử oxy ở đỉnh và ở góc (nguyên tử oxy màu đỏ và nguyên tử vị trí B màu tím) tạo nên mạng giả lập phương 3D. Ở tâm mỗi khối giả lập phương là các nguyên tử A. Ô đơn vị giả lập phương thuộc nhóm không gian Pm3m tương ứng với cấu trúc perovskite lý tưởng được phóng to ở phần bên phải. (b) Ví dụ điển hình của perovskite kép: SrFe0,5Mo0,5O3.2 (a) Méo mạng Jahn-Teller; (b) Méo mạng dạng sắt điện.
Sự tách mức năng lượng dưới ảnh hưởng của méo mạng Jahn-Teller được thể hiện ở phía dưới cấu trúc tương ứng trong hình (a). Cấu trúc hai hố thế cũng được thể hiện ở phía trên cấu hình méo mạng sắt điện trong hình (b).3 Lược đồ về cấu trúc vùng năng lượng của một số trạng thái cơ bản chính trong giản đồ pha ZSA: (a) Khi U <<pd, trạng thái cách điện Mott-Hubbard; (b) Khi U >> pd, pd > c ~ W/2, trạng thái cơ bản là cách điện chuyển điện tích; (c) Khi pd < W/2, tdd => 0, trạng thái kim loại pd; (d) Khi pd < W/2, tdd khác 0, trạng thái cách điện đồng hóa trị.4 Sự tách mức năng lượng của các orbital 3d trong một số trường tinh thể phổ biến: (a) trường bát diện, (b) kim tự tháp và (c) vuông.5 (a) Hình vẽ minh họa cơ chế của tương tác trao đổi kép giữa các ion mangan đa hóa trị; (b) Hình vẽ minh họa sự xem phủ giữa orbital 3d của mangan với 2p của oxy trong tương tác siêu trao đổi.6 Một số cấu hình định hướng của các orbital d của kim loại chuyển TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.com tiếp và p của oxy minh họa cho các trường hợp khác nhau trong quy tắc GKA. (b) Sự dịch chuyển của các nguyên tử trong HoMnO3 trực thoi sắt điện với trật tự phản sắt từ loại E được thể hiện bằng các mũi tên màu xanh dương.Véc tơ phân cực điện tương ứng P được thể hiện bằng mũi tên màu đỏ [95].8 Các pha cấu trúc của BaTiO3: (a) Cấu trúc hộp thoi, (b) cấu trúc trực thoi, (c) cấu trúc tứ giác, (d) cấu trúc lập phương. Các hình cầu màu xanh lá cây, ghi và đỏ lần lượt thể hiện nguyên tử Ba, Ti và O.
Mũi tên màu đỏ thể hiện phương của véc tơ phân cực tự phát.9 Giản đồ pha của vật liệu LSMO-x [5] Hình 1.10 Một số cấu hình trộn vật liệu đa phân cực hai pha: (a) cấu hình 0-3 trong đó các hạt nano của một pha được phân tán đều trong mạng ba chiều của pha còn lại; (b) cấu hình 2-2 trong đó các màng mỏng của pha này được xen kẽ với các màng của pha kia; (c) cấu hình 1-3 trong đó các dây nano của pha này được phân tán đầu trong pha kia.11 (a) Cấu trúc tiếp xúc chui ngầm và rào thế tương ứng; (b) và (c) cấu trúc tiếp xúc chui ngầm đa phân cực MFTJ trong đó LSMO được sử dụng làm điện cực đế và kim loại từ mềm được sử dụng làm điện cực phủ. Rào thế trong hình (b) diễn tả hoạt động của MFTJ ở chế độ chui ngầm sắt điện và (c) diễn ta hoạt động của MFTJ ở chế độ chui ngầm sắt từ. Đường liên nét đậm màu đen thể hiện thế tổng cộng, đường liền mảnh thể hiện vị trí cũ của thế khi lớp sắt điện chưa phân cực, đường chấm chấm thể hiện thế trung bình của rào thế. TIEU LUAN MOI download : skknchat@gmail.12 (a) Đường cong trễ điện trở của cấu trúc tiếp xúc chui ngầm đa phân cực MFJT nền LSMO-0,3/BTO/NiFe đo bởi H.
Yau và cộng sự; (b) Đường cong từ trễ đo trên màng LSMO và NiFe tương ứng; (c) Sự thay đổi của điện trở của hệ MFJT này khi từ trường được quét từ 100 Oe về -100 Oe (đường màu đỏ và màu hồng) và ngược lại (đường màu đen và mà xanh) khi độ phân cực điện của BTO được giữ ở chế độ bật (đường màu đỏ và màu đen) và chế độ tắt (đường màu hồng và màu xanh) [37] Hình 1.13 (a) Hình bên trái thể hiện cấu trúc lớp tiếp chui ngầm đa phân cực MFTJ nền LCMO-0,3/BSTO-0,5/LCMO-0,3/Au. Hình giữa là đường trễ điện trở theo từ trường đo ở T = 40 K của hệ tương ứng với độ phân cực điện ở chế độ bật (màu đỏ) và chế độ tắt (màu xanh). Hình bên trái thể hiện sự phụ thuộc của điện trở của hệ LSMO-0,3/BSTO- 0,05/LSMO-0,3/Au vào từ trường khi từ trường được quét từ -200 Oe đến 200 Oe và ngược lại ở nhiệt độ phòng [120]. (b) Hình bên trái thể hiện cấu trúc lớp MFTJ nền LSMO- 0,3/BTO/LCMO-0,5/LSMO-0,3 và giải thích cơ chế ảnh hưởng của độ phân cực điện của lớp BTO lên trật tự từ của LCMO-0,5.
Hình bên phải là đường trễ của điện điện trở chui ngầm theo hiệu điện thế tại T = 40 K của hệ LSMO-0,3/BTO/LCMO-0,5/LSMO-0,3 (màu xanh) và hệ LSMO-0,3/BTO/LSMO-0, 3 (màu đỏ) [120].
Nội dung được bảo vệ bản quyền — Tải xuống đầy đủ
Trích dẫn luận án này
Nguyễn Thùy Trang (2017). Luận án tiến sĩ hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo [Luận án tiến sĩ, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội]. LuanAn.net. https://luanan.net/tai-lieu-khac/luan-an-tien-si-he-thap-chieu-oxit-phuc-hopmo-phong-va-khao-sat-mot-so-tinh-chat
Câu hỏi thường gặp
Luận án "Luận án tiến sĩ hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo" nghiên cứu về vấn đề gì?
Luận án TS: Mô phỏng và khảo sát oxit phức hệ thấp chiều. Phân tích cấu trúc, tính chất, ứng dụng, và đề xuất phương pháp mới.
Luận án "Luận án tiến sĩ hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo" được bảo vệ tại trường nào?
Luận án này được bảo vệ tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội. Năm bảo vệ: 2017.
Luận án "Luận án tiến sĩ hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo" thuộc chuyên ngành gì?
Luận án "Luận án tiến sĩ hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo" thuộc chuyên ngành Vật lý chất rắn. Danh mục: Tài liệu khác.
Luận án "Luận án tiến sĩ hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo" có bao nhiêu trang?
Luận án "Luận án tiến sĩ hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo" có 146 trang. Bạn có thể xem trước một phần tài liệu ngay trên trang web trước khi tải về.
Cách tải luận án "Luận án tiến sĩ hệ thấp chiều oxit phức hợpmô phỏng và khảo" về máy như thế nào?
Để tải luận án về máy, bạn nhấn nút "Tải xuống ngay" trên trang này, sau đó hoàn tất thanh toán phí lưu trữ. File sẽ được tải xuống ngay sau khi thanh toán thành công. Hỗ trợ qua Zalo: 0559 297 239.